JPH05152201A - 基板加熱装置 - Google Patents
基板加熱装置Info
- Publication number
- JPH05152201A JPH05152201A JP3336319A JP33631991A JPH05152201A JP H05152201 A JPH05152201 A JP H05152201A JP 3336319 A JP3336319 A JP 3336319A JP 33631991 A JP33631991 A JP 33631991A JP H05152201 A JPH05152201 A JP H05152201A
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- Japan
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- heater
- heating
- heat
- infrared heater
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板加熱の設定温度を変えた場合でも短時間
で設定温度に到達することができ、また加熱時における
基板の汚染を防止することができるようにする。 【構成】 赤外線ヒータ１の下方に基板支持部３を回転
自在及び上下動自在に配設し、赤外線ヒータ１と基板支
持部３との間で、かつ赤外線ヒータ１側に放熱板２を配
設する。そして、赤外線ヒータ１からの赤外線を放熱板
２に吸収させて昇温させ、放熱板２を介して基板支持部
３上に設置された基板３０を加熱する。
で設定温度に到達することができ、また加熱時における
基板の汚染を防止することができるようにする。 【構成】 赤外線ヒータ１の下方に基板支持部３を回転
自在及び上下動自在に配設し、赤外線ヒータ１と基板支
持部３との間で、かつ赤外線ヒータ１側に放熱板２を配
設する。そして、赤外線ヒータ１からの赤外線を放熱板
２に吸収させて昇温させ、放熱板２を介して基板支持部
３上に設置された基板３０を加熱する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造工程におい
て、例えばレジスト塗布後の基板を加熱処理する際に用
いられる基板加熱装置に関するものである。
て、例えばレジスト塗布後の基板を加熱処理する際に用
いられる基板加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造工程で用いられる基板
加熱装置には、例えばレジスト塗布後の基板を加熱処理
するためのものがある。その装置の概略を図３に示す。
図中２１は表面に基板２０が設置される加熱プレートで
あり、加熱プレート２１内には加熱ヒータ２２及び温度
センサ２３が設けられている。この加熱プレート２１の
上方には、該加熱プレート２１の温度保持効率を上げる
ための保温カバー２４が覆設されており、保温カバー２
４の側壁には窒素等の不活性ガス導入口２５及び排気口
２６がそれぞれ形成されている。
加熱装置には、例えばレジスト塗布後の基板を加熱処理
するためのものがある。その装置の概略を図３に示す。
図中２１は表面に基板２０が設置される加熱プレートで
あり、加熱プレート２１内には加熱ヒータ２２及び温度
センサ２３が設けられている。この加熱プレート２１の
上方には、該加熱プレート２１の温度保持効率を上げる
ための保温カバー２４が覆設されており、保温カバー２
４の側壁には窒素等の不活性ガス導入口２５及び排気口
２６がそれぞれ形成されている。
【０００３】このような基板加熱装置においては、不活
性ガス導入口２５より保護カバー２４内に例えば窒素が
導入される一方、導入された窒素が排気口２６より排気
され、保護カバー２４内が常時窒素で置換された状態に
保持される。そして、加熱ヒータ２２を通電すると、加
熱プレート２１が昇温して加熱プレート２１上に設置さ
れた基板２０が所要の温度に加熱される。またこのとき
温度センサ２３が加熱プレート２１の温度を検出し、検
出結果に基づいて加熱ヒータ２２の通電が制御されるこ
とによって加熱プレート２１の温度が設定値に保持され
る。
性ガス導入口２５より保護カバー２４内に例えば窒素が
導入される一方、導入された窒素が排気口２６より排気
され、保護カバー２４内が常時窒素で置換された状態に
保持される。そして、加熱ヒータ２２を通電すると、加
熱プレート２１が昇温して加熱プレート２１上に設置さ
れた基板２０が所要の温度に加熱される。またこのとき
温度センサ２３が加熱プレート２１の温度を検出し、検
出結果に基づいて加熱ヒータ２２の通電が制御されるこ
とによって加熱プレート２１の温度が設定値に保持され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
従来の基板加熱装置においては、径の大きい基板２０を
処理するために加熱プレート２１を大きくすると、それ
に伴って加熱プレート２１の熱容量が大きくなる。従っ
て、加熱設定温度を変えた場合等の熱的追従性が悪くな
る。すなわち、加熱プレート２１が所望の温度に達する
のに時間を要するという問題があった。また基板２０と
加熱プレート２１とを直接接触させて加熱するために、
基板２０の加熱プレート２１との接触部分が汚染される
等の問題も有していた。
従来の基板加熱装置においては、径の大きい基板２０を
処理するために加熱プレート２１を大きくすると、それ
に伴って加熱プレート２１の熱容量が大きくなる。従っ
て、加熱設定温度を変えた場合等の熱的追従性が悪くな
る。すなわち、加熱プレート２１が所望の温度に達する
のに時間を要するという問題があった。また基板２０と
加熱プレート２１とを直接接触させて加熱するために、
基板２０の加熱プレート２１との接触部分が汚染される
等の問題も有していた。
【０００５】本発明は上記した課題に鑑みてなされたも
のであり、基板加熱の設定温度を変えた場合でも良好な
熱的追従性を示し、しかも加熱時における基板の汚染を
防止することができる基板加熱装置の提供を目的として
いる。
のであり、基板加熱の設定温度を変えた場合でも良好な
熱的追従性を示し、しかも加熱時における基板の汚染を
防止することができる基板加熱装置の提供を目的として
いる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明に係る基板加熱装置は、ヒータと、そのヒータ
の下方に回転自在及び上下動自在に配設された基板支持
部と、前記ヒータと前記基板支持部との間にあり、かつ
前記ヒータ側に配設された放熱板とから構成されている
ようにしたものである。また上記基板加熱装置であっ
て、前記放熱板にはガス導入管が、その噴き出し口を前
記基板支持部に向けて開口した状態で内設されているよ
うにしたものである。
に本発明に係る基板加熱装置は、ヒータと、そのヒータ
の下方に回転自在及び上下動自在に配設された基板支持
部と、前記ヒータと前記基板支持部との間にあり、かつ
前記ヒータ側に配設された放熱板とから構成されている
ようにしたものである。また上記基板加熱装置であっ
て、前記放熱板にはガス導入管が、その噴き出し口を前
記基板支持部に向けて開口した状態で内設されているよ
うにしたものである。
【０００７】
【作用】本発明の基板加熱装置によれば、ヒータと、そ
のヒータの下方に回転自在及び上下動自在に配設された
基板支持部と、前記ヒータと前記基板支持部との間にあ
り、かつ前記ヒータ側に配設された放熱板とから構成さ
れているので、前記基板支持部に基板を設置した後前記
赤外線ヒータを通電すると、前記赤外線ヒータからの放
射赤外線が前記放熱板に吸収され、前記赤外線ヒータは
所要温度に加熱昇温される。そして加熱昇温されたこの
放熱板を介して基板が所望の温度で加熱される。また前
記放熱板にガス導入管が、その噴き出し口を前記基板支
持部に向けて開口した状態で内設されている場合には、
基板の加熱処理を行う際の導入ガス消費量が最小限に抑
えられることとなる。
のヒータの下方に回転自在及び上下動自在に配設された
基板支持部と、前記ヒータと前記基板支持部との間にあ
り、かつ前記ヒータ側に配設された放熱板とから構成さ
れているので、前記基板支持部に基板を設置した後前記
赤外線ヒータを通電すると、前記赤外線ヒータからの放
射赤外線が前記放熱板に吸収され、前記赤外線ヒータは
所要温度に加熱昇温される。そして加熱昇温されたこの
放熱板を介して基板が所望の温度で加熱される。また前
記放熱板にガス導入管が、その噴き出し口を前記基板支
持部に向けて開口した状態で内設されている場合には、
基板の加熱処理を行う際の導入ガス消費量が最小限に抑
えられることとなる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明に係る基板加熱装置を図面に基
づいて説明する。図１は本発明の基板加熱装置の一実施
例を示した模式図である。図中１は赤外線ヒータであ
り、例えば出力２〜３ｋｗ程度のものが用いられる。こ
の赤外線ヒータ１への通電量は、後述する放熱板２に取
り付けられたセンサ（図示せず）からの温度検出結果に
基づき制御部ＣＰＵ１１によって制御されるようになっ
ている。
づいて説明する。図１は本発明の基板加熱装置の一実施
例を示した模式図である。図中１は赤外線ヒータであ
り、例えば出力２〜３ｋｗ程度のものが用いられる。こ
の赤外線ヒータ１への通電量は、後述する放熱板２に取
り付けられたセンサ（図示せず）からの温度検出結果に
基づき制御部ＣＰＵ１１によって制御されるようになっ
ている。
【０００９】このような赤外線ヒータ１の下方には基板
３０を設置するための基板支持部３が配設されており、
赤外線ヒータ１と基板支持部３との間で、かつ赤外線ヒ
ータ１側には放熱板２が配設されている。放熱板２は赤
外線ヒータ１からの放射赤外線を効率的に吸収し、熱伝
導率が大きくかつ熱容量が小さい構造ものが用いられ、
例えばベリリア磁器等の陶器からなり、その肉厚が３〜
５ｍｍ程度のものが用いられる。そして放熱板２は、赤
外線ヒータ１がオフとなっても一定時間所要の温度を放
熱し続けるようになっている。また上記した基板支持部
３には回転駆動系９及び上下駆動系１０が接続されてお
り、これら回転駆動系９及び上下駆動系１０はそれぞれ
制御部ＣＰＵ１１に接続されている。そして制御部ＣＰ
Ｕ１１により回転駆動系９及び上下駆動系１０が制御さ
れて、基板支持部３が所望の回転数で回転し、また上下
に移動するように構成されている。
３０を設置するための基板支持部３が配設されており、
赤外線ヒータ１と基板支持部３との間で、かつ赤外線ヒ
ータ１側には放熱板２が配設されている。放熱板２は赤
外線ヒータ１からの放射赤外線を効率的に吸収し、熱伝
導率が大きくかつ熱容量が小さい構造ものが用いられ、
例えばベリリア磁器等の陶器からなり、その肉厚が３〜
５ｍｍ程度のものが用いられる。そして放熱板２は、赤
外線ヒータ１がオフとなっても一定時間所要の温度を放
熱し続けるようになっている。また上記した基板支持部
３には回転駆動系９及び上下駆動系１０が接続されてお
り、これら回転駆動系９及び上下駆動系１０はそれぞれ
制御部ＣＰＵ１１に接続されている。そして制御部ＣＰ
Ｕ１１により回転駆動系９及び上下駆動系１０が制御さ
れて、基板支持部３が所望の回転数で回転し、また上下
に移動するように構成されている。
【００１０】一方、赤外線ヒータ１上方には、赤外線ヒ
ータ１及び放熱板２を被覆した状態でカバー４が配設さ
れており、カバー４には所要のガスをカバー４内へ導入
するためのガス導入口５が形成されている。さらに放熱
板２と基板支持部３との間には基板３０付近のガスを排
気するための排気口１２が設けられている。なお、上記
説明では熱源として赤外線ヒータ１を用いたが本発明で
はこれに限定されず各種のヒータを用いることが可能で
ある。
ータ１及び放熱板２を被覆した状態でカバー４が配設さ
れており、カバー４には所要のガスをカバー４内へ導入
するためのガス導入口５が形成されている。さらに放熱
板２と基板支持部３との間には基板３０付近のガスを排
気するための排気口１２が設けられている。なお、上記
説明では熱源として赤外線ヒータ１を用いたが本発明で
はこれに限定されず各種のヒータを用いることが可能で
ある。
【００１１】次にこのような構成の基板加熱装置を用い
て基板３０に対する加熱処理を説明する。まず、所要の
ガスをガス導入口５より導入して設置される基板３０付
近を所要ガス雰囲気状態にし、この状態で基板支持部３
に基板３０を設置する。次いで赤外線ヒータ１を通電す
る。すると赤外線ヒータ１からの放射赤外線が放熱板２
に吸収され、赤外線ヒータ１は所要温度に加熱昇温され
る。そして加熱昇温されたこの放熱板２を介して基板３
０が所望の温度で加熱される。なお基板３０の加熱温度
は、制御部ＣＰＵ１１が赤外線ヒータ１の通電量を制御
して放熱板２を所要の温度に加熱することにより所望の
値に設定される。また基板３０の加熱時において、回転
駆動系９及び上下駆動系１０により基板支持部３を介し
て基板３０を所望の回転数で回転させつつ上下移動させ
れば、加熱の際の基板３０の面内温度分布をより均一に
することができる。
て基板３０に対する加熱処理を説明する。まず、所要の
ガスをガス導入口５より導入して設置される基板３０付
近を所要ガス雰囲気状態にし、この状態で基板支持部３
に基板３０を設置する。次いで赤外線ヒータ１を通電す
る。すると赤外線ヒータ１からの放射赤外線が放熱板２
に吸収され、赤外線ヒータ１は所要温度に加熱昇温され
る。そして加熱昇温されたこの放熱板２を介して基板３
０が所望の温度で加熱される。なお基板３０の加熱温度
は、制御部ＣＰＵ１１が赤外線ヒータ１の通電量を制御
して放熱板２を所要の温度に加熱することにより所望の
値に設定される。また基板３０の加熱時において、回転
駆動系９及び上下駆動系１０により基板支持部３を介し
て基板３０を所望の回転数で回転させつつ上下移動させ
れば、加熱の際の基板３０の面内温度分布をより均一に
することができる。
【００１２】以上の如くこの実施例装置では、放熱板２
を介して基板３０を加熱するので、赤外線ヒータ１に非
接触のまま上方より基板３０を加熱することができ、基
板３０の汚染を最小限に抑制することができる。また基
板３０の加熱を放熱板２を介して行うと共に、放熱板２
として赤外線を効率的に吸収し、熱伝導率が大きくかつ
熱容量の小さい構造のものを用いるので、放熱板２面内
の温度均一性を良好なものとすることができ、設定温度
変化に対しての温度追従性を良好にすることができる。
また基板３０の径が大きくなった場合でも、放熱板２の
大きさを変えることで容易に対応することができる。
を介して基板３０を加熱するので、赤外線ヒータ１に非
接触のまま上方より基板３０を加熱することができ、基
板３０の汚染を最小限に抑制することができる。また基
板３０の加熱を放熱板２を介して行うと共に、放熱板２
として赤外線を効率的に吸収し、熱伝導率が大きくかつ
熱容量の小さい構造のものを用いるので、放熱板２面内
の温度均一性を良好なものとすることができ、設定温度
変化に対しての温度追従性を良好にすることができる。
また基板３０の径が大きくなった場合でも、放熱板２の
大きさを変えることで容易に対応することができる。
【００１３】図２は本発明に係る基板加熱装置の放熱板
の他の例を示した模式図である。図例の如くこの放熱板
６にはガス導入管７が内設されており、放熱板６の基板
支持部３と対向する面には、ガス導入管７の噴き出し口
７ｂが基板支持部３に向けて開口した状態で複数個形成
されている。またガス導入管７の図示しないガス導入口
近傍には、ガス導入制御バルブ７ａが取り付けられてい
る。
の他の例を示した模式図である。図例の如くこの放熱板
６にはガス導入管７が内設されており、放熱板６の基板
支持部３と対向する面には、ガス導入管７の噴き出し口
７ｂが基板支持部３に向けて開口した状態で複数個形成
されている。またガス導入管７の図示しないガス導入口
近傍には、ガス導入制御バルブ７ａが取り付けられてい
る。
【００１４】このような放熱板６においては、導入ガス
の噴き出し口７ｂが放熱板６の基板支持部３と対向する
面にのみ形成されているので、所望の雰囲気で基板３０
の加熱処理を行う際に、導入ガス消費量を最小限に抑え
ることができる。またガス導入バルブ７ａの制御によっ
てガス導入量及びガス導入時間を制御することができ、
しかもガス導入管７は放熱板６内に配設されているの
で、導入ガスを放熱板６内を通過させる間に昇温させる
ことができる。従って、上記ガス導入量及びガス導入時
間の制御によって所望の温度のガスを基板３０に吹きつ
けることができる。なお導入ガスとしては、基板３０の
加熱効率を上げるため、熱伝導率の大きいヘリウム、水
素等を用いるのが好適であるが、基板３０の処理内容に
よって任意に選定することができる。
の噴き出し口７ｂが放熱板６の基板支持部３と対向する
面にのみ形成されているので、所望の雰囲気で基板３０
の加熱処理を行う際に、導入ガス消費量を最小限に抑え
ることができる。またガス導入バルブ７ａの制御によっ
てガス導入量及びガス導入時間を制御することができ、
しかもガス導入管７は放熱板６内に配設されているの
で、導入ガスを放熱板６内を通過させる間に昇温させる
ことができる。従って、上記ガス導入量及びガス導入時
間の制御によって所望の温度のガスを基板３０に吹きつ
けることができる。なお導入ガスとしては、基板３０の
加熱効率を上げるため、熱伝導率の大きいヘリウム、水
素等を用いるのが好適であるが、基板３０の処理内容に
よって任意に選定することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の基板加熱装
置によれば、ヒータからの熱を効率的に吸収し、熱伝導
率が大きくかつ熱容量の小さい放熱体を介して基板の加
熱を行うので、放熱板面内の温度均一性を良好なものと
することができる。また設定温度を急に変化させた場合
でも短時間で設定温度に到達することができることとな
り、熱的追従性が改善される。また基板の径が大きくな
った場合でも、放熱板の大きさを変えることで容易に対
応することができる。さらに基板の加熱をヒータに非接
触のまま放熱板を介して行うので、基板の汚染を最小限
に抑制することができる。またガス導入管が、その噴き
出し口を基板支持部に向けて開口した状態で内設されて
いる放熱板を用いた場合には、所望の雰囲気で基板の加
熱処理を行う際の導入ガス消費量を最小限に抑えること
ができる。
置によれば、ヒータからの熱を効率的に吸収し、熱伝導
率が大きくかつ熱容量の小さい放熱体を介して基板の加
熱を行うので、放熱板面内の温度均一性を良好なものと
することができる。また設定温度を急に変化させた場合
でも短時間で設定温度に到達することができることとな
り、熱的追従性が改善される。また基板の径が大きくな
った場合でも、放熱板の大きさを変えることで容易に対
応することができる。さらに基板の加熱をヒータに非接
触のまま放熱板を介して行うので、基板の汚染を最小限
に抑制することができる。またガス導入管が、その噴き
出し口を基板支持部に向けて開口した状態で内設されて
いる放熱板を用いた場合には、所望の雰囲気で基板の加
熱処理を行う際の導入ガス消費量を最小限に抑えること
ができる。
【図１】本発明に係る基板加熱装置の一実施例を示した
模式図である。
模式図である。
【図２】放熱板の他の例を示した模式図である。
【図３】従来の基板加熱装置の一例を示した模式図であ
る。
る。
１ 赤外線ヒータ ２ 放熱板 ３ 基板支持部 ７ ガス導入管 ７ｂ 噴き出し口 ９ 回転駆動系 １０ 上下駆動系 ３０ 基板
Claims (2)
- 【請求項１】 基板を所要の温度に加熱する基板加熱装
置において、 ヒータと、 該ヒータの下方に回転自在及び上下動自在に配設された
基板支持部と、 前記ヒータと前記基板支持部との間にあり、かつ前記ヒ
ータ側に配設された放熱板とから構成されていることを
特徴とする基板加熱装置。 - 【請求項２】 前記放熱板にはガス導入管が、その噴き
出し口を前記基板支持部に向けて開口した状態で内設さ
れていることを特徴とする請求項１記載の基板加熱装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3336319A JPH05152201A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 基板加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3336319A JPH05152201A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 基板加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152201A true JPH05152201A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18297893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3336319A Pending JPH05152201A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 基板加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152201A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07254557A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-10-03 | Semiconductor Syst Inc | 半導体ウェハの加熱・冷却方法及び加熱・冷却装置 |
| JP2014165330A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板熱処理装置、基板熱処理方法及び基板熱処理用記録媒体 |
-
1991
- 1991-11-25 JP JP3336319A patent/JPH05152201A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07254557A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-10-03 | Semiconductor Syst Inc | 半導体ウェハの加熱・冷却方法及び加熱・冷却装置 |
| JP2014165330A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板熱処理装置、基板熱処理方法及び基板熱処理用記録媒体 |
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