JPH05169483A - 半導体装置用の樹脂封止金型 - Google Patents
半導体装置用の樹脂封止金型Info
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- JPH05169483A JPH05169483A JP35860491A JP35860491A JPH05169483A JP H05169483 A JPH05169483 A JP H05169483A JP 35860491 A JP35860491 A JP 35860491A JP 35860491 A JP35860491 A JP 35860491A JP H05169483 A JPH05169483 A JP H05169483A
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- Japan
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- runner
- resin
- cross
- sectional area
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 各キャビティ部１１間で封止樹脂の充填時間
の差を無くし、且つ硬化のバラツキを解消する共に、ワ
イヤの破断やボイドを防止し、極薄型の半導体装置を製
造する成形性の良い樹脂封止金型を提供する。 【構成】 ドッグボーン状に配列されたキャビティ部１
１、ランナー部１２及びゲート部１４等を有する上金型
と、下金型との間に高圧クランプし、それぞれの前記キ
ャビティ部１１に封入用樹脂を注入して、キャビティ部
１１内の前記半導体素子、内部リード及びワイヤを封止
して極薄型の半導体装置を形成する樹脂封止金型１０で
あって、前記ランナー部１２をその基端部の断面積に対
して、その末端部の断面積を変えて形成した截頭円錐状
とすると共に前記各キャビティ部１１の樹脂注入ゲート
１４の断面積を同一寸法に形成し、更に、前記各ゲート
部１４と前記截頭円錐状ランナー部１２との間に、ラン
ナー部１２の基端部からその末端部に向かって順次その
接続部の断面積を変化させたサブランナー部１３を介在
して構成した。
の差を無くし、且つ硬化のバラツキを解消する共に、ワ
イヤの破断やボイドを防止し、極薄型の半導体装置を製
造する成形性の良い樹脂封止金型を提供する。 【構成】 ドッグボーン状に配列されたキャビティ部１
１、ランナー部１２及びゲート部１４等を有する上金型
と、下金型との間に高圧クランプし、それぞれの前記キ
ャビティ部１１に封入用樹脂を注入して、キャビティ部
１１内の前記半導体素子、内部リード及びワイヤを封止
して極薄型の半導体装置を形成する樹脂封止金型１０で
あって、前記ランナー部１２をその基端部の断面積に対
して、その末端部の断面積を変えて形成した截頭円錐状
とすると共に前記各キャビティ部１１の樹脂注入ゲート
１４の断面積を同一寸法に形成し、更に、前記各ゲート
部１４と前記截頭円錐状ランナー部１２との間に、ラン
ナー部１２の基端部からその末端部に向かって順次その
接続部の断面積を変化させたサブランナー部１３を介在
して構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用の樹脂封
止金型に係り、詳細には封止用樹脂を注入して極薄型半
導体装置を形成する際に、各キャビティ部間の充填時間
のバラツキを無くし、且つ各キャビティ部内の封止用樹
脂の未充填やボイドを無くして、樹脂封止の成形性を向
上させ、高品質な極薄型（例えば、封止厚み０．５〜
１．０ｍｍ）の半導体装置を形成する樹脂封止金型の改
良に関する。
止金型に係り、詳細には封止用樹脂を注入して極薄型半
導体装置を形成する際に、各キャビティ部間の充填時間
のバラツキを無くし、且つ各キャビティ部内の封止用樹
脂の未充填やボイドを無くして、樹脂封止の成形性を向
上させ、高品質な極薄型（例えば、封止厚み０．５〜
１．０ｍｍ）の半導体装置を形成する樹脂封止金型の改
良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の樹脂封止方法は、図
８に示すように半導体素子８０が搭載された多数のリー
ドフレーム８１を、モールドプレス機（図示せず）に固
定された上金型８２と、下金型８３との間に高圧クラン
プし、図示しないカル部に連接される中央のランナー部
８４から該ランナー部８４に接続したゲート部８５を経
由して前記半導体素子８０の位置に対応する金型のキャ
ビティ部８６内に樹脂を射出注入していた。そして、前
記樹脂は約６３℃程度に予熱されてトランスファーポッ
トに投入され、約１５０〜１９０℃に加熱されると共に
プランジャ８７によって約１５０〜１９０℃に加熱され
ると共に５０〜１００ｋｇ／ｃｍ2 のトランスファ圧力
を加えられ、５〜１０ｍｍの速度で前記ランナー部８４
を通り前記ゲート８５を経由してキャビティ部８６内に
注入される。金型のキャビティ部８６内に樹脂が注入さ
れると、樹脂はリードフレームを境界として上下に分流
して、キャビティ部８６内を樹脂で充満し、キャビティ
部８６の末端部で合流しエアーを排出して半導体装置の
樹脂封止が完了する。この半導体装置の樹脂封止に用い
る樹脂封止金型は、各キャビティ部８６に備えたゲート
部８５と、該ゲート部８５に連接したランナー部８４と
のバリエイションで構成された多連取りのスルーゲート
方式が一般的に採用されている。なお、図において、８
８はエア抜きを示す。
８に示すように半導体素子８０が搭載された多数のリー
ドフレーム８１を、モールドプレス機（図示せず）に固
定された上金型８２と、下金型８３との間に高圧クラン
プし、図示しないカル部に連接される中央のランナー部
８４から該ランナー部８４に接続したゲート部８５を経
由して前記半導体素子８０の位置に対応する金型のキャ
ビティ部８６内に樹脂を射出注入していた。そして、前
記樹脂は約６３℃程度に予熱されてトランスファーポッ
トに投入され、約１５０〜１９０℃に加熱されると共に
プランジャ８７によって約１５０〜１９０℃に加熱され
ると共に５０〜１００ｋｇ／ｃｍ2 のトランスファ圧力
を加えられ、５〜１０ｍｍの速度で前記ランナー部８４
を通り前記ゲート８５を経由してキャビティ部８６内に
注入される。金型のキャビティ部８６内に樹脂が注入さ
れると、樹脂はリードフレームを境界として上下に分流
して、キャビティ部８６内を樹脂で充満し、キャビティ
部８６の末端部で合流しエアーを排出して半導体装置の
樹脂封止が完了する。この半導体装置の樹脂封止に用い
る樹脂封止金型は、各キャビティ部８６に備えたゲート
部８５と、該ゲート部８５に連接したランナー部８４と
のバリエイションで構成された多連取りのスルーゲート
方式が一般的に採用されている。なお、図において、８
８はエア抜きを示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
装置の厚みが０．５〜１．０ｍｍの極薄型になると、前
記の如くゲート部８５のゲート深さに大小を設けて（ラ
ンナー部・ゲート部のバリエーション方式）樹脂の流入
を調整して対応する従来方法では、前記極薄型の樹脂封
止に適応する注入ゲートの成形加工上の困難性及び後工
程で注入除去を行う際に、除去抵抗力にバラツキが生じ
て半導体装置の樹脂封止部を破損する場合があるという
問題点があった。また、従来方法では、ゲート部８５か
ら注入される各キャビティ部内の封止樹脂の注入速度が
異なり、封止樹脂の流入バランスが悪く、更に樹脂の流
れ性、成形性が各キャビティ部毎に異なる等の理由か
ら、各キャビティ部間の基端部分と末端部分とでは、封
止樹脂のボイドや未充填及びワイヤの破断等の欠陥の他
に樹脂硬化にバラツキを生じる等の問題があった。本発
明はかかる事情に鑑みてなされたもので、金型内に配列
された各キャビティ部内の半導体素子を中心に上下均等
に、同一速度で封止樹脂を充填し、更には基端部分と末
端部分との各キャビティ部間で封止樹脂の充填時間の差
を無くし、且つ封止樹脂の硬化のバラツキを解消する共
に、ワイヤの破断やボイドあるいは未充填を防止し、極
薄型の半導体装置を製造する成形性の良い樹脂封止金型
を提供することを目的とする。
装置の厚みが０．５〜１．０ｍｍの極薄型になると、前
記の如くゲート部８５のゲート深さに大小を設けて（ラ
ンナー部・ゲート部のバリエーション方式）樹脂の流入
を調整して対応する従来方法では、前記極薄型の樹脂封
止に適応する注入ゲートの成形加工上の困難性及び後工
程で注入除去を行う際に、除去抵抗力にバラツキが生じ
て半導体装置の樹脂封止部を破損する場合があるという
問題点があった。また、従来方法では、ゲート部８５か
ら注入される各キャビティ部内の封止樹脂の注入速度が
異なり、封止樹脂の流入バランスが悪く、更に樹脂の流
れ性、成形性が各キャビティ部毎に異なる等の理由か
ら、各キャビティ部間の基端部分と末端部分とでは、封
止樹脂のボイドや未充填及びワイヤの破断等の欠陥の他
に樹脂硬化にバラツキを生じる等の問題があった。本発
明はかかる事情に鑑みてなされたもので、金型内に配列
された各キャビティ部内の半導体素子を中心に上下均等
に、同一速度で封止樹脂を充填し、更には基端部分と末
端部分との各キャビティ部間で封止樹脂の充填時間の差
を無くし、且つ封止樹脂の硬化のバラツキを解消する共
に、ワイヤの破断やボイドあるいは未充填を防止し、極
薄型の半導体装置を製造する成形性の良い樹脂封止金型
を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う請求項１
記載の半導体装置用の樹脂封止金型は、リードフレーム
の素子搭載部に搭載した半導体素子と内部リードとをワ
イヤで接続して電気回路を形成した後、ドッグボーン状
に配列されたキャビティ部、ランナー部及びゲート部等
を有する上金型と、下金型との間に高圧クランプし、そ
れぞれの前記キャビティ部に封入用樹脂を注入して、キ
ャビティ部内の前記半導体素子、内部リード及びワイヤ
を封止して極薄型の半導体装置を形成する樹脂封止金型
であって、前記ランナー部をその基端部の断面積に対し
て、その末端部の断面積を減少して形成した截頭円錐状
ランナー部とすると共に前記各キャビティ部の樹脂注入
ゲートの断面積を同一寸法に形成し、前記各ゲート部と
前記截頭円錐状ランナー部との間に、ランナー部の基端
部からその末端部に向かって順次その接続部の断面積を
増加したサブランナー部を介在して構成したことを特徴
とする半導体装置用の樹脂封止金型。請求項２記載の半
導体装置用の樹脂封止金型は、請求項１記載の樹脂封止
金型において、前記截頭円錐状ランナー部は、基端部の
断面積に対して、その末端部の断面積を５０〜６０％に
減少して形成され、しかも前記サブランナー部は前記ラ
ンナー部の基端部に接続したサブランナー部の断面積に
対して、その末端部に接続したサブランナー部の断面積
が１５〜２０％の増加となったバリエーションで構成さ
れている。請求項３記載の半導体装置用の樹脂封止金型
は、リードフレームの素子搭載部に搭載した半導体素子
と内部リードとをワイヤで接続して電気回路を形成した
後、ドッグボーン状に配列されたキャビティ部、ランナ
ー部及びゲート部等を有する上金型と、下金型との間に
高圧クランプし、それぞれの前記キャビティ部に封入用
樹脂を注入して、キャビティ部内の前記半導体素子、内
部リード及びワイヤを封止して極薄型の半導体装置を形
成する樹脂封止金型であって、前記ランナー部をその基
端部の断面積に対して、その末端部の断面積を増加して
形成した截頭円錐状ランナー部とすると共に前記各キャ
ビティ部の樹脂注入ゲートの断面積を同一寸法に形成
し、前記各ゲート部と前記截頭円錐状ランナー部との間
に、ランナー部の基端部からその末端部に向かって順次
その接続部の断面積を減少したサブランナー部を介在し
て構成して構成されている。そして、請求項４記載の樹
脂封止金型は請求項３記載の樹脂封止金型において、前
記截頭円錐状ランナー部は、基端部の断面積に対して、
その末端部の断面積を５０〜６０％に増加して形成さ
れ、しかも前記サブランナー部は前記ランナー部の基端
部に接続したサブランナー部の断面積に対して、その末
端部に接続したサブランナー部の断面積が１５〜２０％
の減少となったバリエーションで構成されている。
記載の半導体装置用の樹脂封止金型は、リードフレーム
の素子搭載部に搭載した半導体素子と内部リードとをワ
イヤで接続して電気回路を形成した後、ドッグボーン状
に配列されたキャビティ部、ランナー部及びゲート部等
を有する上金型と、下金型との間に高圧クランプし、そ
れぞれの前記キャビティ部に封入用樹脂を注入して、キ
ャビティ部内の前記半導体素子、内部リード及びワイヤ
を封止して極薄型の半導体装置を形成する樹脂封止金型
であって、前記ランナー部をその基端部の断面積に対し
て、その末端部の断面積を減少して形成した截頭円錐状
ランナー部とすると共に前記各キャビティ部の樹脂注入
ゲートの断面積を同一寸法に形成し、前記各ゲート部と
前記截頭円錐状ランナー部との間に、ランナー部の基端
部からその末端部に向かって順次その接続部の断面積を
増加したサブランナー部を介在して構成したことを特徴
とする半導体装置用の樹脂封止金型。請求項２記載の半
導体装置用の樹脂封止金型は、請求項１記載の樹脂封止
金型において、前記截頭円錐状ランナー部は、基端部の
断面積に対して、その末端部の断面積を５０〜６０％に
減少して形成され、しかも前記サブランナー部は前記ラ
ンナー部の基端部に接続したサブランナー部の断面積に
対して、その末端部に接続したサブランナー部の断面積
が１５〜２０％の増加となったバリエーションで構成さ
れている。請求項３記載の半導体装置用の樹脂封止金型
は、リードフレームの素子搭載部に搭載した半導体素子
と内部リードとをワイヤで接続して電気回路を形成した
後、ドッグボーン状に配列されたキャビティ部、ランナ
ー部及びゲート部等を有する上金型と、下金型との間に
高圧クランプし、それぞれの前記キャビティ部に封入用
樹脂を注入して、キャビティ部内の前記半導体素子、内
部リード及びワイヤを封止して極薄型の半導体装置を形
成する樹脂封止金型であって、前記ランナー部をその基
端部の断面積に対して、その末端部の断面積を増加して
形成した截頭円錐状ランナー部とすると共に前記各キャ
ビティ部の樹脂注入ゲートの断面積を同一寸法に形成
し、前記各ゲート部と前記截頭円錐状ランナー部との間
に、ランナー部の基端部からその末端部に向かって順次
その接続部の断面積を減少したサブランナー部を介在し
て構成して構成されている。そして、請求項４記載の樹
脂封止金型は請求項３記載の樹脂封止金型において、前
記截頭円錐状ランナー部は、基端部の断面積に対して、
その末端部の断面積を５０〜６０％に増加して形成さ
れ、しかも前記サブランナー部は前記ランナー部の基端
部に接続したサブランナー部の断面積に対して、その末
端部に接続したサブランナー部の断面積が１５〜２０％
の減少となったバリエーションで構成されている。
【０００５】
【作用】請求項１、２記載の半導体装置用の樹脂封止金
型は、前記各キャビティ部に封止樹脂を注入するそれぞ
れのゲートの断面積が同じに構成されると共に、ランナ
ー部の基端部に接続したサブランナー部の断面積に対し
て、ランナー部の末端部分に接続したサブランナー部ほ
ど断面積が広くなるようキャビティ部毎に変化させてい
る。しかもランナー部のサイズは末端ほど細くした截頭
円錐状となっているので、ポット内の封止樹脂をプラン
ジャで押すことによって、樹脂が截頭円錐状ランナー部
を通り、それぞれの前記サブランナー部内に同時に封止
樹脂が充填され、該封止用樹脂が均等なトランスフアー
速度で同時に前記キャビティ部内にバランス良く注入さ
れ、チップを中心に上下均等に充填される。更に、封止
用樹脂がチップを中心にして上下均等に充填されるか
ら、分流した樹脂の合流点をエア抜き部と一致させるこ
とができる。請求項３、４記載の半導体装置用の樹脂封
止金型においては、前記請求項１、２記載の半導体装置
用の樹脂封止金型と異なり、他の条件は同一でランナー
部の断面積が基端部から末端部にかけて徐々に大きくな
り、該ランナー部に接続されるサブランナー部の断面積
は末端部ほど細くなっているので、これによって各キャ
ビティ部への通過抵抗が均一となり、円滑に封止用樹脂
を充填することができる。
型は、前記各キャビティ部に封止樹脂を注入するそれぞ
れのゲートの断面積が同じに構成されると共に、ランナ
ー部の基端部に接続したサブランナー部の断面積に対し
て、ランナー部の末端部分に接続したサブランナー部ほ
ど断面積が広くなるようキャビティ部毎に変化させてい
る。しかもランナー部のサイズは末端ほど細くした截頭
円錐状となっているので、ポット内の封止樹脂をプラン
ジャで押すことによって、樹脂が截頭円錐状ランナー部
を通り、それぞれの前記サブランナー部内に同時に封止
樹脂が充填され、該封止用樹脂が均等なトランスフアー
速度で同時に前記キャビティ部内にバランス良く注入さ
れ、チップを中心に上下均等に充填される。更に、封止
用樹脂がチップを中心にして上下均等に充填されるか
ら、分流した樹脂の合流点をエア抜き部と一致させるこ
とができる。請求項３、４記載の半導体装置用の樹脂封
止金型においては、前記請求項１、２記載の半導体装置
用の樹脂封止金型と異なり、他の条件は同一でランナー
部の断面積が基端部から末端部にかけて徐々に大きくな
り、該ランナー部に接続されるサブランナー部の断面積
は末端部ほど細くなっているので、これによって各キャ
ビティ部への通過抵抗が均一となり、円滑に封止用樹脂
を充填することができる。
【０００６】
【実施例】続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明
を具体化した実施例につき説明し、本発明の理解に供す
る。ここに、図１は本発明の一実施例に係る樹脂封止金
型の下型平面図、図２は同上型断面図、図３は同上型の
底面図、図４は同断面図、図５は同部分断面図、図６は
ゲート部詳細図、図７はリードフレームの平面図であ
る。
を具体化した実施例につき説明し、本発明の理解に供す
る。ここに、図１は本発明の一実施例に係る樹脂封止金
型の下型平面図、図２は同上型断面図、図３は同上型の
底面図、図４は同断面図、図５は同部分断面図、図６は
ゲート部詳細図、図７はリードフレームの平面図であ
る。
【０００７】本発明の一実施例に係る極薄型半導体装置
に使用する樹脂封止金型１０は図１、図２に示すような
下型１０ａと、図３、図４に示すような上型１０ｂとを
備え、多数のリードフレームを収納するキャビティ部１
１が進行方向に対してドッグボーン状に２列に配列され
る樹脂封止金型からなって、中央に形成されたランナー
部１２と、該ランナー部１２と前記キャビティ部１１と
をそれぞれ連結するサブランナー部１３及びゲート部１
４と、前記キャビティ部１１の外側に形成された複数の
エアベント１５と、前記ランナー部１２の基端側に形成
されたカル部１６と、前記ランナー部１２の終端に形成
された樹脂溜まり１７とを備えている。
に使用する樹脂封止金型１０は図１、図２に示すような
下型１０ａと、図３、図４に示すような上型１０ｂとを
備え、多数のリードフレームを収納するキャビティ部１
１が進行方向に対してドッグボーン状に２列に配列され
る樹脂封止金型からなって、中央に形成されたランナー
部１２と、該ランナー部１２と前記キャビティ部１１と
をそれぞれ連結するサブランナー部１３及びゲート部１
４と、前記キャビティ部１１の外側に形成された複数の
エアベント１５と、前記ランナー部１２の基端側に形成
されたカル部１６と、前記ランナー部１２の終端に形成
された樹脂溜まり１７とを備えている。
【０００８】前記ランナー部１２は、基端部の断面積Ａ
が末端部Ｂの幅より大きくなって、全体として截頭円錐
状（テーパー状）となっている。該ランナー部１２の末
端部の断面積は、基端部の断面積の５０〜６０％に減少
して成型されている。前記ゲート部１４は各キャビティ
部１１について同一寸法となっているが、該ゲート部に
連接される各サブランナー部１３は、前記ランナー部１
２に連接する部分の断面積が、前記ランナー部１２の基
端部から末端部にかけて徐々に大きくなって、その終端
部分のサブランナー部１３の断面積Ｂ´は基端部のサブ
ランナー部１３の断面積Ａ´に対して１５〜２０％の増
加となるようにして、末端部ほど低くなる樹脂圧に対し
て通過抵抗を徐々に小さくし、前記ランナー部１２とサ
ブランナー部１３のバリエイション（Ａ＞Ｂ、Ａ´＜Ｂ
´）のコンビネーションによって全てのキャビティ部１
１に一回の射出で略同量の封止用樹脂を注入でき、かつ
同一のトランスファスピードで注入できるようになって
いる。なお、この実施例においては、（Ａ＞Ｂ、Ａ´＜
Ｂ´）の条件によってランナー部１２とサブランナー部
１３の大きさを調整したが、ランナー部１２の基端部及
び末端部の断面積Ａ、Ｂと、基端部及び末端部のサブラ
ンナー部Ａ´、Ｂ´の組合せの条件が（Ａ＜Ｂ、Ａ´＞
Ｂ´）となるように、徐々にその断面積を変えて通過抵
抗を略均一にすることもできる。
が末端部Ｂの幅より大きくなって、全体として截頭円錐
状（テーパー状）となっている。該ランナー部１２の末
端部の断面積は、基端部の断面積の５０〜６０％に減少
して成型されている。前記ゲート部１４は各キャビティ
部１１について同一寸法となっているが、該ゲート部に
連接される各サブランナー部１３は、前記ランナー部１
２に連接する部分の断面積が、前記ランナー部１２の基
端部から末端部にかけて徐々に大きくなって、その終端
部分のサブランナー部１３の断面積Ｂ´は基端部のサブ
ランナー部１３の断面積Ａ´に対して１５〜２０％の増
加となるようにして、末端部ほど低くなる樹脂圧に対し
て通過抵抗を徐々に小さくし、前記ランナー部１２とサ
ブランナー部１３のバリエイション（Ａ＞Ｂ、Ａ´＜Ｂ
´）のコンビネーションによって全てのキャビティ部１
１に一回の射出で略同量の封止用樹脂を注入でき、かつ
同一のトランスファスピードで注入できるようになって
いる。なお、この実施例においては、（Ａ＞Ｂ、Ａ´＜
Ｂ´）の条件によってランナー部１２とサブランナー部
１３の大きさを調整したが、ランナー部１２の基端部及
び末端部の断面積Ａ、Ｂと、基端部及び末端部のサブラ
ンナー部Ａ´、Ｂ´の組合せの条件が（Ａ＜Ｂ、Ａ´＞
Ｂ´）となるように、徐々にその断面積を変えて通過抵
抗を略均一にすることもできる。
【０００９】前記サブランナー部１３に連接するゲート
部１４は下型１０ａに形成されて、図６（Ｂ）に示すよ
うに上り勾配となって、封止樹脂の半分を図６（Ａ）に
二点鎖線で示すリードフレームの切欠き部１８及びその
中央よりに形成される隙間からリードフレーム１９の上
部のキャビティ部１１内に注入し、残りの半分をリード
フレーム１９の下部のキャビティ部１１内に素子を中心
にしてバランス良く振り分け注入するようになってお
り、更に、キャビティ部の上部及び下部を充填した封止
用樹脂の合流部分にエアベント１５及び樹脂溜まり部１
７を備えている。そして、キャビティ部１１内に注入さ
れた樹脂の余りが入り込む樹脂溜まり部１７には、キャ
ビティ部１１に連接する導通部が設けられているが、該
導通部はリードフレーム１９に切欠き部を設けることに
よって形成することも可能であり、あるいはリードフレ
ーム１９の表面を部分的にエッチングあるいはレーザー
処理をして溝を設け、該溝によって導通部を形成するこ
とも可能である。
部１４は下型１０ａに形成されて、図６（Ｂ）に示すよ
うに上り勾配となって、封止樹脂の半分を図６（Ａ）に
二点鎖線で示すリードフレームの切欠き部１８及びその
中央よりに形成される隙間からリードフレーム１９の上
部のキャビティ部１１内に注入し、残りの半分をリード
フレーム１９の下部のキャビティ部１１内に素子を中心
にしてバランス良く振り分け注入するようになってお
り、更に、キャビティ部の上部及び下部を充填した封止
用樹脂の合流部分にエアベント１５及び樹脂溜まり部１
７を備えている。そして、キャビティ部１１内に注入さ
れた樹脂の余りが入り込む樹脂溜まり部１７には、キャ
ビティ部１１に連接する導通部が設けられているが、該
導通部はリードフレーム１９に切欠き部を設けることに
よって形成することも可能であり、あるいはリードフレ
ーム１９の表面を部分的にエッチングあるいはレーザー
処理をして溝を設け、該溝によって導通部を形成するこ
とも可能である。
【００１０】図５は、封止樹脂を注入する為の樹脂注入
装置２１を示すが、図に示すようにモールド金型の上金
型１０ｂ内にポット２２が形成され、該ポット２２内に
昇降するプランジャー２３を備え、下部のパッティング
面２４に向かって所定温度に加熱された封止樹脂を押圧
し、カル部１６から前記ランナー部１２に溶融した樹脂
を送り出すようになっている。なお、図１〜図４におい
て、２５はガイドポストを、２５ａはガイドブッシュ
を、２６はパイロットピンを、２７はエジェクトピンを
示す。
装置２１を示すが、図に示すようにモールド金型の上金
型１０ｂ内にポット２２が形成され、該ポット２２内に
昇降するプランジャー２３を備え、下部のパッティング
面２４に向かって所定温度に加熱された封止樹脂を押圧
し、カル部１６から前記ランナー部１２に溶融した樹脂
を送り出すようになっている。なお、図１〜図４におい
て、２５はガイドポストを、２５ａはガイドブッシュ
を、２６はパイロットピンを、２７はエジェクトピンを
示す。
【００１１】従って、本発明の実施例に係る半導体装置
用の樹脂封止金型においては、まず、図７に示すよう
に、中央に配置された素子搭載部３０と、その進行方向
前後にそれぞれ配置された内部リード３１、外部リード
３２及びダムバー３３と、両側のサイドレール３４に形
成されたエアー溜まり３５と、前記素子搭載部３０の一
方側のサイドレール３４に形成された切欠き部３６と、
他方側のサイドレール３４に形成された導通部３７及び
樹脂溜まり部３８とを備えるリードフレーム１９を予め
製造し、これに所定の半導体素子３９を搭載して、内部
リード３２との間のワイヤによるボンディングを行い、
図１に示す下型１０ａの上に載せ、図３に示す上型１０
ｂを載せる。
用の樹脂封止金型においては、まず、図７に示すよう
に、中央に配置された素子搭載部３０と、その進行方向
前後にそれぞれ配置された内部リード３１、外部リード
３２及びダムバー３３と、両側のサイドレール３４に形
成されたエアー溜まり３５と、前記素子搭載部３０の一
方側のサイドレール３４に形成された切欠き部３６と、
他方側のサイドレール３４に形成された導通部３７及び
樹脂溜まり部３８とを備えるリードフレーム１９を予め
製造し、これに所定の半導体素子３９を搭載して、内部
リード３２との間のワイヤによるボンディングを行い、
図１に示す下型１０ａの上に載せ、図３に示す上型１０
ｂを載せる。
【００１２】そして、予め封止樹脂を１６５〜１７５℃
に加熱してポット２２内に入れておき、プランジャ２３
を図示しないシリンダーによって押し下げる。これによ
って、封止樹脂はランナー部１２を通って各サブランナ
ー部１３からゲート部１４を通ってキャビティ部１１内
に充填され、樹脂溜まり部３８にその一部が流れて射出
注入を完了し、その後、外部リードを分離成型する加工
を行って、薄型半導体装置を得る。
に加熱してポット２２内に入れておき、プランジャ２３
を図示しないシリンダーによって押し下げる。これによ
って、封止樹脂はランナー部１２を通って各サブランナ
ー部１３からゲート部１４を通ってキャビティ部１１内
に充填され、樹脂溜まり部３８にその一部が流れて射出
注入を完了し、その後、外部リードを分離成型する加工
を行って、薄型半導体装置を得る。
【００１３】
【発明の効果】請求項１〜４記載の半導体装置用の樹脂
封止金型は以上の説明からも明らかなように、各キャビ
ティ部への樹脂を充填するゲート部は同一サイズで構成
しているので、従来の金型のようにゲート部毎にサイズ
の調整を行う必要がなくなり金型の製作が容易になると
共に、後工程で注入口除去を行う際に、除去抵抗力が均
一となり、除去抵抗力が均一となり、半導体装置の樹脂
封止部の破損を防止できる。特に、請求項１、２記載の
半導体装置用の樹脂封止金型においては、キャビティ部
に樹脂を送るランナー部は末端を細くした截頭円錐状と
なって、しかも各ランナー部のテーパーに対応して、そ
れに連結されるサブランナー部のサイズを調整したラン
ナー部とサブランナー部とのバリエイションによって構
成されているので、それぞれの前記サブランナー部内に
同時に封止用樹脂が充填され、該封止用樹脂が均等なト
ランスファー速度で同時に前記キャビティ部内にバラン
ス良く充填される。また、請求項３、４記載の半導体装
置用の樹脂封止金型においては、キャビティ部に樹脂を
送るランナー部は末端を太くした截頭円錐状となって、
しかも各ランナー部のテーパーに対応して、それに連結
されるサブランナー部のサイズを末端部ほど小さくして
調整したランナー部とサブランナー部とのバリエイショ
ンによって構成されているので、それぞれの前記サブラ
ンナー部内に同時に封止用樹脂が充填され、該封止用樹
脂が均等なトランスファー速度で同時に前記キャビティ
部内にバランス良く充填される。従って、請求項１〜４
記載の半導体装置用の樹脂封止金型においては、封止樹
脂がチップを中心に上下均等に充填され、従来技術の欠
点である各キャビティ部の不均等や硬化による反り、ク
ラック等の欠陥の少ない、歩留りの良い極薄型半導体装
置を製造することができる。
封止金型は以上の説明からも明らかなように、各キャビ
ティ部への樹脂を充填するゲート部は同一サイズで構成
しているので、従来の金型のようにゲート部毎にサイズ
の調整を行う必要がなくなり金型の製作が容易になると
共に、後工程で注入口除去を行う際に、除去抵抗力が均
一となり、除去抵抗力が均一となり、半導体装置の樹脂
封止部の破損を防止できる。特に、請求項１、２記載の
半導体装置用の樹脂封止金型においては、キャビティ部
に樹脂を送るランナー部は末端を細くした截頭円錐状と
なって、しかも各ランナー部のテーパーに対応して、そ
れに連結されるサブランナー部のサイズを調整したラン
ナー部とサブランナー部とのバリエイションによって構
成されているので、それぞれの前記サブランナー部内に
同時に封止用樹脂が充填され、該封止用樹脂が均等なト
ランスファー速度で同時に前記キャビティ部内にバラン
ス良く充填される。また、請求項３、４記載の半導体装
置用の樹脂封止金型においては、キャビティ部に樹脂を
送るランナー部は末端を太くした截頭円錐状となって、
しかも各ランナー部のテーパーに対応して、それに連結
されるサブランナー部のサイズを末端部ほど小さくして
調整したランナー部とサブランナー部とのバリエイショ
ンによって構成されているので、それぞれの前記サブラ
ンナー部内に同時に封止用樹脂が充填され、該封止用樹
脂が均等なトランスファー速度で同時に前記キャビティ
部内にバランス良く充填される。従って、請求項１〜４
記載の半導体装置用の樹脂封止金型においては、封止樹
脂がチップを中心に上下均等に充填され、従来技術の欠
点である各キャビティ部の不均等や硬化による反り、ク
ラック等の欠陥の少ない、歩留りの良い極薄型半導体装
置を製造することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る樹脂封止金型の下型平
面図である。
面図である。
【図２】同上型断面図である。
【図３】同上型の底面図である。
【図４】同上型の断面図である。
【図５】同部分断面図である。
【図６】ゲート部詳細図である。
【図７】リードフレームの平面図である。
【図８】従来例に係る樹脂封止金型の断面図である。
１０ 樹脂封止型金型 １０ａ 下型 １０ｂ 上型 １１ キャビティ部 １２ ランナー部 １３ サブランナー部 １４ ゲート部 １５ エアベント １６ カル部 １７ 樹脂溜まり １８ 切欠き部 １９ リードフレーム ２１ 樹脂注入装置 ２２ ポット ２３ プランジャ ２４ パッティング面 ２５ ガイドポスト ２５ａ ガイドブッシュ ２６ パイロットピン ２７ エジェクトピン ３０ 素子搭載部 ３１ 内部リード ３２ 外部リード ３３ ダムバー ３４ サイドレール ３５ エア溜まり ３６ 切欠き部 ３７ 導通部 ３８ 樹脂溜まり部 ３９ 半導体素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２９Ｌ 31:34 4Ｆ
Claims (4)
- 【請求項１】 リードフレームの素子搭載部に搭載した
半導体素子と内部リードとをワイヤで接続して電気回路
を形成した後、ドッグボーン状に配列されたキャビティ
部、ランナー部及びゲート部等を有する上金型と、下金
型との間に高圧クランプし、それぞれの前記キャビティ
部に封入用樹脂を注入して、キャビティ部内の前記半導
体素子、内部リード及びワイヤを封止して極薄型の半導
体装置を形成する樹脂封止金型であって、 前記ランナー部をその基端部の断面積に対して、その末
端部の断面積を減少して形成した截頭円錐状ランナー部
とすると共に前記各キャビティ部の樹脂注入ゲートの断
面積を同一寸法に形成し、 前記各ゲート部と前記截頭円錐状ランナー部との間に、
ランナー部の基端部からその末端部に向かって順次その
接続部の断面積を増加したサブランナー部を介在して構
成したことを特徴とする半導体装置用の樹脂封止金型。 - 【請求項２】 前記截頭円錐状ランナー部は、基端部の
断面積に対して、その末端部の断面積を５０〜６０％に
減少して形成され、しかも前記サブランナー部は前記ラ
ンナー部の基端部に接続したサブランナー部の断面積に
対して、その末端部に接続したサブランナー部の断面積
が１５〜２０％の増加となったバリエーションで構成さ
れた請求項１記載の半導体装置用の樹脂封止金型。 - 【請求項３】 リードフレームの素子搭載部に搭載した
半導体素子と内部リードとをワイヤで接続して電気回路
を形成した後、ドッグボーン状に配列されたキャビティ
部、ランナー部及びゲート部等を有する上金型と、下金
型との間に高圧クランプし、それぞれの前記キャビティ
部に封入用樹脂を注入して、キャビティ部内の前記半導
体素子、内部リード及びワイヤを封止して極薄型の半導
体装置を形成する樹脂封止金型であって、 前記ランナー部をその基端部の断面積に対して、その末
端部の断面積を増加して形成した截頭円錐状ランナー部
とすると共に前記各キャビティ部の樹脂注入ゲートの断
面積を同一寸法に形成し、前記各ゲート部と前記截頭円
錐状ランナー部との間に、ランナー部の基端部からその
末端部に向かって順次その接続部の断面積を減少したサ
ブランナー部を介在して構成したことを特徴とする半導
体装置用の樹脂封止金型。 - 【請求項４】 前記截頭円錐状ランナー部は、基端部の
断面積に対して、その末端部の断面積を５０〜６０％に
増加して形成され、しかも前記サブランナー部は前記ラ
ンナー部の基端部に接続したサブランナー部の断面積に
対して、その末端部に接続したサブランナー部の断面積
が１５〜２０％の減少となったバリエーションで構成さ
れた請求項３記載の半導体装置用の樹脂封止金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3358604A JP2742638B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体装置用の樹脂封止金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3358604A JP2742638B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体装置用の樹脂封止金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05169483A true JPH05169483A (ja) | 1993-07-09 |
| JP2742638B2 JP2742638B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=18460175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3358604A Expired - Fee Related JP2742638B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体装置用の樹脂封止金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2742638B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101437829B1 (ko) * | 2008-10-24 | 2014-09-04 | 주식회사 아이티엠반도체 | 댐을 구비한 반도체 금형 |
| US10896826B2 (en) | 2017-10-24 | 2021-01-19 | Renesas Electronics Corporation | Method for fabricating semiconductor device and lead frame |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5351256A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-10 | Hitachi Ltd | Mold for forming resin |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP3358604A patent/JP2742638B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5351256A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-10 | Hitachi Ltd | Mold for forming resin |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101437829B1 (ko) * | 2008-10-24 | 2014-09-04 | 주식회사 아이티엠반도체 | 댐을 구비한 반도체 금형 |
| US10896826B2 (en) | 2017-10-24 | 2021-01-19 | Renesas Electronics Corporation | Method for fabricating semiconductor device and lead frame |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2742638B2 (ja) | 1998-04-22 |
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