JPH05158045A - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子およびその製造方法Info
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- JPH05158045A JPH05158045A JP3323563A JP32356391A JPH05158045A JP H05158045 A JPH05158045 A JP H05158045A JP 3323563 A JP3323563 A JP 3323563A JP 32356391 A JP32356391 A JP 32356391A JP H05158045 A JPH05158045 A JP H05158045A
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- dyn
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板1,9 上にラビング処理された配向膜3,4
を有する電極基板2,8 を相対向するように配置した液晶
表示素子において、前記配向膜3,4 のラビング処理後の
複屈折量が０．２nm〜２nmの範囲でありかつ臨界表面張
力が３０dyn/cm〜５０dyn/cmの範囲である。 【効果】 ラビングスジがなく、また均一なプレチルト
角で配向した表示品位のよいパネルが得られる。また配
向膜の複屈折量測定と臨界表面張力測定は簡単な工程で
あり量産性にも適しているため、製造の工程管理項目と
して導入することで液晶表示素子の製造歩留まりの向上
にも大きく貢献する。
を有する電極基板2,8 を相対向するように配置した液晶
表示素子において、前記配向膜3,4 のラビング処理後の
複屈折量が０．２nm〜２nmの範囲でありかつ臨界表面張
力が３０dyn/cm〜５０dyn/cmの範囲である。 【効果】 ラビングスジがなく、また均一なプレチルト
角で配向した表示品位のよいパネルが得られる。また配
向膜の複屈折量測定と臨界表面張力測定は簡単な工程で
あり量産性にも適しているため、製造の工程管理項目と
して導入することで液晶表示素子の製造歩留まりの向上
にも大きく貢献する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、文字や記号、あるいは
画像の表示を行なう液晶表示素子およびその製造方法に
関するものである。より詳しくは、スーパーツイステッ
ドネマチック（ＳＴＮ）、またはスーパーツイステッド
バイフリンゼントイフェクト（ＳＢＥ）モードの液晶表
示素子、およびその製造方法に関するものであり、特に
液晶分子の配向膜に関するものである。
画像の表示を行なう液晶表示素子およびその製造方法に
関するものである。より詳しくは、スーパーツイステッ
ドネマチック（ＳＴＮ）、またはスーパーツイステッド
バイフリンゼントイフェクト（ＳＢＥ）モードの液晶表
示素子、およびその製造方法に関するものであり、特に
液晶分子の配向膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶を用いた表示素子は、薄型、
軽量、低消費電力という特徴から、パーソナルコンピユ
ータ、ワードプロセッサなどの情報機器、またテレビな
どさまざまな用途に用いられている。
軽量、低消費電力という特徴から、パーソナルコンピユ
ータ、ワードプロセッサなどの情報機器、またテレビな
どさまざまな用途に用いられている。
【０００３】高品位、大容量表示としては、さまざまな
液晶表示モードのなかＳＴＮないしＳＢＥモードが特に
注目されている。このモードは、相対向する基板間のネ
マチック液晶分子に１２０度〜２９０度のねじれ角をも
たせたツイステッドネマチック構造を有するものであ
る。液晶分子のねじれ角が９０度以上と大きいＳＴＮな
いしＳＢＥモードの液晶表示素子では、他のねじれ角の
領域が発生し、ディスクリネーションを起こしやすく表
示品位の低下をまねく結果となる。これを防ぐ為に基板
表面において、液晶分子の基板に対する角度（プレチル
ト角）を３度〜３０度の角度で配向させている（アプラ
イドフィジックスレーターズ，４５（１０）１９８４年
１１月１５日発行）。液晶分子をある一定のプレチルト
角でしかも一定方向に配向させる代表的配向法として、
斜方蒸着法、ラビング法が挙げられる。
液晶表示モードのなかＳＴＮないしＳＢＥモードが特に
注目されている。このモードは、相対向する基板間のネ
マチック液晶分子に１２０度〜２９０度のねじれ角をも
たせたツイステッドネマチック構造を有するものであ
る。液晶分子のねじれ角が９０度以上と大きいＳＴＮな
いしＳＢＥモードの液晶表示素子では、他のねじれ角の
領域が発生し、ディスクリネーションを起こしやすく表
示品位の低下をまねく結果となる。これを防ぐ為に基板
表面において、液晶分子の基板に対する角度（プレチル
ト角）を３度〜３０度の角度で配向させている（アプラ
イドフィジックスレーターズ，４５（１０）１９８４年
１１月１５日発行）。液晶分子をある一定のプレチルト
角でしかも一定方向に配向させる代表的配向法として、
斜方蒸着法、ラビング法が挙げられる。
【０００４】斜方蒸着法は、ＳｉＯ，ＭｇＯ等の酸化物
や、Ａｕ，Ｐｔ等の金属などの無機物質を基板に対して
斜めから蒸着するものである。一方ラビング処理法は、
基板上にポリイミド、ポリアミド等の有機配向膜を形成
した後レーヨン，ナイロン，コットン等の布を巻き付け
たドラムを回転させて配向膜表面を一定方向にこするこ
とで配向処理を行なうものである（特開昭５５−１４３
５２５号公報）。液晶表示素子においてこの配向処理工
程は重要である。
や、Ａｕ，Ｐｔ等の金属などの無機物質を基板に対して
斜めから蒸着するものである。一方ラビング処理法は、
基板上にポリイミド、ポリアミド等の有機配向膜を形成
した後レーヨン，ナイロン，コットン等の布を巻き付け
たドラムを回転させて配向膜表面を一定方向にこするこ
とで配向処理を行なうものである（特開昭５５−１４３
５２５号公報）。液晶表示素子においてこの配向処理工
程は重要である。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、斜方
蒸着法による配向膜形成法では真空装置を使ったプロセ
スであることから工程が複雑で、蒸着膜が高価となり液
晶表示素子のコストが上昇するという問題点がある。
蒸着法による配向膜形成法では真空装置を使ったプロセ
スであることから工程が複雑で、蒸着膜が高価となり液
晶表示素子のコストが上昇するという問題点がある。
【０００６】一方ラビング処理法は、斜方蒸着法に比べ
簡単な工程で液晶表示素子を製造することができる点か
ら配向処理法として従来から広く用いられてきた。しか
し、前述のラビング処理法で均一な配向を得るにはラビ
ング条件の設定が非常に重要である。
簡単な工程で液晶表示素子を製造することができる点か
ら配向処理法として従来から広く用いられてきた。しか
し、前述のラビング処理法で均一な配向を得るにはラビ
ング条件の設定が非常に重要である。
【０００７】配向膜表面とラビング布を巻き付けたドラ
ムとの間隔（押し込み量）、ローラ回転数、基板の移動
速度、ローラ径がばらつくと均一なラビング処理が行え
ないばかりか極端な場合には配向膜表面にキズ（ラビン
グキズ）が発生してしまう。顕著なラビングキズはパネ
ルとなった場合、キズの部分の電界に対する挙動が変化
する結果、キズに沿ってしきい値の異常な領域が発生
し、不良パネルとなる。
ムとの間隔（押し込み量）、ローラ回転数、基板の移動
速度、ローラ径がばらつくと均一なラビング処理が行え
ないばかりか極端な場合には配向膜表面にキズ（ラビン
グキズ）が発生してしまう。顕著なラビングキズはパネ
ルとなった場合、キズの部分の電界に対する挙動が変化
する結果、キズに沿ってしきい値の異常な領域が発生
し、不良パネルとなる。
【０００８】また、ラビング条件を変える要因であるロ
ーラ回転数、基板の移動速度、押し込み量、ローラ径を
一定にしラビングしたとしても、ガラス基板の厚みの変
化、ラビング布のロット差、機械精度の経時的変化など
のため必ずしも常に一定のラビング強度でラビングされ
る補償は無い。
ーラ回転数、基板の移動速度、押し込み量、ローラ径を
一定にしラビングしたとしても、ガラス基板の厚みの変
化、ラビング布のロット差、機械精度の経時的変化など
のため必ずしも常に一定のラビング強度でラビングされ
る補償は無い。
【０００９】ラビング処理法による液晶分子の配向メカ
ニズムは完全に解明されていないが、ラビング処理によ
って配向膜表面にせん断応力が加わることで表面付近の
ポリマー鎖の配向が起こり、液晶分子がポリマー鎖の配
向に従って配列することが主要因と考えられている。つ
まり、液晶分子の配向に配向膜表面の配向状態が大きく
影響するにもかかわらず、従来の液晶表示素子ではラビ
ングされた配向膜としての配向状態の規定がなかった。
そのため実際にパネルを組み立ててみるまでラビング処
理工程の良否が判別できず結果的に不良率が増加すると
いう問題点があった。すなわち、基板面内での配向膜の
ラビング状態が不均一だと、液晶分子のプレチルト角が
バラツキ、パネルとしてはしきい値ムラ、すなわち表示
ムラ（色ムラ）となり表示品位の低下を引き起こしてし
まう。
ニズムは完全に解明されていないが、ラビング処理によ
って配向膜表面にせん断応力が加わることで表面付近の
ポリマー鎖の配向が起こり、液晶分子がポリマー鎖の配
向に従って配列することが主要因と考えられている。つ
まり、液晶分子の配向に配向膜表面の配向状態が大きく
影響するにもかかわらず、従来の液晶表示素子ではラビ
ングされた配向膜としての配向状態の規定がなかった。
そのため実際にパネルを組み立ててみるまでラビング処
理工程の良否が判別できず結果的に不良率が増加すると
いう問題点があった。すなわち、基板面内での配向膜の
ラビング状態が不均一だと、液晶分子のプレチルト角が
バラツキ、パネルとしてはしきい値ムラ、すなわち表示
ムラ（色ムラ）となり表示品位の低下を引き起こしてし
まう。
【００１０】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、上記欠点を解消した液晶表示素
子およびその製造方法を提供することを目的としてなさ
れたものである。
ためになされたもので、上記欠点を解消した液晶表示素
子およびその製造方法を提供することを目的としてなさ
れたものである。
【００１１】
【問題点を解決するための手段】本発明は前述のような
問題点を解決するために、基板上に透明電極層さらにそ
の上に配向膜を有する電極基板を相対向するように配置
した液晶表示素子において、少なくとも一方の配向膜の
ラビング処理後の複屈折量が０．２nm〜２nmの範囲であ
りかつ臨界表面張力が３０dyn/cm〜５０dyn/cmの範囲と
するするものである。
問題点を解決するために、基板上に透明電極層さらにそ
の上に配向膜を有する電極基板を相対向するように配置
した液晶表示素子において、少なくとも一方の配向膜の
ラビング処理後の複屈折量が０．２nm〜２nmの範囲であ
りかつ臨界表面張力が３０dyn/cm〜５０dyn/cmの範囲と
するするものである。
【００１２】
【作用】本発明は、前述のように、ラビング処理を施し
た配向膜について、配向状態の評価量として複屈折量と
臨界表面張力を規定し、かつ、その値を各々０．２nm〜
２nmと３０dyn/cm〜５０dyn/cmの範囲に限定することに
よりラビングスジがなく、また均一なプレチルト角で配
向した表示品位の良いパネルが得られる。また、配向膜
の複屈折量測定と臨界表面張力測定は、簡単な工程であ
り量産性にも適している為、製造の工程管理項目として
導入することで液晶表示素子の製造歩留まりの向上にも
大きく貢献する。
た配向膜について、配向状態の評価量として複屈折量と
臨界表面張力を規定し、かつ、その値を各々０．２nm〜
２nmと３０dyn/cm〜５０dyn/cmの範囲に限定することに
よりラビングスジがなく、また均一なプレチルト角で配
向した表示品位の良いパネルが得られる。また、配向膜
の複屈折量測定と臨界表面張力測定は、簡単な工程であ
り量産性にも適している為、製造の工程管理項目として
導入することで液晶表示素子の製造歩留まりの向上にも
大きく貢献する。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の実施例について詳細に述べ
る。図１は、本発明の液晶表示素子の断面図である。各
々４００本の走査電極，６４０本の表示電極をスズを含
む酸化インジウム透明電極（ＩＴＯ）で形成した上下２
枚の２５×１６cmのガラス基板を洗浄し、その後、以下
のポリアミック酸樹脂層、あるいはポリピロメリット酸
樹脂層を印刷で形成した。市販されている液晶用配向膜
材料は、用途に応じラビング前の臨界表面張力が約２５
dyn/cmと小さい材料から約４５dyn/cmと大きい材料まで
ある。しかし、いずれの材料もラビングにより配向膜の
複屈折量と臨界表面張力が大きくなる。そこで、実施例
としてラビング前の配向膜の臨界表面張力が２５〜４５
dyn/cmの各種配向膜材料のうち表１に示す材料を代表と
して用いた。
る。図１は、本発明の液晶表示素子の断面図である。各
々４００本の走査電極，６４０本の表示電極をスズを含
む酸化インジウム透明電極（ＩＴＯ）で形成した上下２
枚の２５×１６cmのガラス基板を洗浄し、その後、以下
のポリアミック酸樹脂層、あるいはポリピロメリット酸
樹脂層を印刷で形成した。市販されている液晶用配向膜
材料は、用途に応じラビング前の臨界表面張力が約２５
dyn/cmと小さい材料から約４５dyn/cmと大きい材料まで
ある。しかし、いずれの材料もラビングにより配向膜の
複屈折量と臨界表面張力が大きくなる。そこで、実施例
としてラビング前の配向膜の臨界表面張力が２５〜４５
dyn/cmの各種配向膜材料のうち表１に示す材料を代表と
して用いた。
【００１４】
【表１】
【００１５】これらの配向膜溶液は、加熱、重合してポ
リイミド樹脂層とするタイプで日産化学工業株式会社の
ＲＮ６２６，ＳＥ６１０，日立化成株式会社のＬＱ１８
００、およびチッソ石油化学株式会社のＰＳＩ−Ａ−２
３０１，ＰＳＩ−Ａ−２４０１を用いた。印刷後８０℃
で１０分間乾燥しＲＮ６２６，ＳＥ６１０，ＬＱ１８０
０は２５０℃で１時間、ＰＳＩ−Ａ−２３０１，ＰＳＩ
−Ａ−２４０１は、２００℃で１時間本硬化を行い膜厚
５０nm〜１００nmのポリイミド配向膜を形成した。これ
らの配向膜をレーヨン布を取り付けた直径１５０mmのロ
ーラでローラ回転数を５００rpm ，基板移動速度を５０
mm/ 秒に設定し、毛先押し込み量を変化させラビング条
件を変えた評価用のサンプルを作製した。ラビング方向
は液晶分子のねじれ角が２４０度となるラビング方向に
処理を行なった。配向膜材料ＲＮ６２６，ＬＱ１８０
０、ＳＥ６１０，ＰＳＩ−Ａ−２３０１，ＰＳＩ−Ａ−
２４０１のラビング条件を変化させた時のラビング処理
後の配向膜の複屈折量と臨界表面張力の関係を各々図
２，図３，図４，図５，図６に示す。同時にパネルを作
製し、ラビング処理後の配向膜の複屈折量および臨界表
面張力の評価結果と液晶表示素子としての表示品位の関
係を検討した。パネル作製は、一方のガラス基板にビー
ズスペーサ６を形成するビーズを散布し、他方にシール
樹脂５となるシール剤を印刷しパネルを組み立てた。シ
ール剤は、熱硬化タイプで６０℃で４時間その後、１５
０℃で３時間硬化を行なった。その後、市販のＳＴＮ液
晶組成物７を真空注入し液晶表示素子を完成した。
リイミド樹脂層とするタイプで日産化学工業株式会社の
ＲＮ６２６，ＳＥ６１０，日立化成株式会社のＬＱ１８
００、およびチッソ石油化学株式会社のＰＳＩ−Ａ−２
３０１，ＰＳＩ−Ａ−２４０１を用いた。印刷後８０℃
で１０分間乾燥しＲＮ６２６，ＳＥ６１０，ＬＱ１８０
０は２５０℃で１時間、ＰＳＩ−Ａ−２３０１，ＰＳＩ
−Ａ−２４０１は、２００℃で１時間本硬化を行い膜厚
５０nm〜１００nmのポリイミド配向膜を形成した。これ
らの配向膜をレーヨン布を取り付けた直径１５０mmのロ
ーラでローラ回転数を５００rpm ，基板移動速度を５０
mm/ 秒に設定し、毛先押し込み量を変化させラビング条
件を変えた評価用のサンプルを作製した。ラビング方向
は液晶分子のねじれ角が２４０度となるラビング方向に
処理を行なった。配向膜材料ＲＮ６２６，ＬＱ１８０
０、ＳＥ６１０，ＰＳＩ−Ａ−２３０１，ＰＳＩ−Ａ−
２４０１のラビング条件を変化させた時のラビング処理
後の配向膜の複屈折量と臨界表面張力の関係を各々図
２，図３，図４，図５，図６に示す。同時にパネルを作
製し、ラビング処理後の配向膜の複屈折量および臨界表
面張力の評価結果と液晶表示素子としての表示品位の関
係を検討した。パネル作製は、一方のガラス基板にビー
ズスペーサ６を形成するビーズを散布し、他方にシール
樹脂５となるシール剤を印刷しパネルを組み立てた。シ
ール剤は、熱硬化タイプで６０℃で４時間その後、１５
０℃で３時間硬化を行なった。その後、市販のＳＴＮ液
晶組成物７を真空注入し液晶表示素子を完成した。
【００１６】これらの全パネルを１／２００駆動させ、
ラビング処理後の配向膜の複屈折量および臨界表面張力
の評価結果との対応を検討した。表示品位を○印，△
印，×印で示す。○印は表示面に表示ムラあるいはラビ
ングキズ等欠陥のない表示品位の良好なパネルを示す。
△印は表示面に表示ムラあるいはラビングキズ等の欠陥
が目立つ表示品位の悪いパネルを示す。×印は表示ムラ
あるいはラビングキズ等の欠陥が非常に多く表示品位の
非常に悪いパネルを示す。 （実施例１）ＲＮ６２６は、図２に示す複屈折量が０．
２nm以上１．５nm以下で臨界表面張力が３０dyn/cm以上
４２dyn/cm以下の領域（Ｂ領域とする）では表示品位の
良好なパネルが得られた。しかし、複屈折量が０．２nm
未満で臨界表面張力が３０dyn/cm未満の領域（Ａ領域と
する）、あるいは複屈折量が１．５nmより大きく臨界表
面張力が４２dun/cmより大きい領域（Ｃ領域とする）で
は表示品位の非常に悪いパネルとなった。表示品位との
対応関係を表２にまとめてある。
ラビング処理後の配向膜の複屈折量および臨界表面張力
の評価結果との対応を検討した。表示品位を○印，△
印，×印で示す。○印は表示面に表示ムラあるいはラビ
ングキズ等欠陥のない表示品位の良好なパネルを示す。
△印は表示面に表示ムラあるいはラビングキズ等の欠陥
が目立つ表示品位の悪いパネルを示す。×印は表示ムラ
あるいはラビングキズ等の欠陥が非常に多く表示品位の
非常に悪いパネルを示す。 （実施例１）ＲＮ６２６は、図２に示す複屈折量が０．
２nm以上１．５nm以下で臨界表面張力が３０dyn/cm以上
４２dyn/cm以下の領域（Ｂ領域とする）では表示品位の
良好なパネルが得られた。しかし、複屈折量が０．２nm
未満で臨界表面張力が３０dyn/cm未満の領域（Ａ領域と
する）、あるいは複屈折量が１．５nmより大きく臨界表
面張力が４２dun/cmより大きい領域（Ｃ領域とする）で
は表示品位の非常に悪いパネルとなった。表示品位との
対応関係を表２にまとめてある。
【００１７】
【表２】
【００１８】（実施例２）配向膜ＬＱ１８００は、図３
に示す複屈折量が０．４nm以上２．０nm以下で臨界表面
張力が４０dyn/cmより大きく４５dyn/cm以下の領域（Ｂ
領域とする）で表示品位の良好なパネルが得られた。し
かし、複屈折量が２．０より大きく２．５nm以下であり
臨界表面張力が４５dyn/cmより大きい領域（Ｃ領域とす
る）では表示品位の悪いパネルとなった。また複屈折量
が０．４nm未満で臨界表面張力が４０dyn/cm未満の領域
（Ａ領域とする）および複屈折量が２．５nmより大きく
臨界表面張力が４５dyn/cmより大きい（Ｄ領域とする）
では表示品位の非常に悪いパネルとなった。表示品位と
の対応関係を表３にまとめてある。
に示す複屈折量が０．４nm以上２．０nm以下で臨界表面
張力が４０dyn/cmより大きく４５dyn/cm以下の領域（Ｂ
領域とする）で表示品位の良好なパネルが得られた。し
かし、複屈折量が２．０より大きく２．５nm以下であり
臨界表面張力が４５dyn/cmより大きい領域（Ｃ領域とす
る）では表示品位の悪いパネルとなった。また複屈折量
が０．４nm未満で臨界表面張力が４０dyn/cm未満の領域
（Ａ領域とする）および複屈折量が２．５nmより大きく
臨界表面張力が４５dyn/cmより大きい（Ｄ領域とする）
では表示品位の非常に悪いパネルとなった。表示品位と
の対応関係を表３にまとめてある。
【００１９】
【表３】
【００２０】（実施例３）ＳＥ６１０は、図４に示す複
屈折量が０．５nm以上１．７nm以下で臨界表面張力が４
０dyn/cm以上４５dyn/cm以下の領域（Ｂ領域とする）で
表示品位の良好なパネルが得られた。しかし、複屈折量
が０．５nm未満で臨界表面張力が４０dyn/cm未満の領域
（Ａ領域とする）および複屈折量が１．７nmより大きく
臨界表面張力が４５dyn/cmより大きい領域（Ｃ領域とす
る）では非常に表示品位の悪いパネルとなった。表示品
位との対応関係を表４にまとめてある。
屈折量が０．５nm以上１．７nm以下で臨界表面張力が４
０dyn/cm以上４５dyn/cm以下の領域（Ｂ領域とする）で
表示品位の良好なパネルが得られた。しかし、複屈折量
が０．５nm未満で臨界表面張力が４０dyn/cm未満の領域
（Ａ領域とする）および複屈折量が１．７nmより大きく
臨界表面張力が４５dyn/cmより大きい領域（Ｃ領域とす
る）では非常に表示品位の悪いパネルとなった。表示品
位との対応関係を表４にまとめてある。
【００２１】
【表４】
【００２２】（実施例４）ＰＳＩ−Ａ−２３０１は、図
５に示す複屈折量が０．２nm以上１．２nm以下で臨界表
面張力が４５dyn/cmより大きく５０dyn/cm以下の領域
（Ｂ領域とする）では表示品位の良好なパネルとなっ
た。しかし、複屈折量が１．２nmより大きく２．０nm以
下で臨界表面張力が５０dyn/cmより大きい領域（Ｃ領域
とする）では表示品位の悪いパネルとなった。また、複
屈折量が０．２nm未満で臨界表面張力が４５dyn/cm未満
の領域（Ａ領域とする）、および複屈折量が２．０nmよ
り大きく臨界表面張力が５０dyn/cmより大きい領域（Ｄ
領域とする）では表示品位の非常に悪いパネルとなっ
た。表示品位との対応関係を表５にまとめてある。
５に示す複屈折量が０．２nm以上１．２nm以下で臨界表
面張力が４５dyn/cmより大きく５０dyn/cm以下の領域
（Ｂ領域とする）では表示品位の良好なパネルとなっ
た。しかし、複屈折量が１．２nmより大きく２．０nm以
下で臨界表面張力が５０dyn/cmより大きい領域（Ｃ領域
とする）では表示品位の悪いパネルとなった。また、複
屈折量が０．２nm未満で臨界表面張力が４５dyn/cm未満
の領域（Ａ領域とする）、および複屈折量が２．０nmよ
り大きく臨界表面張力が５０dyn/cmより大きい領域（Ｄ
領域とする）では表示品位の非常に悪いパネルとなっ
た。表示品位との対応関係を表５にまとめてある。
【００２３】
【表５】
【００２４】（実施例５）ＰＳＩ−Ａ−２４０１は、図
６に示す複屈折量が０．２nm以上で１．２nm以下で臨界
表面張力が４５dyn/cmより大きく５０dyn/cm以下の領域
（Ｂ領域とする）では表示品位の良好なパネルとなっ
た。しかし、複屈折量が１．２nmより大きく２．０nm以
下で臨界表面張力が５０dyn/cmより大きい領域（Ｃ領域
とする）では表示品位の悪いパネルとなった。また、複
屈折量が２．０nmより大きく臨界表面張力が５０dyn/cm
より大きい領域（Ｄ領域とする）および複屈折量が０．
２nm未満で臨界表面張力が４５dyn/cm未満の領域（Ａ領
域とする）では表示品位の非常に悪いパネルとなった。
表示品位との対応関係を表６にまとめてあ。
６に示す複屈折量が０．２nm以上で１．２nm以下で臨界
表面張力が４５dyn/cmより大きく５０dyn/cm以下の領域
（Ｂ領域とする）では表示品位の良好なパネルとなっ
た。しかし、複屈折量が１．２nmより大きく２．０nm以
下で臨界表面張力が５０dyn/cmより大きい領域（Ｃ領域
とする）では表示品位の悪いパネルとなった。また、複
屈折量が２．０nmより大きく臨界表面張力が５０dyn/cm
より大きい領域（Ｄ領域とする）および複屈折量が０．
２nm未満で臨界表面張力が４５dyn/cm未満の領域（Ａ領
域とする）では表示品位の非常に悪いパネルとなった。
表示品位との対応関係を表６にまとめてあ。
【００２５】
【表６】
【００２６】以上、表２〜表６に示すようにラビング処
理後の複屈折量が０．２nm以上２．０nm以下（０．２nm
〜２．０nmと記述する）の範囲でかつ臨界表面張力が３
０dyn/cm以上５０dyn/cm以下（３０dyn/cm〜５０dyn/cm
と記述する）の範囲になるようにすることで実施例のポ
リイミド配向膜いずれにおいても表示品位の良好なパネ
ルが得られた。配向膜の種類は、塗布性、ラビング性、
配向規制力、化学的安定性からポリイミド配向膜が好ま
しい。また、配向膜の膜厚も電気特性および製造性から
約５０nm〜１００nmが好ましい。
理後の複屈折量が０．２nm以上２．０nm以下（０．２nm
〜２．０nmと記述する）の範囲でかつ臨界表面張力が３
０dyn/cm以上５０dyn/cm以下（３０dyn/cm〜５０dyn/cm
と記述する）の範囲になるようにすることで実施例のポ
リイミド配向膜いずれにおいても表示品位の良好なパネ
ルが得られた。配向膜の種類は、塗布性、ラビング性、
配向規制力、化学的安定性からポリイミド配向膜が好ま
しい。また、配向膜の膜厚も電気特性および製造性から
約５０nm〜１００nmが好ましい。
【００２７】尚、ラビングのロ−ラ径、ロ−ラ回転数、
基板移動速度は本実施例に限定されるものではなく他の
条件であってもよい。また、配向膜形成は印刷法以外で
あっても何等問題ない。パネル構成も必要があればアン
ダーコート、あるいはオーバーコートを形成してもさし
つかえない。ラビング処理後の配向膜の複屈折量を０．
２nm〜２．０nmに、臨界表面張力を３０dyn/cm〜５０dy
n/cmに設定することにより本発明の効果が得られること
が重要である。
基板移動速度は本実施例に限定されるものではなく他の
条件であってもよい。また、配向膜形成は印刷法以外で
あっても何等問題ない。パネル構成も必要があればアン
ダーコート、あるいはオーバーコートを形成してもさし
つかえない。ラビング処理後の配向膜の複屈折量を０．
２nm〜２．０nmに、臨界表面張力を３０dyn/cm〜５０dy
n/cmに設定することにより本発明の効果が得られること
が重要である。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、本発明は、ラビング処理
を施した配向膜について、配向状態の評価量として複屈
折量と臨界表面張力を規定し、かつその値を各々０．２
nm〜２．０nmと３０dyn/cm〜５０dyn/cmの範囲に限定す
ることにより表示ムラやラビングキズがない表示品位の
優れた液晶表示素子が得られる。また、配向膜の複屈折
量測定と臨界表面張力測定は、簡単な工程であり量産性
にも適しているため、ラビング処理後の配向膜の工程管
理項目として導入することで液晶表示素子の製造歩留ま
りの向上にも大きく貢献する。
を施した配向膜について、配向状態の評価量として複屈
折量と臨界表面張力を規定し、かつその値を各々０．２
nm〜２．０nmと３０dyn/cm〜５０dyn/cmの範囲に限定す
ることにより表示ムラやラビングキズがない表示品位の
優れた液晶表示素子が得られる。また、配向膜の複屈折
量測定と臨界表面張力測定は、簡単な工程であり量産性
にも適しているため、ラビング処理後の配向膜の工程管
理項目として導入することで液晶表示素子の製造歩留ま
りの向上にも大きく貢献する。
【図１】本発明の一実施例にかかる液晶表示素子の構造
を示す断面である。
を示す断面である。
【図２】本発明の実施例１の配向膜の複屈折量と臨界表
面張力の関係図である。
面張力の関係図である。
【図３】本発明の実施例２の配向膜の複屈折量と臨界表
面張力の関係図である。
面張力の関係図である。
【図４】本発明の実施例３の配向膜の複屈折量と臨界表
面張力の関係図である。
面張力の関係図である。
【図５】本発明の実施例４の配向膜の複屈折量と臨界表
面張力の関係図である。
面張力の関係図である。
【図６】本発明の実施例５の配向膜の複屈折量と臨界表
面張力の関係図である。
面張力の関係図である。
１，９ ガラス基板 ２，８ ＩＴＯ電極 ３，４ 配向膜 ５ シ−ル樹脂 ６ ビ−ズスペ−サ ７ ＳＴＮ液晶
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上にラビング処理された配向膜を有
する電極基板を相対向するように配置した液晶表示素子
において、前記配向膜のラビング処理後の複屈折量が
０．２nm〜２nmの範囲でありかつ臨界表面張力が３０dy
n/cm〜５０dyn/cmの範囲である液晶表示素子。 - 【請求項２】 配向膜がポリイミド系の有機高分子膜か
らなる請求項１記載の液晶表示素子。 - 【請求項３】 相対向するように配置した基板間に液晶
分子のねじれ角を１２０度〜２９０度とするネマチック
液晶を介在させた請求項１、または請求項２記載の液晶
表示素子。 - 【請求項４】 基板上に配向膜を有する電極基板を相対
向するように配置した液晶表示素子の製造方法であっ
て、前記配向膜のラビング処理後の複屈折量が０. ２nm
〜２nmの範囲でありかつ臨界表面張力が３０dyn/cm〜５
０dyn/cmの範囲になるようラビング処理する液晶表示素
子の製造方法。 - 【請求項５】 相対向するように配置した基板間に液晶
分子のねじれ角を１２０度〜２９０度とするネマチック
液晶を介在させた請求項４記載の液晶表示素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3323563A JPH05158045A (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3323563A JPH05158045A (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05158045A true JPH05158045A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18156098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3323563A Pending JPH05158045A (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05158045A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693696B1 (en) | 1992-06-30 | 2004-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
-
1991
- 1991-12-09 JP JP3323563A patent/JPH05158045A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693696B1 (en) | 1992-06-30 | 2004-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US7567320B2 (en) | 1992-06-30 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device with liquid crystal |
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