JPH07254557A - 半導体ウェハの加熱・冷却方法及び加熱・冷却装置 - Google Patents
半導体ウェハの加熱・冷却方法及び加熱・冷却装置Info
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- JPH07254557A JPH07254557A JP6302767A JP30276794A JPH07254557A JP H07254557 A JPH07254557 A JP H07254557A JP 6302767 A JP6302767 A JP 6302767A JP 30276794 A JP30276794 A JP 30276794A JP H07254557 A JPH07254557 A JP H07254557A
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- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
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- H10P72/7611—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来の半導体製造方法の接近した加熱過程
での問題点である、支持ポストと接触するウェハの部分
がウェハのその他の部分とは異なる温度に加熱されるこ
とを防止することを目的とする。 【構成】 支持部に取り付けられた、上側面を備えた
ホットプレートと、前記所望の温度に前記ホットプレー
トを加熱する手段と、前記平坦な物品を前記ホットプレ
ートの付近に支持すると共に前記平坦な物品と前記ホッ
トプレートとの間に空間を形成する、前記ホットプレー
トの前記上側面に配置された支持手段と、前記支持部に
接続された、熱伝導性の非反応性ガスの供給源と、所定
量の前記熱伝導性の非反応性ガスを前記ガス供給源から
前記空間へ供給するガス供給手段とを有する。
での問題点である、支持ポストと接触するウェハの部分
がウェハのその他の部分とは異なる温度に加熱されるこ
とを防止することを目的とする。 【構成】 支持部に取り付けられた、上側面を備えた
ホットプレートと、前記所望の温度に前記ホットプレー
トを加熱する手段と、前記平坦な物品を前記ホットプレ
ートの付近に支持すると共に前記平坦な物品と前記ホッ
トプレートとの間に空間を形成する、前記ホットプレー
トの前記上側面に配置された支持手段と、前記支持部に
接続された、熱伝導性の非反応性ガスの供給源と、所定
量の前記熱伝導性の非反応性ガスを前記ガス供給源から
前記空間へ供給するガス供給手段とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の製造方法
及び装置に関し、特に、半導体ウェハなどを迅速かつ均
一に所望の温度に加熱するための改良された方法及び装
置に関する。
及び装置に関し、特に、半導体ウェハなどを迅速かつ均
一に所望の温度に加熱するための改良された方法及び装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造技術では、フォトレジストな
どの化学的な被覆剤からなる薄膜（ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｃｏａｔｉｎｇ）によって被覆された半導体ウェハ若し
くはフラットパネルディスプレイ用の大型のフラットパ
ネルなどの物品を、薄膜を硬化させるために所望の温度
に加熱することがしばしば必要となる。例えば、フォト
レジストを形成する薄膜を硬化させるために、半導体ウ
ェハを概ね１００℃に加熱する。望まれる特定の温度
は、半導体ウェハ若しくはフラットパネルを被覆する薄
膜の種類、薄膜の厚さ、及び望まれる効果によって決定
される。
どの化学的な被覆剤からなる薄膜（ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｃｏａｔｉｎｇ）によって被覆された半導体ウェハ若し
くはフラットパネルディスプレイ用の大型のフラットパ
ネルなどの物品を、薄膜を硬化させるために所望の温度
に加熱することがしばしば必要となる。例えば、フォト
レジストを形成する薄膜を硬化させるために、半導体ウ
ェハを概ね１００℃に加熱する。望まれる特定の温度
は、半導体ウェハ若しくはフラットパネルを被覆する薄
膜の種類、薄膜の厚さ、及び望まれる効果によって決定
される。
【０００３】従来技術では、ウェハを加熱するためにホ
ットプレート（ｈｏｔ ｐｌａｔｅ）が用いられてい
た。例えば、フォトレジストなどの薄膜をその一方の表
面に被覆されたウェハがホットプレートの上に配置さ
れ、ウェハの被覆されていない表面が直接ホットプレー
トに接触していた。ウェハは、ホットプレートに形成さ
れた貫通孔を通してウェハの下側面に真空を加えられる
ことによって定位置に保持されていた。そのとき、ホッ
トプレートは１００℃に加熱され、従ってウェハは１０
０℃以下の温度に加熱されていた。
ットプレート（ｈｏｔ ｐｌａｔｅ）が用いられてい
た。例えば、フォトレジストなどの薄膜をその一方の表
面に被覆されたウェハがホットプレートの上に配置さ
れ、ウェハの被覆されていない表面が直接ホットプレー
トに接触していた。ウェハは、ホットプレートに形成さ
れた貫通孔を通してウェハの下側面に真空を加えられる
ことによって定位置に保持されていた。そのとき、ホッ
トプレートは１００℃に加熱され、従ってウェハは１０
０℃以下の温度に加熱されていた。
【０００４】従来技術のこの加熱システムには、２つの
問題がある。第１の問題点は、被覆されない面、即ち、
ウェハの“裏側面”は、化学薬品によってしばしば汚染
されることになり、同様に、ウェハの被覆されていない
面に直接接触しているホットプレートも化学薬品によっ
て汚染されることになる。従って、ホットプレートを頻
繁に洗浄することが必要となり、このため半導体製造過
程が頻繁に中断されなければならないことである。
問題がある。第１の問題点は、被覆されない面、即ち、
ウェハの“裏側面”は、化学薬品によってしばしば汚染
されることになり、同様に、ウェハの被覆されていない
面に直接接触しているホットプレートも化学薬品によっ
て汚染されることになる。従って、ホットプレートを頻
繁に洗浄することが必要となり、このため半導体製造過
程が頻繁に中断されなければならないことである。
【０００５】第２の問題点は、ウェハの裏側面が直接ホ
ットプレートと接触しているために、汚染され易いとい
うことである。ウェハの裏側面の粒子によって、レジス
ト露光過程中にしばしばフォーカスエラーが発生する。
ホットプレートがより高い温度に加熱されている場合、
加熱されたホットプレートがウェハに突然接触すること
によって熱衝撃が与えられ、ウェハが反ったり、ウェハ
に割れが生ずることがある。
ットプレートと接触しているために、汚染され易いとい
うことである。ウェハの裏側面の粒子によって、レジス
ト露光過程中にしばしばフォーカスエラーが発生する。
ホットプレートがより高い温度に加熱されている場合、
加熱されたホットプレートがウェハに突然接触すること
によって熱衝撃が与えられ、ウェハが反ったり、ウェハ
に割れが生ずることがある。
【０００６】これらの理由から、半導体製造方法では、
“接近した加熱（ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ ｂａｋｅ）”過
程を用いるようになり、この過程では、ウェハは３本の
支持ポストによってホットプレートから離れて配置さ
れ、ウェハはホットプレートから５mmの間隔を置いて配
置されている。このようにウェハをホットプレートから
離して配置することによって、ウェハの裏側面とホット
プレートが直接接触することが回避され、ウェハの裏側
面が汚染されることが防止される。ウェハの裏側面の汚
染を防止することによって、フォーカスエラー及び熱衝
撃の発生する可能性が低減される。しかしながら、既に
知られている接近した加熱システムには２つの問題があ
る。第１の問題点は、支持ポストと接触するウェハの部
分がその他の部分とは不均一に加熱されることである。
第２の問題点は、ウェハを所望の温度に加熱するために
より長い時間を必要とすることである。例えば、１００
℃に加熱されたホットプレートからウェハが５mm離れて
配置されている場合、ウェハを１００℃に加熱するため
に概ね４５秒かかる。更に、空気が加熱されることによ
って、ウェハとホットプレートとの間の空気が膨張し、
対流によってウェハの周縁部分が不均一に加熱される。
“接近した加熱（ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ ｂａｋｅ）”過
程を用いるようになり、この過程では、ウェハは３本の
支持ポストによってホットプレートから離れて配置さ
れ、ウェハはホットプレートから５mmの間隔を置いて配
置されている。このようにウェハをホットプレートから
離して配置することによって、ウェハの裏側面とホット
プレートが直接接触することが回避され、ウェハの裏側
面が汚染されることが防止される。ウェハの裏側面の汚
染を防止することによって、フォーカスエラー及び熱衝
撃の発生する可能性が低減される。しかしながら、既に
知られている接近した加熱システムには２つの問題があ
る。第１の問題点は、支持ポストと接触するウェハの部
分がその他の部分とは不均一に加熱されることである。
第２の問題点は、ウェハを所望の温度に加熱するために
より長い時間を必要とすることである。例えば、１００
℃に加熱されたホットプレートからウェハが５mm離れて
配置されている場合、ウェハを１００℃に加熱するため
に概ね４５秒かかる。更に、空気が加熱されることによ
って、ウェハとホットプレートとの間の空気が膨張し、
対流によってウェハの周縁部分が不均一に加熱される。
【０００７】接近した加熱方法で長い時間が必要とれる
という問題を解決するための公知の方法は、ホットプレ
ートをより高い温度、例えば１５０℃に加熱することで
ある。このようにホットプレートをより高温度に加熱す
ることによって、ウェハを所望の温度に、例えば１００
℃により速く加熱することができる。しかしながら、ホ
ットプレートの温度を上昇させることによって、ホット
プレートの温度の均一性が低下する。更に、適度な加熱
時間内に完全な熱平衡に達することがない。その結果、
ウェハ全体の温度が、より不均一となり、かつ加熱過程
中に変化する。言い換えれば、ウェハのある部分は温度
が低すぎ、ウェハの他の部分は温度が高すぎるために、
薄膜を平坦に硬化させることができなかった。
という問題を解決するための公知の方法は、ホットプレ
ートをより高い温度、例えば１５０℃に加熱することで
ある。このようにホットプレートをより高温度に加熱す
ることによって、ウェハを所望の温度に、例えば１００
℃により速く加熱することができる。しかしながら、ホ
ットプレートの温度を上昇させることによって、ホット
プレートの温度の均一性が低下する。更に、適度な加熱
時間内に完全な熱平衡に達することがない。その結果、
ウェハ全体の温度が、より不均一となり、かつ加熱過程
中に変化する。言い換えれば、ウェハのある部分は温度
が低すぎ、ウェハの他の部分は温度が高すぎるために、
薄膜を平坦に硬化させることができなかった。
【０００８】接近した加熱過程に関連する加熱時間が実
質的に増加することで、所定の時間内で、例えば１日で
製造される半導体ウェハ若しくは他の基板の枚数が減少
するので、加熱時間の増加は好ましいものではない。同
様に、上述された従来技術のウェハとホットプレートが
接触する加熱方法での、ホットプレート若しくはウェハ
の裏側面の化学的な汚染を原因とする遅れ及びレジスト
露光誤差は、所定の時間内に生産される半導体ウェハの
枚数を減少させ、かつ生産効率を低下させる。
質的に増加することで、所定の時間内で、例えば１日で
製造される半導体ウェハ若しくは他の基板の枚数が減少
するので、加熱時間の増加は好ましいものではない。同
様に、上述された従来技術のウェハとホットプレートが
接触する加熱方法での、ホットプレート若しくはウェハ
の裏側面の化学的な汚染を原因とする遅れ及びレジスト
露光誤差は、所定の時間内に生産される半導体ウェハの
枚数を減少させ、かつ生産効率を低下させる。
【０００９】接近した加熱過程では、加熱されるウェハ
がわずかに反っている場合、第３の問題が生ずる。ウェ
ハが反っているために、ウェハのある部分はウェハの他
の部分よりもホットプレートからより離れて配置される
ことになる。従って、ホットプレートからより遠くに配
置されたウェハの部分は、ホットプレートにより接近し
て配置されたウェハの部分よりも緩やかに加熱されるこ
とになる。従って、従来技術の接近した加熱過程では、
形状の反ったウェハを均一に加熱することはできない。
がわずかに反っている場合、第３の問題が生ずる。ウェ
ハが反っているために、ウェハのある部分はウェハの他
の部分よりもホットプレートからより離れて配置される
ことになる。従って、ホットプレートからより遠くに配
置されたウェハの部分は、ホットプレートにより接近し
て配置されたウェハの部分よりも緩やかに加熱されるこ
とになる。従って、従来技術の接近した加熱過程では、
形状の反ったウェハを均一に加熱することはできない。
【００１０】次にフォトレジストを露光のために、ウェ
ハを冷却する過程にも、上述された問題点がある。典型
的には、ウェハはチルプレート（ｃｈｉｌｌ ｐｌａｔ
ｅ）に載置され、このチルプレートがウェハから熱を吸
収し、かつウェハの温度を急速に室温まで低下させる。
しかしながら、ウェハをチルプレートの上に直接載置す
ることは、上述されたホットプレートに関するウェハの
裏側面の汚染と同様の汚染の原因となる。ウェハの裏側
面の汚染を防止するために、接近した冷却過程が用いら
れ、この過程ではウェハは複数の支持ポストによってチ
ルプレートの上方に支持される。接近した冷却過程は、
接近した加熱過程に関して上述されたように、熱の伝達
速度が低下するという問題点を有する。
ハを冷却する過程にも、上述された問題点がある。典型
的には、ウェハはチルプレート（ｃｈｉｌｌ ｐｌａｔ
ｅ）に載置され、このチルプレートがウェハから熱を吸
収し、かつウェハの温度を急速に室温まで低下させる。
しかしながら、ウェハをチルプレートの上に直接載置す
ることは、上述されたホットプレートに関するウェハの
裏側面の汚染と同様の汚染の原因となる。ウェハの裏側
面の汚染を防止するために、接近した冷却過程が用いら
れ、この過程ではウェハは複数の支持ポストによってチ
ルプレートの上方に支持される。接近した冷却過程は、
接近した加熱過程に関して上述されたように、熱の伝達
速度が低下するという問題点を有する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の半導
体製造方法の接近した加熱過程での問題点である、支持
ポストと接触するウェハの部分がウェハのその他の部分
とは異なる温度に加熱されることを防止することを目的
とする。
体製造方法の接近した加熱過程での問題点である、支持
ポストと接触するウェハの部分がウェハのその他の部分
とは異なる温度に加熱されることを防止することを目的
とする。
【００１２】更に、本発明は、ウェハを所望の温度に加
熱するための時間を低減することを目的とする。
熱するための時間を低減することを目的とする。
【００１３】また、本発明は、形状の反ったウェハを均
一に加熱することを目的とする。
一に加熱することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上述された目的は、所望
の温度のホットプレートの近傍に概ね平坦な物品を配置
し、前記物品と前記ホットプレートとの間に空間を形成
する過程と、前記空間に熱伝導線の非反応性ガスを供給
する過程とを有することを特徴とする方法を提供するこ
とによって達成される。
の温度のホットプレートの近傍に概ね平坦な物品を配置
し、前記物品と前記ホットプレートとの間に空間を形成
する過程と、前記空間に熱伝導線の非反応性ガスを供給
する過程とを有することを特徴とする方法を提供するこ
とによって達成される。
【００１５】また、上述された目的は、概ね平坦な物品
を所望の温度に加熱するための装置であって、支持部に
取り付けられると共に上側面を備えたホットプレート
と、前記所望の温度に前記ホットプレートを加熱する手
段と、前記ホットプレートの前記上側面の上に配置さ
れ、前記平坦な物品を前記ホットプレートの付近に支持
することによつて前記平坦な物品と前記ホットプレート
との間に空間を形成する支持手段と、前記支持部に接続
された熱伝導性の非反応性ガスの供給源と、所定量の前
記熱伝導性の非反応性ガスを前記ガス供給源から前記空
間へ供給する手段とを有することを特徴とする概ね平坦
な物品を所望の温度に加熱するための半導体ウェハの加
熱・冷却装置を提供することによって達成される。
を所望の温度に加熱するための装置であって、支持部に
取り付けられると共に上側面を備えたホットプレート
と、前記所望の温度に前記ホットプレートを加熱する手
段と、前記ホットプレートの前記上側面の上に配置さ
れ、前記平坦な物品を前記ホットプレートの付近に支持
することによつて前記平坦な物品と前記ホットプレート
との間に空間を形成する支持手段と、前記支持部に接続
された熱伝導性の非反応性ガスの供給源と、所定量の前
記熱伝導性の非反応性ガスを前記ガス供給源から前記空
間へ供給する手段とを有することを特徴とする概ね平坦
な物品を所望の温度に加熱するための半導体ウェハの加
熱・冷却装置を提供することによって達成される。
【００１６】
【作用】以下の開示内容に基づけば、従来技術のホット
プレートとウェハとを接触させて加熱する方法及び装置
の問題点と、ウェハをホットプレートの付近に配置する
方法及び装置の問題点は、ウェハとホットプレートとの
間の空間に熱伝導性の非反応性ガスを供給することによ
って解決される。“非反応性”ガスは、加熱過程中にウ
ェハの薄膜と反応しないガスを意味する。ヘリウムは特
に好ましい熱伝導性を備えた非反応性ガスであり、かつ
商業的に入手可能であり廉価である。ウェハとホットプ
レートとの間の空間にヘリウムを供給することによっ
て、従来技術のウェハをホットプレートの付近に配置す
る加熱方法及び加熱装置に較べウェハをより均一に加熱
することができ、支持ポストと接触したウェハの部分の
加熱に関する異常を低減し、かつウェハが反っているた
めにホットプレートからより遠くに配置されたウェハの
部分へ熱を伝達する。更に、ヘリウムは特に有効な熱伝
達媒体なので、ウェハを所望の温度に加熱するために必
要な時間及びウェハを冷却するために必要な時間が２／
３若しくはそれ以上短縮される。
プレートとウェハとを接触させて加熱する方法及び装置
の問題点と、ウェハをホットプレートの付近に配置する
方法及び装置の問題点は、ウェハとホットプレートとの
間の空間に熱伝導性の非反応性ガスを供給することによ
って解決される。“非反応性”ガスは、加熱過程中にウ
ェハの薄膜と反応しないガスを意味する。ヘリウムは特
に好ましい熱伝導性を備えた非反応性ガスであり、かつ
商業的に入手可能であり廉価である。ウェハとホットプ
レートとの間の空間にヘリウムを供給することによっ
て、従来技術のウェハをホットプレートの付近に配置す
る加熱方法及び加熱装置に較べウェハをより均一に加熱
することができ、支持ポストと接触したウェハの部分の
加熱に関する異常を低減し、かつウェハが反っているた
めにホットプレートからより遠くに配置されたウェハの
部分へ熱を伝達する。更に、ヘリウムは特に有効な熱伝
達媒体なので、ウェハを所望の温度に加熱するために必
要な時間及びウェハを冷却するために必要な時間が２／
３若しくはそれ以上短縮される。
【００１７】ある実施例では、ヘリウムはウェハとホッ
トプレートとの間の空間に供給される前に、所望の温度
に、例えば１００℃に加熱される。ある実施例では、ホ
ットプレートに形成された貫通孔を通してある特定の距
離に亘ってホットプレート内をヘリウムが通過すること
で、ヘリウムが予熱される。例えば、好適な実施例で
は、ヘリウムはホットプレート内を少なくとも５．０８
cm（２インチ）に亘って通過する。
トプレートとの間の空間に供給される前に、所望の温度
に、例えば１００℃に加熱される。ある実施例では、ホ
ットプレートに形成された貫通孔を通してある特定の距
離に亘ってホットプレート内をヘリウムが通過すること
で、ヘリウムが予熱される。例えば、好適な実施例で
は、ヘリウムはホットプレート内を少なくとも５．０８
cm（２インチ）に亘って通過する。
【００１８】
【実施例】ウェハ１０２（図１）は、支持ポスト１０６
によってホットプレート１０４から約５mm離れて配置さ
れている。従来技術で行われるのと同様に、ホットプレ
ート１０４は１００℃に加熱される。現在では、ホット
プレートの温度を調節することのできる半導体処理装置
が市販されている。アメリカ合衆国カリフォルニア州フ
リモントのセミコンダクター・システムズ社（Ｓｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒＳｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃ．）から入
手することのできるオービトラック装置（Ｏｒｂｉｔｒ
ａｃｋ ｓｙｓｔｅｍ）は、そのような装置の１つであ
る。ホットプレート１０４から半導体ウェハ１０２への
熱の伝達を容易にするために、半導体ウェハ１０２とホ
ットプレート１０４との間の空間１１０にヘリウムガス
が供給される。
によってホットプレート１０４から約５mm離れて配置さ
れている。従来技術で行われるのと同様に、ホットプレ
ート１０４は１００℃に加熱される。現在では、ホット
プレートの温度を調節することのできる半導体処理装置
が市販されている。アメリカ合衆国カリフォルニア州フ
リモントのセミコンダクター・システムズ社（Ｓｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒＳｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃ．）から入
手することのできるオービトラック装置（Ｏｒｂｉｔｒ
ａｃｋ ｓｙｓｔｅｍ）は、そのような装置の１つであ
る。ホットプレート１０４から半導体ウェハ１０２への
熱の伝達を容易にするために、半導体ウェハ１０２とホ
ットプレート１０４との間の空間１１０にヘリウムガス
が供給される。
【００１９】開示された実施例ではヘリウムが用いられ
ているが、エネルギー伝達媒体として特に有効でありと
共にウェハ１０２の薄膜と反応しないガスであれば、任
意のガスが用いられてよい。ガスは、３７．８℃（１０
０゜Ｆ）で４１．８７×１０-4Ｗ／（ｍ・Ｋ）（１×１
０-4ｃａｌ／（ｓ・cm・℃））以上の熱伝導率を有する
場合、エネルギー伝達媒体として特に有効である。以下
で、そのようなガスを“熱導伝性ガス”と呼ぶ。ヘリウ
ムは３７．８℃（１００゜Ｆ）で１５４．３５×１０-4
Ｗ／（ｍ・Ｋ）（３．６８６３×１０-4ｃａｌ／（ｓ・
cm・℃））の熱伝導率を有するので、特に有効なエネル
ギー伝達媒体である。一方、空気は３７．８℃（１００
゜Ｆ）で２６．８９×１０-4Ｗ／（ｍ・Ｋ）（０．６４
２２×１０-4ｃａｌ／（ｓ・cm・℃））の熱伝導率を有
する。更に、ヘリウムは不活性ガスであり、半導体ウェ
ハ１０２の薄膜と反応することがない。半導体ウェハ１
０２の薄膜と容易に反応しないガスを、本明細書中で
“非反応性ガス”と呼ぶ。更に、ヘリウムは容易に入手
することができ、かつ廉価である。従って、ヘリウムが
本発明の好適な実施例で使用される。
ているが、エネルギー伝達媒体として特に有効でありと
共にウェハ１０２の薄膜と反応しないガスであれば、任
意のガスが用いられてよい。ガスは、３７．８℃（１０
０゜Ｆ）で４１．８７×１０-4Ｗ／（ｍ・Ｋ）（１×１
０-4ｃａｌ／（ｓ・cm・℃））以上の熱伝導率を有する
場合、エネルギー伝達媒体として特に有効である。以下
で、そのようなガスを“熱導伝性ガス”と呼ぶ。ヘリウ
ムは３７．８℃（１００゜Ｆ）で１５４．３５×１０-4
Ｗ／（ｍ・Ｋ）（３．６８６３×１０-4ｃａｌ／（ｓ・
cm・℃））の熱伝導率を有するので、特に有効なエネル
ギー伝達媒体である。一方、空気は３７．８℃（１００
゜Ｆ）で２６．８９×１０-4Ｗ／（ｍ・Ｋ）（０．６４
２２×１０-4ｃａｌ／（ｓ・cm・℃））の熱伝導率を有
する。更に、ヘリウムは不活性ガスであり、半導体ウェ
ハ１０２の薄膜と反応することがない。半導体ウェハ１
０２の薄膜と容易に反応しないガスを、本明細書中で
“非反応性ガス”と呼ぶ。更に、ヘリウムは容易に入手
することができ、かつ廉価である。従って、ヘリウムが
本発明の好適な実施例で使用される。
【００２０】いくつかの熱伝導性ガスが表１に例示され
ている。
ている。
【００２１】
【表１】
【００２２】ここで、熱伝導率は、温度３７．８℃での
値であり、Ｗ／（ｍ・Ｋ）を単位とする。
値であり、Ｗ／（ｍ・Ｋ）を単位とする。
【００２３】ヘリウムガスは特に高い熱伝導率を有する
ので、ホットプレート１０４とウェハ１０２との間の空
間１１０内のヘリウムガスは、ホットプレート１０４と
ウェハ１０２との間で特に有効なエネルギー伝達媒体と
して働く。その結果、本発明の実施例では、ウェハ１０
２を室温から１００℃に加熱するために必要な時間は、
空間１１０にヘリウムガスが供給されていない場合の４
５秒から、空間１１０にヘリウムガスが供給されている
場合の１３秒に短縮される。ウェハをチルプレート（図
示されていない）の付近に配置した場合も、ウェハを冷
却するために必要な時間は上述したように短縮される。
従って、ウェハをホットプレートの付近に配置する従来
の加熱装置によって製造されるウェハの個数に比べ、開
示された本発明の実施例に基づいて製造されるウェハの
個数は３倍となる。
ので、ホットプレート１０４とウェハ１０２との間の空
間１１０内のヘリウムガスは、ホットプレート１０４と
ウェハ１０２との間で特に有効なエネルギー伝達媒体と
して働く。その結果、本発明の実施例では、ウェハ１０
２を室温から１００℃に加熱するために必要な時間は、
空間１１０にヘリウムガスが供給されていない場合の４
５秒から、空間１１０にヘリウムガスが供給されている
場合の１３秒に短縮される。ウェハをチルプレート（図
示されていない）の付近に配置した場合も、ウェハを冷
却するために必要な時間は上述したように短縮される。
従って、ウェハをホットプレートの付近に配置する従来
の加熱装置によって製造されるウェハの個数に比べ、開
示された本発明の実施例に基づいて製造されるウェハの
個数は３倍となる。
【００２４】更に、ヘリウムは特に有効なエネルギー伝
達媒体であるので、ウェハをホットプレートの付近に配
置する従来の加熱装置に比べ、ウェハ１０２をより均一
に加熱することができる。空間１１０のヘリウムガス
は、ウェハ１０２を加熱する場合に、支持ポスト１０６
と接触するウェハ１０２の部分の異常を減少させる。更
に、ヘリウムガスは概ね上昇するので、ウェハ１０２が
反っているために他の部分よりもホットプレート１０４
から離れて配置されているウェハ１０２の部分へ向かっ
てヘリウムガスが流れる。他の部分よりもホットプレー
ト１０４から離れて配置された部分は、ウェハをホット
プレートの付近に配置する従来技術の加熱装置では十分
に加熱されないが、本発明に基づく装置ではヘリウムの
熱伝達特性によって十分かつ効率よく加熱される。従っ
て、空間１１０のヘリウムガスによって、従来の加熱装
置を用いた場合よりも、ウェハ１０２がより均一に加熱
される。
達媒体であるので、ウェハをホットプレートの付近に配
置する従来の加熱装置に比べ、ウェハ１０２をより均一
に加熱することができる。空間１１０のヘリウムガス
は、ウェハ１０２を加熱する場合に、支持ポスト１０６
と接触するウェハ１０２の部分の異常を減少させる。更
に、ヘリウムガスは概ね上昇するので、ウェハ１０２が
反っているために他の部分よりもホットプレート１０４
から離れて配置されているウェハ１０２の部分へ向かっ
てヘリウムガスが流れる。他の部分よりもホットプレー
ト１０４から離れて配置された部分は、ウェハをホット
プレートの付近に配置する従来技術の加熱装置では十分
に加熱されないが、本発明に基づく装置ではヘリウムの
熱伝達特性によって十分かつ効率よく加熱される。従っ
て、空間１１０のヘリウムガスによって、従来の加熱装
置を用いた場合よりも、ウェハ１０２がより均一に加熱
される。
【００２５】ウェハ１０２がホットプレート１０４の近
傍で加熱される間、蓋１０８Ａが下降させられ、支持部
１０８Ｂと協動して密閉されたチャンバを形成し、この
密閉されたチャンバがヘリウムガス及びホットプレート
１０４からの熱を収容する。
傍で加熱される間、蓋１０８Ａが下降させられ、支持部
１０８Ｂと協動して密閉されたチャンバを形成し、この
密閉されたチャンバがヘリウムガス及びホットプレート
１０４からの熱を収容する。
【００２６】ホットプレート１０４は、図２及び図３に
より詳しく例示されている。ホットプレート１０４をそ
のエッジ部分から中心に向かってガンドリル（ｇｕｎ
ｄｒｉｌｌｅｄ）することによって、半径方向に延在す
るボア２１０が形成されている。同様に、半径方向に延
在するボア２１０Ａ及び２１０Ｂ（図３）が形成されて
いる。プラグ２１１、２１１Ａ及び２１２Ｂは各々、ボ
ア２１０、２１０Ａ及び２１０Ｂの端部を密閉してい
る。中心ボア２１４がホットプレート１０４の底面に形
成されており、このボア２１４を通してヘリウムがボア
２１０、２１０Ａ及び２１０Ｂに供給される。ボア２１
０に達する上部ボア２１２（図２）がホットプレート１
０４の上面に形成されている。上部ボア２１２は中心ボ
ア２１４から距離２１６だけ隔てられて形成されてお
り、中心ボア２１４から供給されたヘリウムガスはボア
２１０に沿って少なくとも距離２１６だけ移動する。ヘ
リウムガスは、距離２１６に亘ってボア２１０を通り、
中心ボア２１４から上部ボア２１２へ流れるので、ヘリ
ウムガスはホットプレート１０４と等しい温度に加熱さ
れる。従って、上部ボア２１２から空間１１０（図１）
へ流れ込むヘリウムガスは、ホットプレート１０４と等
しい温度となっている。
より詳しく例示されている。ホットプレート１０４をそ
のエッジ部分から中心に向かってガンドリル（ｇｕｎ
ｄｒｉｌｌｅｄ）することによって、半径方向に延在す
るボア２１０が形成されている。同様に、半径方向に延
在するボア２１０Ａ及び２１０Ｂ（図３）が形成されて
いる。プラグ２１１、２１１Ａ及び２１２Ｂは各々、ボ
ア２１０、２１０Ａ及び２１０Ｂの端部を密閉してい
る。中心ボア２１４がホットプレート１０４の底面に形
成されており、このボア２１４を通してヘリウムがボア
２１０、２１０Ａ及び２１０Ｂに供給される。ボア２１
０に達する上部ボア２１２（図２）がホットプレート１
０４の上面に形成されている。上部ボア２１２は中心ボ
ア２１４から距離２１６だけ隔てられて形成されてお
り、中心ボア２１４から供給されたヘリウムガスはボア
２１０に沿って少なくとも距離２１６だけ移動する。ヘ
リウムガスは、距離２１６に亘ってボア２１０を通り、
中心ボア２１４から上部ボア２１２へ流れるので、ヘリ
ウムガスはホットプレート１０４と等しい温度に加熱さ
れる。従って、上部ボア２１２から空間１１０（図１）
へ流れ込むヘリウムガスは、ホットプレート１０４と等
しい温度となっている。
【００２７】ある実施例では、距離２１６（図２）は、
少なくとも５．０８cm（２インチ）であり、上部ボア２
１２の直径は２mmである。上部ボア２１２Ａ及び２１２
Ｂ（図３）は、上部ボア２１２に関するこれまでの説明
のように、ホットプレート１０４の上側面を通って各々
ボア２１０Ａ及び２１０Ｂに達するように形成されてい
る。
少なくとも５．０８cm（２インチ）であり、上部ボア２
１２の直径は２mmである。上部ボア２１２Ａ及び２１２
Ｂ（図３）は、上部ボア２１２に関するこれまでの説明
のように、ホットプレート１０４の上側面を通って各々
ボア２１０Ａ及び２１０Ｂに達するように形成されてい
る。
【００２８】第２の実施例では、上部ボア（図示されて
いない）が、中心ボア２１４の上に形成されている。こ
の中心の上部ボアを通るヘリウムガスは、上部ボア２１
２、２１２Ａ及び２１２Ｂを通るヘリウムガスとは異な
り十分に加熱されない。
いない）が、中心ボア２１４の上に形成されている。こ
の中心の上部ボアを通るヘリウムガスは、上部ボア２１
２、２１２Ａ及び２１２Ｂを通るヘリウムガスとは異な
り十分に加熱されない。
【００２９】上述されたボア２１０、２１０Ａ及び２１
０Ｂと、上部ボア２１２、２１２Ａ及び２１２Ｂと、中
心ボア２１４と同様に形成された、半径方向に延在する
ボアと、上部ボアと、中心ボアとを用いた、ウェハを固
定するための真空ホールド・ダウン（ｖａｃｕｕｍ ｈ
ｏｌｄ−ｄｏｗｎ）が、従来技術のホットプレートに供
給されている。従来の技術では、それらのホットプレー
トへの真空が加えられるボアを通して、ヘリウムガスが
供給される。複数の上部ボアを備えたホットプレートで
は、１つ若しくはごく一部の上部ボアを通してヘリウム
が供給されるために、ウェハ１０２が不均一に加熱され
る。そのようなホットプレートの十分な個数の上部ボア
が塞がれ、空間１１０をヘリウムで均一に満たすため
に、十分に分散して配置された上部ボアを通してヘリウ
ムが供給されることが好ましい。
０Ｂと、上部ボア２１２、２１２Ａ及び２１２Ｂと、中
心ボア２１４と同様に形成された、半径方向に延在する
ボアと、上部ボアと、中心ボアとを用いた、ウェハを固
定するための真空ホールド・ダウン（ｖａｃｕｕｍ ｈ
ｏｌｄ−ｄｏｗｎ）が、従来技術のホットプレートに供
給されている。従来の技術では、それらのホットプレー
トへの真空が加えられるボアを通して、ヘリウムガスが
供給される。複数の上部ボアを備えたホットプレートで
は、１つ若しくはごく一部の上部ボアを通してヘリウム
が供給されるために、ウェハ１０２が不均一に加熱され
る。そのようなホットプレートの十分な個数の上部ボア
が塞がれ、空間１１０をヘリウムで均一に満たすため
に、十分に分散して配置された上部ボアを通してヘリウ
ムが供給されることが好ましい。
【００３０】ヘリウムガスは、ヘリウムガス供給源２２
６（図２）からホットプレート１０４内へ供給される。
ヘリウムガス供給源２２６はアメリカ合衆国カリフォル
ニア州サン・リアンドロ（Ｓａｎ Ｌｅａｎｄｒｏ）の
エアコ・プロダクツ社（Ａｉｒｃｏ Ｐｒｏｄｕｃｔ
ｓ）から入手できる、加圧されたヘリウムガスを貯容し
た通常の瓶であってよい。バルブ２２４は、ヘリウムガ
ス供給源２２６からのヘリウムの流量を制御する。ある
実施例では、バルブ２２４は、以下に説明されるように
ウェハ１０２の下に空気ベアリングを形成するために必
要な値よりもわずかに低い流量を提供するように手動で
調節される。公知の及び入手可能な電気的に制御された
バルブをバルブ２２４として用いることができることが
評価される。ヘリウムガス供給源２２６からのヘリウム
ガスの流れはソレノイドバルブ２２２によって制御さ
れ、ヘリウムガス供給源２２６からのヘリウムガスの流
量は流量計２２０によって測定されている。ヘリウムガ
スは、ヘリウム供給源２２６から、バルブ２２４と、ソ
レノイドバルブ２２２と、流量計２２０と、中心ボア２
１４を備えたチューブ２１８とを通って、ホットプレー
ト１０４のボア２１０、２１０Ａ及び２１０Ｂに流れ込
む。ある実施例では、ソレノイドバルブ２２２は、制御
装置２２８によって制御されている。
６（図２）からホットプレート１０４内へ供給される。
ヘリウムガス供給源２２６はアメリカ合衆国カリフォル
ニア州サン・リアンドロ（Ｓａｎ Ｌｅａｎｄｒｏ）の
エアコ・プロダクツ社（Ａｉｒｃｏ Ｐｒｏｄｕｃｔ
ｓ）から入手できる、加圧されたヘリウムガスを貯容し
た通常の瓶であってよい。バルブ２２４は、ヘリウムガ
ス供給源２２６からのヘリウムの流量を制御する。ある
実施例では、バルブ２２４は、以下に説明されるように
ウェハ１０２の下に空気ベアリングを形成するために必
要な値よりもわずかに低い流量を提供するように手動で
調節される。公知の及び入手可能な電気的に制御された
バルブをバルブ２２４として用いることができることが
評価される。ヘリウムガス供給源２２６からのヘリウム
ガスの流れはソレノイドバルブ２２２によって制御さ
れ、ヘリウムガス供給源２２６からのヘリウムガスの流
量は流量計２２０によって測定されている。ヘリウムガ
スは、ヘリウム供給源２２６から、バルブ２２４と、ソ
レノイドバルブ２２２と、流量計２２０と、中心ボア２
１４を備えたチューブ２１８とを通って、ホットプレー
ト１０４のボア２１０、２１０Ａ及び２１０Ｂに流れ込
む。ある実施例では、ソレノイドバルブ２２２は、制御
装置２２８によって制御されている。
【００３１】ある実施例では、ソレノイドバルブ２２２
として、アメリカ合衆国オハイオ州シンシナティのクリ
ッパード・ラボラトリーズ（Ｃｌｉｐｐａｒｄ Ｌａｂ
ｏｒａｔｏｒｉｅｓ）から供給されている“ＥＶＯ−３
−１２ＤＶＣソレノイドバルブ”を使用している。流量
計２２０として、アメリカ合衆国ペンシルバニア州ハッ
トフィールドのポーター・インスツルメント社（Ｐｏｒ
ｔｅｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｃｏｍｐａｎｙ）から
入手することのできる“Ｂ−４３３流量計”を用いるこ
とができる。Ｂ−４３３流量計は、０ml／分から３０ml
／分の範囲の流量を測定することができる。Ｂ−４３３
流量計は、ヘリウムガスに対して用いるように設計され
ておらず、流量計２２０として用いられたとき、Ｂ−４
３３流量計からいくらかのヘリウムガスが漏洩する。し
かし、ヘリウムガス用に設計された多くの従来の公知の
流量計を入手することがででき、それらの流量計を流量
計２２０として用いることができる。
として、アメリカ合衆国オハイオ州シンシナティのクリ
ッパード・ラボラトリーズ（Ｃｌｉｐｐａｒｄ Ｌａｂ
ｏｒａｔｏｒｉｅｓ）から供給されている“ＥＶＯ−３
−１２ＤＶＣソレノイドバルブ”を使用している。流量
計２２０として、アメリカ合衆国ペンシルバニア州ハッ
トフィールドのポーター・インスツルメント社（Ｐｏｒ
ｔｅｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｃｏｍｐａｎｙ）から
入手することのできる“Ｂ−４３３流量計”を用いるこ
とができる。Ｂ−４３３流量計は、０ml／分から３０ml
／分の範囲の流量を測定することができる。Ｂ−４３３
流量計は、ヘリウムガスに対して用いるように設計され
ておらず、流量計２２０として用いられたとき、Ｂ−４
３３流量計からいくらかのヘリウムガスが漏洩する。し
かし、ヘリウムガス用に設計された多くの従来の公知の
流量計を入手することがででき、それらの流量計を流量
計２２０として用いることができる。
【００３２】ソレノイドバルブ２２２を制御するために
制御装置２２８を用いることは公知であり、ソレノイド
バルブを制御することのできる制御装置は、セミコンダ
クター・システムズ社から入手可能な上述されたオービ
トラック装置で用いられている。
制御装置２２８を用いることは公知であり、ソレノイド
バルブを制御することのできる制御装置は、セミコンダ
クター・システムズ社から入手可能な上述されたオービ
トラック装置で用いられている。
【００３３】ある実施例では、ヘリウムガス供給源２２
６からのヘリウムガスの流量は約３cm3／分である。こ
の実施例では、ヘリウムガスは、ウェハ１０２（図１）
の下に空気ベアリングを形成する流量よりも低い流量で
供給されている。空気ベアリングがウェハ１０２の下に
形成されてウェハがホットプレート１０４から離れるま
で、ヘリウムガスの流量を増加させ（概ね２〜４ml／
分）、次にウェハ１０２がホットプレートに再び載置さ
れるまでヘリウムの流量を減少することによって、ヘリ
ウムガスの適切な流量が決定される。
６からのヘリウムガスの流量は約３cm3／分である。こ
の実施例では、ヘリウムガスは、ウェハ１０２（図１）
の下に空気ベアリングを形成する流量よりも低い流量で
供給されている。空気ベアリングがウェハ１０２の下に
形成されてウェハがホットプレート１０４から離れるま
で、ヘリウムガスの流量を増加させ（概ね２〜４ml／
分）、次にウェハ１０２がホットプレートに再び載置さ
れるまでヘリウムの流量を減少することによって、ヘリ
ウムガスの適切な流量が決定される。
【００３４】上部ボア２１２、２１２Ａ及び２１２Ｂの
上に配置されたウェハ１０２の薄膜の部分（図３）は、
ウェハ１０２の薄膜のその他の部分よりもより速く硬化
する傾向がある。従って、他の実施例では、ある期間に
亘ってヘリウムを供給し、次にある期間に亘ってヘリウ
ムの流れを停止することを繰り返すことによって、ヘリ
ウムが空間１１０へパルス状に供給されている。空間１
１０へのヘリウムガスの流れを周期的に停止することに
よって、空間１１０全体にヘリウムガスが分散し、ウェ
ハ１０２がより均一に加熱される。ある実施例では、ヘ
リウムは、２分間に亘って１５〜２０cm3／分の流量で
空間１１０へ供給され、次に２秒間に亘ってヘリウムガ
スの供給が停止される。ある実施例では、支持ポスト１
０６の上にウェハ１０２を配置する前に、上部ボア１１
２、１１２Ａ及び１１２Ｂを通してヘリウムガスが供給
される。ウェハ１０２を支持ポスト１０６の上に配置す
る前に空間１１０にヘリウムを供給することによって、
ウェハ１０２がより速く加熱され、かつ支持ポスト１０
６とウェハの一部分が接触しているために、支持ポスト
１０６と接触したウェハ１０２の一部分が、予熱さたか
のように、その他の部分よりも高温となるといった、不
均一なウェハの加熱が防止される。
上に配置されたウェハ１０２の薄膜の部分（図３）は、
ウェハ１０２の薄膜のその他の部分よりもより速く硬化
する傾向がある。従って、他の実施例では、ある期間に
亘ってヘリウムを供給し、次にある期間に亘ってヘリウ
ムの流れを停止することを繰り返すことによって、ヘリ
ウムが空間１１０へパルス状に供給されている。空間１
１０へのヘリウムガスの流れを周期的に停止することに
よって、空間１１０全体にヘリウムガスが分散し、ウェ
ハ１０２がより均一に加熱される。ある実施例では、ヘ
リウムは、２分間に亘って１５〜２０cm3／分の流量で
空間１１０へ供給され、次に２秒間に亘ってヘリウムガ
スの供給が停止される。ある実施例では、支持ポスト１
０６の上にウェハ１０２を配置する前に、上部ボア１１
２、１１２Ａ及び１１２Ｂを通してヘリウムガスが供給
される。ウェハ１０２を支持ポスト１０６の上に配置す
る前に空間１１０にヘリウムを供給することによって、
ウェハ１０２がより速く加熱され、かつ支持ポスト１０
６とウェハの一部分が接触しているために、支持ポスト
１０６と接触したウェハ１０２の一部分が、予熱さたか
のように、その他の部分よりも高温となるといった、不
均一なウェハの加熱が防止される。
【００３５】本発明に基づくホットプレートの第２の実
施例が、図４Ａ及び図４Ｂに例示されている。ホットプ
レート１０４Ｂは、ウェハ１０２が載置されるウェル若
しくはボールを形成するべく、ウェハ１０２の周縁部分
に周縁部１０４Ｂ−Ｌを備えている。周縁部１０４Ｂ−
Ｌによって、ウェハ１０２とホットプレート１０４Ｂと
の間の空間１１０にヘリウムが漏洩することが低減され
る。ウェハ１０２（図４Ｂ）は加熱された後にリフトピ
ン４０２によって周縁部１０４Ｂ−Ｌから持ち上げら
れ、このリフトピン４０２はホットプレート１０４Ｂを
貫通する貫通孔（図示されていない）内に配置されてお
り、かつ垂直方向に移動する。このようなリフトピン
は、ウェハをホットプレートの付近に配置する加熱装置
で用いられており、この加熱装置は現在、例えばアメリ
カ合衆国カリフォルニア州フリモントのセミコンダクタ
ー・システムズ社から入手可能なオービトラック装置で
あってよい。同様に、ウェハ１０２は加熱される前に図
４Ａに示された周縁部１０４Ｂ−Ｌの上面よりも低い位
置にリフトピン４０２によって配置される。
施例が、図４Ａ及び図４Ｂに例示されている。ホットプ
レート１０４Ｂは、ウェハ１０２が載置されるウェル若
しくはボールを形成するべく、ウェハ１０２の周縁部分
に周縁部１０４Ｂ−Ｌを備えている。周縁部１０４Ｂ−
Ｌによって、ウェハ１０２とホットプレート１０４Ｂと
の間の空間１１０にヘリウムが漏洩することが低減され
る。ウェハ１０２（図４Ｂ）は加熱された後にリフトピ
ン４０２によって周縁部１０４Ｂ−Ｌから持ち上げら
れ、このリフトピン４０２はホットプレート１０４Ｂを
貫通する貫通孔（図示されていない）内に配置されてお
り、かつ垂直方向に移動する。このようなリフトピン
は、ウェハをホットプレートの付近に配置する加熱装置
で用いられており、この加熱装置は現在、例えばアメリ
カ合衆国カリフォルニア州フリモントのセミコンダクタ
ー・システムズ社から入手可能なオービトラック装置で
あってよい。同様に、ウェハ１０２は加熱される前に図
４Ａに示された周縁部１０４Ｂ−Ｌの上面よりも低い位
置にリフトピン４０２によって配置される。
【００３６】本発明に基づく第３の実施例が図５に例示
されている。ボア２１０Ｃ、上部ボア２１２Ｃ、及びホ
ットプレート１０４Ｃのプラグ２１１Ｃは、図２に例示
された実施例に関して説明されたように形成されてい
る。ホットプレート１０４Ｃの上側面５０１は深さ５０
２までフライス削りされ、ウェハ１０２の周縁部分とホ
ットプレート１０４Ｃの上側面５０１のフライス削りさ
れていない部分との間の距離５０３を保つように、ウェ
ハ１０２がフライス削りされた部分に配置される。ある
実施例では、深さ５０２は５mmであり、距離５０３は１
０mmである。ホットプレート１０４Ｃは更に深さ５０４
までフライス削りされ、ウェハ１０２を支持し、かつホ
ットプレート１０４Ｃとウェハ１０２との間の空間１１
０Ｃを形成する階段状部分５０６が形成される。ある実
施例では、階段状部分５０６の幅は０．２５４cm（０．
１インチ）であり、深さ５０４は１０mmであり、ウェハ
１０２とホットプレート１０４Ｃの間隔は５mmとなって
いる。ホットプレート１０４Ｂ（図４Ａ及び図４Ｂ）に
関して上述されたように、リフトピン（図５には図示さ
れていない）は、ウェハ１０２（図５）をホットプレー
ト１０４Ｃのフライス削りされた部分から持ち上げ、ま
たウェハ１０２をホットプレート１０４Ｃのフライス削
りされた部分に配置する。
されている。ボア２１０Ｃ、上部ボア２１２Ｃ、及びホ
ットプレート１０４Ｃのプラグ２１１Ｃは、図２に例示
された実施例に関して説明されたように形成されてい
る。ホットプレート１０４Ｃの上側面５０１は深さ５０
２までフライス削りされ、ウェハ１０２の周縁部分とホ
ットプレート１０４Ｃの上側面５０１のフライス削りさ
れていない部分との間の距離５０３を保つように、ウェ
ハ１０２がフライス削りされた部分に配置される。ある
実施例では、深さ５０２は５mmであり、距離５０３は１
０mmである。ホットプレート１０４Ｃは更に深さ５０４
までフライス削りされ、ウェハ１０２を支持し、かつホ
ットプレート１０４Ｃとウェハ１０２との間の空間１１
０Ｃを形成する階段状部分５０６が形成される。ある実
施例では、階段状部分５０６の幅は０．２５４cm（０．
１インチ）であり、深さ５０４は１０mmであり、ウェハ
１０２とホットプレート１０４Ｃの間隔は５mmとなって
いる。ホットプレート１０４Ｂ（図４Ａ及び図４Ｂ）に
関して上述されたように、リフトピン（図５には図示さ
れていない）は、ウェハ１０２（図５）をホットプレー
ト１０４Ｃのフライス削りされた部分から持ち上げ、ま
たウェハ１０２をホットプレート１０４Ｃのフライス削
りされた部分に配置する。
【００３７】本発明に基づくホットプレートの第４の実
施例が、図６〜図８に例示されている。ホットプレート
１０４Ｄには半径方向に延在するボアが形成されていな
いが、その代わりにホットプレート１０４Ｄと同心の円
筒形チャンバ２１０Ｄが形成されている。ヘリウムガス
は中心ボア２１４Ｄを通して円筒形チャンバ２１０Ｄに
供給される。上部ボア２１２Ｄはホットプレート１０４
Ｄの中心に向けて傾けられて形成されている。ウェハ１
０２は環状の突出部６０６の上に載置されており、この
環状の突出部６０６は上述された階段状部分５０６（図
５）と同様に形成されている。突出部６０６（図６Ａ）
には環状の溝６０４が形成されている。溝６０４に達す
る真空ボア６０２がホットプレート１０４Ｄを貫通して
形成されている。溝６０４を減圧するために真空ボア６
０２を通して弱真空が加えられ、ホットプレート１０４
Ｄの突出部６０６にウェハ１０２が保持される。
施例が、図６〜図８に例示されている。ホットプレート
１０４Ｄには半径方向に延在するボアが形成されていな
いが、その代わりにホットプレート１０４Ｄと同心の円
筒形チャンバ２１０Ｄが形成されている。ヘリウムガス
は中心ボア２１４Ｄを通して円筒形チャンバ２１０Ｄに
供給される。上部ボア２１２Ｄはホットプレート１０４
Ｄの中心に向けて傾けられて形成されている。ウェハ１
０２は環状の突出部６０６の上に載置されており、この
環状の突出部６０６は上述された階段状部分５０６（図
５）と同様に形成されている。突出部６０６（図６Ａ）
には環状の溝６０４が形成されている。溝６０４に達す
る真空ボア６０２がホットプレート１０４Ｄを貫通して
形成されている。溝６０４を減圧するために真空ボア６
０２を通して弱真空が加えられ、ホットプレート１０４
Ｄの突出部６０６にウェハ１０２が保持される。
【００３８】ホットプレート１０４Ｃ（図５）と同じよ
うに、ホットプレート１０４Ｄ（図７）は５mmの深さ６
５０までフライス削りされ、更に５mmの深さ６５２まで
フライス削りされ、突出部６０６が形成され、この突出
部６０６の内側エッジは、ウェルの外側エッジ６６８か
ら０．２５４cm（０．１インチ）の距離６５４だけ離れ
ている。突出部６０６の内側エッジとウェルの外側エッ
ジ６６８との間のホットプレート１０４Ｄの一部分６７
０が更にフライス削りされる。突出部６０６の中心には
環状の溝６０４が形成されており、この溝６０４の両側
には約３０mmの幅６５６を有する突出部６０６の表面が
残されている。幅６５６が短すぎる場合、ホットプレー
ト１０４Ｄは物理的な損傷及び摩損を受け易くなる。環
状の溝６０４は約６０mmの幅６６４を有する。
うに、ホットプレート１０４Ｄ（図７）は５mmの深さ６
５０までフライス削りされ、更に５mmの深さ６５２まで
フライス削りされ、突出部６０６が形成され、この突出
部６０６の内側エッジは、ウェルの外側エッジ６６８か
ら０．２５４cm（０．１インチ）の距離６５４だけ離れ
ている。突出部６０６の内側エッジとウェルの外側エッ
ジ６６８との間のホットプレート１０４Ｄの一部分６７
０が更にフライス削りされる。突出部６０６の中心には
環状の溝６０４が形成されており、この溝６０４の両側
には約３０mmの幅６５６を有する突出部６０６の表面が
残されている。幅６５６が短すぎる場合、ホットプレー
ト１０４Ｄは物理的な損傷及び摩損を受け易くなる。環
状の溝６０４は約６０mmの幅６６４を有する。
【００３９】突出部６０６と外側エッジ６６８との間の
ホットプレート１０４Ｄの部分、即ち部分６７０をフラ
イス削りすることによって、ホットプレート１０４Ｄと
ウェハ１０２の周縁部分との接触面積が減少される。溝
６０４付近の接触部分でのウェハ１０２の裏側面が汚染
されることにより、真空ホールドダウンの効力が減少
し、しかもウェハ１０２の周縁部の裏側面が最も汚染さ
れ易いので、突出部６０６をウェハ１０２の外側エッジ
から離して形成することが重要である。図４Ａ及び図４
Ｂに関して上述されたように、ウェハ１０２はリフトピ
ン４０２（図６及び図８）によって突出部６０６から持
ち上げられまた突出部６０６に載置される。
ホットプレート１０４Ｄの部分、即ち部分６７０をフラ
イス削りすることによって、ホットプレート１０４Ｄと
ウェハ１０２の周縁部分との接触面積が減少される。溝
６０４付近の接触部分でのウェハ１０２の裏側面が汚染
されることにより、真空ホールドダウンの効力が減少
し、しかもウェハ１０２の周縁部の裏側面が最も汚染さ
れ易いので、突出部６０６をウェハ１０２の外側エッジ
から離して形成することが重要である。図４Ａ及び図４
Ｂに関して上述されたように、ウェハ１０２はリフトピ
ン４０２（図６及び図８）によって突出部６０６から持
ち上げられまた突出部６０６に載置される。
【００４０】上部ボア２１２Ｄは、突出部６０６から約
１cm（０．３９インチ）の距離６５８だけ離れた位置に
形成されている。上部ボア２１２Ｄは、ホットプレート
１０４Ｄの表面の法線に対して約４５°の角度６６０を
なして形成されている。上部ボア２１２Ｄはホットプレ
ート１０４Ｄの中心に向かって傾けられて形成されてい
る。上部ボア２１２Ｄの直径６６２は約２mmとなってい
る。
１cm（０．３９インチ）の距離６５８だけ離れた位置に
形成されている。上部ボア２１２Ｄは、ホットプレート
１０４Ｄの表面の法線に対して約４５°の角度６６０を
なして形成されている。上部ボア２１２Ｄはホットプレ
ート１０４Ｄの中心に向かって傾けられて形成されてい
る。上部ボア２１２Ｄの直径６６２は約２mmとなってい
る。
【００４１】図８はホットプレート１０４Ｄの上面図で
ある。突出部６０６の環状の溝６０４は、真空ボア６０
２と共に例示されている。３個の上部ボア、即ち上部ボ
ア２１２Ｄ、２１２Ｄ−２及び２１２Ｄ−３は、ホット
プレート１０４Ｄの中心に向かって傾けられて形成され
ている。（１）ウェハ１０２を突出部６０６から持ち上
げるために十分なヘリウムで空間１１０Ｄ（図６）を満
たし、（２）弱真空ボア６０２に加えて突出部６０６に
ウェハ１０２を保持することによって、ウェハは突出部
６０６と自動的に同中心となるように配置される。ウェ
ハ１０２を持ち上げ次にウェハ１０２を保持する過程
は、ウェハ１０２を確実に突出部６０６と同中心に配置
するように５回繰り返される。
ある。突出部６０６の環状の溝６０４は、真空ボア６０
２と共に例示されている。３個の上部ボア、即ち上部ボ
ア２１２Ｄ、２１２Ｄ−２及び２１２Ｄ−３は、ホット
プレート１０４Ｄの中心に向かって傾けられて形成され
ている。（１）ウェハ１０２を突出部６０６から持ち上
げるために十分なヘリウムで空間１１０Ｄ（図６）を満
たし、（２）弱真空ボア６０２に加えて突出部６０６に
ウェハ１０２を保持することによって、ウェハは突出部
６０６と自動的に同中心となるように配置される。ウェ
ハ１０２を持ち上げ次にウェハ１０２を保持する過程
は、ウェハ１０２を確実に突出部６０６と同中心に配置
するように５回繰り返される。
【００４２】環状の溝６０４（図８）が、ウェハ１０２
の周縁部全体に弱真空を加えるので、加熱過程中に、ウ
ェハの反った形状が低減されるか若しくは完全に補正さ
れる。更に、支持ポストが使用されないために、ウェハ
１０２の裏側面の中心部分が汚染されない。半導体ウェ
ハの製造中に、ウェハはその中心部分に弱真空が加えら
れることによって保持されるので、ウェハのエッジ部分
の付近よりもウェハの裏側面の中心部分の汚染を防止す
ることがより重要である。しかしながら、フラットパネ
ルディスプレイ用の大型のフラットパネルなどのより大
型のウェハでは、ウェハ１０２が反ることを防止するた
め及びウェハ１０２を支持するためにホットプレート１
０４Ｄの中心に支持ポスト（図示されていない）が配置
されている。
の周縁部全体に弱真空を加えるので、加熱過程中に、ウ
ェハの反った形状が低減されるか若しくは完全に補正さ
れる。更に、支持ポストが使用されないために、ウェハ
１０２の裏側面の中心部分が汚染されない。半導体ウェ
ハの製造中に、ウェハはその中心部分に弱真空が加えら
れることによって保持されるので、ウェハのエッジ部分
の付近よりもウェハの裏側面の中心部分の汚染を防止す
ることがより重要である。しかしながら、フラットパネ
ルディスプレイ用の大型のフラットパネルなどのより大
型のウェハでは、ウェハ１０２が反ることを防止するた
め及びウェハ１０２を支持するためにホットプレート１
０４Ｄの中心に支持ポスト（図示されていない）が配置
されている。
【００４３】本明細書の開示内容の原理は、加熱過程の
直後の半導体ウェハの冷却過程を改良するためにも用い
ることができる。例えば、ホットプレート１０４Ｄ（図
６）は、チルプレートとしても用いることができる。ホ
ットプレート１０４Ｄをチルプレートとして用いるため
に、ホットプレート１０４Ｄは室温に保持される。ウェ
ハ１０２は上述されたようにホットプレート１０４Ｄに
載置される。ウェハ１０２は、真空ボア６０２を通して
環状の溝６０４に加えられた弱真空によって定位置に保
持される。ヘリウムのような熱伝導性の非反応性ガス
が、中心ボア２１４Ｄと、チャンバ２１０Ｄと、上部ボ
ア２１２Ｄを通して空間１１０Ｄに供給される。空間１
１０Ｄのヘリウムによって、ウェハ１０２からホットプ
レート１０４Ｄへの熱の伝達が加速される。即ち、加熱
過程と冷却過程で、ウェハ１０２とホットプレート１０
４Ｄの間の熱伝導性のガスが、ウェハ１０２とホットプ
レート１０４Ｄの間の熱交換を促進する。
直後の半導体ウェハの冷却過程を改良するためにも用い
ることができる。例えば、ホットプレート１０４Ｄ（図
６）は、チルプレートとしても用いることができる。ホ
ットプレート１０４Ｄをチルプレートとして用いるため
に、ホットプレート１０４Ｄは室温に保持される。ウェ
ハ１０２は上述されたようにホットプレート１０４Ｄに
載置される。ウェハ１０２は、真空ボア６０２を通して
環状の溝６０４に加えられた弱真空によって定位置に保
持される。ヘリウムのような熱伝導性の非反応性ガス
が、中心ボア２１４Ｄと、チャンバ２１０Ｄと、上部ボ
ア２１２Ｄを通して空間１１０Ｄに供給される。空間１
１０Ｄのヘリウムによって、ウェハ１０２からホットプ
レート１０４Ｄへの熱の伝達が加速される。即ち、加熱
過程と冷却過程で、ウェハ１０２とホットプレート１０
４Ｄの間の熱伝導性のガスが、ウェハ１０２とホットプ
レート１０４Ｄの間の熱交換を促進する。
【００４４】これまで説明された実施例は、例示を意図
するものであって限定を意図するものではない。本発明
は添付の特許請求項の範囲によってのみ限定される。
するものであって限定を意図するものではない。本発明
は添付の特許請求項の範囲によってのみ限定される。
【図１】本発明に基づく半導体ウェハをホットプレート
の付近に配置する装置の断面図。
の付近に配置する装置の断面図。
【図２】本発明に基づくホットプレート及びヘリウムガ
ス供給源の模式的な断面図。
ス供給源の模式的な断面図。
【図３】図２のホットプレートの平面図。
【図４】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の第２の実施例
に基づいて構成されたホットプレートの断面図であり、
Ｂは本発明の第２の実施例に基づいて構成されたホット
プレートの断面図。
に基づいて構成されたホットプレートの断面図であり、
Ｂは本発明の第２の実施例に基づいて構成されたホット
プレートの断面図。
【図５】本発明の第３の実施例に基づいて構成されたホ
ットプレートの断面図。
ットプレートの断面図。
【図６】本発明の第４の実施例に基づいて構成されたホ
ットプレートの断面図。
ットプレートの断面図。
【図７】本発明の第４の実施例に基づいて構成されたホ
ットプレートの断面図。
ットプレートの断面図。
【図８】図６及び図７のホットプレートの平面図。
１０２ 半導体ウェハ １０４ ホットプレート １０４Ｂ ホットプレート １０４Ｂ−Ｌ 周縁部 １０４Ｃ ホットプレート １０４Ｄ ホットプレート １０６ 支持ポスト １１０ 空間 １１０Ｄ 空間 １０８Ａ 蓋 １０８Ｂ 支持部 ２１０ ボア ２１０Ａ ボア ２１０Ｂ ボア ２１０Ｃ ボア ２１０Ｄ ボア ２１１ プラグ ２１１Ａ プラグ ２１１Ｂ プラグ ２１１Ｃ プラグ ２１２ 上部ボア ２１２Ａ 上部ボア ２１２Ｂ 上部ボア ２１２Ｃ 上部ボア ２１２Ｄ 上部ボア ２１２Ｄ−２ 上部ボア ２１２Ｄ−３ 上部ボア ２１４ 中心ボア ２１４Ｄ 中心ボア ２１６ 距離 ２１８ チューブ ２２０ 流量計 ２２２ ソレノイドバルブ ２２４ バルブ ２２６ ヘリウム供給源 ２２８ 制御装置 ４０２ リフトピン ５０１ ホットプレート１０４Ｃの上側面 ５０２ 深さ ５０３ 距離 ５０４ 深さ ５０６ 階段状部分 ６０２ 真空ボア ６０４ 環状の溝 ６０６ 突出部 ６５０ 深さ ６５２ 深さ ６５４ 距離 ６５６ 幅 ６５８ 距離 ６６０ 角度 ６６２ 上部ボア２１２Ｄの直径 ６６４ 溝６０４の幅 ６６８ ウェルの外側エッジ ６７０ ホットプレート１０４Ｄの一部分
Claims (16)
- 【請求項１】 所望の温度のホットプレートの付近に
概ね平坦な物品を配置し、前記物品と前記ホットプレー
トとの間に空間を形成する過程と、 前記空間に熱伝導性の非反応性ガスを供給する過程とを
有することを特徴とする半導体ウェハの加熱・冷却方
法。 - 【請求項２】 前記空間に前記ガスを供給する前記過
程の前に、前記ガスを加熱する過程を更に有することを
特徴とする請求項１に記載の加熱・冷却方法。 - 【請求項３】 前記空間に前記ガスを供給する過程の
前に、前記ホットプレートの前記温度に前記ガスを加熱
する過程を更に有することを特徴とする請求項１に記載
の加熱・冷却方法。 - 【請求項４】 前記ホットプレートの前記温度に前記
ガスを加熱する前記過程が、 前記ホットプレートと前記平坦な物品との間の前記空間
に連通する前記ホットプレートに形成されたボアに前記
ガスを導入する過程を有するこをと特徴とする請求項３
に記載の加熱・冷却方法。 - 【請求項５】 前記所望の温度が室温であることを特
徴とする請求項１に記載の加熱・冷却方法。 - 【請求項６】 前記熱伝導性の非反応性ガスがヘリウ
ムからなることを特徴とする請求項１に記載の加熱・冷
却方法。 - 【請求項７】 前記ガスを供給する前記過程が、 （ａ）第１の期間に亘って、前記空間へ前記ガスを供給
する過程と、 （ｂ）第２の期間に亘って、前記空間への前記ガスの供
給を停止する過程とを有することを特徴とする請求項１
に記載の加熱・冷却方法。 - 【請求項８】 前記第１の期間に亘る前記ガスの供給
と、前記第２の期間に亘る前記ガスの前記供給の停止が
交互に行われるように、前記過程（ａ）と前記過程
（ｂ）が繰り返されることを特徴とする請求項７に記載
の加熱・冷却方法。 - 【請求項９】 概ね平坦な物品を所望の温度に加熱す
るための半導体ウェハの加熱・冷却装置であって、 支持部に取り付けられた、上側面を備えたホットプレー
トと、 前記所望の温度に前記ホットプレートを加熱する手段
と、 前記平坦な物品を前記ホットプレートの付近に支持する
と共に前記平坦な物品と前記ホットプレートとの間に空
間を形成する、前記ホットプレートの前記上側面に配置
された支持手段と、 前記支持部に接続された、熱伝導性の非反応性ガスの供
給源と、 所定量の前記熱伝導性の非反応性ガスを前記ガス供給源
から前記空間へ供給するガス供給手段とを有することを
特徴とする概ね平坦な物品を所望の温度に加熱するため
の半導体ウェハの加熱・冷却装置。 - 【請求項１０】 前記ガス供給源に接続された、前記
ガスを前記空間に供給する前に予熱する手段を更に有す
ることを特徴とする請求項９に記載の加熱・冷却装置。 - 【請求項１１】 前記熱伝導性の非反応性ガスがヘリ
ウムガスからなり、前記熱伝導性の非反応性ガスの供給
源がヘリウムガス供給源からなることを特徴とする請求
項９に記載の加熱・冷却装置。 - 【請求項１２】 前記ホットプレートが、前記ホット
プレートを貫通するボアを有し、 前記空間に前記ガスを供給する前記手段が、前記ホット
プレートを貫通する前記ボアに前記ガスを導入し、前記
ガスが前記空間に供給される時に前記ホットプレートの
前記温度と等しい温度に加熱されていることを特徴とす
る請求項９に記載の加熱・冷却装置。 - 【請求項１３】 前記ガス供給手段が、 前記ガス供給源に連結されと共に出力端を有する、前記
ガス供給源から放出された前記ガスの圧力を調節する圧
力調節器と、 前記圧力調節器の前記出力端に接続され、前記ガス供給
源から前記空間への前記ガスの流れを選択的に制御する
ソレノイドバルブと、 前記ソレノイドバルブの出力端に接続され、前記ガス供
給源から前記空間への前記ガスの前記流量を測定する流
量計とを有することを特徴とする請求項９に記載の加熱
・冷却装置。 - 【請求項１４】 前記支持手段が、前記平坦な物品の
外側エッジの付近で、前記平坦な物品を支持する環状の
突出部を有することを特徴とする請求項９に記載の加熱
・冷却装置。 - 【請求項１５】 前記環状の突出部が、環状の真空ホ
ールド・ダウン用溝を含むことを特徴とする請求項１４
に記載の加熱・冷却装置。 - 【請求項１６】 概ね平坦な物品を所望の温度に冷却
する半導体ウェハの加熱・冷却装置であって、 支持部に取り付けられると共に上側面を有する、所望の
温度のチルプレートと、 前記チルプレートの近傍に前記平坦な物品を支持し、前
記平坦な物品と前記チルプレートとの間に空間を形成す
る支持手段と、 前記支持部に接続された、熱伝導性の非反応性ガスの供
給源と、 所定量の熱伝導性の非反応性ガスを前記ガス供給源から
前記空間へ供給する手段とを有することを特徴とする加
熱・冷却装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15203793A | 1993-11-12 | 1993-11-12 | |
| US08/152,037 | 1993-11-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254557A true JPH07254557A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=22541285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6302767A Pending JPH07254557A (ja) | 1993-11-12 | 1994-11-11 | 半導体ウェハの加熱・冷却方法及び加熱・冷却装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0657918A2 (ja) |
| JP (1) | JPH07254557A (ja) |
| KR (1) | KR950015545A (ja) |
| DE (1) | DE657918T1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003515949A (ja) * | 1999-11-30 | 2003-05-07 | ウエファーマスターズ， インコーポレイテッド | 単一ウエハアニーリングオーブン |
| JP2008028177A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Nippon Dennetsu Co Ltd | 基板加熱装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997009737A1 (en) * | 1995-09-01 | 1997-03-13 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Wafer support system |
| US6113702A (en) | 1995-09-01 | 2000-09-05 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
| US6183565B1 (en) | 1997-07-08 | 2001-02-06 | Asm International N.V | Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing |
| US6576572B2 (en) | 2000-12-28 | 2003-06-10 | Schott Lithotec Ag | Method of heating a substrate using a variable surface hot plate for improved bake uniformity |
| US20030168174A1 (en) | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Foree Michael Todd | Gas cushion susceptor system |
| US8092606B2 (en) | 2007-12-18 | 2012-01-10 | Asm Genitech Korea Ltd. | Deposition apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152201A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板加熱装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3933423C2 (de) * | 1989-10-06 | 1994-12-22 | Nokia Deutschland Gmbh | Vorrichtung zur Wärmebehandlung, insbesondere für LCD-Substratplatten |
| US5255153A (en) * | 1990-07-20 | 1993-10-19 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic chuck and plasma apparatus equipped therewith |
| TW221318B (ja) * | 1990-07-31 | 1994-02-21 | Tokyo Electron Co Ltd |
-
1994
- 1994-11-11 EP EP94308399A patent/EP0657918A2/en not_active Withdrawn
- 1994-11-11 KR KR1019940029483A patent/KR950015545A/ko not_active Withdrawn
- 1994-11-11 JP JP6302767A patent/JPH07254557A/ja active Pending
- 1994-11-11 DE DE0657918T patent/DE657918T1/de active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152201A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板加熱装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003515949A (ja) * | 1999-11-30 | 2003-05-07 | ウエファーマスターズ， インコーポレイテッド | 単一ウエハアニーリングオーブン |
| JP2008028177A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Nippon Dennetsu Co Ltd | 基板加熱装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE657918T1 (de) | 1996-02-29 |
| EP0657918A3 (ja) | 1995-07-12 |
| EP0657918A2 (en) | 1995-06-14 |
| KR950015545A (ko) | 1995-06-17 |
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