JPH0516657B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0516657B2 JPH0516657B2 JP61217166A JP21716686A JPH0516657B2 JP H0516657 B2 JPH0516657 B2 JP H0516657B2 JP 61217166 A JP61217166 A JP 61217166A JP 21716686 A JP21716686 A JP 21716686A JP H0516657 B2 JPH0516657 B2 JP H0516657B2
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- JP
- Japan
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- sample
- processed
- transparency
- magnetic field
- bell gear
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有磁場マイクロ波プラズマ処理装置
に係り、特に半導体素子基板（以下、基板と略）
等の試料をバイアス印加して処理する有磁場マイ
クロ波プラズマ処理装置に関するものである。
に係り、特に半導体素子基板（以下、基板と略）
等の試料をバイアス印加して処理する有磁場マイ
クロ波プラズマ処理装置に関するものである。
基板等の試料にバイアス印加して処理する有磁
場マイクロ波プラズマ処理装置としては、例え
ば、特公昭56−37311号公報、特公昭58−13627号
公報に記載されたようなものが知られている。
場マイクロ波プラズマ処理装置としては、例え
ば、特公昭56−37311号公報、特公昭58−13627号
公報に記載されたようなものが知られている。
このような装置では、試料の上部に導電体が有
るとマイクロ波伝播を阻害し安定な放電ができな
いため、試料を保持する試料台の外側周辺にアー
ス電極が設けられる。
るとマイクロ波伝播を阻害し安定な放電ができな
いため、試料を保持する試料台の外側周辺にアー
ス電極が設けられる。
上記従来技術では、アース電極を試料台の外側
周辺に設けているので、試料台の中央部より周辺
部での方が電界強度が大きくプラズマ密度も高く
なる。したがつて、例えば、イオン主体で、例え
ば、エツチングが行われる試料、例えば、酸化膜
をエツチング処理した場合、試料の被処理面内の
中央部より周辺部でのエツチレートが高くなり、
試料の被処理面内での処理の均一性が低下すると
いつた問題がある。このような問題は、ラジカル
主体で試料を処理する場合にも同じように提起さ
れる。
周辺に設けているので、試料台の中央部より周辺
部での方が電界強度が大きくプラズマ密度も高く
なる。したがつて、例えば、イオン主体で、例え
ば、エツチングが行われる試料、例えば、酸化膜
をエツチング処理した場合、試料の被処理面内の
中央部より周辺部でのエツチレートが高くなり、
試料の被処理面内での処理の均一性が低下すると
いつた問題がある。このような問題は、ラジカル
主体で試料を処理する場合にも同じように提起さ
れる。
本発明の目的は、試料の被処理面内に対応する
電界密度並びにプラズマ密度を均一化すること
で、プラズマを利用して処理される試料の被処理
面内での処理の均一性を向上できる有磁場マイク
ロ波プラズマ処理装置を提供することにある。
電界密度並びにプラズマ密度を均一化すること
で、プラズマを利用して処理される試料の被処理
面内での処理の均一性を向上できる有磁場マイク
ロ波プラズマ処理装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段）
上記目的は、マイクロ波による電場と磁場とを
直交させて電子の共鳴運動を引起し、これにより
処理ガスをプラズマ化し、バイアス印加された試
料を前記プラズマを利用して処理する有磁場マイ
クロ波プラズマ処理装置を、前記装置を構成する
ベルジヤーの前記試料の被処理面と対応する部分
の誘導率分布を、前記試料の被処理面内での処理
を均一化可能な分布に調整したものとすることに
より、達成される。
直交させて電子の共鳴運動を引起し、これにより
処理ガスをプラズマ化し、バイアス印加された試
料を前記プラズマを利用して処理する有磁場マイ
クロ波プラズマ処理装置を、前記装置を構成する
ベルジヤーの前記試料の被処理面と対応する部分
の誘導率分布を、前記試料の被処理面内での処理
を均一化可能な分布に調整したものとすることに
より、達成される。
本発明者は、有磁場マイクロ波プラズマ処理装
置を構成する石英製のベルジヤーの透明度によつ
て処理速度が異なる傾向にあるとの知見を得た。
置を構成する石英製のベルジヤーの透明度によつ
て処理速度が異なる傾向にあるとの知見を得た。
即ち、ベルジヤーの透明度が低い部分に対応す
る試料の被処理面域での処理速度は低く、逆に、
ベルジヤーの透明度が高い部分に対応する試料の
被処理面域での処理速度は高くなる。
る試料の被処理面域での処理速度は低く、逆に、
ベルジヤーの透明度が高い部分に対応する試料の
被処理面域での処理速度は高くなる。
したがつて、例えば、上記のように、酸化膜を
エツチング処理する場合、その中央部に対応する
ベルジヤーの透明度を高く、また、その周辺部に
対応するベルジヤーの透明度を低く調整すること
により、酸化膜の被処理面内でのエツチングの均
一性を向上させることができる。
エツチング処理する場合、その中央部に対応する
ベルジヤーの透明度を高く、また、その周辺部に
対応するベルジヤーの透明度を低く調整すること
により、酸化膜の被処理面内でのエツチングの均
一性を向上させることができる。
なお、ベルジヤーの透明度は、誘電率と相関関
係にあり、アルミナ等を用いて形成されたベルジ
ヤーでも同様に考えることができる。
係にあり、アルミナ等を用いて形成されたベルジ
ヤーでも同様に考えることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図〜第４図によ
り説明する。
り説明する。
第１図で、マグネトロン１０より発生した
2.45GHzのマイクロ波は、導波管１１内を伝わり
減圧排気され処理ガスが導入された石英製のベル
ジヤー１２を通してプラズマ発生部１３に吸収さ
れる。一方、電磁石１４によりECR放電に必要
な磁場を発生させる。基板１５は、保持台１６に
被処理面上向姿勢で設置、保持されている。保持
台１６には、基板１５へのイオン入射エネルギー
を制御するため、この場合、高周波電源１７から
バイアス印加される。保持台１６の外側周辺に
は、アース電極１８が配設されている。
2.45GHzのマイクロ波は、導波管１１内を伝わり
減圧排気され処理ガスが導入された石英製のベル
ジヤー１２を通してプラズマ発生部１３に吸収さ
れる。一方、電磁石１４によりECR放電に必要
な磁場を発生させる。基板１５は、保持台１６に
被処理面上向姿勢で設置、保持されている。保持
台１６には、基板１５へのイオン入射エネルギー
を制御するため、この場合、高周波電源１７から
バイアス印加される。保持台１６の外側周辺に
は、アース電極１８が配設されている。
第１図、第２図で、基板１５が、酸化膜である
場合、基板１５の被処理面の中央部と対応するベ
ルジヤー１２の部分Ａの透明度は高く、また、基
板１５の被処理面の周辺部と対応するベルジヤー
１２の部分Ｂの透明度は低く調整されている。
場合、基板１５の被処理面の中央部と対応するベ
ルジヤー１２の部分Ａの透明度は高く、また、基
板１５の被処理面の周辺部と対応するベルジヤー
１２の部分Ｂの透明度は低く調整されている。
第３図は、第１図、第２図の装置を用いて酸化
膜をエツチング処理した場合の被処理面内でのエ
ツチレート分布を示したものである。この場合、
実線で示したように、被処理面内でのエツチング
処理の均一性が向上している。これに対して、ベ
ルジヤー１２の透明度を上記のように調整しない
場合、つまり、透明度が全体にほぼ同等の場合、
第３図に破線で示したように、電界強度が大きく
イオン密度が高い周辺部でエツチレートが高くな
り被処理面内でのエツチング処理の均一性が低下
する。
膜をエツチング処理した場合の被処理面内でのエ
ツチレート分布を示したものである。この場合、
実線で示したように、被処理面内でのエツチング
処理の均一性が向上している。これに対して、ベ
ルジヤー１２の透明度を上記のように調整しない
場合、つまり、透明度が全体にほぼ同等の場合、
第３図に破線で示したように、電界強度が大きく
イオン密度が高い周辺部でエツチレートが高くな
り被処理面内でのエツチング処理の均一性が低下
する。
本実施例では、基板の被処理面の中央部に対応
するベルジヤーの部分の透明度を高く、また、そ
の周辺部に対応するベルジヤーの部分の透明度を
低く調整しているので、酸化膜被処理面内でのエ
ツチング処理の均一性を向上させることができ
る。
するベルジヤーの部分の透明度を高く、また、そ
の周辺部に対応するベルジヤーの部分の透明度を
低く調整しているので、酸化膜被処理面内でのエ
ツチング処理の均一性を向上させることができ
る。
本発明によれば、試料の被処理面内に対応する
電界密度並びにプラズマ密度を均一化できるの
で、プラズマを利用して処理される試料の被処理
面内での処理の均一性を向上できるという効果が
ある。
電界密度並びにプラズマ密度を均一化できるの
で、プラズマを利用して処理される試料の被処理
面内での処理の均一性を向上できるという効果が
ある。
第１図は、本発明の一実地例の有磁場マイクロ
波プラズマ処理装置の構成図、第２図は、第１図
のベルジヤーの透明度分布図、第３図は、被処理
面内でのエツチレート分布図である。 １０……マグネトロン、１１……導波管、１２
……ベルジヤー、１４……電磁石、１５……基
板、１６……保持台、１７……高周波電源、１８
……アース電極。
波プラズマ処理装置の構成図、第２図は、第１図
のベルジヤーの透明度分布図、第３図は、被処理
面内でのエツチレート分布図である。 １０……マグネトロン、１１……導波管、１２
……ベルジヤー、１４……電磁石、１５……基
板、１６……保持台、１７……高周波電源、１８
……アース電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マイクロ波による電場と磁場とを直交させて
電子の共鳴運動を引起し、これにより処理ガスを
プラズマ化し、バイアス印加された試料を前記プ
ラズマを利用して処理する有磁場マイクロ波プラ
ズマ処理装置において、 前記装置を構成するベルジヤーの誘電率分布
を、前記試料の被処理面の中央部と対応するベル
ジヤーの部分の透明度を高く、かつ、前記試料の
被処理面の周辺部と対応するベルジヤーの部分の
透明度を低くして調整したことを特徴とする有磁
場マイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61217166A JPS6373624A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61217166A JPS6373624A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373624A JPS6373624A (ja) | 1988-04-04 |
| JPH0516657B2 true JPH0516657B2 (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16699892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61217166A Granted JPS6373624A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6373624A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH089787B2 (ja) * | 1987-07-24 | 1996-01-31 | 日本電信電話株式会社 | プラズマエツチング装置 |
| KR960014434B1 (ko) * | 1987-12-09 | 1996-10-15 | 후세 노보루 | 플라즈마 처리장치 |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP61217166A patent/JPS6373624A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6373624A (ja) | 1988-04-04 |
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