JPH05170955A - フッ素含有有機ポリシロキサン系光学物品 - Google Patents
フッ素含有有機ポリシロキサン系光学物品Info
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- JPH05170955A JPH05170955A JP4107546A JP10754692A JPH05170955A JP H05170955 A JPH05170955 A JP H05170955A JP 4107546 A JP4107546 A JP 4107546A JP 10754692 A JP10754692 A JP 10754692A JP H05170955 A JPH05170955 A JP H05170955A
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- optical article
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- organic polysiloxane
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ケイ素に対するフッ素の重量比が０．０２以
上、１０以下であり、活性化ガス処理されてなることを
特徴とするフッ素含有有機ポリシロキサン系光学物品。 【効果】本発明によって得られる光学物品は以下に示す
特徴がある。 (1) 制電性を有し、ゴミやホコリが付着しない。 (2) 耐久性に優れている。 (3) 染色速度が速く、染色後の外観も良好である。 (4) 表面すべり性が良好であり、実質的に傷がつきにく
い。 (5) 汚れが目立ちにくく除去し易い。
上、１０以下であり、活性化ガス処理されてなることを
特徴とするフッ素含有有機ポリシロキサン系光学物品。 【効果】本発明によって得られる光学物品は以下に示す
特徴がある。 (1) 制電性を有し、ゴミやホコリが付着しない。 (2) 耐久性に優れている。 (3) 染色速度が速く、染色後の外観も良好である。 (4) 表面すべり性が良好であり、実質的に傷がつきにく
い。 (5) 汚れが目立ちにくく除去し易い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フッ素含有有機ポリシ
ロキサン系光学物品に関するものであり、とくに光学用
素子、たとえば眼鏡用レンズ、カメラ用レンズなどの光
学用レンズなど、プラスチック製光学物品に関するもの
である。
ロキサン系光学物品に関するものであり、とくに光学用
素子、たとえば眼鏡用レンズ、カメラ用レンズなどの光
学用レンズなど、プラスチック製光学物品に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】透明材料を通して物を見る場合、眼鏡レ
ンズなど光学物品へのゴミやホコリの付着は、多くの場
合静電気によるものであり、ただ拭くだけでは容易に除
去できないという問題があった。
ンズなど光学物品へのゴミやホコリの付着は、多くの場
合静電気によるものであり、ただ拭くだけでは容易に除
去できないという問題があった。
【０００３】ゴミやホコリの付着を防止する目的から最
近、界面活性剤などを用いた、塗布用帯電防止剤が市販
されているが、一時的な効用しかない。
近、界面活性剤などを用いた、塗布用帯電防止剤が市販
されているが、一時的な効用しかない。
【０００４】また、プラスチック成型品の制電性に関し
ては、これまで、各種の方法が知られており、たとえ
ば、特公昭55-15494号公報（アミノシラン化合物をコー
ティング）、特公昭60-21628号公報（エポキシシランと
アミノシランからなる組成物をコーティング）などに提
案されているが、その制電性は不充分であった。
ては、これまで、各種の方法が知られており、たとえ
ば、特公昭55-15494号公報（アミノシラン化合物をコー
ティング）、特公昭60-21628号公報（エポキシシランと
アミノシランからなる組成物をコーティング）などに提
案されているが、その制電性は不充分であった。
【０００５】
【本発明が解決しようとする課題】本発明は、帯電防止
性に優れ、ゴミやホコリなどの付着を防止する光学物品
を提供することを目的とする。
性に優れ、ゴミやホコリなどの付着を防止する光学物品
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は下記の構成からなる。
本発明は下記の構成からなる。
【０００７】「ケイ素に対するフッ素の重量比が０．０
２以上、１０以下であり、活性化ガス処理されてなるこ
とを特徴とするフッ素含有有機ポリシロキサン系光学物
品。」 本発明でいうところのフッ素含有有機ポリシロキサン系
光学物品は、ケイ素に対するフッ素の重量比（Ｆ／Si）
で０．０２以上、１０以下のものである。０．０２未満
では、物品の強度が十分でなく、また１０を越えると酸
素透過性が低下する。上記フッ素含有有機ポリシロキサ
ン系光学物品としては、例えば、下記一般式（Ｉ）で表
されるフッ素含有有機ケイ素化合物および／またはその
加水分解物を硬化させて得られる物品を挙げることがで
きる。
２以上、１０以下であり、活性化ガス処理されてなるこ
とを特徴とするフッ素含有有機ポリシロキサン系光学物
品。」 本発明でいうところのフッ素含有有機ポリシロキサン系
光学物品は、ケイ素に対するフッ素の重量比（Ｆ／Si）
で０．０２以上、１０以下のものである。０．０２未満
では、物品の強度が十分でなく、また１０を越えると酸
素透過性が低下する。上記フッ素含有有機ポリシロキサ
ン系光学物品としては、例えば、下記一般式（Ｉ）で表
されるフッ素含有有機ケイ素化合物および／またはその
加水分解物を硬化させて得られる物品を挙げることがで
きる。
【０００８】 （Ｒ1 Ｑ）ＳｉＸa Ｙ3-a （Ｉ） （ここで、Ｒ1 は炭素数１〜２０個のフッ素含有アルキ
ル基であってエーテル結合あるいはエステル結合を１個
以上含んでいてもよい。Ｑは二価の有機基、Ｘは低級ア
ルキル基、Ｙはハロゲン、アルコキシ基、又はＲＣＯＯ
- 基（ただし、Ｒは水素原子又は低級アルキル基）、ａ
は０または１の整数を示す。） これらのフッ素含有有機化合物の具体的代表例として
は、3,3,3-トリフロロプロピルトリアルコキシシラン、
3,3,3-トリフロロプロピルメチルジアルコキシシラン、
3-トリフロロアセトキシプロピルトリアルコキシシラン
などが挙げられる。
ル基であってエーテル結合あるいはエステル結合を１個
以上含んでいてもよい。Ｑは二価の有機基、Ｘは低級ア
ルキル基、Ｙはハロゲン、アルコキシ基、又はＲＣＯＯ
- 基（ただし、Ｒは水素原子又は低級アルキル基）、ａ
は０または１の整数を示す。） これらのフッ素含有有機化合物の具体的代表例として
は、3,3,3-トリフロロプロピルトリアルコキシシラン、
3,3,3-トリフロロプロピルメチルジアルコキシシラン、
3-トリフロロアセトキシプロピルトリアルコキシシラン
などが挙げられる。
【０００９】また上記フッ素含有有機ポリシロキサン系
光学物品には、耐摩耗性、耐すり傷性、耐衝撃性、耐薬
品性、可撓性、耐光性、耐候性などを向上させる目的で
１種または２種以上の他の有機ケイ素化合物を併用する
ことも好ましい。
光学物品には、耐摩耗性、耐すり傷性、耐衝撃性、耐薬
品性、可撓性、耐光性、耐候性などを向上させる目的で
１種または２種以上の他の有機ケイ素化合物を併用する
ことも好ましい。
【００１０】代表的な有機ケイ素化合物および／または
その加水分解物を式（II）に示す。 Ｒ3 b Ｒ4 c ＳｉＺ4-(b+c) （II） （ここで、Ｒ3 、Ｒ4 は各々アルキル基、アルケニル
基、アリール基またはハロゲン基、エポキシ基、グリシ
ドキシ基、アミノ基、メルカプト基、メタクリルオキシ
基あるいはシアノ基を有する炭化水素基、Ｚは加水分解
性基であり、ｂおよびｃは０または１である。） これらの有機ケイ素化合物の具体的な代表例としては、
メチルシリケート、エチルシリケート、n-プロピルシリ
ケート、i-プロピルシリケート、n-ブチルシリケート、
sec-ブチルシリケートおよびt-ブチルシリケートなどの
テトラアルコキシシラン類、およびその加水分解物さら
にはメチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシ
ラン、メチルトリメトキシエトキシシラン、メチルトリ
アセトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチ
ルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラ
ン、ビニルトリメトキシエトキシシラン、フェニルトリ
メトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニ
ルトリアセトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメト
キシシラン、γ−クロロプロピルトリエトキシシラン、
γ−クロロプロピルトリアセトキシシラン、γ−メタク
リルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、Ｎ
−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメト
キシシラン、β−シアノエチルトリエトキシシラン、メ
チルトリフェノキシシラン、クロロメチルトリメトキシ
シラン、クロロメチルトリエトキシシラン、グリシドキ
シメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリ
エトキシシラン、α−グリシドキシエチルトリメトキシ
シラン、α−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、
β−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β−グリ
シドキシエチルトリエトキシシラン、α−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、α−グリシドキシプロピ
ルトリエトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリエトキ
シシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルトリプロポキシシラン、γ−グ
リシドキシプロピルトリブトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシエトキシシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルトリフェノキシシラン、α−グリシドキ
シブチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシブチル
トリエトキシシラン、β−グリシドキシブチルトリメト
キシシラン、β−グリシドキシブチルトリエトキシシラ
ン、γ−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、γ−
グリシドキシブチルトリエトキシシラン、δ−グリシド
キシブチルトリメトキシシラン、δ−グリシドキシブチ
ルトリエトキシシラン、（3,4-エポキシシクロヘキシ
ル）メチルトリメトキシシラン、（3,4-エポキシシクロ
ヘキシル）メチルトリエトキシシラン、β−（3,4-エポ
キシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、β−
（3,4-エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシ
ラン、β−（3,4-エポキシシクロヘキシル）エチルトリ
プロポキシシラン、β−（3,4-エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリブトキシシラン、β−（3,4-エポキシシ
クロヘキシル）エチルトリメトキシエトキシシラン、β
−（3,4-エポキシシクロヘキシル）エチルトリフェノキ
シシラン、γ−（3,4-エポキシシクロヘキシル）プロピ
ルトリメトキシシラン、γ−（3,4-エポキシシクロヘキ
シル）プロピルトリエトキシシラン、δ−（3,4-エポキ
シシクロヘキシル）ブチルトリメトキシシラン、δ−
（3,4-エポキシシクロヘキシル）ブチルトリエトキシシ
ランなどのトリアルコキシシラン、トリアシルオキシシ
ランまたはトリフェノキシシラン類またはその加水分解
物およびジメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジ
メトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニル
メチルジエトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジ
メトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシ
シラン、ジメチルジアセトキシシラン、γ−メタクリル
オキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリ
ルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカ
プトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピル
メチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジ
エトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチ
ルビニルジエトキシシラン、グリシドキシメチルメチル
ジメトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジエトキ
シシラン、α−グリシドキシエチルメチルジメトキシシ
ラン、α−グリシドキシエチルメチルジエトキシシラ
ン、β−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、
β−グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、α−
グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、α−グ
リシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−グリ
シドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−グリシ
ドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキ
シプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシ
プロピルメチルジプロポキシシラン、γ−グリシドキシ
プロピルメチルジブトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルメチルジメトキシエトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルメチルジフェノキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルメチルジアセトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルエチルジメトキシシラン、γ−グリシドキ
シプロピルエチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシ
プロピルビニルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルビニルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルフェニルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルフェニルジエトキシシランなどジアルコキシシラ
ン、ジフェノキシシランまたはジアシルオキシシラン類
またはその加水分解物がその例である。
その加水分解物を式（II）に示す。 Ｒ3 b Ｒ4 c ＳｉＺ4-(b+c) （II） （ここで、Ｒ3 、Ｒ4 は各々アルキル基、アルケニル
基、アリール基またはハロゲン基、エポキシ基、グリシ
ドキシ基、アミノ基、メルカプト基、メタクリルオキシ
基あるいはシアノ基を有する炭化水素基、Ｚは加水分解
性基であり、ｂおよびｃは０または１である。） これらの有機ケイ素化合物の具体的な代表例としては、
メチルシリケート、エチルシリケート、n-プロピルシリ
ケート、i-プロピルシリケート、n-ブチルシリケート、
sec-ブチルシリケートおよびt-ブチルシリケートなどの
テトラアルコキシシラン類、およびその加水分解物さら
にはメチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシ
ラン、メチルトリメトキシエトキシシラン、メチルトリ
アセトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチ
ルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラ
ン、ビニルトリメトキシエトキシシラン、フェニルトリ
メトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニ
ルトリアセトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメト
キシシラン、γ−クロロプロピルトリエトキシシラン、
γ−クロロプロピルトリアセトキシシラン、γ−メタク
リルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、Ｎ
−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメト
キシシラン、β−シアノエチルトリエトキシシラン、メ
チルトリフェノキシシラン、クロロメチルトリメトキシ
シラン、クロロメチルトリエトキシシラン、グリシドキ
シメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリ
エトキシシラン、α−グリシドキシエチルトリメトキシ
シラン、α−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、
β−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β−グリ
シドキシエチルトリエトキシシラン、α−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、α−グリシドキシプロピ
ルトリエトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリエトキ
シシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルトリプロポキシシラン、γ−グ
リシドキシプロピルトリブトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシエトキシシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルトリフェノキシシラン、α−グリシドキ
シブチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシブチル
トリエトキシシラン、β−グリシドキシブチルトリメト
キシシラン、β−グリシドキシブチルトリエトキシシラ
ン、γ−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、γ−
グリシドキシブチルトリエトキシシラン、δ−グリシド
キシブチルトリメトキシシラン、δ−グリシドキシブチ
ルトリエトキシシラン、（3,4-エポキシシクロヘキシ
ル）メチルトリメトキシシラン、（3,4-エポキシシクロ
ヘキシル）メチルトリエトキシシラン、β−（3,4-エポ
キシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、β−
（3,4-エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシ
ラン、β−（3,4-エポキシシクロヘキシル）エチルトリ
プロポキシシラン、β−（3,4-エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリブトキシシラン、β−（3,4-エポキシシ
クロヘキシル）エチルトリメトキシエトキシシラン、β
−（3,4-エポキシシクロヘキシル）エチルトリフェノキ
シシラン、γ−（3,4-エポキシシクロヘキシル）プロピ
ルトリメトキシシラン、γ−（3,4-エポキシシクロヘキ
シル）プロピルトリエトキシシラン、δ−（3,4-エポキ
シシクロヘキシル）ブチルトリメトキシシラン、δ−
（3,4-エポキシシクロヘキシル）ブチルトリエトキシシ
ランなどのトリアルコキシシラン、トリアシルオキシシ
ランまたはトリフェノキシシラン類またはその加水分解
物およびジメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジ
メトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニル
メチルジエトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジ
メトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシ
シラン、ジメチルジアセトキシシラン、γ−メタクリル
オキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリ
ルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカ
プトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピル
メチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジ
エトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチ
ルビニルジエトキシシラン、グリシドキシメチルメチル
ジメトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジエトキ
シシラン、α−グリシドキシエチルメチルジメトキシシ
ラン、α−グリシドキシエチルメチルジエトキシシラ
ン、β−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、
β−グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、α−
グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、α−グ
リシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−グリ
シドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−グリシ
ドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキ
シプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシ
プロピルメチルジプロポキシシラン、γ−グリシドキシ
プロピルメチルジブトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルメチルジメトキシエトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルメチルジフェノキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルメチルジアセトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルエチルジメトキシシラン、γ−グリシドキ
シプロピルエチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシ
プロピルビニルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルビニルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルフェニルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルフェニルジエトキシシランなどジアルコキシシラ
ン、ジフェノキシシランまたはジアシルオキシシラン類
またはその加水分解物がその例である。
【００１１】とくに染色性付与の目的にはエポキシ基、
グリシドキシ基を含む有機ケイ素化合物の使用が好適で
ある。
グリシドキシ基を含む有機ケイ素化合物の使用が好適で
ある。
【００１２】前記のフッ素含有有機ケイ素化合物、ある
いはこれらの有機ケイ素化合物との混合物はキュア温度
を下げ、硬化をより進行させるためには加水分解して使
用することが好ましい。
いはこれらの有機ケイ素化合物との混合物はキュア温度
を下げ、硬化をより進行させるためには加水分解して使
用することが好ましい。
【００１３】加水分解物は純水または塩酸、酢酸、ある
いは硫酸などの酸性水溶液を添加、撹拌することによっ
て製造される。さらに純水、あるいは酸性水溶液の添加
量を調節することによって加水分解の度合をコントロー
ルすることも容易に可能である。加水分解に際しては、
一般式（Ｉ）の−Ｙ基と等モル以上、３倍モル以下の純
水または酸性水溶液の添加が硬化促進の点で特に好まし
い。
いは硫酸などの酸性水溶液を添加、撹拌することによっ
て製造される。さらに純水、あるいは酸性水溶液の添加
量を調節することによって加水分解の度合をコントロー
ルすることも容易に可能である。加水分解に際しては、
一般式（Ｉ）の−Ｙ基と等モル以上、３倍モル以下の純
水または酸性水溶液の添加が硬化促進の点で特に好まし
い。
【００１４】加水分解に際しては、アルコール等が生成
してくるので、無溶媒で加水分解することが可能である
が、加水分解をさらに均一に行なう目的で有機ケイ素化
合物と溶媒を混合した後、加水分解を行なうことも可能
である。また目的に応じて加水分解後のアルコール等を
加熱および／または減圧下に適当量除去して使用するこ
とも可能であるし、その後に適当な溶媒を添加すること
も可能である。
してくるので、無溶媒で加水分解することが可能である
が、加水分解をさらに均一に行なう目的で有機ケイ素化
合物と溶媒を混合した後、加水分解を行なうことも可能
である。また目的に応じて加水分解後のアルコール等を
加熱および／または減圧下に適当量除去して使用するこ
とも可能であるし、その後に適当な溶媒を添加すること
も可能である。
【００１５】これらの溶媒としてはアルコール、エステ
ル、エーテル、ケトン、ハロゲン化炭化水素あるいはト
ルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素などが挙げられ
る。またこれらの溶媒は必要に応じて２種以上の混合溶
媒として使用することも可能である。また、目的に応じ
て加水分解反応を促進し、さらに予備縮合等の反応を進
めるために室温以上に加熱することも可能であるし、予
備縮合を抑えるために加水分解温度を室温以下に下げて
行なうことも可能である。また染顔料や充填材を分散さ
せたり、有機ポリマーを溶解させて、着色させたり、物
性向上など実用性を改善させることも容易に可能であ
る。
ル、エーテル、ケトン、ハロゲン化炭化水素あるいはト
ルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素などが挙げられ
る。またこれらの溶媒は必要に応じて２種以上の混合溶
媒として使用することも可能である。また、目的に応じ
て加水分解反応を促進し、さらに予備縮合等の反応を進
めるために室温以上に加熱することも可能であるし、予
備縮合を抑えるために加水分解温度を室温以下に下げて
行なうことも可能である。また染顔料や充填材を分散さ
せたり、有機ポリマーを溶解させて、着色させたり、物
性向上など実用性を改善させることも容易に可能であ
る。
【００１６】さらには耐候性を向上させる目的で紫外線
吸収剤、また耐熱劣化向上法として酸化防止剤を添加す
ることも容易に可能である。
吸収剤、また耐熱劣化向上法として酸化防止剤を添加す
ることも容易に可能である。
【００１７】さらに、前記フッ素含有有機ポリシロキサ
ン系光学物品の表面層（ここで、表面層とは、表面か
ら、ＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光法）で測定可能な範囲の
層をいう）において、Ｆ／Si重量比を、該フッ素含有有
機ポリシロキサン系光学物品全体の同重量比の８０％未
満にすることが好ましい。８０％を越えると制電性が低
下する傾向にある。
ン系光学物品の表面層（ここで、表面層とは、表面か
ら、ＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光法）で測定可能な範囲の
層をいう）において、Ｆ／Si重量比を、該フッ素含有有
機ポリシロキサン系光学物品全体の同重量比の８０％未
満にすることが好ましい。８０％を越えると制電性が低
下する傾向にある。
【００１８】本発明のフッ素含有有機ポリシロキサン系
光学物品は、活性化ガス処理することにより得られる。
ここで活性化ガス処理とは、常圧もしくは減圧下におい
て生成するイオン、電子あるいは励起された気体による
処理である。これらの活性化ガスを生成する方法として
は、例えばコロナ放電、減圧下での直流、低周波、高周
波あるいはマイクロ波による高電圧放電などによる方法
が用いられる。特に減圧下での高周波放電によって得ら
れる低温プラズマによる処理あるいはコロナ放電処理が
好適である。
光学物品は、活性化ガス処理することにより得られる。
ここで活性化ガス処理とは、常圧もしくは減圧下におい
て生成するイオン、電子あるいは励起された気体による
処理である。これらの活性化ガスを生成する方法として
は、例えばコロナ放電、減圧下での直流、低周波、高周
波あるいはマイクロ波による高電圧放電などによる方法
が用いられる。特に減圧下での高周波放電によって得ら
れる低温プラズマによる処理あるいはコロナ放電処理が
好適である。
【００１９】ここで使用されるガスは特に限定されるも
のではないが、具体例としては酸素、窒素、水素、炭酸
ガス、二酸化硫黄、ヘリウム、ネオン、アルゴン、フレ
オン、水蒸気、アンモニア、一酸化炭素、塩素、一酸化
窒素、二酸化窒素などが挙げられる。
のではないが、具体例としては酸素、窒素、水素、炭酸
ガス、二酸化硫黄、ヘリウム、ネオン、アルゴン、フレ
オン、水蒸気、アンモニア、一酸化炭素、塩素、一酸化
窒素、二酸化窒素などが挙げられる。
【００２０】これらは一種のみならず、二種以上混合し
ても使用可能である。前記の中で好ましいガスとして
は、酸素を含んだものが挙げられ、空気などの自然界に
存在するものであってもよい。
ても使用可能である。前記の中で好ましいガスとして
は、酸素を含んだものが挙げられ、空気などの自然界に
存在するものであってもよい。
【００２１】なお、本発明におけるフッ素／ケイ素の重
量比分析の測定具体例としては、Ｘ線光電子分光法（Ｅ
ＳＣＡ）などが用いられる。
量比分析の測定具体例としては、Ｘ線光電子分光法（Ｅ
ＳＣＡ）などが用いられる。
【００２２】本発明によって得られる光学物品は、耐久
性のある高硬度表面を有し、染色性を有すること、さら
には制電性を有することからサングラス、矯正用レンズ
はもとより、カメラ、双眼鏡、コンタクト等のレンズ等
に好ましく使用できる。本発明の特徴を明瞭にするため
に次に実施例を挙げるが、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
性のある高硬度表面を有し、染色性を有すること、さら
には制電性を有することからサングラス、矯正用レンズ
はもとより、カメラ、双眼鏡、コンタクト等のレンズ等
に好ましく使用できる。本発明の特徴を明瞭にするため
に次に実施例を挙げるが、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
【００２３】
実施例１、比較例１ (1) 光学物品製造用組成物の調製 （ａ）加水分解物の調製 回転子を備えた反応器中にメチルトリメトキシシラン
４．９ｇ、3,3,3-トリフロロプロピルトリメトキシシラ
ン３．５ｇを仕込み、液温を１０℃に保ち、マグネチッ
クスターラーで撹拌しながら０．０１規定塩酸水溶液
２．８ｇを徐々に滴下、滴下終了後冷却をやめて加水分
解物を得た。
４．９ｇ、3,3,3-トリフロロプロピルトリメトキシシラ
ン３．５ｇを仕込み、液温を１０℃に保ち、マグネチッ
クスターラーで撹拌しながら０．０１規定塩酸水溶液
２．８ｇを徐々に滴下、滴下終了後冷却をやめて加水分
解物を得た。
【００２４】（ｂ）原液の調製 前記シラン加水分解物にn-プロピルアルコ−ル５６．０
ｇ、蒸溜水２４．０ｇ、エチルセロソルブ７．５ｇをあ
らかじめn-プロピルアルコ−ルで５％に調製したシリコ
−ン系界面活性剤１．０ｇおよびアルミニウムアセチル
アセトネ−ト０．２４ｇを添加し、充分撹拌した後、原
液とした。
ｇ、蒸溜水２４．０ｇ、エチルセロソルブ７．５ｇをあ
らかじめn-プロピルアルコ−ルで５％に調製したシリコ
−ン系界面活性剤１．０ｇおよびアルミニウムアセチル
アセトネ−ト０．２４ｇを添加し、充分撹拌した後、原
液とした。
【００２５】(2) 光学物品の作製 前項(1) ，（ｂ）で調製した原液５０ｇを、８２℃で１
２分間予備硬化し、さらに９３℃で４時間加熱キュアし
て光学物品を得た。
２分間予備硬化し、さらに９３℃で４時間加熱キュアし
て光学物品を得た。
【００２６】(3) 制電性発現処理 上記(2) で得られた光学物品を以下に示す方法で処理し
た。
た。
【００２７】表面処理用プラズマ装置（ＰＲ５０１Ａヤ
マト科学（株）製）を用い、酸素流量１００ml／分、出
力５０Ｗで３分間処理を行なった。
マト科学（株）製）を用い、酸素流量１００ml／分、出
力５０Ｗで３分間処理を行なった。
【００２８】得られた物品の表面層におけるフッ素／ケ
イ素（Ｆ／Si）の元素含有量は、重量比で０．０４／１
であった。なお、物品全体のフッ素／ケイ素の重量比
は、０．０８／１であった。
イ素（Ｆ／Si）の元素含有量は、重量比で０．０４／１
であった。なお、物品全体のフッ素／ケイ素の重量比
は、０．０８／１であった。
【００２９】また、制電性の評価において、帯電圧の半
減期は１秒以下であり、パンチ屑テストでは、最初から
パンチ屑は付着しなかった。
減期は１秒以下であり、パンチ屑テストでは、最初から
パンチ屑は付着しなかった。
【００３０】なお、実施例１において制電性発現処理を
行なわなかった以外は同様にして得られた物品（比較例
１）については、表面層におけるフッ素／ケイ素（Ｆ／
Si）の元素含有量は、重量比で０．０８／１であった。
また、帯電圧の半減期は１２１秒であり、パンチ屑テス
トは、２５であり、制電性に乏しいことがわかった。評
価方法は、下記に基づくものである。
行なわなかった以外は同様にして得られた物品（比較例
１）については、表面層におけるフッ素／ケイ素（Ｆ／
Si）の元素含有量は、重量比で０．０８／１であった。
また、帯電圧の半減期は１２１秒であり、パンチ屑テス
トは、２５であり、制電性に乏しいことがわかった。評
価方法は、下記に基づくものである。
【００３１】(A) 帯電圧の半減期 ２０℃、６５％ＲＨの条件下で、スタチックオネストメ
ータを使用し、１０ｋｖ、１０００rpm の条件で帯電さ
せた時の帯電圧の半減期を測定した。
ータを使用し、１０ｋｖ、１０００rpm の条件で帯電さ
せた時の帯電圧の半減期を測定した。
【００３２】(B) パンチ屑テスト ２０℃〜２５℃、５０〜７０％ＲＨにおいて、光学物品
を鹿皮で拭き静電気を発生させて、机の上にばらまいた
パンチ屑上に約１〜２cmまで近付けてパンチ屑を付着さ
せる。そのまま３０秒間静止しておき、脱落しないで残
っているパンチ屑を数えた。
を鹿皮で拭き静電気を発生させて、机の上にばらまいた
パンチ屑上に約１〜２cmまで近付けてパンチ屑を付着さ
せる。そのまま３０秒間静止しておき、脱落しないで残
っているパンチ屑を数えた。
【００３３】実施例２、比較例２ フッ素含有有機ポリシロキサン系物品用の原液として、
メチルトリメトキシシランを５０重量部、3,3,3-トリフ
ロロプロピルトリメトキシシランを５０重量部とした以
外は、実施例１と同様にして、制電性発現処理された光
学物品を得た。得られた物品の表面層におけるフッ素／
ケイ素（Ｆ／Si）の元素含有量は、重量比で０．０４／
１であった。なお、物品全体のフッ素／ケイ素の重量比
は、０．０８／１であった。
メチルトリメトキシシランを５０重量部、3,3,3-トリフ
ロロプロピルトリメトキシシランを５０重量部とした以
外は、実施例１と同様にして、制電性発現処理された光
学物品を得た。得られた物品の表面層におけるフッ素／
ケイ素（Ｆ／Si）の元素含有量は、重量比で０．０４／
１であった。なお、物品全体のフッ素／ケイ素の重量比
は、０．０８／１であった。
【００３４】また、制電性の評価において、帯電圧の半
減期は１秒以下であり、パンチ屑テストでは、最初から
パンチ屑は付着しなかった。
減期は１秒以下であり、パンチ屑テストでは、最初から
パンチ屑は付着しなかった。
【００３５】なお、実施例２において制電性発現処理を
行なわなかった以外は同様にして得られた物品（比較例
２）については、表面層におけるフッ素／ケイ素（Ｆ／
Si）の元素含有量は、重量比で０．０８／１であった。
また、帯電圧の半減期は３６０秒であり、パンチ屑テス
トは、３０であり、制電性に乏しいことがわかった。
行なわなかった以外は同様にして得られた物品（比較例
２）については、表面層におけるフッ素／ケイ素（Ｆ／
Si）の元素含有量は、重量比で０．０８／１であった。
また、帯電圧の半減期は３６０秒であり、パンチ屑テス
トは、３０であり、制電性に乏しいことがわかった。
【００３６】
【発明の効果】本発明によって得られる光学物品は以下
に示す特徴がある。
に示す特徴がある。
【００３７】(1) 耐久性に優れている。
【００３８】(2) 染色速度が速く、染色後の外観も良好
である。
である。
【００３９】(3) 表面すべり性が良好であり、実質的に
傷がつきにくい。
傷がつきにくい。
【００４０】(4) 汚れが目立ちにくく除去し易い。
【００４１】(5) 制電性を有し、ゴミやホコリが付着し
ない。
ない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｚ 7820−2Ｋ Ｇ０２Ｃ 7/02 // Ｂ２９Ｋ 83:00 105:32
Claims (3)
- 【請求項１】ケイ素に対するフッ素の重量比が０．０２
以上、１０以下であり、活性化ガス処理されてなること
を特徴とするフッ素含有有機ポリシロキサン系光学物
品。 - 【請求項２】活性化ガス処理が、プラズマ処理であるこ
とを特徴とする請求項１記載のフッ素含有有機ポリシロ
キサン系光学物品。 - 【請求項３】表面層のケイ素に対するフッ素の重量比
が、該光学物品全体の同重量比の８０％未満であること
を特徴とする請求項１記載のフッ素含有有機ポリシロキ
サン系光学物品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4107546A JP2501162B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | フッ素含有有機ポリシロキサン系光学物品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4107546A JP2501162B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | フッ素含有有機ポリシロキサン系光学物品 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62272338A Division JPH0698703B2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-10-28 | 反射防止性物品およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05170955A true JPH05170955A (ja) | 1993-07-09 |
| JP2501162B2 JP2501162B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=14461930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4107546A Expired - Fee Related JP2501162B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | フッ素含有有機ポリシロキサン系光学物品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2501162B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013253223A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-12-19 | Tokyo Metropolitan Univ | ポリシルセスキオキサン液体及びポリシルセスキオキサンガラスならびにその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5142553A (ja) * | 1974-10-08 | 1976-04-10 | Hoya Lens Co Ltd | Shinsuiseishirikoonkontakutorenzuno seizohoho |
| JPS5413073A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-31 | Sato Kougiyou Kk | Air purifyer |
| JPS58167448A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-03 | Asahi Glass Co Ltd | 低反射率ガラス |
| JPS5926944A (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-13 | Asahi Glass Co Ltd | 低反射率ガラス |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP4107546A patent/JP2501162B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5142553A (ja) * | 1974-10-08 | 1976-04-10 | Hoya Lens Co Ltd | Shinsuiseishirikoonkontakutorenzuno seizohoho |
| JPS5413073A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-31 | Sato Kougiyou Kk | Air purifyer |
| JPS58167448A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-03 | Asahi Glass Co Ltd | 低反射率ガラス |
| JPS5926944A (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-13 | Asahi Glass Co Ltd | 低反射率ガラス |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013253223A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-12-19 | Tokyo Metropolitan Univ | ポリシルセスキオキサン液体及びポリシルセスキオキサンガラスならびにその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2501162B2 (ja) | 1996-05-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |