JPH05157463A - 加熱炉 - Google Patents
加熱炉Info
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- JPH05157463A JPH05157463A JP31803091A JP31803091A JPH05157463A JP H05157463 A JPH05157463 A JP H05157463A JP 31803091 A JP31803091 A JP 31803091A JP 31803091 A JP31803091 A JP 31803091A JP H05157463 A JPH05157463 A JP H05157463A
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- Furnace Details (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 処理室内の高さ方向の温度差を限りなく零に
近づける。 【構成】 筒状または棒状のセラミツクスヒータボビン
１と、セラミツクスヒータボビン１に巻き付けた鉄、ク
ロム、アルミニウム合金線などよりなるヒータエレメン
ト２と、セラミツクスヒータボビン１の外側に設けた単
層または複層のセラミツクスまたは金属材料によりなる
円筒状断熱層３と、セラミツクスヒータボビン１の内面
下部に設けたセラミツクス材料よりなる円柱状断熱材４
とを有する加熱炉において、ヒータエレメント２をセラ
ミツクスヒータボビン１に可変ピツチで巻き付けること
により、処理室７内の上・下部に主に通電して、この部
分を加熱するとき、処理室７内のガスの対流により、処
理室７の上下方向中央部も加熱して、処理室７内の高さ
方向の温度差を限りなく零に近づけるようにする。
近づける。 【構成】 筒状または棒状のセラミツクスヒータボビン
１と、セラミツクスヒータボビン１に巻き付けた鉄、ク
ロム、アルミニウム合金線などよりなるヒータエレメン
ト２と、セラミツクスヒータボビン１の外側に設けた単
層または複層のセラミツクスまたは金属材料によりなる
円筒状断熱層３と、セラミツクスヒータボビン１の内面
下部に設けたセラミツクス材料よりなる円柱状断熱材４
とを有する加熱炉において、ヒータエレメント２をセラ
ミツクスヒータボビン１に可変ピツチで巻き付けること
により、処理室７内の上・下部に主に通電して、この部
分を加熱するとき、処理室７内のガスの対流により、処
理室７の上下方向中央部も加熱して、処理室７内の高さ
方向の温度差を限りなく零に近づけるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、焼成炉や静間静水圧加
圧プレス装置に使用する加熱炉に関するものである。
圧プレス装置に使用する加熱炉に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の静間静水圧加圧プレス装置（ＨＩ
Ｐ）の加熱炉を図７により説明すると、１が円筒状ヒー
タボビンで、同円筒状ヒータボビン１の外周面には、一
定ピツチの螺旋溝がある。２が鉄、クロム、アルミニウ
ム合金（カンタル）、モリブデン、白金線などよりなる
ヒータエレメントで、このヒータエレメント２が使用条
件により選択されて、上記螺旋溝に嵌挿されている（円
筒状ヒータボビン１に巻き付けられている）。
Ｐ）の加熱炉を図７により説明すると、１が円筒状ヒー
タボビンで、同円筒状ヒータボビン１の外周面には、一
定ピツチの螺旋溝がある。２が鉄、クロム、アルミニウ
ム合金（カンタル）、モリブデン、白金線などよりなる
ヒータエレメントで、このヒータエレメント２が使用条
件により選択されて、上記螺旋溝に嵌挿されている（円
筒状ヒータボビン１に巻き付けられている）。
【０００３】同円筒状ヒータボビン１の外側には、単層
または複層のセラミツクスまたは金属材料よりなる円筒
状断熱層３があり、円筒状ヒータボビン１の内側にも、
円柱状の断熱材４がある。５が上記ヒータエレメント２
の給電部であり、ここからヒータエレメント２に通電さ
れる。６が上記円筒状ヒータボビン１の頂部を閉じる蓋
で、この蓋７と上記円筒状ヒータボビン１と上記断熱材
４との間には、サンプルを入れる処理室７が形成されて
いる。この処理室７内には、熱電対（図示せず）があ
り、この熱電対によりヒータエレメント２への通電をコ
ントロールしている。
または複層のセラミツクスまたは金属材料よりなる円筒
状断熱層３があり、円筒状ヒータボビン１の内側にも、
円柱状の断熱材４がある。５が上記ヒータエレメント２
の給電部であり、ここからヒータエレメント２に通電さ
れる。６が上記円筒状ヒータボビン１の頂部を閉じる蓋
で、この蓋７と上記円筒状ヒータボビン１と上記断熱材
４との間には、サンプルを入れる処理室７が形成されて
いる。この処理室７内には、熱電対（図示せず）があ
り、この熱電対によりヒータエレメント２への通電をコ
ントロールしている。
【０００４】上記図７に示す静間静水圧加圧プレス装置
の加熱炉では、処理室７にサンプルを入れ、蓋６を閉
じ、円筒状ヒータボビン１を円筒状断熱層３で覆い、ヒ
ータエレメント２に通電して、サンプルを加熱する。ま
たこのとき、最大２０００ｋｇ／ｃｍ2 程度のガスを処
理室７に供給して、サンプルを加圧する。
の加熱炉では、処理室７にサンプルを入れ、蓋６を閉
じ、円筒状ヒータボビン１を円筒状断熱層３で覆い、ヒ
ータエレメント２に通電して、サンプルを加熱する。ま
たこのとき、最大２０００ｋｇ／ｃｍ2 程度のガスを処
理室７に供給して、サンプルを加圧する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記図７に示す従来の
静間静水圧加圧プレス装置の加熱炉には、次の問題があ
った。即ち、加熱炉は、高圧容器（図示せず）内に取付
けられているため、加熱炉全体が最大２０００ｋｇ／ｃ
ｍ2 程度の圧力下にある。２０００ｋｇ／ｃｍ2 程度の
圧力下では、ガスの密度が大きくなり、これに伴い熱の
伝達係数が大きくなり、その結果、処理室７内に温度差
が生じ易くなる。具体的には、図８に示すように処理室
高さ方向の温度曲線が処理室７内の上下方向中央部で高
く、上・下部で低い弓形状になるという問題があった。
静間静水圧加圧プレス装置の加熱炉には、次の問題があ
った。即ち、加熱炉は、高圧容器（図示せず）内に取付
けられているため、加熱炉全体が最大２０００ｋｇ／ｃ
ｍ2 程度の圧力下にある。２０００ｋｇ／ｃｍ2 程度の
圧力下では、ガスの密度が大きくなり、これに伴い熱の
伝達係数が大きくなり、その結果、処理室７内に温度差
が生じ易くなる。具体的には、図８に示すように処理室
高さ方向の温度曲線が処理室７内の上下方向中央部で高
く、上・下部で低い弓形状になるという問題があった。
【０００６】本発明は前記の問題点に鑑み提案するもの
であり、その目的とする処は、処理室内の高さ方向の温
度差を限りなく零に近づけることができる加熱炉を提供
しようとする点にある。
であり、その目的とする処は、処理室内の高さ方向の温
度差を限りなく零に近づけることができる加熱炉を提供
しようとする点にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、筒状または棒状のセラミツクスヒータ
ボビンと、同セラミツクスヒータボビンに巻き付けた
鉄、クロム、アルミニウム合金線などよりなるヒータエ
レメントと、上記セラミツクスヒータボビンの外側に設
けた単層または複層のセラミツクスまたは金属材料によ
りなる円筒状断熱層と、上記セラミツクスヒータボビン
の内面下部に設けたセラミツクス材料よりなる円柱状断
熱材とを有する加熱炉において、前記ヒータエレメント
を前記セラミツクスヒータボビンに可変ピツチで巻き付
けている。
めに、本発明は、筒状または棒状のセラミツクスヒータ
ボビンと、同セラミツクスヒータボビンに巻き付けた
鉄、クロム、アルミニウム合金線などよりなるヒータエ
レメントと、上記セラミツクスヒータボビンの外側に設
けた単層または複層のセラミツクスまたは金属材料によ
りなる円筒状断熱層と、上記セラミツクスヒータボビン
の内面下部に設けたセラミツクス材料よりなる円柱状断
熱材とを有する加熱炉において、前記ヒータエレメント
を前記セラミツクスヒータボビンに可変ピツチで巻き付
けている。
【０００８】
【作用】本発明の加熱炉は前記のように構成されてお
り、処理室内の上・下部に主に通電して、この部分を加
熱するとき、処理室内のガスの対流により、処理室の上
下方向中央部も加熱する。
り、処理室内の上・下部に主に通電して、この部分を加
熱するとき、処理室内のガスの対流により、処理室の上
下方向中央部も加熱する。
【０００９】
【実施例】次に本発明の加熱炉を図１〜図４に示す一実
施例により説明する。１が筒状のセラミツクスヒータボ
ビンで、同セラミツクスヒータボビン１の外周面には、
一定ピツチの螺旋溝１−ｂが穿設されている。この螺旋
溝１−ｂに複数本（本実施例の場合には５本）のヒータ
エレメント（モリブテン線）２が束ねて嵌挿されている
（円筒状ヒータボビン１に巻き付けられている）。
施例により説明する。１が筒状のセラミツクスヒータボ
ビンで、同セラミツクスヒータボビン１の外周面には、
一定ピツチの螺旋溝１−ｂが穿設されている。この螺旋
溝１−ｂに複数本（本実施例の場合には５本）のヒータ
エレメント（モリブテン線）２が束ねて嵌挿されている
（円筒状ヒータボビン１に巻き付けられている）。
【００１０】上記セラミツクスヒータボビン１は、図４
に示すように外周部に軸方向に沿って１本の溝Ｙが穿設
されている。この溝Ｙを利用することにより、ヒータエ
レメント２を一定ピツチでなく、任意のピツチで円筒状
ヒータボビン１に巻き付けることが可能である。即ち、
ヒータエレメント２は、セラミツクスヒータボビン１の
外面に上下方向に沿って設けた溝Ｙを使用することによ
り、処理室７内の高温部（上下方向中央部）に相当する
箇所を粗巻きにすることができる。
に示すように外周部に軸方向に沿って１本の溝Ｙが穿設
されている。この溝Ｙを利用することにより、ヒータエ
レメント２を一定ピツチでなく、任意のピツチで円筒状
ヒータボビン１に巻き付けることが可能である。即ち、
ヒータエレメント２は、セラミツクスヒータボビン１の
外面に上下方向に沿って設けた溝Ｙを使用することによ
り、処理室７内の高温部（上下方向中央部）に相当する
箇所を粗巻きにすることができる。
【００１１】上記セラミツクスヒータボビン１の下端部
には、ボビン受座８に嵌合され、その上のボビン内下部
には、炉床になる円柱状断熱材４が嵌合され、頂部に
は、蓋６が嵌合されている。また３が上記セラミツクス
ヒータボビン１の外側に位置する円筒状断熱層である。
次に前記図１〜図４に示す加熱炉の作用を具体的に説明
する。処理室７内の円柱状断熱材４上にサンプルをセツ
トし、次いで蓋６を被せ、セラミツクスヒータボビン１
を円筒状断熱層３により被覆して、この円筒状断熱層３
を固定し、次いでヒータエレメント２に通電し、処理室
７内の上・下部に主に通電して、この部分を加熱すると
同時に処理室７内のガスの対流により、処理室７の上下
方向中央部も加熱する。その際、処理室７内の熱電対に
より処理室７内の温度を測定して、ヒータエレメント２
への給電を制御する。またこのとき、最大２０００ｋｇ
／ｃｍ2 程度のガスを処理室７に供給して、サンプルを
加圧する。
には、ボビン受座８に嵌合され、その上のボビン内下部
には、炉床になる円柱状断熱材４が嵌合され、頂部に
は、蓋６が嵌合されている。また３が上記セラミツクス
ヒータボビン１の外側に位置する円筒状断熱層である。
次に前記図１〜図４に示す加熱炉の作用を具体的に説明
する。処理室７内の円柱状断熱材４上にサンプルをセツ
トし、次いで蓋６を被せ、セラミツクスヒータボビン１
を円筒状断熱層３により被覆して、この円筒状断熱層３
を固定し、次いでヒータエレメント２に通電し、処理室
７内の上・下部に主に通電して、この部分を加熱すると
同時に処理室７内のガスの対流により、処理室７の上下
方向中央部も加熱する。その際、処理室７内の熱電対に
より処理室７内の温度を測定して、ヒータエレメント２
への給電を制御する。またこのとき、最大２０００ｋｇ
／ｃｍ2 程度のガスを処理室７に供給して、サンプルを
加圧する。
【００１２】ヒータエレメント２はワンヒータであり、
処理室７内の温度差は、セラミツクスヒータボビン１へ
のヒータ線の巻付密度により影響される。図２の〔×−
−−×−−−×−−−〕は、ヒータエレメント２をセラ
ミツクスヒータボビン１に一定ピツチで巻き付けた場合
の温度分布の実測値であり、図２の〔・−・−・−〕
は、図１に示すようにヒータエレメント２をセラミツク
スヒータボビン１に可変ピツチで巻き付けた場合の温度
分布の実測値であり、後者の場合、処理室７内の高さ方
向の温度差が極めて小さくなる。
処理室７内の温度差は、セラミツクスヒータボビン１へ
のヒータ線の巻付密度により影響される。図２の〔×−
−−×−−−×−−−〕は、ヒータエレメント２をセラ
ミツクスヒータボビン１に一定ピツチで巻き付けた場合
の温度分布の実測値であり、図２の〔・−・−・−〕
は、図１に示すようにヒータエレメント２をセラミツク
スヒータボビン１に可変ピツチで巻き付けた場合の温度
分布の実測値であり、後者の場合、処理室７内の高さ方
向の温度差が極めて小さくなる。
【００１３】なお図４のように溝Ｙをセラミツクスヒー
タボビン１の外面に上下方向に沿って設けたのは、最適
な巻き密度を求めるための試験をする場合、その巻き替
えを容易にするためである。最適の巻き密度が求められ
ると、新しいセラミツクスヒータボビン１には、図４の
溝Ｙは加工せず、必要な箇所だけに図３に示す山部（壁
部）１−ａを設ければよい。
タボビン１の外面に上下方向に沿って設けたのは、最適
な巻き密度を求めるための試験をする場合、その巻き替
えを容易にするためである。最適の巻き密度が求められ
ると、新しいセラミツクスヒータボビン１には、図４の
溝Ｙは加工せず、必要な箇所だけに図３に示す山部（壁
部）１−ａを設ければよい。
【００１４】図５は、他の実施例を示しており、この場
合の処理室内の温度は、図６のようになる。
合の処理室内の温度は、図６のようになる。
【００１５】
【発明の効果】本発明の加熱炉は前記のように処理室内
の上・下部に主に通電して、この部分を加熱するとき、
処理室内のガスの対流により、処理室の上下方向中央部
も加熱するので、処理室内の高さ方向の温度差を限りな
く零に近づけることができる効果がある。
の上・下部に主に通電して、この部分を加熱するとき、
処理室内のガスの対流により、処理室の上下方向中央部
も加熱するので、処理室内の高さ方向の温度差を限りな
く零に近づけることができる効果がある。
【図１】本発明の加熱炉の一実施例を示す縦断側面図で
ある。
ある。
【図２】同加熱炉の処理室内の温度分布を示す説明図で
ある。
ある。
【図３】同加熱炉のセラミツクスヒータボビン及びヒー
タエレメントを示す拡大縦断側面図である。
タエレメントを示す拡大縦断側面図である。
【図４】同加熱炉のセラミツクスヒータボビンを示す説
明図である。
明図である。
【図５】同加熱炉の他の実施例を示す縦断側面図であ
る。
る。
【図６】同加熱炉の処理室内の温度分布を示す説明図で
ある。
ある。
【図７】従来の加熱炉を示す縦断側面図である。
【図８】同加熱炉の処理室内の温度分布を示す説明図で
ある。
ある。
１ セラミツクスヒータボビン ２ ヒータエレメント ３ 円筒状断熱層 ４ 円柱状断熱材 ７ 処理室
Claims (1)
- 【請求項１】 筒状または棒状のセラミツクスヒータボ
ビンと、同セラミツクスヒータボビンに巻き付けた鉄、
クロム、アルミニウム合金線などよりなるヒータエレメ
ントと、上記セラミツクスヒータボビンの外側に設けた
単層または複層のセラミツクスまたは金属材料によりな
る円筒状断熱層と、上記セラミツクスヒータボビンの内
面下部に設けたセラミツクス材料よりなる円柱状断熱材
とを有する加熱炉において、前記ヒータエレメントを前
記セラミツクスヒータボビンに可変ピツチで巻き付けた
ことを特徴とする加熱炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31803091A JPH05157463A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 加熱炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31803091A JPH05157463A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 加熱炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05157463A true JPH05157463A (ja) | 1993-06-22 |
Family
ID=18094716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31803091A Withdrawn JPH05157463A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 加熱炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05157463A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010235374A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | 脱硫装置及び燃料電池システム |
| CN104515378A (zh) * | 2013-09-27 | 2015-04-15 | 江苏恒力炉业有限公司 | 一种大型井式炉节能炉体结构 |
| CN115410956A (zh) * | 2022-07-09 | 2022-11-29 | 靖江先锋半导体科技有限公司 | 一种除气预热腔用晶圆预热装置及其制造方法 |
-
1991
- 1991-12-02 JP JP31803091A patent/JPH05157463A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010235374A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | 脱硫装置及び燃料電池システム |
| CN104515378A (zh) * | 2013-09-27 | 2015-04-15 | 江苏恒力炉业有限公司 | 一种大型井式炉节能炉体结构 |
| CN115410956A (zh) * | 2022-07-09 | 2022-11-29 | 靖江先锋半导体科技有限公司 | 一种除气预热腔用晶圆预热装置及其制造方法 |
| CN115410956B (zh) * | 2022-07-09 | 2024-03-01 | 江苏先锋精密科技股份有限公司 | 一种除气预热腔用晶圆预热装置及其制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |