JPH0517201A - Ｉｔｏ焼結体及びその製造方法 - Google Patents
Ｉｔｏ焼結体及びその製造方法Info
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- JPH0517201A JPH0517201A JP3186904A JP18690491A JPH0517201A JP H0517201 A JPH0517201 A JP H0517201A JP 3186904 A JP3186904 A JP 3186904A JP 18690491 A JP18690491 A JP 18690491A JP H0517201 A JPH0517201 A JP H0517201A
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- ito sintered
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Abstract
(57)【要約】
【構成】実質的にインジウム、スズ、および酸素から成
り、相対密度が80重量％以上であるＩＴＯ焼結体におい
て、Sn凝集径が10μm 以下で、かつ平均結晶粒径が10μ
m 以下であるＩＴＯ焼結体。そのＩＴＯ焼結体を、イン
ジウム酸化物およびスズ酸化物を含有する原料粉末の20
重量％以上を衝撃圧縮処理後、粉砕し、得られた粉末を
前記原料粉末の残分が存在する場合にはそれと再混合
し、得られた処理粉末を加圧成形し、次いで酸化性雰囲
気下中で焼結して製造する方法。 【効果】本発明のＩＴＯ焼結体は、スパッタリング用タ
ーゲットとして使用すれば、スパッタリング中の異常放
電現象が有効に抑制され、また基板加熱温度が200℃以
下の低温であっても比抵抗が２×10-4Ω・cm以下の良質
の透明導電膜を形成することができる。
り、相対密度が80重量％以上であるＩＴＯ焼結体におい
て、Sn凝集径が10μm 以下で、かつ平均結晶粒径が10μ
m 以下であるＩＴＯ焼結体。そのＩＴＯ焼結体を、イン
ジウム酸化物およびスズ酸化物を含有する原料粉末の20
重量％以上を衝撃圧縮処理後、粉砕し、得られた粉末を
前記原料粉末の残分が存在する場合にはそれと再混合
し、得られた処理粉末を加圧成形し、次いで酸化性雰囲
気下中で焼結して製造する方法。 【効果】本発明のＩＴＯ焼結体は、スパッタリング用タ
ーゲットとして使用すれば、スパッタリング中の異常放
電現象が有効に抑制され、また基板加熱温度が200℃以
下の低温であっても比抵抗が２×10-4Ω・cm以下の良質
の透明導電膜を形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明導電膜の形成に使
用するスパッタリング用ターゲット材として適する酸化
インジウム−酸化スズ焼結体、即ちＩＴＯ焼結体及びそ
の製造方法に関する。
用するスパッタリング用ターゲット材として適する酸化
インジウム−酸化スズ焼結体、即ちＩＴＯ焼結体及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化インジウム−酸化スズから成るＩＴ
Ｏ焼結体をスパッタリングすることによって得られる透
明導電膜は、その比抵抗値の低さから有望な膜として注
目されている。例えばＩＴＯ焼結体をターゲットとし、
これを 300℃程度の高温に加熱された基板上に適当な条
件でスパッタリングすることにより、透明性が良く且つ
比抵抗値が 2.0×10-4Ω・cm以下の良質なＩＴＯ膜が得
られる。
Ｏ焼結体をスパッタリングすることによって得られる透
明導電膜は、その比抵抗値の低さから有望な膜として注
目されている。例えばＩＴＯ焼結体をターゲットとし、
これを 300℃程度の高温に加熱された基板上に適当な条
件でスパッタリングすることにより、透明性が良く且つ
比抵抗値が 2.0×10-4Ω・cm以下の良質なＩＴＯ膜が得
られる。
【０００３】このような特性を持つＩＴＯ膜を得るため
には、ＩＴＯ焼結体の相対密度が80％以上であることが
必要であるということが公知である。その高密度のＩＴ
Ｏ焼結体は、通常、実質的にインジウム、スズおよび酸
素から成り、所望の組成に配合された粉末を成形した
後、酸素あるいは大気中で1500℃以上の温度で焼結する
か、または加圧下で温度を上げて1000℃以下の温度で焼
結することによって製造されている。
には、ＩＴＯ焼結体の相対密度が80％以上であることが
必要であるということが公知である。その高密度のＩＴ
Ｏ焼結体は、通常、実質的にインジウム、スズおよび酸
素から成り、所望の組成に配合された粉末を成形した
後、酸素あるいは大気中で1500℃以上の温度で焼結する
か、または加圧下で温度を上げて1000℃以下の温度で焼
結することによって製造されている。
【０００４】然しながら、1500℃以上の温度で焼結され
たＩＴＯ焼結体は、焼結体中のSn原子が凝集を起こして
おり、また結晶粒径の粗大化が促進されて焼結体の結晶
粒径のばらつきが大きくなっていることが公知であり、
また、1000℃以下の温度で焼結されたＩＴＯ焼結体中に
は SnO2 相が残存することが公知である。その結果、Ｉ
ＴＯ焼結体の表面抵抗値のばらつきが大きくなる。
たＩＴＯ焼結体は、焼結体中のSn原子が凝集を起こして
おり、また結晶粒径の粗大化が促進されて焼結体の結晶
粒径のばらつきが大きくなっていることが公知であり、
また、1000℃以下の温度で焼結されたＩＴＯ焼結体中に
は SnO2 相が残存することが公知である。その結果、Ｉ
ＴＯ焼結体の表面抵抗値のばらつきが大きくなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにして製造
された高密度ＩＴＯ焼結体をターゲットとしてスパッタ
リングを行う場合、そのＩＴＯ焼結体の表面抵抗値のば
らつきが大きいために、成膜中の異常放電現象が発生し
易くなりプラズマ状態が不安定となる。その結果、安定
した成膜が行われず、得られた膜の構造が悪化し、膜の
特性値が劣化するという不都合を生じることが知られて
いる。また、異常放電現象が頻繁に発生する状況下にお
いて長時間ＩＴＯ焼結体ターゲットを使用していると、
ターゲット表面に変質層が生じ（所謂黒化）、これによ
り成膜速度が低下し、生産性が低下するという問題も生
じている。
された高密度ＩＴＯ焼結体をターゲットとしてスパッタ
リングを行う場合、そのＩＴＯ焼結体の表面抵抗値のば
らつきが大きいために、成膜中の異常放電現象が発生し
易くなりプラズマ状態が不安定となる。その結果、安定
した成膜が行われず、得られた膜の構造が悪化し、膜の
特性値が劣化するという不都合を生じることが知られて
いる。また、異常放電現象が頻繁に発生する状況下にお
いて長時間ＩＴＯ焼結体ターゲットを使用していると、
ターゲット表面に変質層が生じ（所謂黒化）、これによ
り成膜速度が低下し、生産性が低下するという問題も生
じている。
【０００６】また、近年、カラー液晶ディスプレイ用カ
ラーフィルター上へのＩＴＯ膜のコーティングあるいは
ディスプレイの軽量化の面からプラスチック基板上への
ＩＴＯ膜のコーティングが行われるようになってきた。
これらのカラーフィルターやプラスチック基板は耐熱性
に劣るため、従来行われてきた高温でのスパッタリング
は行えず、基板加熱温度は 200℃以下という制約を受け
ている。
ラーフィルター上へのＩＴＯ膜のコーティングあるいは
ディスプレイの軽量化の面からプラスチック基板上への
ＩＴＯ膜のコーティングが行われるようになってきた。
これらのカラーフィルターやプラスチック基板は耐熱性
に劣るため、従来行われてきた高温でのスパッタリング
は行えず、基板加熱温度は 200℃以下という制約を受け
ている。
【０００７】前述した従来の高密度ＩＴＯ焼結体におい
ては、高温での基板加熱（例えば 300℃以上）によるス
パッタリングによれば比抵抗値の低い膜が得られるが、
200℃以下の低温の基板加熱によるスパッタリングで
は、得られるＩＴＯ膜の比抵抗値は５×10-4Ω・cm以上
であり、比抵抗値の低い膜を得ることが困難となってい
る。即ち、これらのＩＴＯ焼結体は、カラーフィルター
やプラスチック基板に対しては、良好なＩＴＯ膜を形成
することが困難である。従って本発明は、ＩＴＯ膜成膜
中における異常放電現象が有効に抑制され、また、基板
温度が低い条件においても比抵抗値が低いＩＴＯ膜を成
膜できるようなＩＴＯ焼結体およびその製造方法を提供
することを目的とする。
ては、高温での基板加熱（例えば 300℃以上）によるス
パッタリングによれば比抵抗値の低い膜が得られるが、
200℃以下の低温の基板加熱によるスパッタリングで
は、得られるＩＴＯ膜の比抵抗値は５×10-4Ω・cm以上
であり、比抵抗値の低い膜を得ることが困難となってい
る。即ち、これらのＩＴＯ焼結体は、カラーフィルター
やプラスチック基板に対しては、良好なＩＴＯ膜を形成
することが困難である。従って本発明は、ＩＴＯ膜成膜
中における異常放電現象が有効に抑制され、また、基板
温度が低い条件においても比抵抗値が低いＩＴＯ膜を成
膜できるようなＩＴＯ焼結体およびその製造方法を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、実質的
にインジウム、スズおよび酸素から成り、相対密度が80
％以上であるＩＴＯ焼結体において、Sn凝集径が10μm
以下で、かつ平均結晶粒径が10μm 以下であることを特
徴とするＩＴＯ焼結体が提供される。
にインジウム、スズおよび酸素から成り、相対密度が80
％以上であるＩＴＯ焼結体において、Sn凝集径が10μm
以下で、かつ平均結晶粒径が10μm 以下であることを特
徴とするＩＴＯ焼結体が提供される。
【０００９】ＩＴＯ焼結体
本発明のＩＴＯ焼結体は、実質的にインジウム、スズお
よび酸素から成るものであり、相対密度が80％以上のも
のである。本発明のＩＴＯ焼結体においては、Sn凝集径
が10μm 以下、好ましくは５μm以下であり、かつ平均
結晶粒径が10μm 以下であることが重要である。ＩＴＯ
焼結体中のSn凝集径が10μm を超えたり、平均結晶粒径
が10μm を超えると、その焼結体の表面抵抗値のばらつ
きが大きくなり、スパッタリング中の異常放電現象が発
生し易くなる。
よび酸素から成るものであり、相対密度が80％以上のも
のである。本発明のＩＴＯ焼結体においては、Sn凝集径
が10μm 以下、好ましくは５μm以下であり、かつ平均
結晶粒径が10μm 以下であることが重要である。ＩＴＯ
焼結体中のSn凝集径が10μm を超えたり、平均結晶粒径
が10μm を超えると、その焼結体の表面抵抗値のばらつ
きが大きくなり、スパッタリング中の異常放電現象が発
生し易くなる。
【００１０】本発明のＩＴＯ焼結体は、例えば次のよう
にして製造することができる。即ち、上記のＩＴＯ焼結
体は、インジウム酸化物およびスズ酸化物を含有する原
料粉末の20重量％以上を衝撃圧縮処理後、粉砕し、得ら
れた粉末を前記原料粉末の残分が存在する場合にはそれ
と再混合し、得られた処理粉末を加圧成形し、次いで酸
化性雰囲気中で焼結することからなる製造方法により製
造することができる。
にして製造することができる。即ち、上記のＩＴＯ焼結
体は、インジウム酸化物およびスズ酸化物を含有する原
料粉末の20重量％以上を衝撃圧縮処理後、粉砕し、得ら
れた粉末を前記原料粉末の残分が存在する場合にはそれ
と再混合し、得られた処理粉末を加圧成形し、次いで酸
化性雰囲気中で焼結することからなる製造方法により製
造することができる。
【００１１】原料粉末
本発明の製造方法において、原料粉末としては、酸化イ
ンジウム粉末と酸化スズ粉末との混合粉末、酸化スズ固
溶酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末との混合粉末、酸
化スズ固溶酸化インジウム粉末と酸化インジウム粉末と
の混合粉末、あるいは酸化スズ固溶酸化インジウム粉末
のみなどが使用される。この原料粉末を所望の組成に混
合・調製する。原料粉末の調製は、例えばボールミル等
を用いての混合・粉砕によって行われ、混合時間は好ま
しくは12時間以上、更に好ましくは24時間以上である。
ンジウム粉末と酸化スズ粉末との混合粉末、酸化スズ固
溶酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末との混合粉末、酸
化スズ固溶酸化インジウム粉末と酸化インジウム粉末と
の混合粉末、あるいは酸化スズ固溶酸化インジウム粉末
のみなどが使用される。この原料粉末を所望の組成に混
合・調製する。原料粉末の調製は、例えばボールミル等
を用いての混合・粉砕によって行われ、混合時間は好ま
しくは12時間以上、更に好ましくは24時間以上である。
【００１２】また、本発明において使用する原料粉末に
は、上記の混合・粉砕時にパラフィンワックス、ポリビ
ニルアルコール等の成形用バインダーを添加することが
できる。このバインダーの添加量は、１〜２重量％の範
囲であることが好ましい。
は、上記の混合・粉砕時にパラフィンワックス、ポリビ
ニルアルコール等の成形用バインダーを添加することが
できる。このバインダーの添加量は、１〜２重量％の範
囲であることが好ましい。
【００１３】衝撃圧縮処理
本発明においては、上記の原料粉末について衝撃圧縮処
理を行う。この衝撃圧縮処理によって構成粒子を微細化
し、同時に結晶内部に微視的な歪を形成することがで
き、その結果、原料粉末を活性化し、焼結体中のSn原子
の凝集性あるいは結晶粒径のばらつきを改善することが
できると考えられる。
理を行う。この衝撃圧縮処理によって構成粒子を微細化
し、同時に結晶内部に微視的な歪を形成することがで
き、その結果、原料粉末を活性化し、焼結体中のSn原子
の凝集性あるいは結晶粒径のばらつきを改善することが
できると考えられる。
【００１４】衝撃圧縮の方法としては、例えば爆薬の爆
発に伴う爆轟衝撃波や高速飛翔体の衝突に伴う衝撃波を
原料粉末に伝え粉末を衝撃圧縮する方法を用いることが
できる。装置が簡単で、大量の粉末を一度に処理できる
方法として、例えば、上下にネジ式栓の付いた金属製の
円筒状容器に原料粉末を充填し、その外側に爆薬の詰ま
った容器を配し、その容器の上部に取り付けられた雷管
で起爆して爆薬の爆轟に伴う衝撃波で原料粉末を衝撃圧
縮する方法がある。
発に伴う爆轟衝撃波や高速飛翔体の衝突に伴う衝撃波を
原料粉末に伝え粉末を衝撃圧縮する方法を用いることが
できる。装置が簡単で、大量の粉末を一度に処理できる
方法として、例えば、上下にネジ式栓の付いた金属製の
円筒状容器に原料粉末を充填し、その外側に爆薬の詰ま
った容器を配し、その容器の上部に取り付けられた雷管
で起爆して爆薬の爆轟に伴う衝撃波で原料粉末を衝撃圧
縮する方法がある。
【００１５】衝撃圧力は、原料粉末の組成により任意に
選択されるべきものであるが、本発明に係わる原料粉末
の組成範囲では通常 500ＭPa〜10ＧPa、好ましくは１Ｇ
Pa〜10ＧPaである。衝撃圧力が 100ＧPa以上になると衝
撃処理時の原料粉末が高温となり、粉末粒子間の焼結が
生じ、また、一度導入された結晶中の歪が高温度下で緩
和されると考えられ、本発明の効果が発揮できない。
選択されるべきものであるが、本発明に係わる原料粉末
の組成範囲では通常 500ＭPa〜10ＧPa、好ましくは１Ｇ
Pa〜10ＧPaである。衝撃圧力が 100ＧPa以上になると衝
撃処理時の原料粉末が高温となり、粉末粒子間の焼結が
生じ、また、一度導入された結晶中の歪が高温度下で緩
和されると考えられ、本発明の効果が発揮できない。
【００１６】また、原料粉末の20重量％以上、好ましく
は50重量％以上を衝撃圧縮処理すれば、本発明の目的は
達成される。20重量％未満の場合、スパッタリング中の
異常放電現象が発生し易くなり、また得られる膜の比抵
抗値が高くなる。衝撃圧縮処理した粉末と原料粉末の残
分とを再混合し、処理粉末とする。
は50重量％以上を衝撃圧縮処理すれば、本発明の目的は
達成される。20重量％未満の場合、スパッタリング中の
異常放電現象が発生し易くなり、また得られる膜の比抵
抗値が高くなる。衝撃圧縮処理した粉末と原料粉末の残
分とを再混合し、処理粉末とする。
【００１７】成形・焼結工程
上記の処理粉末を加圧成形する。加圧成形は、１ton/cm
2 以上が好ましい。その圧力が１ton/cm2 より低いと、
焼結体の相対密度を80％以上にすることが困難である。
加圧成形に続いて行われる焼結は、酸化性雰囲気、例え
ば酸素あるいは大気中で行う。
2 以上が好ましい。その圧力が１ton/cm2 より低いと、
焼結体の相対密度を80％以上にすることが困難である。
加圧成形に続いて行われる焼結は、酸化性雰囲気、例え
ば酸素あるいは大気中で行う。
【００１８】本発明によれば、焼結を1500℃より低い温
度で行っても相対密度80％以上の焼結体を得ることがで
きる。焼結温度は1350℃以上、好ましくは1400℃以上、
かつ1500℃未満好ましくは1450℃以下であることが必要
である。焼結温度が1350℃未満であると、低比抵抗の良
質な膜が得られなくなることの原因である SnO2 相の残
存が観察され、焼結温度が1500℃以上であるとSn凝集径
が増したり、結晶粒径の粗大化が促進されるという不都
合が生じる。以上の方法によって、本発明のＩＴＯ焼結
体が得られる。
度で行っても相対密度80％以上の焼結体を得ることがで
きる。焼結温度は1350℃以上、好ましくは1400℃以上、
かつ1500℃未満好ましくは1450℃以下であることが必要
である。焼結温度が1350℃未満であると、低比抵抗の良
質な膜が得られなくなることの原因である SnO2 相の残
存が観察され、焼結温度が1500℃以上であるとSn凝集径
が増したり、結晶粒径の粗大化が促進されるという不都
合が生じる。以上の方法によって、本発明のＩＴＯ焼結
体が得られる。
【００１９】
【実施例】実施例１
平均粒径 0.2μm の酸化インジウム粉末に平均粒径１μ
m の酸化スズ粉末をスズ組成が 7.8重量％となるように
配合し、バインダーとして１重量％のパラフィンワック
スを添加し、湿式ボールミル中で18時間混合・粉砕を行
い、乾燥後30〜40μm に造粒し、原料粉末を得た。
m の酸化スズ粉末をスズ組成が 7.8重量％となるように
配合し、バインダーとして１重量％のパラフィンワック
スを添加し、湿式ボールミル中で18時間混合・粉砕を行
い、乾燥後30〜40μm に造粒し、原料粉末を得た。
【００２０】図１に示すように、 2.5kgの原料粉末１を
全て充填密度56％で円筒状容器（直径81mm）２中に封入
し、その容器の外側にダイナマイト火薬３の詰まった爆
薬容器４を配した。爆薬容器４の上部に取り付けた雷管
５で起爆し、原料粉末に衝撃圧縮処理を行った。
全て充填密度56％で円筒状容器（直径81mm）２中に封入
し、その容器の外側にダイナマイト火薬３の詰まった爆
薬容器４を配した。爆薬容器４の上部に取り付けた雷管
５で起爆し、原料粉末に衝撃圧縮処理を行った。
【００２１】得られた処理粉末を、擂解機で数百μｍに
粗粉砕後、湿式ボールミル中で24時間混合して30〜40μ
m に粉砕し、１ton/cm2 で78mm径×６mm厚に加圧成形
後、酸素気流中で1400℃にて５時間焼結を行った。得ら
れた焼結体について、密度測定、ＥＰＭＡ分析によるSn
原子の凝集体の直径の測定、およびＳＥＭによる結晶粒
径測定を行った。結果を表１に示す。
粗粉砕後、湿式ボールミル中で24時間混合して30〜40μ
m に粉砕し、１ton/cm2 で78mm径×６mm厚に加圧成形
後、酸素気流中で1400℃にて５時間焼結を行った。得ら
れた焼結体について、密度測定、ＥＰＭＡ分析によるSn
原子の凝集体の直径の測定、およびＳＥＭによる結晶粒
径測定を行った。結果を表１に示す。
【００２２】また、上記焼結体をスパッタリング用ター
ゲット材として使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法により 200℃に加熱した基板に３分間成膜を行い、
1000Åの厚さに成膜した。スパッタリング条件は、スパ
ッタガスを容量比でAr：Ｏ2 ＝99：１とし、スパッタガ
ス圧 0.5Pa、スパッタ出力 200Ｗ、ターゲット−基板間
距離を60mmとした。
ゲット材として使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法により 200℃に加熱した基板に３分間成膜を行い、
1000Åの厚さに成膜した。スパッタリング条件は、スパ
ッタガスを容量比でAr：Ｏ2 ＝99：１とし、スパッタガ
ス圧 0.5Pa、スパッタ出力 200Ｗ、ターゲット−基板間
距離を60mmとした。
【００２３】得られた膜の比抵抗値を四端針法により測
定し、また、波長 500nmにおける透過率を測定した。結
果を表１に示す。さらに、同一のスパッタリング条件で
連続スパッタリングを行い、その間に発生した異常放電
の回数を測定した。結果を表１に示す。
定し、また、波長 500nmにおける透過率を測定した。結
果を表１に示す。さらに、同一のスパッタリング条件で
連続スパッタリングを行い、その間に発生した異常放電
の回数を測定した。結果を表１に示す。
【００２４】実施例２
実施例１で用いたのと同様の原料粉末の50重量％を実施
例１と同じ方法で衝撃圧縮処理した。得られた粉末を実
施例１と同様に30〜40μmに粉砕後、残りの原料粉末と
ボールミル中で再混合した。得られた処理粉末を造粒
し、実施例１と同様に成形、焼結した。得られた焼結体
の物性を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表１
に示す。
例１と同じ方法で衝撃圧縮処理した。得られた粉末を実
施例１と同様に30〜40μmに粉砕後、残りの原料粉末と
ボールミル中で再混合した。得られた処理粉末を造粒
し、実施例１と同様に成形、焼結した。得られた焼結体
の物性を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表１
に示す。
【００２５】実施例３
実施例１で用いたのと同様の原料粉末の20重量％を実施
例１と同じ方法で衝撃圧縮処理した。得られた粉末を実
施例１と同様に30〜40μmに粉砕後、残りの原料粉末と
ボールミル中で再混合した。得られた処理粉末を造粒
し、実施例１と同様に成形、焼結した。得られた焼結体
の物性を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表１
に示す。
例１と同じ方法で衝撃圧縮処理した。得られた粉末を実
施例１と同様に30〜40μmに粉砕後、残りの原料粉末と
ボールミル中で再混合した。得られた処理粉末を造粒
し、実施例１と同様に成形、焼結した。得られた焼結体
の物性を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表１
に示す。
【００２６】比較例１
実施例１で用いたのと同様の原料粉末を、衝撃圧縮処理
を行わない以外は実施例１と同様に成形、焼結した。得
られた焼結体の物性を実施例１と同様の方法で測定し
た。結果を表１に示す。
を行わない以外は実施例１と同様に成形、焼結した。得
られた焼結体の物性を実施例１と同様の方法で測定し
た。結果を表１に示す。
【００２７】比較例２
実施例１で用いたのと同様の原料粉末を、衝撃圧縮処理
を行わない以外は実施例１と同様に成形し、酸素気流中
で1600℃にて５時間焼結を行った。得られた焼結体の物
性を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表１に示
す。
を行わない以外は実施例１と同様に成形し、酸素気流中
で1600℃にて５時間焼結を行った。得られた焼結体の物
性を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表１に示
す。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【発明の効果】本発明のＩＴＯ焼結体をスパッタリング
用ターゲットとして使用すれば、スパッタリングに際し
ての異常放電現象が有効に抑制され、良質の透明導電膜
を形成することが可能である。
用ターゲットとして使用すれば、スパッタリングに際し
ての異常放電現象が有効に抑制され、良質の透明導電膜
を形成することが可能である。
【００３０】また、本発明のＩＴＯ焼結体は、スパッタ
リングにより、基板加熱温度が 200℃以下の低温であっ
ても比抵抗が２×10-4Ω・cm以下の低抵抗の膜を得るこ
とができるターゲットを提供することができる。本発明
のＩＴＯ焼結体は、カラーフィルター上へのＩＴＯ膜の
コーティングやプラスチック基板上へのＩＴＯ膜のコー
ティングに極めて有用である。
リングにより、基板加熱温度が 200℃以下の低温であっ
ても比抵抗が２×10-4Ω・cm以下の低抵抗の膜を得るこ
とができるターゲットを提供することができる。本発明
のＩＴＯ焼結体は、カラーフィルター上へのＩＴＯ膜の
コーティングやプラスチック基板上へのＩＴＯ膜のコー
ティングに極めて有用である。
【図１】本発明における原料粉末の衝撃圧縮処理に適用
できる円筒衝撃装置の一実施例を示す縦断面図である。
できる円筒衝撃装置の一実施例を示す縦断面図である。
１ 原料粉末
２ 円筒状容器
３ ダイナマイト火薬
４ 爆薬容器
５ 雷管
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 明石 保
北海道赤平市大町４−４−１
Claims (3)
- 【請求項１】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
ら成り、相対密度が80％以上であるＩＴＯ焼結体におい
て、 Sn凝集径が10μm 以下で、かつ平均結晶粒径が10μm 以
下であることを特徴とするＩＴＯ焼結体。 - 【請求項２】 インジウム酸化物およびスズ酸化物を含
有する原料粉末の20重量％以上を衝撃圧縮処理後、粉砕
し、得られた粉末を前記原料粉末の残分が存在する場合
にはそれと再混合し、得られた処理粉末を加圧成形し、
次いで酸化性雰囲気中で焼結することからなる請求項１
に記載のＩＴＯ焼結体を製造する方法。 - 【請求項３】 請求項２のＩＴＯ焼結体の製造方法であ
って、前記の衝撃圧縮処理が爆薬の爆発による爆轟衝撃
波または高速飛翔体の衝突による衝撃波を前記処理粉末
に伝えることにより行われることを特徴とするＩＴＯ焼
結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3186904A JPH0517201A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | Ｉｔｏ焼結体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3186904A JPH0517201A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | Ｉｔｏ焼結体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0517201A true JPH0517201A (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=16196721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3186904A Pending JPH0517201A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | Ｉｔｏ焼結体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0517201A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997008358A1 (en) * | 1995-08-31 | 1997-03-06 | Innovative Sputtering Technology | A process for manufacturing ito alloy articles |
| US6511614B1 (en) * | 1993-04-05 | 2003-01-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Raw material for producing powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the raw material, powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the powder, electroconductive paste and light-transmitting electroconductive film |
| JP2011068551A (ja) * | 2009-08-22 | 2011-04-07 | Kumamoto Univ | 無機化合物バルク体の製造方法及び無機化合物バルク体 |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP3186904A patent/JPH0517201A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6511614B1 (en) * | 1993-04-05 | 2003-01-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Raw material for producing powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the raw material, powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the powder, electroconductive paste and light-transmitting electroconductive film |
| WO1997008358A1 (en) * | 1995-08-31 | 1997-03-06 | Innovative Sputtering Technology | A process for manufacturing ito alloy articles |
| US6123787A (en) * | 1995-08-31 | 2000-09-26 | Innovative Sputtering Technology | Process for manufacturing ITO alloy articles |
| JP2011068551A (ja) * | 2009-08-22 | 2011-04-07 | Kumamoto Univ | 無機化合物バルク体の製造方法及び無機化合物バルク体 |
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