JPH05159241A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH05159241A JPH05159241A JP31906491A JP31906491A JPH05159241A JP H05159241 A JPH05159241 A JP H05159241A JP 31906491 A JP31906491 A JP 31906491A JP 31906491 A JP31906491 A JP 31906491A JP H05159241 A JPH05159241 A JP H05159241A
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- Japan
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- sio
- magnetic head
- film
- sputtering
- film magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明はＭＲ型薄膜磁気ヘッドにおいてＭ
Ｒ素子からのリーク電流を低減させ、再生出力のバラツ
キを低減するためになされた。 【構成】 絶縁膜をＲＦスパッタ法で成膜するとき、Ｓ
ｉＯ＋ＳｉＯ2 の混合ターゲット３を用い、組成を重量
比５０±１０％に制御する。
Ｒ素子からのリーク電流を低減させ、再生出力のバラツ
キを低減するためになされた。 【構成】 絶縁膜をＲＦスパッタ法で成膜するとき、Ｓ
ｉＯ＋ＳｉＯ2 の混合ターゲット３を用い、組成を重量
比５０±１０％に制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はオーディオ用のディジ
タル再生用ヘッドに関し、特に、１つのヘッド中に複数
個の磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という。）を備え
たヨーク型の薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
タル再生用ヘッドに関し、特に、１つのヘッド中に複数
個の磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という。）を備え
たヨーク型の薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＡＴ，ＤＣＣ等のディジタルオーディ
オ機器に用いられる磁気ヘッドは、一つのヘッド中に複
数個のＭＲ素子を備えたマルチトラック型磁気ヘッドで
ある。
オ機器に用いられる磁気ヘッドは、一つのヘッド中に複
数個のＭＲ素子を備えたマルチトラック型磁気ヘッドで
ある。
【０００３】このマルチトラック型磁気ヘッドは、各ト
ラック間の再生出力のバラツキが極めて小さいことが要
求され、±２ｄＢ以下に抑える必要がある。
ラック間の再生出力のバラツキが極めて小さいことが要
求され、±２ｄＢ以下に抑える必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来はＭＲ素
子の素子抵抗値を平均値に対して±５％以内のバラツキ
に抑えた場合であっても、このＭＲ素子を挟む絶縁膜の
組成による抵抗値の変動やリーク電流が原因となって再
生出力値を±２ｄＢ以下にすることが困難であった。
子の素子抵抗値を平均値に対して±５％以内のバラツキ
に抑えた場合であっても、このＭＲ素子を挟む絶縁膜の
組成による抵抗値の変動やリーク電流が原因となって再
生出力値を±２ｄＢ以下にすることが困難であった。
【０００５】すなわち、絶縁膜をＳｉＯ2 ターゲットの
みでスパッタリング成膜した場合、Ｎｉ−Ｆｅ膜の抵抗
値が変動することによって再生出力のバラツキが大きく
なる。また、ＳｉＯターゲットのみで成膜した場合、膜
内のリーク電流が大きくなることによって再生出力のバ
ラツキが大きくなる。そこで、図４に示すような装置を
用いてＳｉＯターゲット１０とＳｉＯ2 ターゲット１１
を同時にスパッタする同時スパッタ法（ＣＯ−Ｓｐｕｔ
ｔｅｒ法）を行い、ＳｉＯ−ＳｉＯ2 からなる絶縁膜を
用いるが、この場合でも再生出力値を±２ｄＢ以下にす
ることが困難であった。
みでスパッタリング成膜した場合、Ｎｉ−Ｆｅ膜の抵抗
値が変動することによって再生出力のバラツキが大きく
なる。また、ＳｉＯターゲットのみで成膜した場合、膜
内のリーク電流が大きくなることによって再生出力のバ
ラツキが大きくなる。そこで、図４に示すような装置を
用いてＳｉＯターゲット１０とＳｉＯ2 ターゲット１１
を同時にスパッタする同時スパッタ法（ＣＯ−Ｓｐｕｔ
ｔｅｒ法）を行い、ＳｉＯ−ＳｉＯ2 からなる絶縁膜を
用いるが、この場合でも再生出力値を±２ｄＢ以下にす
ることが困難であった。
【０００６】本出願人は、マルチトラック磁気ヘッドの
再生出力値にこのような変動が生じる主な要因を下記
，によるものが主であることを解明した。
再生出力値にこのような変動が生じる主な要因を下記
，によるものが主であることを解明した。
【０００７】 再生出力の変化はＳｉＯ／ＳｉＯ2 の
比率（重量比：以下同様）に依存し、ＳｉＯ2 の比率を
６０％以上に高めると絶縁膜形成後ＭＲ素子の抵抗値が
高くなる。逆にＳｉＯ2 の比率を４０％以下に小さくす
るとＳi rich（酸素poor）となりマルチトラックのＭＲ
素子間のリーク電流が増加する。何れの場合も再生出力
低下の原因となる。
比率（重量比：以下同様）に依存し、ＳｉＯ2 の比率を
６０％以上に高めると絶縁膜形成後ＭＲ素子の抵抗値が
高くなる。逆にＳｉＯ2 の比率を４０％以下に小さくす
るとＳi rich（酸素poor）となりマルチトラックのＭＲ
素子間のリーク電流が増加する。何れの場合も再生出力
低下の原因となる。
【０００８】上記結果より、ＳｉＯとＳｉＯ2 とで絶縁
膜を成膜する場合の組成は、５０±１０％の範囲が適正
である。
膜を成膜する場合の組成は、５０±１０％の範囲が適正
である。
【０００９】 ＳｉＯ2 ターゲットとＳｉＯターゲッ
トを同一スパッタ装置に取り付けて同時スパッタする場
合には、スパッタリングパワー，Ａｒ圧に関する両ター
ゲットのスパッタレートが相違するため、所定の組成比
に制御することが困難であり、リークが少なく磁気特性
の良い絶縁膜を形成することができなかった。特にＳｉ
Ｏはガス圧の高い条件で成膜するとＮｉ−Ｆｅ合金膜の
Ｈｃが２．０エルステッド以上となり再生出力が低下し
た。このようにＳｉＯターゲットとＳｉＯ2 ターゲット
を別々にスパッタ装置に取り付けて同時スパッタする方
法では、再生出力のバラツキが±２ｄＢ以下のＹＭＲヘ
ッドを歩留りよく再生することが困難であった。
トを同一スパッタ装置に取り付けて同時スパッタする場
合には、スパッタリングパワー，Ａｒ圧に関する両ター
ゲットのスパッタレートが相違するため、所定の組成比
に制御することが困難であり、リークが少なく磁気特性
の良い絶縁膜を形成することができなかった。特にＳｉ
Ｏはガス圧の高い条件で成膜するとＮｉ−Ｆｅ合金膜の
Ｈｃが２．０エルステッド以上となり再生出力が低下し
た。このようにＳｉＯターゲットとＳｉＯ2 ターゲット
を別々にスパッタ装置に取り付けて同時スパッタする方
法では、再生出力のバラツキが±２ｄＢ以下のＹＭＲヘ
ッドを歩留りよく再生することが困難であった。
【００１０】この発明は以上の課題に鑑み、磁気抵抗効
果素子の磁気特性を損なわず、且つ、リーク電流の少な
い絶縁膜を形成することができる薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することを目的とする。
果素子の磁気特性を損なわず、且つ、リーク電流の少な
い絶縁膜を形成することができる薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、ヨーク型磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造工程において、磁気
抵抗効果素子を挟む絶縁膜を、ＳｉＯとＳｉＯ2 を５０
±１０％（重量比）で混合した混合ターゲットを用いＲ
Ｆスパッタ法によって成膜することを特徴とする。
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造工程において、磁気
抵抗効果素子を挟む絶縁膜を、ＳｉＯとＳｉＯ2 を５０
±１０％（重量比）で混合した混合ターゲットを用いＲ
Ｆスパッタ法によって成膜することを特徴とする。
【００１２】
【作用】この発明のようにＳｉＯ／ＳｉＯ2 混合ターゲ
ットを用いることにより、安定したＳｉＯX 組成の絶縁
膜の形成が可能となる。したがって、複数のマルチトラ
ック型ＹＭＲヘッドを同時に形成した場合でも、パーマ
ロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）がＳｉＯ2 中に拡散することによる
抵抗値の上昇を防止できる。しかも、磁気特性Ｈｃ＜２
エルステッドであるためＭＲ素子の再生感度を大きく
し、且つ、感度のバラツキを小さくすることができる。
以上の作用によりＭＲ素子の再生出力バラツキを±２ｄ
Ｂ以下に抑えることができる。
ットを用いることにより、安定したＳｉＯX 組成の絶縁
膜の形成が可能となる。したがって、複数のマルチトラ
ック型ＹＭＲヘッドを同時に形成した場合でも、パーマ
ロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）がＳｉＯ2 中に拡散することによる
抵抗値の上昇を防止できる。しかも、磁気特性Ｈｃ＜２
エルステッドであるためＭＲ素子の再生感度を大きく
し、且つ、感度のバラツキを小さくすることができる。
以上の作用によりＭＲ素子の再生出力バラツキを±２ｄ
Ｂ以下に抑えることができる。
【００１３】
【実施例】この発明に用いられるＲＦスパッタ装置を図
１に示す。薄膜磁気ヘッド基板であるウエハ４は装置内
のアノード５上に設置されている。装置内は真空排気孔
６から空気が排気され、Ａｒガス雰囲気に設定されてい
る。また、装置底面にはベース基板９が設けられてい
る。アノード５はモータ７によって回転可能にされてお
り、アノード５の上方にはＳｉＯとＳｉＯ2 の混合ター
ゲット３が設置されている。この混合ターゲット３はＳ
ｉＯとＳｉＯ2 とを高温焼成して製造されたものであ
る。この混合ターゲットにはマッチング回路８を介して
ＲＦ発振器１によって発振された高周波電圧が印加され
る。ＲＦ発振器１が発振した高周波信号の電力はパワー
メータ２によってモニタされる。
１に示す。薄膜磁気ヘッド基板であるウエハ４は装置内
のアノード５上に設置されている。装置内は真空排気孔
６から空気が排気され、Ａｒガス雰囲気に設定されてい
る。また、装置底面にはベース基板９が設けられてい
る。アノード５はモータ７によって回転可能にされてお
り、アノード５の上方にはＳｉＯとＳｉＯ2 の混合ター
ゲット３が設置されている。この混合ターゲット３はＳ
ｉＯとＳｉＯ2 とを高温焼成して製造されたものであ
る。この混合ターゲットにはマッチング回路８を介して
ＲＦ発振器１によって発振された高周波電圧が印加され
る。ＲＦ発振器１が発振した高周波信号の電力はパワー
メータ２によってモニタされる。
【００１４】このようなＲＦスパッタ装置を用いて製造
されたＹＭＲヘッドは図２に示すような構成である。下
部ヨークをなす基板２１はＮｉ−Ｚｎフェライト等の高
透磁率磁性体で形成されている。下部ヨーク２１上には
ギャップ層をなす絶縁膜２３が形成されており、この絶
縁層２３はＳｉＯ，ＳｉＯ2 等の素材からなっている。
絶縁層上には磁気抵抗効果素子２７にバイアス磁場を印
加するための電流を通電するバイアス導体２４が設けら
れている。バイアス導体２４上にはＳｉＯX の素材から
なる絶縁層２５が被覆されている。この絶縁層２５上に
はパーマロイ（蒸着膜）からなるＭＲ素子２７が形成さ
れている。ＭＲ素子２７上には上記ＳｉＯX の素材から
なる絶縁層２９が被覆されている。この絶縁層２５，２
９が図１に示すＲＦスパッタ装置で形成される。
されたＹＭＲヘッドは図２に示すような構成である。下
部ヨークをなす基板２１はＮｉ−Ｚｎフェライト等の高
透磁率磁性体で形成されている。下部ヨーク２１上には
ギャップ層をなす絶縁膜２３が形成されており、この絶
縁層２３はＳｉＯ，ＳｉＯ2 等の素材からなっている。
絶縁層上には磁気抵抗効果素子２７にバイアス磁場を印
加するための電流を通電するバイアス導体２４が設けら
れている。バイアス導体２４上にはＳｉＯX の素材から
なる絶縁層２５が被覆されている。この絶縁層２５上に
はパーマロイ（蒸着膜）からなるＭＲ素子２７が形成さ
れている。ＭＲ素子２７上には上記ＳｉＯX の素材から
なる絶縁層２９が被覆されている。この絶縁層２５，２
９が図１に示すＲＦスパッタ装置で形成される。
【００１５】この絶縁層２５，２９を装置のＡｒ圧力お
よびＲＦ出力を変えながら成膜した場合のＭＲ素子２７
の特性変化を図３に示す。このようにＡｒ圧力をＲＦパ
ワーに相関して低く抑えることにより特性のよい絶縁層
を形成することができる。
よびＲＦ出力を変えながら成膜した場合のＭＲ素子２７
の特性変化を図３に示す。このようにＡｒ圧力をＲＦパ
ワーに相関して低く抑えることにより特性のよい絶縁層
を形成することができる。
【００１６】前記絶縁層２９上にはテープ等の磁気記録
媒体２２が発生する信号磁束を上記ＭＲ素子２７に導く
磁気導入路の上部ヨーク３２が被覆される。
媒体２２が発生する信号磁束を上記ＭＲ素子２７に導く
磁気導入路の上部ヨーク３２が被覆される。
【００１７】このようにＳｉＯX 組成が均一な絶縁膜を
ＭＲ素子２７の上部絶縁膜２９，下部絶縁膜２５として
ＭＲ素子２７を保護することにより、マルチトラック型
ＹＭＲヘッドの再生出力バラツキを改善することができ
る。
ＭＲ素子２７の上部絶縁膜２９，下部絶縁膜２５として
ＭＲ素子２７を保護することにより、マルチトラック型
ＹＭＲヘッドの再生出力バラツキを改善することができ
る。
【００１８】
【発明の効果】この発明によれば、ＳｉＯX 膜のｘ値を
ＳｉＯ2＋ＳｉＯ混合ターゲットで組成が５０±１０ｗ
ｔ％の範囲にＨｃ値の上昇しないＲＦスパッタ条件にて
成膜することにより、再生出力のバラツキの小さなヘッ
ドを歩留りよく生産できる。
ＳｉＯ2＋ＳｉＯ混合ターゲットで組成が５０±１０ｗ
ｔ％の範囲にＨｃ値の上昇しないＲＦスパッタ条件にて
成膜することにより、再生出力のバラツキの小さなヘッ
ドを歩留りよく生産できる。
【図１】この発明の実施例に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法に用いられるＲＦスパッタ装置の概略図
方法に用いられるＲＦスパッタ装置の概略図
【図２】同ＲＦスパッタ装置を用いて製作されたＹＭＲ
ヘッドの構成図
ヘッドの構成図
【図３】スパッタパワーおよびＡｒ圧力を変えて成膜さ
れた絶縁層のリーク電流，磁気特性の変動を示す図
れた絶縁層のリーク電流，磁気特性の変動を示す図
【図４】従来のＲＦスパッタ装置の概略図
１−ＲＦ発振器 ２−パワーメータ ３−（ＳｉＯ＋ＳｉＯ2 ）混合ターゲット ４−ウエハ ５−アノード ６−真空排気孔 ７−モータドライブ ８−マッチング回路 ９−ベース基板 25−下部絶縁層 27−ＭＲ素子 29−上部絶縁層
Claims (1)
- 【請求項１】 ヨーク型磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の製造工程において、磁気抵抗効果素子を挟む絶縁膜
を、ＳｉＯとＳｉＯ2 を５０±１０％（重量比）で混合
した混合ターゲットを用いＲＦスパッタ法によって成膜
することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31906491A JPH05159241A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31906491A JPH05159241A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159241A true JPH05159241A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18106100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31906491A Pending JPH05159241A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05159241A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004048289A1 (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-10 | Sumitomo Titanium Corporation | スパッタリングターゲット用酸化珪素焼結体 |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP31906491A patent/JPH05159241A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004048289A1 (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-10 | Sumitomo Titanium Corporation | スパッタリングターゲット用酸化珪素焼結体 |
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