JPH05174355A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電磁変換特性の向上を図り、高い再生出力を
得る。 【構成】 非磁性支持体１上に真空蒸着法により複数の
磁性薄膜２ａ，ｂからなる磁性層３が設けられてなる磁
気記録媒体において、上層側の磁性薄膜の磁化容易軸の
傾きα_n （ｎは２以上の自然数）が下層側の磁性薄膜の
磁化容易軸の傾きα_n-1 よりも大きくなるように各磁性
薄膜のカラム構造の傾きを制御する。このように、各磁
性薄膜のカラム構造の傾きを制御するためには、上記磁
性層を形成する際に、複数のルツボを用い、これらルツ
ボを上記非磁性支持体の走行方向にずらして配設する。
これにより、各ルツボより蒸発せしめられた磁性材料の
上記非磁性支持体の表面に対する入射角が上記ルツボの
位置に応じて異なり、得られる磁性薄膜の結晶成長の方
向を制御することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、非磁性支持体上に多層
構造からなる磁性層を有する強磁性金属薄膜型の磁気記
録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】金属あるいはＣｏ−Ｎｉ等の合金の連続
膜を磁性層とする、所謂強磁性金属薄膜型の磁気記録媒
体は、保磁力、角形比等に優れ、短波長域における電磁
変換特性に優れるばかりでなく、磁性層の薄膜化が可能
であるために記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さ
いことや、磁性層中に非磁性材料である結合剤等を混入
する必要がないために磁性材料の充填密度を高くできる
こと等、数々の利点を有している。

【０００３】この強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体は、
一般に真空蒸着法により製造されており、例えば冷却キ
ャンの外周面に沿って所定の方向に移動走行される非磁
性支持体に対して、蒸発せしめられた磁性材料を斜め方
向から被着させる、所謂斜め蒸着法が実用化されてい
る。このような斜め蒸着法により磁気記録媒体の磁性層
を形成する際には、上記非磁性支持体に対する磁性材料
の入射角を規制するために、上記冷却キャンの近傍に
は、該冷却キャンの外周面に沿ってマスクが配設される
が、このマスクが配設される位置付近より上記非磁性支
持体の表面に対して酸素ガスが導入されている。これに
より、得られる磁性膜上に酸化層が形成され、この酸化
層が保護膜として機能することによって耐久性が付与さ
れるとともに、上述の磁性膜中に酸素が取り込まれるこ
とにって結晶粒が微細化され、磁気特性の向上が図られ
る。

【０００４】ところで、上記強磁性金属薄膜型の磁気記
録媒体においては、電磁変換特性の向上を図るために、
非磁性支持体上に複数の磁性薄膜を積層形成して磁性層
を多層化する方法が提案されている。この方法によれ
ば、磁性薄膜を構成している結晶粒が小さくなり、ノイ
ズが低下するとともに、良好な残留磁束密度Ｂ_r や保磁
力Ｈ_C が得られ、電磁変換特性の向上を図ることができ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来、上述
のような多層構造を有する磁性層において、各磁性薄膜
の磁化容易軸の傾斜方向が互いに同じ（順方向）となる
ように形成する場合には、例えば同じ蒸着工程を繰り返
し行うことによって形成している。このために、一回蒸
着を行った後、再度蒸着を行うまでの間に巻き取られた
テープを一旦巻き戻すことが必要であり、生産性が悪い
という問題がある。

【０００６】また、この場合、上述のように蒸着時に非
磁性支持体の表面に酸素ガスが導入されるので、得られ
る磁性薄膜の表面には酸化層が形成され、この酸化層が
形成された磁性薄膜上に更に磁性薄膜を積層させると、
これら磁性薄膜間には中間酸化層が介在したかたちにな
る。この結果、各磁性薄膜間の磁気的な結合は弱めら
れ、ノイズ特性が向上するものの、逆にエネルギー積の
減少により出力特性が劣化してしまう。

【０００７】更に、高出力を得るためには、本来、短波
長域の記録信号が記録される上層側の磁性薄膜は垂直方
向成分を多く有していることが望ましく、長波長域の記
録信号が記録される下層側は長手方向成分を多く有して
いることが望ましい。しかし、図１３に示すように、上
述のように繰り返し斜め蒸着により非磁性支持体２１上
に磁性層２３を形成した場合では、各磁性薄膜２２の磁
化容易軸の傾斜方向が互いに同じであるために、短波長
域，長波長域においてともに優れた出力特性を確保する
ことは困難とされている。

【０００８】そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、良好な電磁変換特性を有し、
高出力化を図ることが可能な磁気記録媒体及びその製造
方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意研究の結果、複数のルツボを非
磁性支持体の走行方向にずらして配設し、各ルツボより
蒸発せしめられた磁性材料の非磁性支持体の表面に対す
る入射角が異なるようにすることにより、１回の蒸着で
複数の磁性薄膜からなる磁性層を成膜することができ、
且つこれら磁性薄膜の磁化容易軸の傾きを良好に制御す
ることができることを見出し、本発明を完成するに到っ
た。

【００１０】即ち、本願の第１の発明は、非磁性支持体
上に真空蒸着法により複数の磁性薄膜が積層形成されて
なる磁気記録媒体において、上記非磁性支持体上の第ｎ
層目の磁性薄膜の磁化容易軸の傾きα_n と、第ｎ−１層
目の磁性薄膜の磁化容易軸の傾きα_n-1 との間に α_n-1 ＜α_n （ｎは２以上の自然数） なる関係が成立することを特徴とするものである。

【００１１】また、本願の第２の発明は、非磁性支持体
上に真空蒸着法により複数の磁性薄膜を積層形成するに
際し、複数のルツボを配設し、これらルツボより蒸発せ
しめられた磁性材料の上記非磁性支持体の表面に対する
入射角が上記ルツボの位置に応じてそれぞれ異なるよう
にすることを特徴とするものである。

【００１２】本願の第１の発明の磁気記録媒体におい
て、磁性層は複数の磁性薄膜から構成される。上記磁性
薄膜は、それぞれの磁化容易軸の傾斜方向が互いに同じ
になるように形成され、且つ上層側の磁性薄膜の磁化容
易軸の傾きが下層側の磁性薄膜のそれよりも大きくなる
ようになされる。これにより、短波長域の記録信号が記
録される上層側の磁性薄膜は垂直方向成分が多くなり、
長波長域の記録信号が記録される下層側の磁性薄膜は長
手方向成分が多くなるので、記録深さに対応して信号を
記録することができ、短波長域，長波長域においてとも
に高出力を得ることができる。

【００１３】この磁性層を構成する磁性薄膜の構成材料
としては、一般的に使用されている磁性材料であれば何
れでも良いが、特に金属磁性材料が好ましい。この場
合、金属磁性材料としては、通常この種の磁気記録媒体
で使用されるものが何れも使用可能であり、具体的に例
示すれば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の磁性金属や、Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃ
ｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等が挙
げられる。

【００１４】これら磁性材料からなる上記磁性薄膜の成
膜方法としては、真空蒸着法が用いられ、典型的に斜め
蒸着法が採用される。斜め蒸着法とは、蒸発源から蒸発
せしめられた上記磁性材料の蒸気流を、冷却キャンの外
周面に沿って所定の方向に移動走行される非磁性支持体
の表面の法線方向に対して所定の入射角をなす方向から
入射させて、上記非磁性支持体上に蒸着させる方法であ
る。この時、得られる磁性薄膜中に酸素を取り込みこと
によって磁気特性及び耐蝕性の向上を図るために、上記
非磁性支持体の表面には酸素ガスが導入される。

【００１５】このような蒸着に際し、複数のルツボを非
磁性支持体の走行方向にずらして配設したのが本願の第
２の発明である。これによれば、移動走行する非磁性支
持体上に先ず高角度側に配設されたルツボより蒸発せし
められた磁性材料が被着し、続いて上記ルツボよりもよ
り低角度側に配設されたルツボから蒸発せしめられた磁
性材料が被着するので、１回の蒸着により非磁性支持体
上に複数の磁性薄膜を形成することができる。またこの
時、高角度側に配設されたルツボと低角度側に配設され
たルツボでは、各ルツボより蒸発せしめられる磁性材料
の上記非磁性支持体の表面に対する入射角が異なるため
に、下層側の磁性薄膜と上層側の磁性薄膜のカラム構造
の傾きは個々に制御される。従って、各磁性薄膜の磁化
容易軸の傾きを上記本願の第１の発明のように制御する
ことができ、記録信号の記録深さに対応した磁性層が得
られるので、高出力化を図ることが可能となる。

【００１６】なお、上記非磁性支持体としては、通常こ
の種の磁気記録媒体において使用されるものが何れも使
用可能であり、例えばポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエステル樹
脂や芳香族ポリアミドフィルム、ポリイミド樹脂フィル
ム等が挙げられる。

【００１７】また、本発明においては、必要に応じて、
上記基体上に下塗り膜を形成する工程やバックコート
層、トップコート層等を形成する工程等を加えても良
い。この場合、下塗り膜、バックコート層、トップコー
ト層等の成膜条件は、通常この種の磁気記録媒体の製造
方法に適用される方法であれば良く、特に限定されな
い。

【００１８】

【作用】磁性層の成膜を行う際に、複数のルツボを用
い、これらルツボの位置を非磁性支持体の走行方向にず
らして配設すると、１回の蒸着工程で複数の磁性薄膜か
らなる磁性層を形成することができ、且つ上層側の磁性
薄膜と下層側の磁性薄膜の磁化容易軸の傾きを良好に制
御することができる。これは、次の理由による。

【００１９】即ち、上記非磁性支持体の走行方向に対し
て送り出し側により近い位置に配設されたｎ−１番目
（ｎは２以上の自然数）のルツボと、上記非磁性支持体
の走行方向に対して巻取り側により近い位置に配設され
たｎ番目のルツボよりそれぞれ蒸発せしめられた磁性材
料の上記非磁性支持体の表面に対する入射角を比べる
と、前者の方が高角度になり、後者の方が低角度にな
る。

【００２０】従って、上記非磁性支持体を送り出し側か
ら巻取り側に向かって移動走行させながら蒸着を行え
ば、上記非磁性支持体上に上記ｎ−１番目のルツボより
蒸発せしめられた磁性材料が被着して第ｎ−１層目の磁
性薄膜が形成された後、この第ｎ−１層目の磁性薄膜上
に上記ｎ番目のルツボより蒸発せしめられた磁性材料が
被着して第ｎ層目の磁性薄膜が形成され、多層構造を有
する磁性層が得られる。

【００２１】また、このような磁性層においては、上記
第ｎ層目の磁性薄膜のカラム構造の傾きが上記第ｎ−１
層目の磁性薄膜のそれよりも大きくなるので、上記第ｎ
層目の磁性薄膜の磁化容易軸の傾きα_n の方が上記第ｎ
−１層目の磁性薄膜の磁化容易軸の傾きα_n-1 よりも大
きい。従って、この磁性層は、上層側の上記第ｎ層目の
磁性薄膜に垂直方向成分が多く存在し、下層側の上記第
ｎ−１層目の磁性薄膜に長手方向成分が多く存在する構
成を有するので、記録信号の記録深さに対応して情報信
号の書き込みがなされる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明を適用した磁気記録媒体の実施
例を具体的に説明する。本実施例の磁気テープにおいて
は、図１に示すように、ポリエチレンテレフタレートか
らなる非磁性支持体１上に２層構造を有する磁性層３が
形成されてなる。

【００２３】上記磁性層３は、第一層目の磁性薄膜２ａ
と第二層目の磁性薄膜２ｂからなり、これら各磁性薄膜
２ａ，２ｂが順次積層されて形成される。

【００２４】上記第一層目の磁性薄膜２ａは、その磁化
容易軸の傾きα₁ が０＜α₁ ＜４０°であり、長手方向
成分が多く、長波長域の記録信号を記録するのに有利で
ある。また、上記第二層目の磁性薄膜２ｂは、その磁化
容易軸の傾きα₂ が４０°＜α₂ ＜９０°であり、垂直
方向成分が多く、短波長域の記録信号を記録するのに有
利である。

【００２５】このように、上記第一層目の磁性薄膜２ａ
が長手方向に近い状態に磁化され、上記第二層目の磁性
薄膜２ｂが垂直方向に近い状態に磁化されていると、こ
の記録媒体に対して記録を行った場合に、記録信号は記
録深さに対応して磁性層に記録されるので、高出力を得
ることが可能となる。

【００２６】このような構成を有する磁気テープは、以
下のようにして製造することができいる。先ず、本実施
例において使用される製造装置の構成について説明す
る。この製造装置においては、図２に示すように、真空
状態となされた真空室内に冷却キャン１１が配設され
る。この冷却キャン１１は、図中矢印Ｘ方向に定速回転
するようになされており、この冷却キャン１１の外周面
に沿って巻回された非磁性支持体１２が該冷却キャン１
１の回転に応じて所定の速度で移動走行される。

【００２７】この冷却キャン１１の内部には、図示しな
い冷却装置が設けられ、上記非磁性支持体１２の温度上
昇による変形等を抑制し得るようになされている。

【００２８】また、この冷却キャン１１の近傍には、該
冷却キャン１１の外周面に沿ってシャッタ１３が配設さ
れている。これにより、上記非磁性支持体１２の表面の
一部が覆われ、このシャッタ１３の一端部（上記非磁性
支持体１２の送出し側の端部）により被覆される時点ま
での領域で該非磁性支持体１２に対して蒸着がなされ
る。そして、上記シャッタ１３の一端部によって後述す
る蒸発せしめられた金属磁性材料１７の上記非磁性支持
体１２に対する最低入射角θ₁ が規制される。

【００２９】上記シャッタ１３の一端部には、酸素ガス
導入口１８が設けられており、蒸着時にこの酸素ガス導
入口１８から上記非磁性支持体１２の表面に酸素ガスが
供給される。これにより、得られる磁性薄膜中に酸素が
取り込まれて、磁気特性の向上が図られる。

【００３０】そして、上記冷却キャン１１の上記非磁性
支持体１２の送出し側の側方には、仕切り板１９が設け
られている。これにより、図示しない送りロールから送
り出された非磁性支持体１２がこの仕切り板１９を通過
した時点より該非磁性支持体１２に対して蒸着がなされ
る。そして、この仕切り板１９によって後述する蒸発せ
しめられた金属磁性材料１６の上記非磁性支持体１２に
対する最高入射角θ₂ が規制される。また、このような
仕切り板１９を設けることにより、該仕切り板１９より
も上方側には蒸発せしめられた金属磁性材料１６，１７
が拡散されることがなくなるので、蒸着効率が向上す
る。

【００３１】一方、上記冷却キャン１１の下方には、第
１のルツボ１４及び第２のルツボ１５がそれぞれ配設さ
れ、これら第１及び第２のルツボ１４，１５内に金属磁
性材料１６，１７がそれぞれ充填されている。これら第
１及び第２のルツボ１４，１５は、上記冷却キャン１１
の幅と略同一の幅を有してなる。上記第１及び第２のル
ツボ１４，１５内に充填された金属磁性材料１６，１７
は、上記真空室の側壁部に取付けられた電子銃等の加熱
手段（図示せず。）により加熱され蒸発せしめられる。
なお、上記加熱手段は、該加熱手段より放出される電子
線が上記第１及び第２のルツボ１４，１５内の金属磁性
材料１６，１７に照射されるような位置に配設される。

【００３２】そして、上記蒸発せしめられた金属磁性材
料１６，１７は上記冷却キャン１１の外周面を定速走行
する上記非磁性支持体１２上に磁性層として被着形成さ
れるようになされている。

【００３３】上記第１のルツボ１４及び第２のルツボ１
５は、上記非磁性支持体１２の走行方向にずらして配設
され、上記非磁性支持体１２の送り出し側に近い位置に
上記第１のルツボ１４、上記非磁性支持体１２の巻取り
側に近い位置に上記第２のルツボ１５がくるようにされ
る。従って、上記非磁性支持体１２を送り出し側から巻
取り側に向かって移動走行させながら蒸着を行うと、先
ず上記非磁性支持体１２上に上記第１のルツボ１４より
蒸発せしめられた磁性材料１６が被着して第一層目の磁
性薄膜が形成され、続いて上記第２のルツボ１５より蒸
発せしめられた磁性材料１７が被着して第二層目の磁性
薄膜が形成される。このように、１回の蒸着工程で２層
の磁性薄膜を形成することができるので、生産性が著し
く向上する。また、これら磁性薄膜間には中間酸化層が
介在しないので、エネルギー積が高く、高出力特性が得
られる。

【００３４】またこの時、上記第１のルツボ１４は、該
第１のルツボ１４から蒸発せしめられた金属磁性材料１
６の上記非磁性支持体１２の表面に対する入射角が大き
くなるような位置に配設し、上記第２のルツボ１５は、
該第２のルツボ１５から蒸発せしめられた金属磁性材料
１７の入射角が小さくなるような位置に配設する。これ
により、上記第二層目の磁性薄膜のカラム構造の傾きが
上記第一層目の磁性薄膜のそれよりも大きくなるので、
上記第二層目の磁性薄膜の磁化容易軸の傾きの方が上記
第一層目の磁性薄膜の磁化容易軸の傾きよりも大きくな
る。従って、上層側の第二層目の磁性薄膜には垂直方向
成分が多く存在し、下層側の第一層目の磁性薄膜には長
手方向成分が多く存在するので、記録信号の記録深さに
対応した磁性層を得ることができ、高出力を実現するこ
とができる。

【００３５】これら磁性薄膜の磁化容易軸の傾きを良好
に制御するために、上記第１のルツボ１４から蒸発せし
められた金属磁性材料１６の入射角は６０〜９０°と
し、上記第２のルツボ１５から蒸発せしめられた金属磁
性材料１７の入射角は４０°以上とすることが好まし
い。これら金属磁性材料１６，１７の入射角を上記範囲
内に設定することにより、得られる磁性薄膜の磁化容易
軸の傾きを良好に制御することができ、高出力が得られ
る媒体を製造することができる。

【００３６】また、上記第１のルツボ１４は、上記第２
のルツボ１５から蒸発せしめられた金属磁性材料１７の
飛散を妨げるような位置に配設する必要がある。これに
より、上記第２のルツボ１５から蒸発せしめられた金属
磁性材料１７のうち、上記非磁性支持体１２の表面に入
射される時点で高角度となるものは飛散の中途で上記第
１のルツボ１４により妨げられるので、自ずと上記蒸発
せしめられた金属磁性材料１７の入射角の最高値を規制
することができる。

【００３７】更に、上記第１のルツボ１４の低入射角側
の側壁部にガス導入管２０を配設し、蒸着時にこのガス
導入管２０より所定量の酸素ガスを上記非磁性支持体１
２の表面に導入すれば、上記第一層目の磁性薄膜と上記
第二層目の磁性薄膜間に中間酸化層を形成することがで
き、各磁性薄膜間の磁気的な相互作用によるノイズを低
下させることができる。但し、この場合には、上記中間
酸化層の膜厚が厚すぎるとエネルギー積の減少による出
力低下が起こるので、酸素ガスの導入量を適宜設定する
ことにより、膜厚を適当に抑えることが要求される。

【００３８】そこで、このような製造装置を用いて以下
のようにして磁気テープを作製し、得られた磁気テープ
について各実験を行った。実験１ 本実験では、磁性層の蒸着時に、上述のように２つのル
ツボを用いたことによる効果を検討した。

【００３９】即ち、金属磁性材料として純Ｃｏを用い、
ポリエチレンテレフタレートからなるベースフィルムを
２８ｍ／分のテープスピードで走行させながら、このベ
ースフィルムに対して上記第１及び第２のルツボより蒸
発せしめられる金属磁性材料を被着させて、上記ベース
フィルム上に磁化容易軸の傾斜方向が互いに同一である
２層構造（順２層構造）の磁性薄膜を形成した。

【００４０】この時、上記ベースフィルムの表面に酸素
ガスを２００ｃｃ／分の割合で導入した。また、上記第
１のルツボより蒸発せしめられる金属磁性材料の上記ベ
ースフィルムの表面に対する入射角は６０〜９０°の範
囲で変化させ、上記第２のルツボより蒸発せしめられた
金属磁性材料の入射角は４０°以上とした。なお、この
第２のルツボより蒸発せしめられた金属磁性材料の入射
角の最高値は、上記第１のルツボによって規制される。

【００４１】このようにして得られた磁気テープと、磁
性層の蒸着の際に１つのルツボのみを配設し、その他は
本実施例と同様にして斜め蒸着を行い、同じ蒸着を繰り
返し行うことによって第一層目の磁性薄膜と第二層目の
磁性薄膜を別々に成膜した磁気テープ（比較例）とにつ
いて、再生出力及びＣ／Ｎを調べた。この結果を表１に
示す。

【００４２】なお、上記従来の磁気テープを形成する際
の蒸着条件は、本実施例の場合と同様とした。

【００４３】

【表１】

【００４４】表１に示すように、本実施例にように、２
つのルツボを使用し、１回の工程で２層の磁性薄膜を形
成した場合では、高出力が得られるとともに、Ｃ／Ｎ特
性が著しく向上することが判った。

【００４５】実験２ 次に、上記第１及び第２のルツボより蒸発せしめられる
金属磁性材料の入射角を変化させることによって、第一
層目の磁性薄膜と第二層目の磁性薄膜の磁化容易軸の傾
きを制御したことによる効果を検討した。即ち、上記実
験１と同様にして斜め蒸着を行って、ベースフィルム上
に膜厚がそれぞれ１００ｎｍとなるように第一層目の磁
性薄膜と第二層目の磁性薄膜を積層形成し、これを磁気
テープＡとした。

【００４６】また、比較用として、上記第１のルツボの
みを用い、その他は本実施例と同様にして斜め蒸着によ
り第一層目の磁性薄膜を膜厚が１００ｎｍとなるように
成膜した後、この斜め蒸着を繰り返し行って膜厚１００
ｎｍの第二層目の磁性薄膜を形成し、これを磁気テープ
ａとした。そして、これら磁気テープＡ及び磁気テープ
ａにおいて、得られた第１層目の磁性薄膜（下層）の磁
化容易軸の傾きα₁ ，第２層目の磁性薄膜（上層）の磁
化容易軸の傾きα₂ と、１ＭＨｚ及び７ＭＨｚにおける
出力特性の関係を調べた。この結果を表２に示す。な
お、表２中に、上記第１のルツボのみを用いて１回の蒸
着により膜厚２００ｎｍの単層からなる磁性層を形成し
た場合（磁気テープｂ）、上記第２のルツボのみを用い
て１回の蒸着により膜厚２００ｎｍの単層からなる磁性
層を形成した場合（磁気テープｃ）の結果についても併
せて記した。

【００４７】

【表２】

【００４８】表２に示すように、磁気テープａや磁気テ
ープｂのように磁性層の磁化容易軸の傾きが小さい場合
では、十分な出力特性が望めず、また磁性層の磁化容易
軸の傾きを大きくしても、磁化容易軸の傾きが小さい磁
性薄膜を有していない磁気テープｃでは、特に低周波数
領域側での再生出力に劣化が生じた。これに対して、磁
化容易軸の傾きが大きい上層と磁化容易軸の傾きが小さ
い下層を積層させることにより、短波長域，長波長域と
も高い再生出力が得られることが判った。

【００４９】なお、以上のような本発明の磁気記録媒体
は、次のようなシステムに適用すると、エネルギー積が
小さくなり、エラーレートが抑えられて、良好な結果を
期待することができる。

【００５０】Ａ．記録再生装置の構成 からービデオ信号をディジタル化して磁気テープ等の記
録媒体に記録するディジタルＶＴＲとしては、放送局用
のＤ１フォーマットのコンポーネント形ディジタルＶＴ
Ｒ及びＤ２フォーマットのコンポジット形ディジタルＶ
ＴＲが実用化されている。

【００５１】前者のＤ１フォーマットディジタルＶＴＲ
は、輝度信号及び第１，第２の色差信号をそれぞれ１
３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚのサンプリング周波数で
Ａ／Ｄ変換した後、所定の信号処理を行って磁気テープ
上に記録するもので、これらコンポーネント成分のサン
プリング周波数が４：２：２であることから、４：２：
２方式とも称されている。

【００５２】一方、後者のＤ２フォーマットディジタル
ＶＴＲは、コンポジットカラービデオ信号をカラー副搬
送波信号の周波数の４倍の周波数の信号でサンプリング
を行ってＡ／Ｄ変換し、所定の信号処理を行った後、磁
気テープに記録するようにしている。

【００５３】いずれにしても、これらのディジタルＶＴ
Ｒは、共に放送局用に使用されることを前提に設計され
ているために、画質最優先とされ、１サンプルが例えば
８ビットにＡ／Ｄ変換されたディジタルカラービデオ信
号を実質的に圧縮することなしに記録するようになされ
ている。したがって、例えばＤ１フォーマットのディジ
タルＶＴＲでは、大型のカセットテープを使用しても高
々１．５時間程度の再生時間しか得られず、一般家庭用
のＶＴＲとして使用するには不適当である。

【００５４】そこで、ここでは、例えば５μｍのトラッ
ク幅に対して最短波長０．５μｍの信号を記録するよう
にし、記録密度４×１０⁵ ｂｉｔ／mm² 以上、あるいは
８×１０⁵ ｂｉｔ／mm² 以上を実現するとともに、記録
情報を再生歪みが少ないような形で圧縮する方法を併用
することによって、テープ幅が８mmあるいはそれ以下の
幅狭の磁気テープを使用しても長時間の記録・再生が可
能なディジタルＶＴＲに適用するものとする。

【００５５】以下、このディジタルＶＴＲの構成につい
て説明する。

【００５６】ａ．信号処理部 先ず、本実施例において用いたディジタルＶＴＲの信号
処理部について説明する。図３は記録側の構成全体を示
すものであり、１Ｙ、１Ｕ、１Ｖでそれぞれ示す入力端
子に、例えばカラービデオカメラからの三原色信号Ｒ，
Ｇ，Ｂから形成されたディジタル輝度信号Ｙ、ディジタ
ル色差信号Ｕ、Ｖが供給される。この場合、各信号のク
ロックレートはＤ１フォーマットの各コンポーネント信
号の周波数と同一とされる。すなわち、それぞれのサン
プリング周波数が１３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚとさ
れ、且つこれらの１サンプル当たりのビット数が８ビッ
トとされている。したがって、入力端子３１Ｙ、３１
Ｕ、３１Ｖに供給される信号のデータ量としては、約２
１６Ｍｂｐｓとなる。この信号のうちブランキング時間
のデータを除去し、有効領域の情報のみを取り出す有効
情報抽出回路３２によってデータ量が約１６７Ｍｂｐｓ
に圧縮される。

【００５７】そして、上記有効情報抽出回路３２の出力
のうちの輝度信号Ｙが周波数変換回路３３に供給され、
サンプリング周波数が１３．５ＭＨｚからその３／４に
変換される。周波数変換回路３３としては、例えば間引
きフィルタが使用され、折り返し歪みが生じないように
なされている。この周波数変換回路３３の出力信号は、
ブロック化回路３５に供給され、輝度データの順序がブ
ロックの順序に変換される。ブロック化回路３５は、後
段に設けられたブロック符号化回路３８のために設けら
れている。

【００５８】図５は、符号化の単位のブロックの構造を
示す。この例は、３次元ブロックであって、例えば２フ
レームに跨がる画面を分割することにより、同図に示す
ように（４ライン×４画素×２フレーム）の単位ブロッ
クが多数形成される。なお、図５において実線は奇数フ
ィールドのラインを示し、破線は偶数フィールドのライ
ンを示す。

【００５９】また、有効情報抽出回路３２の出力のう
ち、２つの色差信号Ｕ、Ｖがサブサンプリング及びサブ
ライン回路３４に供給され、サンプリング周波数がそれ
ぞれ６．７５ＭＨｚからその半分に変換された後、２つ
のディジタル色差信号が互いにライン毎に選択され、１
チャンネルのデータに合成される。したがって、このサ
ブサンプリング及びサブライン回路３４からは線順次化
されたディジタル色差信号が得られる。このサブサンプ
リング及びサブライン回路３４によってサブサンプル及
びサブライン化された信号の画素構成を図６に示す。図
６中、○は第１の色差信号Ｕのサブサンプリング画素を
示し、△は第２の色素信号Ｖのサンプリング画素を示
し、×はサブサンプルによって間引かれた画素の位置を
示す。

【００６０】上記サブサンプリング及びサブライン回路
３４からの線順次化出力信号は、ブロック化回路３６に
供給される。ブロック化回路３６では一方のブロック化
回路３５と同様に、テレビジョン信号の走査の順序の色
差データがブロックの順序のデータに変換される。この
ブロック化回路３６は、一方のブロック化回路３５と同
様に、色差データを（４ライン×４画素×２フレーム）
のブロック構造に変換する。そしてこれらブロック化回
路３５及びブロック化回路３６の出力信号が合成回路３
７に供給される。

【００６１】合成回路３７では、ブロックの順序に変換
された輝度信号及び色差信号が１チャンネルのデータに
変換され、この合成回路３７の出力信号がブロック符号
化回路３８に供給される。ブロック符号化回路３８とし
ては、後述するようにブロック毎のダイナミックレンジ
に適応した符号化回路（ＡＤＲＣと称する。）、ＤＣＴ
（Ｄｉｓｃｒｅｔｅ Ｃｏｓｉｎｅ Ｔｒａｎｓｆｏｒ
ｍ）回路等が適用できる。前記ブロック符号化回路３８
からの出力信号は、さらにフレーム化回路３９に供給さ
れ、フレーム構造のデータに変換される。このフレーム
化回路３９では、画素系のクロックと記録系のクロック
との乗り換えが行われる。

【００６２】次いで、フレーム化回路３９の出力信号が
エラー訂正符号のパリティ発生回路４０に供給され、エ
ラー訂正符号のパリティが生成される。パリティ発生回
路４０の出力信号はチャンネルエンコーダ４１に供給さ
れ、記録データの低域部分を減少させるようなチャンネ
ルコーディングがなされる。チャンネルエンコーダ４１
の出力信号が記録アンプ４２Ａ，４２Ｂと回転トランス
（図示は省略する。）を介して一対の磁気ヘッド４３
Ａ，４３Ｂに供給され、磁気テープに記録される。な
お、オーディオ信号と、ビデオ信号とは別に圧縮符号化
され、チャンネルエンコーダ４１に供給される。

【００６３】上述の信号処理によって、入力のデータ量
２１６Ｍｂｐｓが有効走査期間のみを抽出するによって
約１６７Ｍｂｐｓに低減され、さらに周波数変換とサブ
サンプル、サブラインとによってこれが８４Ｍｂｐｓに
減少される。このデータは、ブロック符号化回路３８で
圧縮符号化することにより、約２５Ｍｂｐｓに圧縮さ
れ、その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的な情
報を加えて、記録データ量としては３１．５６Ｍｂｐｓ
となる。

【００６４】次に、再生側の構成について図４を参照し
ながら説明する。再生の際には、図４に示すように、先
ず磁気ヘッド４３Ａ，４３Ｂからの再生データが回転ト
ランス及び再生アンプ４４Ａ，４４Ｂを介してチャンネ
ルデコーダ４５に供給される。チャンネルデコーダ４５
において、チャンネルコーディングの復調がされ、チャ
ンネルデコーダ４５の出力信号がＴＢＣ回路（時間軸補
正回路）４６に供給される。このＴＢＣ回路４６におい
て、再生信号の時間軸変動成分が除去される。ＴＢＣ回
路４６からの再生データがＥＣＣ回路４７に供給され、
エラー訂正符号を用いたエラー訂正とエラー修整とが行
われる。ＥＣＣ回路４７の出力信号がフレーム分解回路
４８に供給される。

【００６５】フレーム分解回路４８によって、ブロック
符号化データの各成分がそれぞれ分離されるとともに、
記録系のクロックから画素系のクロックへの乗り換えが
なされる。フレーム分解回路４８で分離された各データ
がブロック複号回路４９に供給され、各ブロック単位に
原データと対応する復元データが複号され、複号データ
が分配回路５０に供給される。この分配回路５０で複号
データが輝度信号と色差信号に分離される。輝度信号及
び色差信号がブロック分解回路５１，５２にそれぞれ供
給される。ブロック分解回路５１，５２は、送信側のブ
ロック化回路３５，３６とは逆に、ブロックの順序の複
号データをラスター走査の順に変換する。

【００６６】ブロック分解回路５１からの複号輝度信号
が補間フィルタ５３に供給される。補間フィルタ５３で
は、輝度信号のサンプリングレートが３ｆｓから４ｆｓ
（４ｆｓ＝１３．５ＭＨｚ）に変換される。補間フィル
タ５３からのディジタル輝度信号Ｙは出力端子５６Ｙに
取り出される。

【００６７】一方、ブロック分解回路５２からのディジ
タル色差信号が分配回路５４に供給され、線順次化され
たディジタル色差信号Ｕ，Ｖがディジタル色差信号Ｕ及
びＶにそれぞれ分離される。分配回路５４からのディジ
タル色差信号Ｕ，Ｖが補間回路５５に供給され、それぞ
れ補間される。補間回路５５は、復元された画素データ
を用いて間引かれたライン及び画素のデータを補間する
もので、補間回路５５からはサンプリングレートが２ｆ
ｓのディジタル色差信号Ｕ及びＶが得られ、出力端子５
６Ｕ，５６Ｖにそれぞれ取り出される。

【００６８】ｂ．ブロック符号化 図３におけるブロック符号化回路３８としては、ＡＤＲ
Ｃ（ＡｄａｐｔｉｖｅＤｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｇｅ Ｃ
ｏｄｉｎｇ）エンコーダが用いられる。このＡＤＲＣエ
ンコーダは、各ブロックに含まれる複数の画素データの
最大値ＭＡＸと最小値ＭＩＮを検出し、これら最大値Ｍ
ＡＸ及び最小値ＭＩＮからブロックのダイナミックレン
ジＤＲを検出し、このダイナミックレンジＤＲに適応し
た符号化を行い、原画素データのビット数よりも少ない
ビット数により、再量子化を行うものである。ブロック
符号化回路３８の他の例としては、各ブロックの画素デ
ータをＤＣＴ（Ｄｉｓｃｒｅｔｅ Ｃｏｓｉｎｅ Ｔｒ
ａｎｓｆｏｒｍ）した後、このＤＣＴで得られた係数デ
ータを量子化し、量子化データをランレングス・ハフマ
ン符号化して圧縮符号化する構成を用いてもよい。

【００６９】ここでは、ＡＤＲＣエンコーダを用い、さ
らにマルチダビングした時にも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図７を参照しながら説明する。図７におい
て、入力端子５７に例えば１サンプルが８ビットに量子
化されたディジタルビデオ信号（或いはディジタル色差
信号）が図３の合成回路３７より入力される。入力端子
５７からのブロック化データが最大値，最小値検出回路
５９及び遅延回路６０に供給される。最大値，最小値検
出回路５９は、ブロック毎に最小値ＭＩＮ、最大値ＭＡ
Ｘを検出する。遅延回路６０からは、最大値及び最小値
が検出されるのに要する時間、入力データを遅延させ
る。遅延回路６０からの画素データが比較回路６１及び
比較回路６２に供給される。

【００７０】最大値，最小値検出回路５９からの最大値
ＭＡＸが減算回路６３に供給され、最小値ＭＩＮが加算
回路６４に供給される。これらの減算回路６３及び加算
回路６４には、ビットシフト回路６５から４ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化した場合の１量子化ス
テップ幅の値（△＝１／１６ＤＲ）が供給される。ビッ
トシフト回路６５は、（１／１６）の割算を行うよう
に、ダイナミックレンジＤＲを４ビットシフトする構成
とされている。減算回路６３からは（ＭＡＸ−△）のし
きい値が得られ、加算回路６４からは（ＭＩＮ＋△）の
しきい値が得られる。これらの減算回路６３及び加算回
路６４からのしきい値が比較回路６１，６２にそれぞれ
供給される。なお、このしきい値を規定する値△は、量
子化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相当する固定
値としてもよい。

【００７１】比較回路６１の出力信号がＡＮＤゲート６
６に供給され、比較回路６２の出力信号がＡＮＤゲート
６７に供給される。ＡＮＤゲート６６及びＡＮＤゲート
６７には、遅延回路６０からの入力データが供給され
る。比較回路６１の出力信号は、入力データがしきい値
より大きい時にハイレベルとなり、したがってＡＮＤゲ
ート６６の出力端子には、（ＭＡＸ〜ＭＡＸ−△）の最
大レベル範囲に含まれる入力データの画素データが抽出
される。一方、比較回路６２の出力信号は、入力データ
がしきい値より小さい時にハイレベルとなり、したがっ
てＡＮＤゲート６７の出力端子には、（ＭＩＮ〜ＭＩＮ
＋△）の最小レベル範囲に含まれる入力データの画素デ
ータが抽出される。

【００７２】ＡＮＤゲート６６の出力信号が平均化回路
６８に供給され、ＡＮＤゲート６７の出力信号が平均化
回路６９に供給される。これらの平均化回路６８，６９
は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子７０か
らブロック周期のリセット信号が平均化回路６８，６９
に供給されている。平均化回路６８からは、（ＭＡＸ〜
ＭＡＸ−△）の最大レベル範囲に属する画素データの平
均値ＭＡＸ´が得られ、平均化回路６９からは（ＭＩＮ
〜ＭＩＮ＋△）の最小レベル範囲に属する画素データの
平均値ＭＩＮ´が得られる。平均値ＭＡＸ´から平均値
ＭＩＮ´が減算回路７１で減算され、この減算回路７１
からダイナミックレンジＤＲ´が得られる。

【００７３】また、平均値ＭＩＮ´が減算回路７２に供
給され、遅延回路７３を介された入力データから平均値
ＭＩＮ´が減算回路７２において減算され、最小値除去
後のデータＰＤＩが形成される。このデータＰＤＩ及び
修整されたダイナミックレンジＤＲ´が量子化回路７４
に供給される。この実施例では、量子化に割り当てられ
るビット数ｎが０ビット（コード信号を転送しない）、
１ビット、２ビット、３ビット、４ビットの何れかとさ
れる可変長のＡＤＲＣであって、エッジマッチング量子
化がなされる。割り当てビット数ｎは、ブロック毎にビ
ット数決定回路７５において決定され、ビット数ｎのデ
ータが量子化回路７４に供給される。

【００７４】可変長ＡＤＲＣは、ダイナミックレンジＤ
Ｒ´が小さいブロックでは、割り当てビット数ｎを少な
くし、ダイナミックレンジＤＲ´が大きいブロックで
は、割り当てビット数ｎを多くすることで、効率の良い
符号化を行うことができる。すなわち、ビット数ｎを決
定する際のしきい値をＴ１〜Ｔ４（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜
Ｔ４）とすると、（ＤＲ´＜Ｔ１）のブロックは、コー
ド信号が転送されず、ダイナミックレンジＤＲ´の情報
のみが転送され、（Ｔ１≦ＤＲ´＜Ｔ２）のブロック
は、（ｎ＝１）とされ、（Ｔ２≦ＤＲ´＜Ｔ３）のブロ
ックは、（ｎ＝２）とされ、（Ｔ３≦ＤＲ´＜Ｔ４）の
ブロックは、（ｎ＝３）とされ、（ＤＲ´≧Ｔ４）のブ
ロックは、（ｎ＝４）とされる。

【００７５】かかる可変長ＡＤＲＣではしきい値Ｔ１〜
Ｔ４を変えることで、発生情報量を制御すること（いわ
ゆるバッファリング）ができる。したがって、１フィー
ルド或いは、１フレーム当たりの発生情報量を所定値に
することが要求されるこの発明のディジタルビデオテー
プレコーダのような伝送路に対しても可変長ＡＤＲＣを
適用できる。

【００７６】発生情報量を所定値にするためのしきい値
Ｔ１〜Ｔ４を決定するバッファリング回路７６では、し
きい値の組（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）が複数例えば３
２組用意されており、これらのしきい値の組がパラメー
タコードＰｉ（ｉ＝０、１、２・・・・３１）により区
別される。パラメータコードＰｉの番号ｉが大きくなる
に従って、発生情報量が単調に減少するように設定され
ている。ただし、発生情報量が減少するに従って、復元
画像の画質が劣化する。

【００７７】バッファリング回路７６からのしきい値Ｔ
１〜Ｔ４が比較回路７７に供給され、遅延回路７８を介
されたダイナミックレンジＤＲ´が比較回路７７に供給
される。遅延回路７８は、バッファリング回路７６でし
きい値の組が決定されるのに要する時間、ＤＲ´を遅延
させる。比較回路７７では、ブロックのダイナミックレ
ンジＤＲ´と各しきい値とがそれぞれ比較され、比較出
力がビット数決定回路７５に供給され、そのブロックの
割り当てビット数ｎが決定される。量子化回路７４で
は、ダイナミックレンジＤＲ´と割り当てビット数ｎと
を用いて遅延回路７９を介された最小値除去後のデータ
ＰＤＩがエッジマッチングの量子化により、コード信号
ＤＴに変換される。量子化回路７４は、例えばＲＯＭで
構成されている。

【００７８】遅延回路７８、８０をそれぞれ介して修整
されたダイナミックレンジＤＲ´、平均値ＭＩＮ´が出
力され、さらにコード信号ＤＴとしきい値の組を示すパ
ラメータコードＰｉが出力される。この例では、一旦ノ
ンエッジマッチ量子化された信号が新たにダイナミック
レンジ情報に基づいて、エッジマッチ量子化されている
ためにダビングした時の画像劣化は少ないものとされ
る。

【００７９】ｃ．チャンネルエンコーダ及びチャンネル
デコーダ 次に、図３のチャンネルエンコーダ４１及びチャンネル
デコーダ４５について説明する。チャンネルエンコーダ
４１においては、図８に示すように、パリティ発生回路
４０の出力が供給される適応型スクランブル回路で、複
数のＭ系列のスクランブル回路８１が用意され、その中
で入力信号に対し最も高周波成分及び直流成分の少ない
出力が得られるようなＭ系列が選択されるように構成さ
れている。パーシャルレスポンス・クラス４検出方式の
ためのプリコーダ８２で、１／１−Ｄ² （Ｄは単位遅延
用回路）の演算処理がなされる。このプリコーダ８２の
出力を記録アンプ４２Ａ，４２Ｂを介して磁気ヘッド４
３Ａ，４３Ｂにより、記録再生し、再生出力を再生アン
プ４４Ａ，４４Ｂによって増幅するようになされてい
る。

【００８０】一方、チャンネルデコーダ４５において
は、図９に示すように、パーシャルレスポンス・クラス
４の再生側の演算処理回路８３は、１＋Ｄの演算が再生
アンプ４４Ａ，４４Ｂの出力に対して行われる。また、
いわゆるビタビ複号回路８４においては、演算処理回路
８３の出力に対してデータの相関性や確からしさ等を用
いた演算により、ノイズに強いデータの複号が行われ
る。このビタビ複号回路８４の出力がディスクランブル
回路８５に供給され、記録側のスクランブル処理によっ
て並び変えられたデータが元の系列に戻されて原データ
が復元される。この実施例において用いられるビタビ複
号回路８４によって、ビット毎の複号を行う場合より
も、再生Ｃ／Ｎ換算が３ｄＢで改良が得られる。

【００８１】ｄ．走行系 磁気ヘッド４３Ａ及び磁気ヘッド４３Ｂは、図１０に示
すように、一体構造とされた形でドラム１０６に取付け
られる。ドラム１０６の周面には、１８０°よりやや大
きいか、あるいはやや小さい巻き付け角で磁気テープ
（図示せず。）が斜めに巻き付けられており、磁気ヘッ
ド４３Ａ及び磁気ヘッド４３Ｂが同時に磁気テープを走
査するように構成される。

【００８２】また、前記磁気ヘッド４３Ａ及び磁気ヘッ
ド４３Ｂのギャップの向きは、互いに反対側に傾くよう
に（例えば磁気ヘッド４３Ａはトラック幅方向に対して
＋２０°、磁気ヘッド４３Ｂは−２０°傾斜するよう
に）設定されており、再生時にいわゆるアジマス損失に
よって隣接トラック間のクロストーク量を低減するよう
になされている。

【００８３】図１１及び図１２は、磁気ヘッド４３Ａ，
４３Ｂを一体構造（いわゆるダブルアジマスヘッド）と
した場合のより具体的な構成を示すもので、例えば高速
で回転される上ドラム１０６に一体構造の磁気ヘッド４
３Ａ，４３Ｂが取り付けられ、下ドラム１０７が固定と
されている。ここで、磁気テープ１０８の巻き付け角θ
は１６６°、ドラム径φは１６．５mmである。

【００８４】したがって、磁気テープ１０８には、１フ
ィールドのデータが５本のトラックに分割して記録され
る。このセグメント方式により、トラックの長さを短く
することができ、トラックの直線性に起因するエラーを
小さくすることができる。

【００８５】上述のように、ダブルアジマスヘッドで同
時記録を行うようにすることで、１８０°の対向角度で
一対の磁気ヘッドが配置されたものと比較して直線性に
起因するエラー量を小さくすることができ、またヘッド
間距離が小さいのでペアリング調整をより正確に行うこ
とができる。したがって、このような走行系により、幅
狭のトラックで記録・再生を行うことができる。

【００８６】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、磁性層を形成するための蒸着時に、複数使用さ
れるルツボの位置を非磁性支持体の走行方向にずらすこ
とによって１回の蒸着工程で多層構造を有する磁性層を
形成することができるので、生産性が著しく向上する。

【００８７】また、上記ルツボの位置に応じて、各ルツ
ボより蒸発せしめられる磁性材料の非磁性支持体表面に
対する入射角が異なるので、得られる磁性層においては
上層側の磁化容易軸の傾きが下層側のそれよりも大きく
なるように形成できる。この結果、記録信号の記録深さ
に対応した磁性層を形成することができ、高出力媒体を
得ることが可能となる。

【００８８】更に、本発明によれば、得られた各磁性薄
膜間に中間酸化層が介在するのを防ぐことが可能である
ので、エネルギー積を十分に確保することができ、高出
力化に有利である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の一例の構成を示す断面
図である。

【図２】本発明の磁気記録媒体を製造する際に使用され
る製造装置の一例を示す模式図である。

【図３】ディジタル画像信号を再生歪みが少ないような
形で圧縮いて記録するディジタルＶＴＲの信号処理部の
記録側の構成を示すブロック図である。

【図４】信号処理部の再生側の構成を示すブロック図で
ある。

【図５】ブロック符号化のためのブロックの一例を示す
略線図である。

【図６】サブサンプリング及びサブラインの説明のため
の略線図である。

【図７】ブロック符号化回路の一例を示すブロック図で
ある。

【図８】チャンネルエンコーダの一例の概略を示すブロ
ック図である。

【図９】チャンネルデコーダの一例の概略を示すブロッ
ク図である。

【図１０】磁気ヘッドの配置の一例を模式的に示す平面
図である。

【図１１】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す平面図である。

【図１２】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す正面図である。

【図１３】従来の磁気記録媒体の構成を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１・・・非磁性支持体 ２ａ・・・第一層目の磁性薄膜 ２ｂ・・・第二層目の磁性薄膜 ３・・・磁性層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体上に真空蒸着法により複数
   の磁性薄膜が積層形成されてなる磁気記録媒体におい
   て、 上記非磁性支持体上の第ｎ層目の磁性薄膜の磁化容易軸
   の傾きα_n と、第ｎ−１層目の磁性薄膜の磁化容易軸の
   傾きα_n-1 との間に α_n-1 ＜α_n （ｎは２以上の自然数） なる関係が成立することを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 非磁性支持体上に真空蒸着法により複数
   の磁性薄膜を積層形成するに際し、複数のルツボを配設
   し、これらルツボより蒸発せしめられた磁性材料の上記
   非磁性支持体の表面に対する入射角が上記ルツボの位置
   に応じてそれぞれ異なるようにすることを特徴とする磁
   気記録媒体の製造方法。