JPH0515111U - 磁気ヘツド素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 フロントギャップ部のギャップ深さが精密に
設定でき、しかもシャープな漏れ磁界が形成できる磁気
ヘッド素子を提供する。 【構成】 磁気ヘッド素子１７は、第１コア部１８と、
第１コア部１８と一体化して孔部２２を有するリング状
のコアを形成し得る第２コア部１９と、第１コア部１８
と第２コア部１９との間に配置されかつ両コア部１８，
１９を一体化するためのフロントギャップ部２０ａとを
備えている。フロントギャップ部２０ａは、第１コア部
１８側に高飽和磁束密度の磁性材料からなる磁性薄膜層
２１を有している。この磁性薄膜層２１は、フロントギ
ャップ部２０ａの孔部２２側端部を除いて第１コア部１
８表面に配置されている。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、磁気ヘッド素子、特に、磁気ディスク用の磁気ヘッド素子に関する 。

【０００２】

【従来の技術】

ハードディスク等の磁気ディスクに対して電気・磁気変換を行って情報の書き 込み及び読み出しを行う磁気ヘッド素子として、磁気ヘッド素子がある。この磁 気ヘッド素子は、第１コア部と、第１コア部と一体化してリング状のコアを形成 し得る第２コア部と、第１コア部と第２コア部との間に配置されかつ第１コア部 と第２コア部とを一体化するためのフロントギャップ部とバックギャップ部とを 備えている。

【０００３】 ところで、このような磁気ヘッド素子では、書き込み及び読み出し効率を向上 させるため、フロントギャップ部のギャップ深さを精密に設定する必要がある。 例えば、図１７に示す磁気ヘッド素子１では、第１コア部２と第２コア部３との 間に配置されたフロントギャップ部４のギャップ深さを第２コア部３側に設けた 切欠き部３ａにより調整している。この磁気ヘッド装置１では、フロントギャッ プ部４のギャップ深さは、フロントギャップ部４の図上端（磁気ディスク対向面 側）から切欠き部３ａの図上端までの距離Ｄ₁ により決定される。

【０００４】 また、図１８に示す磁気ヘッド素子１ａでは、切欠き部３ａの図上端部にさら に切り込み部３ｂを設けてフロントギャップ部４のギャップ深さを調節している 。この磁気ヘッド素子１ａでは、フロントギャップ部４の図上端から切り込み部 ３ｂまでの距離Ｄ₂ がフロントギャップ部４のギャップ深さとなる。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

前記従来の磁気ヘッド素子１，１ａでは、第２コア部３の切欠き部３ａや切り 込み部３ｂの精密加工が困難なため、ギャップ深さを精密に調節するのが困難で ある。また、前記磁気ヘッド素子１ａでは、切り込み部３ｂが原因となって磁気 飽和部が広がり、図２０に一点鎖線で示すように、ブロードな漏れ磁界５しか得 られない。

【０００６】 本考案の目的は、フロントギャップ部のギャップ深さが精密に設定でき、しか もシャープな漏れ磁界が形成できる磁気ヘッド素子を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

本考案の磁気ヘッド素子は、磁気ディスク用のものである。この磁気ヘッド素 子は、第１コア部と、第１コア部と一体化してリング状のコアを形成し得る第２ コア部と、第１コア部と第２コア部との間に配置されかつ第１コア部と第２コア 部とを一体化するためのフロントギャップ部材とバックギャップ部材とを備えて いる。フロントギャップ部材には、第１コア部及び第２コア部の少なくとも一方 の接合面に接合深さよりも短い高飽和磁束密度の磁性薄膜が形成されている。

【０００８】

【作用】

本考案の磁気ヘッド素子では、フロントギャップ部のギャップ深さは、磁性薄 膜により決定される。ここで、磁性薄膜は寸法が精密に設定できるので、フロン トギャップ部のギャップ深さが精密に設定される。また、磁性薄膜は第１コア部 及び第２コア部よりも高飽和磁束密度の磁性薄膜であるため、フロントギャップ 部の磁気飽和が少なくなり、この結果シャープな漏れ磁界が形成できる。

【０００９】

【実施例】

図１は、本考案の一実施例が採用された磁気ヘッド装置の斜視図である。図に おいて、磁気ヘッド装置１０は、支持アーム１１と、スライダー１２とから主に 構成されている。支持アーム１１は、ハードディスクドライブに固定するもので あり、先端部に磁気ヘッド素子１７を含むスライダー１２が固着されている。

【００１０】 スライダー１２は、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ₃ ）等の高硬度セラミッ ク製の概ね直方体状の部材であり、図の下面には浮上レールが形成されており、 また先端面には中央に向かってコアスリット１４が形成されており、さらにコイ ル１６を巻着するためのワインディングスロット１５が形成されている。コアス リット１４には磁気ヘッド素子１７が固着されている。磁気ヘッド素子１７は、 図２に示すように、第１コア部１８と、第２コア部１９と、第１コア部１８と第 ２コア部１９とを一体化するためのギャップ部２０とを主に備えている。なお、 図２では、図１の磁気ヘッド素子１７の上下を逆転させている。

【００１１】 第１コア部１８は、縦断面形状がＩ字状の例えばフェライト製であり、接合面 に磁性薄膜層２１が形成されている（図３）。第２コア部１９は、縦断面がＣ字 状であり、第１コア部１８と同じくフェライト製である。また、第２コア部１９ は、第１コア部１８との接合面に切欠き部１９ａを有している（図３）。ギャッ プ部材２０を介して接合された両コア部１８，１９は、スライダー１２の幅方向 に開口する孔部２２を有している。この孔部２２は、磁気ヘッド素子１７が埋め 込まれている部位において、スライダー１２の先端から側面にかけて形成された ワインディングスロット１５と貫通している。

【００１２】 ギャップ部材２０は、第１コア部１８と第２コア部１９との接合面全体に配置 されており、磁気ディスクと対向し得る図２の上側部がフロントギャップ部２０ ａと、図２の下側部がバックギャップ部２０ｂとなっている。

【００１３】 フロントギャップ部２０ａは、図５に示すように、第１コア部１８の磁性薄膜 層２１側から第２コア部１９側に向けて、第１二酸化ケイ素層２３と、鉛ガラス 等の低融点ガラス層２４と、第２二酸化ケイ素層２５とをこの順次に積層した積 層体から構成されている。磁性薄膜層２１は、フェライトよりも高飽和磁束密度 の材料から構成された層であり、例えばセンダスト製である。磁性薄膜層２１は 、フロントギャップ部２０ａの図上部（磁気ディスク対向側）にのみ配置されて おり、その図上下方向の長さｄ₁ は、第２コア部１９の図上端から切欠き部１９ ａの上端までの長さｄ₂ （接合面の深さ）よりも小さく設定されている。第１二 酸化ケイ素層２３は、上述の磁性薄膜層２１の上面と、磁性薄膜層２１が配置さ れていない第１コア部１８の端面とを覆っている。また、第２二酸化ケイ素層２ ５は、第２コア部１９の端面を被覆している。両二酸化ケイ素層２３，２５は、 低融点ガラス層２４の成分がコア部１８，１９内に浸透するのを防止するための ものである。低融点ガラス層２４は、第１コア部１８と第２コア部１９とを接合 するための層である。なお、第２コア部１９の切欠き部１９ａには、補強用の鉛 ガラス２６が配置されており、これにより両コア部１８，１９の接合強度が強化 されている。

【００１４】 なお、バックギャップ部２０ｂは、フロントギャップ部２０ａと同様の積層体 から構成されている（図示せず）。

【００１５】 上述の磁気ヘッド素子１７には、ハードディスクドライブと接続するコイル１ ６が孔部２２を貫通して主として第１コア部２７側に巻き付けられている。

【００１６】 次に、図４から図１０を参照して、前記磁気ヘッド素子１７の製造方法につい て説明する。 まず図４及び図５にそれぞれ示すように、第１コア部１８用の第１コア部材２ ７と第２コア部１９用の第２コア部材２８とをそれぞれ用意する。第１コア部材 ２７及び第２コア部材２８は、それぞれ第１コア部１８及び第２コア部１９と断 面形状が同じ棒状の部材であり、またそれぞれ接合面２７ａ，２８ａを有してい る。第２コア部材２８の接合面２８ａには、切欠き部２８ｂが設けられている。

【００１７】 次に、図６に示すように、第１コア部材２７の接合面２７ａに図の上端部を除 いてフォトレジストによる被膜２９を配置する。被膜３９は、接合面３７ａ全体 に均一にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを図の上端部を帯状に被 覆してから感光させ、被覆された部分のフォトレジストを除去すると形成できる 。

【００１８】 次に、図７に示すように、第１コア部材２７の露出部２７ｂに磁性薄膜層２１ を配置する。磁性薄膜層２１は、例えばスパッタリング法により形成できる。磁 性薄膜層２１を形成した後に、図８に示すように、皮膜２９を除去する。これに より、磁性薄膜層２１のｄ₁ 値（図３）が所望の値に設定された第１コア部材２ ７が得られる。

【００１９】 次に、図９に示すように第１コア部材２７の接合面２７ａ上及び磁性薄膜層２ １上にギャップ部材となる二酸化ケイ素層と鉛ガラス等の低融点ガラス層とから なる積層体３０を均一に配置する。一方、第２コア部材２８の接合面２８ａにも 、二酸化ケイ素層と同様の鉛ガラス層との積層体３１（図１０）を配置する。な お、積層体３０及び積層体３１は、接合面２７ａ，２８ａ上に二酸化ケイ素及び 同様の鉛ガラスを順にスパッタリング法により積層すると形成できる。

【００２０】 次に、図１０に示すように、第１コア部材２７の積層体３０側面と第２コア部 材２８の積層体３１側面とを合わせる。また、第２コア部材２８の切欠き部２８ ｂと第１コア部材２７との間に鉛ガラス棒３２を配置する。そして、第１コア部 材２７と第２コア部材２８とを加熱すると、両コア部材２７，２８の低融点ガラ スの鉛ガラス層が溶融し、両コア部材２７，２８が接着する。同時に、鉛ガラス 棒３２が溶融して切欠き部２８ｂ内に補強用の鉛ガラス２６（図３）が配置され 、両部材２７，２８の接合が補強される。

【００２１】 次に、上述のようにして接合された第１コア部材２７と第２コア部材２８との 接合部材を所定の厚みにスライスする。これにより、磁気ヘッド素子１７が得ら れる。得られた磁気ヘッド素子１７は、スライダー１２の所定部位に設けられた コアスリット１４内に所定の向きで配置され、フロントギャップ部２０ａ側が固 着ガラスによりスライダー１２に固定される。

【００２２】 前記磁気ヘッド素子１７では、フロントギャップ部２０ａのギャップ深さが磁 性薄膜層２１の長さｄ₁ と等しくなる。磁性薄膜層２１は、上述のようなリソグ ラフィーにより製造されるため、ｄ₁ 値が精密に調節できる。この結果、フロン トギャップ部２０ａでは、ギャップ深さをより精密に設定できる。

【００２３】 また、フロントギャップ部２０ａは、磁性薄膜層２１が第１コア部１３及び第 ２コア部１９に比べて高飽和磁束密度の磁性体からなるため、シャープな漏れ磁 界が形成できる。

【００２４】 〔他の実施例〕 （ａ） 前記実施例において、第２コア部１９のバックギャップ部２０ｂ側端面 は、図１１に示すように第１コア部１８の端面と一致していなくてもよい。また 、フロントギャップ部２０ａでは、図１２に示すように、磁性薄膜層２１は第１ コア部１８端面と同一平面となるよう配置されていてもよい。即ち、磁性薄膜層 ２１が被着される部位に切欠き部２２ａを形成する。また、磁性薄膜層２１は、 図１３に示すように、第２コア部１９側にも配置されていてもよい。

【００２５】 （ｂ） 前記実施例では、第１コア部１８側に磁性薄膜層２１を配置した場合に ついて説明したが、図１４に示すように、磁性薄膜層２１が第２コア部１９側に 配置されている場合も本考案を同様に実施できる。この場合、図１７に示すよう に、第１コア部１８のバックギャップ部２０ｂ側端面は、第２コア部１９の端面 と一致していなくてもよい。また、図１６に示すように、第１コア部１８側にも 磁性薄膜層２１が配置されていてもよい。

【００２６】 （ｃ） 前記実施例では、第１コア部１８の縦断面形状をＩ字状に構成したが、 本考案はこれに限られない。例えば第１コア部１８の縦断面形状がＣ字状に構成 されている場合も本考案を同様に実施できる。

【００２７】

【考案の効果】

本考案のリング型磁気ヘッド素子によれば、フロントギャップ部に上述の磁性 薄膜が形成されているため、フロントギャップ部のギャップ深さが精密に設定で き、しかもシャープな漏れ磁界が形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例が採用された磁気ヘッド装置
の拡大部分図。

【図２】図１のIV−IV断面図

【図３】図２の拡大部分図。

【図４】前記実施例を製造するための一工程の斜視図。

【図５】前記実施例を製造するための他の一工程の斜視
図。

【図６】前記実施例を製造するためのさらに他の一工程
の斜視図。

【図７】前記実施例を製造するためのさらに他の一工程
の斜視図。

【図８】前記実施例を製造するためのさらに他の一工程
の斜視図。

【図９】前記実施例を製造するためのさらに他の一工程
の斜視図。

【図１０】前記実施例を製造するためのさらに他の一工
程の斜視図。

【図１１】他の実施例の縦断面図。

【図１２】さらに他の実施例の縦断面図。

【図１３】さらに他の実施例の縦断面図。

【図１４】さらに他の実施例の縦断面図。

【図１５】さらに他の実施例の縦断面図。

【図１６】さらに他の実施例の縦断面図。

【図１７】従来例の図５に相当する図。

【図１８】他の従来例の図３に相当する図。

【符号の説明】

１７ 磁気ヘッド素子 １８ 第１コア部 １９ 第２コア部 ２０ａ フロントギャップ ２１ 磁性薄膜層

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】第１コア部と、前記第１コア部と一体化し
   てリング状のコアを形成し得る第２コア部と、前記第１
   コア部と前記第２コア部との間に配置されかつ前記第１
   コア部と前記第２コア部とを一体化するためのフロント
   ギャップ部材とバックギャップ部材とを備えた磁気ヘッ
   ド素子において、 前記フロントギャップ部材には、前記第１コア部及び前
   記第２コア部の少なくとも一方の接合面に接合深さより
   も短い高飽和磁束密度の磁性薄膜が形成されていること
   を特徴とする磁気ヘッド素子。