JPH05160071A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH05160071A JPH05160071A JP31886291A JP31886291A JPH05160071A JP H05160071 A JPH05160071 A JP H05160071A JP 31886291 A JP31886291 A JP 31886291A JP 31886291 A JP31886291 A JP 31886291A JP H05160071 A JPH05160071 A JP H05160071A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- semiconductor manufacturing
- check valve
- reaction
- reaction product
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反応室内で成膜あるいはエッチングを行う半
導体製造装置において、排気側の反応生成物が反応室内
に逆流し、ウエハを汚染するのを防ぐ半導体製造装置を
得る。 【構成】 排気側の反応生成物５が反応室１内に逆流す
るのを防止するための逆流防止弁９を設けるとともに、
この逆流防止弁９を加熱するヒータテープ１０を設けた
ことを特徴としている。
導体製造装置において、排気側の反応生成物が反応室内
に逆流し、ウエハを汚染するのを防ぐ半導体製造装置を
得る。 【構成】 排気側の反応生成物５が反応室１内に逆流す
るのを防止するための逆流防止弁９を設けるとともに、
この逆流防止弁９を加熱するヒータテープ１０を設けた
ことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成膜あるいはエッチン
グを行う半導体製造装置に関するものである。
グを行う半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は、例えば従来の成膜装置の排気系
を示す断面図である。この図において、１はバッチ式あ
るいは枚葉式の反応室、２はこの反応室１内の圧力をコ
ントロールする圧力コントローラ、３はフレキシブルチ
ューブ、４は真空ポンプ、５は前記フレキシブルチュー
ブ３の内側に付着した反応生成物、６は排気バブル、７
はウエハステージ、８はウエハである。
を示す断面図である。この図において、１はバッチ式あ
るいは枚葉式の反応室、２はこの反応室１内の圧力をコ
ントロールする圧力コントローラ、３はフレキシブルチ
ューブ、４は真空ポンプ、５は前記フレキシブルチュー
ブ３の内側に付着した反応生成物、６は排気バブル、７
はウエハステージ、８はウエハである。
【０００３】次に、動作について説明する。反応室１内
でウエハステージ７上に載置されたウエハ８上に成膜を
行うが、成膜を重ねていくうちに反応生成物５がフレキ
シブルチューブ３の内側に堆積する。このとき、反応室
１内の室圧を急激に変化させると反応生成物５が反応室
１内に逆流して飛散し、反応室１内を汚す。
でウエハステージ７上に載置されたウエハ８上に成膜を
行うが、成膜を重ねていくうちに反応生成物５がフレキ
シブルチューブ３の内側に堆積する。このとき、反応室
１内の室圧を急激に変化させると反応生成物５が反応室
１内に逆流して飛散し、反応室１内を汚す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
は以上のように構成されているので、反応生成物５が反
応室１内に逆流するのを防ぐことができず、このため、
ウエハ８に反応生成物５が異物として付着し、ウエハ８
を汚すという問題点があった。
は以上のように構成されているので、反応生成物５が反
応室１内に逆流するのを防ぐことができず、このため、
ウエハ８に反応生成物５が異物として付着し、ウエハ８
を汚すという問題点があった。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、排気系に堆積した反応生成物の
反応室内への逆流を防止し、ウエハへの異物付着を防止
する半導体製造装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、排気系に堆積した反応生成物の
反応室内への逆流を防止し、ウエハへの異物付着を防止
する半導体製造装置を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、排気系に反応室内への反応生成物の逆流を防止
する逆流防止弁を設けるとともに、この逆流防止弁を加
熱する加熱手段を設けたものである。
装置は、排気系に反応室内への反応生成物の逆流を防止
する逆流防止弁を設けるとともに、この逆流防止弁を加
熱する加熱手段を設けたものである。
【０００７】
【作用】本発明における反応生成物の逆流防止弁は、そ
れ自体は加熱手段により加熱されているため反応生成物
の堆積がなく、また、逆流防止弁より真空ポンプ側の反
応生成物は前記逆流防止弁によりその逆流が防止され
る。
れ自体は加熱手段により加熱されているため反応生成物
の堆積がなく、また、逆流防止弁より真空ポンプ側の反
応生成物は前記逆流防止弁によりその逆流が防止され
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１について説明
する。図１において、図２と同一符号は同一構成部分を
示し、９は前記反応生成物５を反応室１内に逆流しない
ように設けられた逆流防止弁で、それ自体は周知である
ので、詳細な説明は省略する。１０はこの逆流防止弁９
を加熱するための加熱手段で、例えばヒータテープが用
いられる。
する。図１において、図２と同一符号は同一構成部分を
示し、９は前記反応生成物５を反応室１内に逆流しない
ように設けられた逆流防止弁で、それ自体は周知である
ので、詳細な説明は省略する。１０はこの逆流防止弁９
を加熱するための加熱手段で、例えばヒータテープが用
いられる。
【０００９】上記のように、逆流防止弁９を設け、かつ
この逆流防止弁９を加熱するヒータテープ１０を設ける
ことにより、排気バルブ６を開として排気する際に、逆
流防止弁９は加熱されているため、反応生成物５は付着
しておらず、また、逆流防止弁９より真空ポンプ４側の
反応生成物５はこの逆流防止弁９により逆流が防止され
るので、反応室１内は常時清浄な状態で成膜等が行え
る。
この逆流防止弁９を加熱するヒータテープ１０を設ける
ことにより、排気バルブ６を開として排気する際に、逆
流防止弁９は加熱されているため、反応生成物５は付着
しておらず、また、逆流防止弁９より真空ポンプ４側の
反応生成物５はこの逆流防止弁９により逆流が防止され
るので、反応室１内は常時清浄な状態で成膜等が行え
る。
【００１０】なお、上記実施例では、反応生成物５の逆
流防止弁９を加熱するのにヒータテープ１０を使用した
が、ランプ加熱等でもよく加熱方法は任意であり加熱温
度も任意である。必要によっては温度コントローラを設
けてもよい。また、逆流防止弁９の形状，数，取付位置
は任意である。さらに、本実施例は減圧反応装置の場合
を示したが、真空ポンプを用いない反応装置に適用して
もよい。
流防止弁９を加熱するのにヒータテープ１０を使用した
が、ランプ加熱等でもよく加熱方法は任意であり加熱温
度も任意である。必要によっては温度コントローラを設
けてもよい。また、逆流防止弁９の形状，数，取付位置
は任意である。さらに、本実施例は減圧反応装置の場合
を示したが、真空ポンプを用いない反応装置に適用して
もよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体製造装置の排気系に、反応室への反応生成物の逆
流を防止するための逆流防止弁を設けるとともに、この
逆流防止弁を加熱する加熱手段を設けたので、逆流防止
弁自体は加熱されているため反応生成物が堆積せず、ま
た、逆流防止弁より真空ポンプ側の反応生成物は、この
逆流防止弁で逆流を防止することができ、反応室の汚染
を防ぐことができる。したがって、反応室内でのウエハ
への異物付着が防止できる半導体製造装置が得られる効
果がある。
半導体製造装置の排気系に、反応室への反応生成物の逆
流を防止するための逆流防止弁を設けるとともに、この
逆流防止弁を加熱する加熱手段を設けたので、逆流防止
弁自体は加熱されているため反応生成物が堆積せず、ま
た、逆流防止弁より真空ポンプ側の反応生成物は、この
逆流防止弁で逆流を防止することができ、反応室の汚染
を防ぐことができる。したがって、反応室内でのウエハ
への異物付着が防止できる半導体製造装置が得られる効
果がある。
【図１】本発明の一実施例による半導体製造装置の構成
図である。
図である。
【図２】従来の半導体製造装置の構成図である。
１ 反応室 ２ 圧力コントローラ ３ フレキシブルチューブ ４ 真空ポンプ ５ 反応生成物 ６ 排気バブル ７ ウエハステージ ８ ウエハ ９ 逆流防止弁 １０ ヒータテープ
Claims (1)
- 【請求項１】 バッチ式あるいは枚葉式の反応室内で成
膜あるいはエッチングを行う半導体製造装置において、
前記反応室内の排気系に前記反応室内への反応生成物の
逆流を防止する逆流防止弁を設けるとともに、この逆流
防止弁を加熱する加熱手段を設けたことを特徴とする半
導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31886291A JPH05160071A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31886291A JPH05160071A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160071A true JPH05160071A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18103790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31886291A Pending JPH05160071A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160071A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485151B1 (ko) * | 2002-08-26 | 2005-04-22 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 성장 장치 |
| JP2007326761A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| US7316240B2 (en) * | 2005-04-21 | 2008-01-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Exhaust system and mini-exhaust static pressure controlling apparatus thereof |
| CN112013137A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-12-01 | 武汉摩擦力信息技术有限公司 | 高真空单向阀 |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP31886291A patent/JPH05160071A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485151B1 (ko) * | 2002-08-26 | 2005-04-22 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 성장 장치 |
| US7316240B2 (en) * | 2005-04-21 | 2008-01-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Exhaust system and mini-exhaust static pressure controlling apparatus thereof |
| JP2007326761A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| CN112013137A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-12-01 | 武汉摩擦力信息技术有限公司 | 高真空单向阀 |
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