JPS5821826A - 半導体製造装置の堆積物除去方法 - Google Patents
半導体製造装置の堆積物除去方法Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
半導体の製造プロセスに於いて半導体基板に膜？形成す
る工程が用いられている。
る工程が用いられている。
この様に工程は、ＰＶＤ（物理的気相成長）やＣＶＤ（
化学的気相成長）が用いられる事が多いが、ここで使わ
れる容器としての炉芯管にも膜が形成される。この膜は
炉芯管と熱膨張係数が異なる為、剥れ落ちて異物となり
判品の歩留りｒ著しく低下させたり、ひどい場合には応
力の発生により炉芯管にヒビ割れ音生ずる事がある。
化学的気相成長）が用いられる事が多いが、ここで使わ
れる容器としての炉芯管にも膜が形成される。この膜は
炉芯管と熱膨張係数が異なる為、剥れ落ちて異物となり
判品の歩留りｒ著しく低下させたり、ひどい場合には応
力の発生により炉芯管にヒビ割れ音生ずる事がある。
本発明はかかる膜を安全に且つ能率的に除去する装置に
関するものである。
関するものである。
シリコン半導体基板の一部に極部的て酸化珪素ｊｌ＠を
形成する場合には部分的に窒化珪素膜（ＦＩｉ３Ｎ４膜
）でシリコン表面全被い、露出しているシリコン基板表
面を熱酸化する方法が用いられる。かかる熱酸化防市川
の膜として用いられるｌ”１１３Ｎ４膜は、ＣＶＤ法に
より６００〜８００℃に於いてモノシラン（ＳｉＨ，）
ガスとアンモニア（Ｎ■−ｆ３）ガスの反応で形成され
る。この日ｉ３Ｈ，膜の形成に於いて、反応を行なわせ
る容器として石英ガラス製の炉芯管やシリコン基板を保
持する石英ボート等が用いられる。この炉芯管やポート
にも８１３Ｎ、膜が形成され、膜が剥れて異物となる等
の障害が起こる為、定期的にこのＩｌｇ ｆ ＃去して
やる必要が生ずる。
形成する場合には部分的に窒化珪素膜（ＦＩｉ３Ｎ４膜
）でシリコン表面全被い、露出しているシリコン基板表
面を熱酸化する方法が用いられる。かかる熱酸化防市川
の膜として用いられるｌ”１１３Ｎ４膜は、ＣＶＤ法に
より６００〜８００℃に於いてモノシラン（ＳｉＨ，）
ガスとアンモニア（Ｎ■−ｆ３）ガスの反応で形成され
る。この日ｉ３Ｈ，膜の形成に於いて、反応を行なわせ
る容器として石英ガラス製の炉芯管やシリコン基板を保
持する石英ボート等が用いられる。この炉芯管やポート
にも８１３Ｎ、膜が形成され、膜が剥れて異物となる等
の障害が起こる為、定期的にこのＩｌｇ ｆ ＃去して
やる必要が生ずる。
従来はこの様な膜は薬品全使用してエツチング溶解して
いた。しかし薬品の場合以下の様な問題があった。つま
り、弗酸、硝酸の混合液では１９１３Ｎ４のエツチング
レイトよりに石英ガラスのエツチングレイトが大キく、
石英カラスの表面の凹凸が激しくなりエツチングする以
前に比べて置物の発生がかえって多くなってしまう。ま
た、熱リン嘴ヲ用いる場合は、第２ ［’２１ ＶＣ示
す様な装置葡用いて液温を約１７０℃以上に士げる必要
があり大力の槽を必要とし、しかも安全上非常に間ｉ川
があった。
いた。しかし薬品の場合以下の様な問題があった。つま
り、弗酸、硝酸の混合液では１９１３Ｎ４のエツチング
レイトよりに石英ガラスのエツチングレイトが大キく、
石英カラスの表面の凹凸が激しくなりエツチングする以
前に比べて置物の発生がかえって多くなってしまう。ま
た、熱リン嘴ヲ用いる場合は、第２ ［’２１ ＶＣ示
す様な装置葡用いて液温を約１７０℃以上に士げる必要
があり大力の槽を必要とし、しかも安全上非常に間ｉ川
があった。
弗啼、硝酸混合液の場合も熱リン酸の場合も炉芯管のＲ
１，３Ｎ ４１１１！除去には多量の薬品を必要とし、
不８済であった。
１，３Ｎ ４１１１！除去には多量の薬品を必要とし、
不８済であった。
本発明に、かかる欠Ａン全て無くした新しい膜除去装置
？、…供するものである。
？、…供するものである。
以下実施例に従って本発明な説明する。
実施例１−１ （第３図に沿って説明する）Ｆ’１３Ｎ
、膜等の堆積物１１葡除去しようとする炉芯管１の一方
１２よりコントロールされた流量の四部化炭ｊｌ （（
’Ｆ４） ｋ供給し、もう−万より排気して炉芯管内
１０−２〜１０−３パス力ル程期の減圧とする。 しか
る後に炉芯管の外側に巻いであるコイル１０に高周波エ
ネルギーを加え炉芯管内にプラズマを発生させ、このプ
ラズマで堆積物１１を除去する。この場合コイル１０と
炉芯管１？相対的にづら丁事全すれば、炉芯管１全体の
堆積物１１ケ均一に除去でＡる。
、膜等の堆積物１１葡除去しようとする炉芯管１の一方
１２よりコントロールされた流量の四部化炭ｊｌ （（
’Ｆ４） ｋ供給し、もう−万より排気して炉芯管内
１０−２〜１０−３パス力ル程期の減圧とする。 しか
る後に炉芯管の外側に巻いであるコイル１０に高周波エ
ネルギーを加え炉芯管内にプラズマを発生させ、このプ
ラズマで堆積物１１を除去する。この場合コイル１０と
炉芯管１？相対的にづら丁事全すれば、炉芯管１全体の
堆積物１１ケ均一に除去でＡる。
実施例−２（第４図に沿って説明する〕Ｒ１，３Ｎ ４
等の堆積物１１を除去しようとする炉芯管１の開口部か
ら、内側炉芯管１３ケ装着する。
等の堆積物１１を除去しようとする炉芯管１の開口部か
ら、内側炉芯管１３ケ装着する。
実施例−１に述べた様にガスを供給し減圧にして、内４
ｆｌｌｊ炉芯管１３の内側から高周波エネルギーを与え
て堆積物にプラズマ反応で除去する。
ｆｌｌｊ炉芯管１３の内側から高周波エネルギーを与え
て堆積物にプラズマ反応で除去する。
実施ｆｌ−３
Ｓｉ３Ｎ、等のＣＶＤ用の炉に於いては抵抗加熱型の拡
散炉が多く用いられるが、この場合炉芯管の外側ＶＣは
コイル状の加熱ヒーターがある。炉芯管内覧実施例−１
で説明した雰囲気にして高周波エネルギー？この加熱ヒ
ーターコイルに与えて堆積物？除去する。
散炉が多く用いられるが、この場合炉芯管の外側ＶＣは
コイル状の加熱ヒーターがある。炉芯管内覧実施例−１
で説明した雰囲気にして高周波エネルギー？この加熱ヒ
ーターコイルに与えて堆積物？除去する。
実施例−２，３に於いては炉芯管ケ炉から取り外す事な
く堆積物？除去する事ができる。
く堆積物？除去する事ができる。
以上実施例に於いては堆積物としてＳｉ３Ｎ、膜のみに
ついて説明したが、珪素膜、 ５ｉｎ２膜、ＡＬ膜等あ
らゆる膜に拡張が可能である。また、炉芯管も石英ガラ
スについてのみ説明したが、炭化珪素シリコン、アルミ
ナ、ムライト等に拡張できることは言うまでもないっ
ついて説明したが、珪素膜、 ５ｉｎ２膜、ＡＬ膜等あ
らゆる膜に拡張が可能である。また、炉芯管も石英ガラ
スについてのみ説明したが、炭化珪素シリコン、アルミ
ナ、ムライト等に拡張できることは言うまでもないっ
第１図は一般的なＣＶＤ装置
１は炉芯管
２はカス供給管
３は炉のヒーター
４はシリコン基板保持用ボート
５にシリコン基板
１１は堆積物
第２図は従来の堆積物除去装置
６は檗品槽
７は薬品加熱用ヒーター
８は薬品
第３図は本発明による堆積物除去装置
９は高周波発振機
１０は高周波コイル
１２はキャップ及びエツチングカス導入口第４図は本発
明になるもう１つの堆積物除去装 ５− 置。 １３はエツチング用ガス導入口？持った内側１石英管 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最上 務 ６−
明になるもう１つの堆積物除去装 ５− 置。 １３はエツチング用ガス導入口？持った内側１石英管 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最上 務 ６−
Claims (1)
- 半導体製造に［吏用する炉芯管の内側捷たけ外側から高
周波エネルギー會与える事にエリ、炉芯管等の堆積物？
除去する半導体製造装置へ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12111681A JPS5821826A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 半導体製造装置の堆積物除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12111681A JPS5821826A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 半導体製造装置の堆積物除去方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7894288A Division JPS63283031A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体製造装置 |
| JP7894188A Division JPS63283030A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821826A true JPS5821826A (ja) | 1983-02-08 |
| JPS6359533B2 JPS6359533B2 (ja) | 1988-11-21 |
Family
ID=14803275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12111681A Granted JPS5821826A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 半導体製造装置の堆積物除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821826A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4657616A (en) * | 1985-05-17 | 1987-04-14 | Benzing Technologies, Inc. | In-situ CVD chamber cleaner |
| JPS62237720A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子線結晶成長装置 |
| JPS63283030A (ja) * | 1988-03-31 | 1988-11-18 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
| JPS63283031A (ja) * | 1988-03-31 | 1988-11-18 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
| US4786352A (en) * | 1986-09-12 | 1988-11-22 | Benzing Technologies, Inc. | Apparatus for in-situ chamber cleaning |
| CN117265502A (zh) * | 2023-09-22 | 2023-12-22 | 安徽旭合新能源科技有限公司 | 一种cvd镀膜炉管和炉壁薄膜的清除方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50118977A (ja) * | 1974-03-02 | 1975-09-18 | ||
| JPS5358490A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for film |
| JPS5486968A (en) * | 1977-12-23 | 1979-07-10 | Hitachi Ltd | Washing |
| JPS55138237A (en) * | 1979-04-13 | 1980-10-28 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP12111681A patent/JPS5821826A/ja active Granted
Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPS50118977A (ja) * | 1974-03-02 | 1975-09-18 | ||
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| JPS62237720A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子線結晶成長装置 |
| US4786352A (en) * | 1986-09-12 | 1988-11-22 | Benzing Technologies, Inc. | Apparatus for in-situ chamber cleaning |
| JPS63283030A (ja) * | 1988-03-31 | 1988-11-18 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
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| CN117265502A (zh) * | 2023-09-22 | 2023-12-22 | 安徽旭合新能源科技有限公司 | 一种cvd镀膜炉管和炉壁薄膜的清除方法 |
| CN117265502B (zh) * | 2023-09-22 | 2024-04-26 | 安徽旭合新能源科技有限公司 | 一种cvd镀膜炉管和炉壁薄膜的清除方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6359533B2 (ja) | 1988-11-21 |
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