JPH05152597A - X線撮像素子 - Google Patents

X線撮像素子

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JPH05152597A
JPH05152597A JP3308928A JP30892891A JPH05152597A JP H05152597 A JPH05152597 A JP H05152597A JP 3308928 A JP3308928 A JP 3308928A JP 30892891 A JP30892891 A JP 30892891A JP H05152597 A JPH05152597 A JP H05152597A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
image pickup
photoelectric conversion
conversion region
fluorescent material
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP3308928A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoji Nishiyama
陽二 西山
Moritoshi Ando
護俊 安藤
Satoshi Iwata
敏 岩田
Shinji Suzuki
伸二 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP3308928A priority Critical patent/JPH05152597A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 X線を可視化して撮像するためのX線撮像素
子に関し、充分な感度と分解能を持ち、小型で、安価な
X線撮像素子を提供する。 【構成】 撮像素子の撮像面の各光電変換領域2の上に
X線蛍光材料層4を直接形成した。この場合、撮像面を
CCD1,2にすることができ、また、各光電変換領域
2、あるいは、X線蛍光材料層4の回りに光やX線を吸
収する金属製の壁を配置して隣接する光電変換領域から
X線あるいは蛍光が混入するのを防いで分解能を向上す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、X線を可視化して撮像
するためのX線撮像素子に関する。近年、種々の技術分
野においてX線を用いた検査方法が採用され、これに用
いるためのX線撮像素子の需要が増大している。
【0002】
【従来の技術】従来、X線の撮像素子としては、X線イ
メージインテンシファイアー(X線II)等によってX
線を光に変換し、増倍した後、可視光撮像素子によって
検知する方式が一般的であった。
【0003】しかし、このX線IIは大型で、製造に精
密を要するため、これを用いた撮像素子ないし撮像装置
は、大型で高価となる問題があった。これらの問題を解
決するため、従来、X線II等の増倍手段を用いず、C
CD等の半導体撮像素子とX線蛍光材料を組み合わせて
X線撮像素子を形成する試みが成されている。
【0004】図4(A)、(B)は、従来のX線撮像素
子の構成説明図である。図4(A)は、従来のX線撮像
素子の第1例を示している。この図において、21はC
CD、22はファイバープレート、23はX線蛍光板で
ある。
【0005】このX線撮像素子においては、CCDの光
電変換領域の上に光ファイバーの束であるファイバープ
レート22を配置し、その上に蛍光板23を形成したも
ので、X線像を蛍光板23によって可視光に変換し、こ
の光をファイバープレート22の各光ファイバーを通し
てCCDの光電変換領域に伝送し、ここで電気信号に変
換する方式を採用している。
【0006】図4(B)は、従来のX線撮像素子の第2
例を示している。この図において、31はCCD、32
は光電変換領域、33は蛍光材料を混入したファイバ
ー、34はファイバープレートである。
【0007】このX線撮像素子においては、CCD31
の光電変換領域32の上に蛍光材料を混入したファイバ
ー33からなるファイバープレート34を配置したもの
で、X線像を蛍光材料を混入したファイバー33によっ
て可視光に変換し、この光をCCD31の光電変換領域
32に伝送し、ここで電気信号に変換する方式を採用し
ている。
【0008】これらのX線撮像素子は、X線IIを用い
たX線撮像素子に比べて小型になる利点を有している。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
両X線撮像素子は、ファイバープレートを使用している
ため、小型化が充分ではなく、分解能がファイバーの加
工精度によって制限され、分解能を高くすることができ
ないという問題があった。
【0010】また、前者は蛍光板23とCCD21の光
電変換領域の間に間隔ができるため、蛍光板23で発生
した光を効率よくCCD21の光電変換領域に取り入れ
ることができず、CCDに高い感度が要求される。ま
た、両者とも、隣接するファイバー、あるいは、光電変
換領域間にX線あるいは光の遮蔽手段がないため、鮮明
な像が得られないという問題もあった。
【0011】本発明は、充分な感度と分解能を持ち、小
型で、安価なX線撮像素子を提供することを目的とす
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】この発明にかかるX線撮
像素子においては、撮像素子の撮像面の各光電変換領域
上にX線蛍光材料層を直接形成した構成を採用した。ま
た、この場合、光撮像素子の撮像面をCCDとすること
ができ、各光電変換領域、あるいは、X線蛍光材料層の
周りにX線吸収率の高い金属製の壁を配置することがで
きる。
【0013】
【作用】本発明のように、撮像素子の受光面の各光電変
換領域の上に直接X線蛍光材料層を配置すると、小型化
でき、かつ、蛍光材料によって変換された光を効率よく
光電変化領域に取り入れることができるため、CCDの
感度不足を解消でき、各光電変化領域の周囲に金属製の
壁を設けると、隣接する領域からのX線、および、蛍光
の漏れ込みを防止することができるため、高分解能で鮮
明な光像を得ることができる。
【0014】
【実施例】図1は、本発明の一実施例のX線撮像素子の
構成説明図である。この図において、1は基板、2は光
電変換領域、3は金属壁、4はX線蛍光材料層、5は封
止板である。
【0015】この図の下部の基板1と光電変換領域2
は、従来から知られていたCCD撮像素子である。
【0016】本発明におけるX線撮像素子は、基板1の
上の光電変換領域2の上に、各光電変換領域2を金属壁
3によって隔離し、金属壁3によって囲まれる領域にX
線蛍光材料層4を直接形成し、その上面をガラス、プラ
スチック等のX線を透過する封止板5によって封止して
構成されている。
【0017】このX線撮像素子は、各光電変換領域2に
X線蛍光材料層4を直接形成しているため、X線撮像素
子全体の厚さを薄くすることができ、かつ、X線蛍光材
料層4と光電変換領域2の間が接近しているため、X線
蛍光材料層4によって変換された光の減衰が少なく高感
度化することができる。
【0018】また、この場合、光電変化領域の間隔は、
慣用されている半導体製造技術を使用することによって
数μmから数十μmまで微小化することができるため、
分解能を向上することができる。
【0019】図2(A)〜(D)、図3(E)〜(H)
は、本発明のX線撮像素子の製造工程説明図である。こ
の図において、11は基板、12は電極、13は光電変
換領域、14はホトレジスト、15はメッキ電極、16
はホトレジスト、17は金属壁、18はX線蛍光材料層
である。
【0020】以下に製造工程説明図に基づいて本発明の
X線撮像素子を製造する工程を説明する。
【0021】第1工程(図2(A)参照) この基板11、電極12、光電変換領域13からなる撮
像素子は、従来知られているCCD製造工程を経て形成
されたCCD撮像面である。この撮像素子の受光面は上
面である。
【0022】第2工程(図2(B)参照) 光電変換領域13の上全面にホトレジストを塗布し、電
極12を避けて光電変化領域13の上だけにホトレジス
トが残るように露光・現像する。
【0023】第3工程(図2(C)参照) その上面全体に後の工程におけるメッキ工程でメッキ電
極15となる金属被膜をスパッタリングによって形成す
る。
【0024】第4工程(図2(D)参照) 先に形成したホトレジスト14を溶剤によって剥離し、
光電変換領域13の上に形成された金属被膜をリフトオ
フによって除去する。
【0025】第5工程(図3(E)参照) 第2工程と同様に、前面にフトレジストを形成し、露
光、現像して、ホトレジスト16を光電変換領域13の
上にのみ形成する。
【0026】第6工程(図3(F)参照) 先に形成し電極12の上縁に形成されているメッキ電極
15の上に金属壁17をメッキによって形成する。
【0027】第7工程(図3(G)参照) ホトレジスト16を溶剤によって剥離して金属壁17を
残す。
【0028】第8工程(図3(H)参照) 金属壁17によって囲まれた光電変換領域13の上にX
線蛍光材料層18を塗布し、その上をガラス、プラスチ
ック等の封止板19によって封止する。以上の工程によ
ってX線撮像素子が製造できる。
【0029】上記のX線蛍光材料18として、従来から
用いられているヨウ化セシウム等を用いることができ
る。また、金属壁17としては、金、銀、鉛等のX線吸
収率の高いものを用いることができる。
【0030】そして、封止板19としては、従来のCC
Dにおいて、外部との接触を絶ち、素子の変質を防ぐ目
的で用いられてきた硝子、プラスチック等を用いること
ができる。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
小型で安価なX線撮像素子を実現することができ、X線
を使用した種々の測定技術において寄与するところが大
きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のX線撮像素子の構成説明図
である。
【図2】(A)〜(D)は本発明のX線撮像素子の製造
工程説明図(1)である。
【図3】(E)〜(H)は本発明のX線撮像素子の製造
工程説明図(2)である。
【図4】(A),(B)は従来のX線撮像素子の構成説
明図である。
【符号の説明】
1 基板 2 光電変換領域 3 金属壁 4 X線蛍光材料層 5 封止板
フロントページの続き (72)発明者 鈴木 伸二 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 撮像素子の撮像面の各光電変換領域上に
    X線蛍光材料層を直接形成したことを特徴とするX線撮
    像素子。
  2. 【請求項2】 光撮像素子の撮像面がCCDであること
    を特徴とする請求項1記載のX線撮像素子。
  3. 【請求項3】 各光電変換領域、あるいは、X線蛍光材
    料層の周りにX線吸収率の高い金属製の壁を配置したこ
    とを特徴とする請求項1または請求項2記載のX線撮像
    素子。
JP3308928A 1991-11-25 1991-11-25 X線撮像素子 Withdrawn JPH05152597A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3308928A JPH05152597A (ja) 1991-11-25 1991-11-25 X線撮像素子

Applications Claiming Priority (1)

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JP3308928A JPH05152597A (ja) 1991-11-25 1991-11-25 X線撮像素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05152597A true JPH05152597A (ja) 1993-06-18

Family

ID=17986970

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3308928A Withdrawn JPH05152597A (ja) 1991-11-25 1991-11-25 X線撮像素子

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JP (1) JPH05152597A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7479640B2 (en) 2005-09-30 2009-01-20 Fujifilm Corporation Resolution-variable X-ray imaging device and X-ray CT apparatus

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Effective date: 19990204