JPH0516082B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気ヘツドの製造方法に関する。更に
詳細に説明すると、本発明はセラミツク強磁性材
料あるいはセラミツク非磁性材料から成る基板・
コアと強磁性金属薄膜とを組合せた複合磁気ヘツ
ドの製造方法に関する。

（従来の技術） 最近の磁気記録の高密度化に伴なつて、より高
い残留磁束密度Brを有する磁気テープが使用さ
れ、これに対応すべく高磁束密度でトラツク幅の
狭い磁気ヘツドが要望されている。

このような磁気ヘツドとしては、従来、特開昭
60−223012号に明らかなように、強磁性酸化物よ
り成る磁気コアに強磁性金属の薄膜を真空薄膜形
成技術により形成し、非磁性材料に狭まれるよう
にしてギヤツプ対向面（本明細書では磁気ギヤツ
プに対して平行な突合せ接合面をいう）に露呈す
る強磁性金属の薄膜間で磁気ギヤツプを形成する
薄膜磁気ヘツドが知られている。

この磁気ヘツドの製造において重要な強磁性金
属の薄膜の形成は、通常スパツタリング等の真空
薄膜形成技術によつて行なわれている。金属薄膜
はスパツタリングによつてあらかじめ基板に設け
られた溝の側壁面から基板表面にかけて形成さ
れ、その後基板表面のスパツタ膜を砥石研削等に
よつて取除くことにより、溝壁面に残されるスパ
ツタ膜の上端面部分でギヤツプを構成するように
形成される。

例えば、第７図に示すように、コアブロツク１
０１に三角溝１０２を穿溝し、その溝１０２に高
融点ガラス１０３を溶融充填した後平面研磨加工
を行なう。そして再度Ｖ字状のトラツク溝１０４
を形成した後、コアブロツク１０１の上面に強磁
性金属の薄膜１０５をスパツタリング等にて形成
する。次にコアブロツク１０１の上面部を平面研
磨加工することによりコア半体ブロツク１０１Ｂ
を得、これと同じ過程で巻線溝を有する同様なコ
ア半体ブロツク１０１Ａを得る。そしてこの両コ
ア半体ブロツク１０１Ａ，１０１Ｂを突き合わせ
て磁気ギヤツプｇを構成するようにしている（特
開昭60−205808号）。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、スパツタリングによる膜形成
は、蒸着法等に比べてスパツタリング粒子が持つ
エネルギーが非常に大きいことから、基板との付
着力の増加や粒子打込み効果による内部応力の増
加といつた種々の現象を引き起し、基板強度に多
大な影響を与える。

即ち、ターゲツトに対する向きが異なると、イ
オンの衝突確率の違いや若干の雰囲気の違いか
ら、薄膜の密度が異なり、その境界にクラツクが
発生する傾向がある。一般に、第６図に示すよう
に、ターゲツトに対するギヤツプ対向面２０１に
は密度の高い膜２０２が形成されて、膜内に圧縮
応力が作用する一方、傾斜した薄膜形成面２０３
には密度の低い膜２０４が形成されて、膜内に引
張応力が作用する。このため、ギヤツプ対向面２
０１と薄膜形成面２０３との境界部分２０５にク
ラツク２０６が発生し、磁気特性及び機械的特性
に悪い影響を与える。そこで、薄膜形成面２０３
のスパツタリング膜２０４を好適な密度の柱状晶
にすると、ギヤツプ対向面２０１のスパツタ膜２
０２の密度が高くなり過ぎ、ギヤツプ対向面２０
１にクラツク２０６の生じる虞が高い。

そこで、本発明はギヤツプ対向面にクラツクが
発生し難い磁気ヘツド製造方法を提供することを
目的とする。

（問題点を解決するための手段） かかる目的を達成するため、本発明の磁気ヘツ
ド製造方法は、薄膜形成面と近接又は隣接させて
スパツタリング方向と対向する基板面に薄膜形成
面とは逆方向の傾斜面を形成してスパツタリング
し、金属薄膜を形成するようにしている。

（作用） したがつて、薄膜形成面に近接又は隣接する傾
斜面にはターゲツトに対する向きの関係から最も
密度の粗な金属薄膜が形成され、スパツタリング
方向と対向する基板面に形成される密度の高い金
属薄膜に生ずる内部応力の薄膜形成面近傍の基板
への影響を断ち切る。

（実施例） 以下、本発明の磁気ヘツドの製造工程を図面に
基づいて詳細に説明する。

まず、基板１のギヤツプ対向面３に、テープ摺
接面５と直交する方向（深直方向）に向かつて延
びる方形、Ｖ形ないし台形のトラツク溝１３を研
削によつて所定ピツチで多数本形成する［第１図
ａ］。

次いで、前記トラツク溝１３の側壁面・薄膜形
成面６に隣接させて、スパツタリング方向と対向
する基板面、本実施例の場合ギヤツプ対向面３上
に傾斜面２を形成する［第１図ｂ］。この傾斜面
２は、第２図Ａに示すように、三角形の溝１４を
研削機などを使つて穿溝することによつてギヤツ
プ対向面３上に形成される。これにより、薄膜形
成面６と傾斜面２とにより、基板１は断面Ｖ字状
とされる。この場合、トラツク溝１３と三角溝９
とは別個に形成しても良いが、総形砥石等を使つ
て、一度に研削しても良い。第２図Ａに示す傾斜
面の場合、圧縮応力が蓄積し易いフラツトなギヤ
ツプ対向面３部分が残つているため、第２図Ｃに
示すようにクラツク１５が発生する虞があるが、
完成品となつた場合に製品に残る必要部分１６か
ら離れる逆の方向にクラツク１５が伝搬されるこ
とから、実用上問題がない。また、第３図Ａに示
すように、傾斜面２は隣同士のトラツク溝１３を
連続させるような大きなものとしても良い。また
第４図のように曲線の傾斜面２と薄膜形成面６を
連続して交互に設けてもよい。更に第５図Ａ，Ｂ
のように傾斜面２を薄膜形成面６から若干離して
設けてもよい。この場合の薄膜形成面６と傾斜面
２との間の間隔は膜の厚さｌに対し10倍以下にし
ないと効果がなく、好ましくは３倍以下で、最も
好ましくは第２図のように０とするのがよい。

この傾斜面２のギヤツプ対向面３に対する傾き
θは、５〜85゜、好ましくは15〜70゜、最も好まし
くは30〜60゜の範囲にとることが望ましい。この
基板１は前述の深直方向と直交する面即ちテープ
摺接面５と平行な面に沿つて２分され、一対の基
板１Ａ，１Ｂに分けられる。

次いで、これらを洗浄し、真空薄膜形成技術を
用いて強磁性金属の磁性薄膜４を稜線７に沿つて
均一な厚さとなるように形成する［第１図ｃ］。
通常、磁性膜４はセンダスト合金等から成る強磁
性金属をスパツタリングによつて膜付けする。ス
パツタリングは、例えば標準センダスト合金をタ
ーゲツトとする場合、アルゴンガス雰囲気中、、
基板温度200℃で約400Å／minのレートで行なわ
れる。スパツタリングによつて、金属薄膜４は、
例えば第２図Ｂあるいは第３図Ｂに示すように形
成される。尚、金属薄膜は、通常、一層当たり５
〜6μmの膜厚となるように実質的な多層膜とする
ことが好ましく、通常強磁性金属を断続的にスパ
ツタリングすることによつて、あるいは強磁性金
属と非磁性体を交互にスパツタリングすることに
よつて結晶粒径520〜570Åの複数層の磁性薄膜に
形成される。

ついで、トラツク溝１３に高融点ガラス１０を
充填して薄膜４を保護する［ガラスボンデイング
第１図ｄ］。

その後、ギヤツプ対向面３及びテープ摺接面５
を研削して所定の面荒さの平坦な面とする。研削
は通常ラツプによつて行なわれ鏡面仕上げとされ
る。これによつて薄膜形成面６に形成された金属
薄膜４の端面でトラツクが構成される。

その後、前述のトラツク溝１３の隣に該溝１３
に沿つて疑似ギヤツプを無くすためのトラツク規
制用凹部８が研削される［第１図ｅ］。この凹部
８の研削の際に傾斜面２に形成されている金属薄
膜４が取除かれ、薄膜形成面６の金属薄膜４によ
つてのみ所定幅のトラツクが構成される。

その後、一方の基板１Ａのギヤツプ対向面３に
巻線溝１２を形成する［第１図ｆ］。この巻線溝
１２はデイツプス寸法を規制する。尚、他方の基
板１Ｂには巻線用溝１２は形成されない。つい
で、両基板１Ａ，１Ｂのギヤツプ対向面にSiO₂
等の非磁性材から成るスペーサ（図示省略）をス
パツタリングによつて形成する。次いで、一対の
基板１Ａ，１Ｂを向い合せて金属薄膜４同士を突
合せるようにして、トラツク規制用凹部８に低融
点ガラス１１を充填し接合する［ギヤツプボンデ
イング第１図ｇ］。

上述のギヤツプボンデイングの後、テープ摺接
面５を円筒研摩し、テープ摺接面５を曲面に仕上
げる［第１図ｈ］。

次に磁気ギヤツプｇがテープ摺動方向に対して
所定のアジマス角度を取るように斜めにスライス
し、多数のチツプ状の磁気コアを切り出す［第１
図ｉ］。このとき、磁気ヘツドのチツプはギヤツ
プ部分を中心に所定幅だけ切出されるので、即ち
薄膜形成面６部分とその近傍の傾斜面２部分だけ
が完成品として製品に残り、それよりも外側は切
捨てられるので、フラツトなギヤツプ対向面３部
分にクラツクが生じても問題とならない。

その後検査を経てサポート・ヘツドベースに取
付け、さらにトラツク方向に馴染みを良くする摺
動面仕上げ加工を施して巻線する［第１図ｊ］。

尚、金属薄膜材料としては、Co−Zr−Nb非晶
質合金等の非晶質合金や他の飽和磁束密度が大な
る金属を用いることができる。

（発明の効果） 以上の説明より明らかなように、本発明は、薄
膜形成面と近接又は隣接させてスパツタリング方
向と対向する基板面例えばギヤツプ対向面に薄膜
形成面とは逆方向の傾斜面を形成してからスパツ
タリングし金属薄膜を形成するようにしているの
で、傾斜面にはターゲツトに対する向きの関係か
ら最も密度の粗な金属薄膜が形成され、ギヤツプ
対向面に形成される密度の高い金属薄膜に生ずる
内部応力の影響を断ち切る。したがつて、磁気ヘ
ツドとして最終的に残される薄膜形成面６部分及
びその近傍の基板１にはクラツクは発生しない
［第２図Ｂ］及び第３図Ｂ参照］。

よつて、磁気ヘツドの磁気特性や機械的特性や
の劣化を防ぐと共に磁気ヘツド製造の歩留りを向
上させて製造コストを低くできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る磁気ヘツド製造方法を説
明する加工フロー図、第２図Ａ，Ｂ，Ｃは本発明
方法を実施するヘツド基板の一例を示すもので、
Ａは薄膜形成面付近のスパツタリング前の基板形
状、Ｂはスパツタリング後の基板形状、Ｃはクラ
ツク発生時の基板形状を夫々示す拡大断面図、第
３図Ａ，Ｂは他の実施例を示すものでＡはスパツ
タリング前の基板形状、Ｂはスパツタリング後の
基板形状を夫々示す拡大断面図、第４図は本発明
の他の実施例を示すスパツタリング後の基板形状
を示す拡大断面図、第５図Ａ，Ｂは更に他の実施
例に係るスパツタリング後の基板形状を示す拡大
断面図である。第６図は従来法によつて製造され
た磁気ヘツドの基板のクラツク発生状態を示す拡
大断面図、第７図は従来の磁気ヘツド製造方法を
示す説明図である。 １……基板、２……傾斜面、３……スパツタリ
ング方向と対向する基板面・ギヤツプ対向面、４
……金属薄膜、６……薄膜形成面。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 薄膜形成面を設け、該薄膜形成面にスパツタ
   リングにて金属薄膜を形成して成る一対の基板を
   突き合わせ上記金属薄膜間を利用して磁気ギヤツ
   プを構成する磁気ヘツドの製造方法において、前
   記薄膜形成面と近接又は隣接させてスパツタリン
   グ方向と対向する基板面に薄膜形成面とは逆方向
   の傾斜面を形成してからスパツタリングし、金属
   薄膜を形成することを特徴とする磁気ヘツドの製
   造方法。 ２ 前記傾斜面は三角溝であることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項に記載の磁気ヘツド製造方
   法。 ３ 前記傾斜面は隣なるトラツク溝と連続してい
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
   の磁気ヘツド製造方法。