JPH051564B2 - - Google Patents
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- JPH051564B2 JPH051564B2 JP61199800A JP19980086A JPH051564B2 JP H051564 B2 JPH051564 B2 JP H051564B2 JP 61199800 A JP61199800 A JP 61199800A JP 19980086 A JP19980086 A JP 19980086A JP H051564 B2 JPH051564 B2 JP H051564B2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は温度補償用誘電体磁器組成物に関
し、特に、積層コンデンサの誘電体磁器として用
いられる温度補償用誘電体磁器組成物に関する。
し、特に、積層コンデンサの誘電体磁器として用
いられる温度補償用誘電体磁器組成物に関する。
（従来技術）
従来、この種の温度補償用誘電体磁器組成物と
しては、MgTiO3−CaTiO3系の磁器が用いられ
ていた。
しては、MgTiO3−CaTiO3系の磁器が用いられ
ていた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、MgTiO3−CaTiO3系の磁器で
は、その焼結温度が1300℃以上と高いため、焼成
コストが高くつき、また、積層コンデンサの誘電
体磁器として用いる際には、内部電極として高融
点かつ高温で酸化しにくい高価なPdやPtを使用
しなければならず、積層コンデンサのコスト低減
の障害となつていた。さらに、非酸化雰囲気中で
焼成した場合には、磁器が還元されて絶縁抵抗値
が著しく低下するという問題点を有していた。
は、その焼結温度が1300℃以上と高いため、焼成
コストが高くつき、また、積層コンデンサの誘電
体磁器として用いる際には、内部電極として高融
点かつ高温で酸化しにくい高価なPdやPtを使用
しなければならず、積層コンデンサのコスト低減
の障害となつていた。さらに、非酸化雰囲気中で
焼成した場合には、磁器が還元されて絶縁抵抗値
が著しく低下するという問題点を有していた。
それゆえに、この発明の主たる目的は、1000℃
以下で焼結でき、かつ、非酸化性雰囲気中で焼成
しても磁器の比抵抗値が1012Ωcm以上と高い温度
補償用誘電体磁器組成物を提供することである。
以下で焼結でき、かつ、非酸化性雰囲気中で焼成
しても磁器の比抵抗値が1012Ωcm以上と高い温度
補償用誘電体磁器組成物を提供することである。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、酸化バリウム、酸化ケイ素および
酸化ジルコニウムを主成分として含み、酸化バリ
ウムをBaOに換算してＸ重量部とし、酸化ケイ
素をSiO2に換算してＹ重量部とし、酸化ジルコ
ニウムをZrO2に換算してＺ重量部としたとき、
Ｘ、ＹおよびＺの値が、50≧Ｘ≧15、84≧Ｙ≧
20、55≧Ｚ≧１、そしてＸ＋Ｙ＋Ｚ＝100の範囲
内に含まれる、温度補償用誘電体磁器組成物であ
る。
酸化ジルコニウムを主成分として含み、酸化バリ
ウムをBaOに換算してＸ重量部とし、酸化ケイ
素をSiO2に換算してＹ重量部とし、酸化ジルコ
ニウムをZrO2に換算してＺ重量部としたとき、
Ｘ、ＹおよびＺの値が、50≧Ｘ≧15、84≧Ｙ≧
20、55≧Ｚ≧１、そしてＸ＋Ｙ＋Ｚ＝100の範囲
内に含まれる、温度補償用誘電体磁器組成物であ
る。
（発明の効果）
この発明によれば、1000℃以下の、たとえば
N2ガス、Arガス、CO2ガス、COガスあるいは
H2ガスなどにより形成される非酸化性雰囲気中
で焼成でき、1012Ωcm以上の高い比抵抗を有し、
しかも、1000以上の高いＱ値を有する温度補償用
誘電体磁器組成物を得ることができる。
N2ガス、Arガス、CO2ガス、COガスあるいは
H2ガスなどにより形成される非酸化性雰囲気中
で焼成でき、1012Ωcm以上の高い比抵抗を有し、
しかも、1000以上の高いＱ値を有する温度補償用
誘電体磁器組成物を得ることができる。
また、この温度補償用誘電体磁器組成物を積層
コンデンサの誘電体磁器として用いれば、焼結温
度が1000℃以下と低いため、焼成コストを低くす
ることができ、かつ、抵抗値が低く安価な銅、銅
系合金あるいはその他の卑金属を内部電極として
用いることができるので、従来に比べて積層コン
デンサのコストダウンを図ることができる。
コンデンサの誘電体磁器として用いれば、焼結温
度が1000℃以下と低いため、焼成コストを低くす
ることができ、かつ、抵抗値が低く安価な銅、銅
系合金あるいはその他の卑金属を内部電極として
用いることができるので、従来に比べて積層コン
デンサのコストダウンを図ることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴お
よび利点は、図面を参照して行う以下の実施例の
詳細な説明から一層明らかとなろう。
よび利点は、図面を参照して行う以下の実施例の
詳細な説明から一層明らかとなろう。
（実施例）
原料として、BaCO3、SiO2、ZrO2および
Al2O3を、別表の組成となるように秤量し、ボー
ルミルで16時間湿式混合した後、蒸発乾燥して混
合粉末を得た。次いで、この混合粉末を850℃で
２時間仮焼し、これに結合剤として酢酸ビニルを
５重量部加え、再びボールミルで16時間湿式混
合・粉砕した。この粉砕物を蒸発乾燥して篩に通
して整粒し、果粒状粉末を得た。
Al2O3を、別表の組成となるように秤量し、ボー
ルミルで16時間湿式混合した後、蒸発乾燥して混
合粉末を得た。次いで、この混合粉末を850℃で
２時間仮焼し、これに結合剤として酢酸ビニルを
５重量部加え、再びボールミルで16時間湿式混
合・粉砕した。この粉砕物を蒸発乾燥して篩に通
して整粒し、果粒状粉末を得た。
こうして得た果粒状粉末を乾式プレス機で
2ton／cm2の圧力で加圧し、直径22mm、厚さ1.0mm
の円板に成形した。次いで、この円板をN2ガス
雰囲気中で別表に示した各温度条件で２時間保持
して焼成を行つた。そして、これらの焼成物に、
電極形成の際に磁器が特性の変化を受けることを
避けるため、In−Ga合金を塗布して電極を形成
し試料とした。
2ton／cm2の圧力で加圧し、直径22mm、厚さ1.0mm
の円板に成形した。次いで、この円板をN2ガス
雰囲気中で別表に示した各温度条件で２時間保持
して焼成を行つた。そして、これらの焼成物に、
電極形成の際に磁器が特性の変化を受けることを
避けるため、In−Ga合金を塗布して電極を形成
し試料とした。
そして、これらの試料について、次に示す各特
性をそれぞれの条件や測定方法で測定し、その結
果を別表に示した。
性をそれぞれの条件や測定方法で測定し、その結
果を別表に示した。
(1) 焼成温度
(2) 比誘電率：周波数1MHz、温度25℃の条件
(3) Ｑ値（品質係数）：周波数1MHz、温度25℃の
条件 (4) 容量温度係数（ppm／℃）：25℃の容量を基
準とし、これと125℃の容量とから次の式によ
つて算出した。
条件 (4) 容量温度係数（ppm／℃）：25℃の容量を基
準とし、これと125℃の容量とから次の式によ
つて算出した。
容量温度係数＝C2−C1／C1×１／（125−25）×106
（ただし、C1：25℃での容量、C2：125℃での
容量） (5) 比抵抗：25℃で500Vの直流電圧を印加して
電流値を測定し算出した値 なお別表中で＊印を付したものは、この発明の
範囲外のものであり、それ以外はこの発明の範囲
内のものである。
容量） (5) 比抵抗：25℃で500Vの直流電圧を印加して
電流値を測定し算出した値 なお別表中で＊印を付したものは、この発明の
範囲外のものであり、それ以外はこの発明の範囲
内のものである。
さらに、別表に示した各実験例の結果を、主成
分の３成分組成図（３元図）中に示した。この図
面において丸印を付した数字は各試料番号を示
す。
分の３成分組成図（３元図）中に示した。この図
面において丸印を付した数字は各試料番号を示
す。
なお、この図面において、発明の範囲内にある
主成分の組成比を示す領域は、頂点Ａ，Ｂ，Ｃお
よびＤを有する４角形で示されている。すなわ
ち、上述の３成分の組成比において、BaOをＸ
重量部、SiO2をＹ重量部およびZrO2をＺ重量部
としたとき、この発明の主成分の範囲（Ｘ、Ｙ、
Ｚ）は、Ａ（50、49、１）、Ｂ（50、20、30）、Ｃ
（15、20、65）、Ｄ（15、84、１）の４点の頂点で
囲まれる領域内の組成比に相当するのである。
主成分の組成比を示す領域は、頂点Ａ，Ｂ，Ｃお
よびＤを有する４角形で示されている。すなわ
ち、上述の３成分の組成比において、BaOをＸ
重量部、SiO2をＹ重量部およびZrO2をＺ重量部
としたとき、この発明の主成分の範囲（Ｘ、Ｙ、
Ｚ）は、Ａ（50、49、１）、Ｂ（50、20、30）、Ｃ
（15、20、65）、Ｄ（15、84、１）の４点の頂点で
囲まれる領域内の組成比に相当するのである。
以下、別表および３成分組成図に従い、この発
明の温度補償用誘電体磁器組成物における組成の
限定理由を説明する。
明の温度補償用誘電体磁器組成物における組成の
限定理由を説明する。
(1) ３成分組成図において、頂点ＡおよびＢを結
ぶ線分ABの外側の組成物（試料番号６参照）
では、Ｑ値が1000以下となりかつ容量温度係数
が＋100ppm／℃以上となり、しかも、焼結磁
器素体の表面上にガラス質が浮くので好ましく
ない。
ぶ線分ABの外側の組成物（試料番号６参照）
では、Ｑ値が1000以下となりかつ容量温度係数
が＋100ppm／℃以上となり、しかも、焼結磁
器素体の表面上にガラス質が浮くので好ましく
ない。
(2) ３成分組成図において、頂点ＡおよびＤを結
ぶ線分ADの外側の組成物（試料番号５参照）
では、Ｑ値が1000以下となりかつ容量温度係数
が＋100ppm／℃以上となり、しかも、焼結磁
器素体の表面上にガラス質が浮くので好ましく
ない。
ぶ線分ADの外側の組成物（試料番号５参照）
では、Ｑ値が1000以下となりかつ容量温度係数
が＋100ppm／℃以上となり、しかも、焼結磁
器素体の表面上にガラス質が浮くので好ましく
ない。
(3) ３成分組成図において、頂点ＢおよびＣを結
ぶ線分BCの外側の組成物（試料番号７参照）
では、1150℃の温度で焼成しても緻密な焼結体
が得られないので好ましくない。
ぶ線分BCの外側の組成物（試料番号７参照）
では、1150℃の温度で焼成しても緻密な焼結体
が得られないので好ましくない。
(4) ３成分組成図において、頂点ＢおよびＤを結
ぶ線分BDの外側の組成物（試料番号８参照）
では、1150℃の温度で焼成しても緻密な焼結体
が得られないので好ましくない。
ぶ線分BDの外側の組成物（試料番号８参照）
では、1150℃の温度で焼成しても緻密な焼結体
が得られないので好ましくない。
(5) Al2O3を主成分100重量部に対して、20重量
部以下添加含有させると、磁器の特性にばらつ
きが少なくなりかつ特性が一定の水準で揃う。
しかし、Al2O3の添加が20重量部を超えると
（試料番号11参照）、焼結温度が1150℃以上と高
くなるため好ましくない。
部以下添加含有させると、磁器の特性にばらつ
きが少なくなりかつ特性が一定の水準で揃う。
しかし、Al2O3の添加が20重量部を超えると
（試料番号11参照）、焼結温度が1150℃以上と高
くなるため好ましくない。
図面は、この発明の組成物の主成分組成比を示
す３成分組成図である。
す３成分組成図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化バリウム、酸化ケイ素および酸化ジルコ
ニウムを主成分として含み、 前記酸化バリウムをBaOに換算してＸ重量部
とし、 前記酸化ケイ素をSiO2に換算してＹ重量部と
し、 前記酸化ジルコニウムをZrO2に換算してＺ重
量部としたとき、 Ｘ、ＹおよびＺの値が 50≧Ｘ≧15 84≧Ｙ≧20 55≧Ｚ≧１ Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝100 の範囲内に含まれる、温度補償用誘電体磁器組成
物。 ２ 前記主成分100重量部に対して、さらに酸化
アルミニウムをAl2O3に換算して20重量部以下
（０重量部を含まず）添加含有した、特許請求の
範囲第１項記載の温度補償用誘電体磁器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61199800A JPS6355814A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
| US07/088,878 US4816429A (en) | 1986-08-25 | 1987-08-24 | Temperature compensating dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61199800A JPS6355814A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355814A JPS6355814A (ja) | 1988-03-10 |
| JPH051564B2 true JPH051564B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16413833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61199800A Granted JPS6355814A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355814A (ja) |
-
1986
- 1986-08-25 JP JP61199800A patent/JPS6355814A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6355814A (ja) | 1988-03-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |