JPH051612B2 - - Google Patents
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- JPH051612B2 JPH051612B2 JP18029683A JP18029683A JPH051612B2 JP H051612 B2 JPH051612 B2 JP H051612B2 JP 18029683 A JP18029683 A JP 18029683A JP 18029683 A JP18029683 A JP 18029683A JP H051612 B2 JPH051612 B2 JP H051612B2
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- Japan
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- chamber
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- etching apparatus
- preparatory
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- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 15
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ドライエツチング装置に関するもの
である。
である。
エツチングガスをグロー放電によりプラズマ化
し、このプラズマにより基板にエツチング処理を
施こす、つまり、ドライプロセスにて基板にエツ
チング処理を施こすドライエツチング装置の重要
な用途の一つに半導体集積回路等の微小固体素子
の製造における微細パターンの形成がある。この
ため、エツチング処理される基板表面には、この
パターンに対応してフオトレジストが塗布され
る。このフオトレジストは、基板のエツチング処
理後は不要であり、その表面から除去される。し
たがつて、このようなドライエツチング装置で
は、基板がドライプロセスにてエツチング処理さ
れる処理室と、この処理室に真空開閉手段を介し
て具設される予備室と共に、エツチング処理後の
基板表面からフオトレジストを除去するアツシヤ
ー室を設ける必要がある。
し、このプラズマにより基板にエツチング処理を
施こす、つまり、ドライプロセスにて基板にエツ
チング処理を施こすドライエツチング装置の重要
な用途の一つに半導体集積回路等の微小固体素子
の製造における微細パターンの形成がある。この
ため、エツチング処理される基板表面には、この
パターンに対応してフオトレジストが塗布され
る。このフオトレジストは、基板のエツチング処
理後は不要であり、その表面から除去される。し
たがつて、このようなドライエツチング装置で
は、基板がドライプロセスにてエツチング処理さ
れる処理室と、この処理室に真空開閉手段を介し
て具設される予備室と共に、エツチング処理後の
基板表面からフオトレジストを除去するアツシヤ
ー室を設ける必要がある。
従来のドライエツチング装置では、予備室が具
設された処理室とアツシヤー室とが別々の場所に
設けられており、エツチング処理が完了した基板
は処理室から予備室を経て大気中に一旦取出さ
れ、その後、アツシヤー室に搬入されてその表面
からフオトレジストが除去されている。
設された処理室とアツシヤー室とが別々の場所に
設けられており、エツチング処理が完了した基板
は処理室から予備室を経て大気中に一旦取出さ
れ、その後、アツシヤー室に搬入されてその表面
からフオトレジストが除去されている。
したがつて、このようなドライエツチング装置
では、次のような欠点があつた。
では、次のような欠点があつた。
(1) 予備室が具設された処理室とアツシヤー室と
が別々の場所に設けられ、処理室、予備室、ア
ツシヤー室がそれぞれ床を占有するため、装置
の占有面積が増大する。
が別々の場所に設けられ、処理室、予備室、ア
ツシヤー室がそれぞれ床を占有するため、装置
の占有面積が増大する。
(2) 処理室からアツシヤー室への搬送途中におい
て、基板が大気にさらされるため、基板表面の
酸化や塵埃付着等が生じ、パターン精度が低下
する。
て、基板が大気にさらされるため、基板表面の
酸化や塵埃付着等が生じ、パターン精度が低下
する。
本発明の目的は、予備室の占有床をアツシヤー
室と共有化することで、装置の占有床面積を減少
できるドライエツチング装置を提供することにあ
る。
室と共有化することで、装置の占有床面積を減少
できるドライエツチング装置を提供することにあ
る。
本発明は、処理室と、該処理室に真空開閉手段
を介して具設された予備室と、該予備室と連通し
てその下方に設けられたアツシヤー室とで構成
し、予備室に、基板カセツト取付具と遮断具とを
昇降可能に、基板搬送手段を部分回動可能にそれ
ぞれ内設したことを特徴とする。遮断具は、通常
連通している予備室とアツシヤー室とを、フオト
レジスト除去時に遮断するものである。アツシヤ
ー室を予備室の下方に設けることで、予備室の占
有床をアツシヤー室と共有化しようとするもので
ある。
を介して具設された予備室と、該予備室と連通し
てその下方に設けられたアツシヤー室とで構成
し、予備室に、基板カセツト取付具と遮断具とを
昇降可能に、基板搬送手段を部分回動可能にそれ
ぞれ内設したことを特徴とする。遮断具は、通常
連通している予備室とアツシヤー室とを、フオト
レジスト除去時に遮断するものである。アツシヤ
ー室を予備室の下方に設けることで、予備室の占
有床をアツシヤー室と共有化しようとするもので
ある。
本発明の一実施例を第１図〜第３図により説明
する。
する。
第１図〜第３図で、処理室１０には、真空開閉
手段、例えば、ゲート弁２０を介して予備室３０
が具設されている。予備室３０の下方には、予備
室３０と連通してアツシヤー室４０が設けられて
いる。予備室３０には、基板カセツト取付具５０
と遮断具５１とが昇降可能に内設されている。遮
断具５１は、予備室３０の頂壁を貫通し予備室３
０の気密を保持して昇降装置５２で昇降駆動され
る昇降ロツド５３の下端に設けられ、この遮断具
５１の下部に基板カセツト取付具５０が設けられ
ている。基板カセツト６０は、基板６１を収納も
しくは取出しできるように、複数の溝が設けられ
ている。予備室３０には、基板搬送手段、例え
ば、搬送ベルト７０が部分回動可能、つまり、基
板カセツト６０の下部側から基板６１を収納、取
出し可能な位置と基板カセツト取付具５０、遮断
具５１の昇降を阻害しない位置との間で回動可
能、この場合は、水平位置と予備室３０の側壁に
沿う位置との間で回動可能に内設されている。な
お、７１は、搬送ベルト７０の駆動用のモータ、
７２は搬送ベルト７０を部分回動させるアクチユ
エータである。また、アツシヤー室の容積は、基
板カセツト６０を収容可能な容積である。アツシ
ヤー室には、プラズマによるフオトレジスト除去
のため処理用のガスを導入する手段やガスを排出
するための真空ポンプが接続されており、またガ
スをプラズマ化するための電極も設けられてい
る。これらは一般によく知られた構成なので、詳
細は省略する。
手段、例えば、ゲート弁２０を介して予備室３０
が具設されている。予備室３０の下方には、予備
室３０と連通してアツシヤー室４０が設けられて
いる。予備室３０には、基板カセツト取付具５０
と遮断具５１とが昇降可能に内設されている。遮
断具５１は、予備室３０の頂壁を貫通し予備室３
０の気密を保持して昇降装置５２で昇降駆動され
る昇降ロツド５３の下端に設けられ、この遮断具
５１の下部に基板カセツト取付具５０が設けられ
ている。基板カセツト６０は、基板６１を収納も
しくは取出しできるように、複数の溝が設けられ
ている。予備室３０には、基板搬送手段、例え
ば、搬送ベルト７０が部分回動可能、つまり、基
板カセツト６０の下部側から基板６１を収納、取
出し可能な位置と基板カセツト取付具５０、遮断
具５１の昇降を阻害しない位置との間で回動可
能、この場合は、水平位置と予備室３０の側壁に
沿う位置との間で回動可能に内設されている。な
お、７１は、搬送ベルト７０の駆動用のモータ、
７２は搬送ベルト７０を部分回動させるアクチユ
エータである。また、アツシヤー室の容積は、基
板カセツト６０を収容可能な容積である。アツシ
ヤー室には、プラズマによるフオトレジスト除去
のため処理用のガスを導入する手段やガスを排出
するための真空ポンプが接続されており、またガ
スをプラズマ化するための電極も設けられてい
る。これらは一般によく知られた構成なので、詳
細は省略する。
予備室３０には、開口部３１を経てフオトレジ
ストが塗布された基板６１が搬入され、これによ
り、基板カセツト取付具５０に取付けられている
基板カセツト６０には、所定枚数の基板６１が収
納される。その後、開口部３１は、気密封止され
予備室３０は処理室１０と同程度の圧力まで減圧
排気される。このような減圧排気完了後、ゲート
弁２０が開放され処理室１０と連通した予備室３
０からは、昇降装置５２で基板カセツト６０を間
欠的に下降駆動し、アクチユエータ７２で水平位
置にセツトされた搬送ベルト７０のモータ７１に
よる駆動並びに専用フオーク８０の往復動により
所定枚数の基板６１が基板カセツト６０から取り
出されて処理室１０に搬入される。処理室１０へ
の基板６１の搬入完了後、ゲート弁２０は閉止さ
れ、基板６１はドライプロセスにてエツチング処
理される。エツチング処理が完了した基板６１
は、その後、上記の操作と逆操作により基板カセ
ツト６０に回収される。このようにして基板６１
のエツチング処理が全て完了し、この基板６１の
基板カセツト６０への回収が全て完了した時点
で、搬送ベルト７０は、アクチユエータ７２で水
平位置から予備室３０の側壁に沿う位置まで回動
され、その後、基板カセツト６０は昇降装置５２
で下降させられる。この結果、第２図に破線で示
すように基板カセツト６０は基板カセツト取付具
５０に取付けられた状態でアツシヤー室４０に収
納され、予備室３０とアツシヤー室４０との連通
は遮断具５１が予備室３０の底壁に、例えば、Ｏ
リング（図示省略）を介して当接することで気密
に遮断される。次に、通常行なわれているフオト
レジスト除去処理のようにアツシヤー室４０に
CF4等の処理用のガスを導入するとともに、アツ
シヤー室４０内を減圧排気して所定の処理圧力に
調整保持する。そして電極に高周波電力を印加
し、処理用のガスをプラズマ化する。これによ
り、プラズマ中の活性種とレジストとが化学反応
してレジストを除去する。レジスト除去後、高周
波電力の印加を停止するとともに処理ガスの供給
を停止し、アツシヤー室４０内を予備室３０と同
程度の圧力まで減圧排気する。この処理が完了し
た後は、昇降装置５２で基板カセツト６０は搬送
ベルト７０の回動を阻害しない高さまで上昇させ
られ、一方、搬送ベルト７０は、予備室３０の側
壁に沿う位置から元の水平位置までアクチユエー
タ７２で回動される。その後、基板カセツト６０
の基板６１は、昇降装置５２で基板カセツト６０
を間欠的に下降駆動し、モータ７１で搬送ベルト
７０を駆動することで開口部３１を経て予備室３
０から搬出される。
ストが塗布された基板６１が搬入され、これによ
り、基板カセツト取付具５０に取付けられている
基板カセツト６０には、所定枚数の基板６１が収
納される。その後、開口部３１は、気密封止され
予備室３０は処理室１０と同程度の圧力まで減圧
排気される。このような減圧排気完了後、ゲート
弁２０が開放され処理室１０と連通した予備室３
０からは、昇降装置５２で基板カセツト６０を間
欠的に下降駆動し、アクチユエータ７２で水平位
置にセツトされた搬送ベルト７０のモータ７１に
よる駆動並びに専用フオーク８０の往復動により
所定枚数の基板６１が基板カセツト６０から取り
出されて処理室１０に搬入される。処理室１０へ
の基板６１の搬入完了後、ゲート弁２０は閉止さ
れ、基板６１はドライプロセスにてエツチング処
理される。エツチング処理が完了した基板６１
は、その後、上記の操作と逆操作により基板カセ
ツト６０に回収される。このようにして基板６１
のエツチング処理が全て完了し、この基板６１の
基板カセツト６０への回収が全て完了した時点
で、搬送ベルト７０は、アクチユエータ７２で水
平位置から予備室３０の側壁に沿う位置まで回動
され、その後、基板カセツト６０は昇降装置５２
で下降させられる。この結果、第２図に破線で示
すように基板カセツト６０は基板カセツト取付具
５０に取付けられた状態でアツシヤー室４０に収
納され、予備室３０とアツシヤー室４０との連通
は遮断具５１が予備室３０の底壁に、例えば、Ｏ
リング（図示省略）を介して当接することで気密
に遮断される。次に、通常行なわれているフオト
レジスト除去処理のようにアツシヤー室４０に
CF4等の処理用のガスを導入するとともに、アツ
シヤー室４０内を減圧排気して所定の処理圧力に
調整保持する。そして電極に高周波電力を印加
し、処理用のガスをプラズマ化する。これによ
り、プラズマ中の活性種とレジストとが化学反応
してレジストを除去する。レジスト除去後、高周
波電力の印加を停止するとともに処理ガスの供給
を停止し、アツシヤー室４０内を予備室３０と同
程度の圧力まで減圧排気する。この処理が完了し
た後は、昇降装置５２で基板カセツト６０は搬送
ベルト７０の回動を阻害しない高さまで上昇させ
られ、一方、搬送ベルト７０は、予備室３０の側
壁に沿う位置から元の水平位置までアクチユエー
タ７２で回動される。その後、基板カセツト６０
の基板６１は、昇降装置５２で基板カセツト６０
を間欠的に下降駆動し、モータ７１で搬送ベルト
７０を駆動することで開口部３１を経て予備室３
０から搬出される。
本実施例のドライエツチング装置では、次のよ
うな効果が得られる。
うな効果が得られる。
(1) アツシヤー室を予備室の下方に設けているた
め、予備室の占有床をアツシヤー室と共有化で
き、装置の占有床面積を減少できる。
め、予備室の占有床をアツシヤー室と共有化で
き、装置の占有床面積を減少できる。
(2) 処理室からアツシヤー室への搬送途中におい
て、基板が大気にさらされることがないため、
基板表面の酸化や塵埃付着等が生じるのを防止
できパターン精度の低下を防止できる。
て、基板が大気にさらされることがないため、
基板表面の酸化や塵埃付着等が生じるのを防止
できパターン精度の低下を防止できる。
(3) 搬送ベルトを予備室に部分回動可能に内設し
ているため、予備室がコンパクトになり予備室
の減圧排気時間を短縮できスループツトを向上
できる。
ているため、予備室がコンパクトになり予備室
の減圧排気時間を短縮できスループツトを向上
できる。
(4) 所定枚数の基板を基板カセツトに収納した状
態で基板表面からのフオトレジストの除去処理
を行うため、フオトレジスト除去処理時間を短
縮できスループツトを向上できる。
態で基板表面からのフオトレジストの除去処理
を行うため、フオトレジスト除去処理時間を短
縮できスループツトを向上できる。
本発明は、以上説明したように、処理室と、該
処理室に真空開閉手段を介して具設された予備室
と、該予備室と連通してその下方に設けられたア
ツシヤー室とで構成し、予備室に、基板カセツト
取付具と遮断具とを昇降可能に、基板搬送手段を
部分回動可能にそれぞれ内設したことで、予備室
を占有床をアツシヤー室と共有できるので、装置
の占有床面積を減少できる効果がある。
処理室に真空開閉手段を介して具設された予備室
と、該予備室と連通してその下方に設けられたア
ツシヤー室とで構成し、予備室に、基板カセツト
取付具と遮断具とを昇降可能に、基板搬送手段を
部分回動可能にそれぞれ内設したことで、予備室
を占有床をアツシヤー室と共有できるので、装置
の占有床面積を減少できる効果がある。
第１図は、本発明によるドライエツチング装置
の要部横断面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ矢視
断面図、第３図は、第１図のＢ−Ｂ矢視断面図で
ある。 １０……処理室、２０……ゲート弁、３０……
予備室、４０……アツシヤー室、５０……基板カ
セツト取付具、５１……遮断具、６０……基板カ
セツト、６１……基板、７０……搬送ベルト。
の要部横断面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ矢視
断面図、第３図は、第１図のＢ−Ｂ矢視断面図で
ある。 １０……処理室、２０……ゲート弁、３０……
予備室、４０……アツシヤー室、５０……基板カ
セツト取付具、５１……遮断具、６０……基板カ
セツト、６１……基板、７０……搬送ベルト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ドライプロセスにて基板がエツチング処理さ
れる処理室と、該処理室に真空開閉手段を介して
連通する予備室と、該予備室と連通してその下方
に設けられたアツシヤー室とで構成され、前記予
備室に、前記基板を保持する基板カセツト取付具
及び前記予備室とアツシヤー室間を遮断する遮断
具とを昇降可能に設け、かつ前記基板を搬送する
基板搬送手段を、前記基板の収納、取出し可能な
位置と前記基板カセツト取付具及び前記遮断具の
昇降を阻害しない位置との間で回動可能に設けた
ことを特徴とするドライエツチング装置。 ２ 前記遮断具を前記基板カセツト取付具の上方
に設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のドライエツチング装置。 ３ 前記基板搬送手段を搬送ベルトとした特許請
求の範囲第１項又は第２項記載のドライエツチン
グ装置。 ４ 前記アツシヤー室の容積を基板カセツトを収
容可能な容積とした特許請求の範囲第１項記載の
ドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18029683A JPS6074530A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18029683A JPS6074530A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074530A JPS6074530A (ja) | 1985-04-26 |
| JPH051612B2 true JPH051612B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16080724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18029683A Granted JPS6074530A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074530A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177073A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-24 | Nippon Ee S M Kk | エッチング装置 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18029683A patent/JPS6074530A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6074530A (ja) | 1985-04-26 |
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