JPH05174701A - 陰極構体 - Google Patents
陰極構体Info
- Publication number
- JPH05174701A JPH05174701A JP34075791A JP34075791A JPH05174701A JP H05174701 A JPH05174701 A JP H05174701A JP 34075791 A JP34075791 A JP 34075791A JP 34075791 A JP34075791 A JP 34075791A JP H05174701 A JPH05174701 A JP H05174701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- magnesium
- cathode substrate
- electron gun
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高寿命化を図る。
【構成】 ニッケルを主成分としてマグネシウムを含む
陰極基体１２と、この陰極基体１２の主表面に塗布され
た酸化物とからなる陰極構体において、前記裏面にマグ
ネシウムが熱拡散し難い高融点金属層１４を設けてな
る。
陰極基体１２と、この陰極基体１２の主表面に塗布され
た酸化物とからなる陰極構体において、前記裏面にマグ
ネシウムが熱拡散し難い高融点金属層１４を設けてな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、陰極構体に係り、その
陰極基体の改良に関する。
陰極基体の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子銃の構成部材となる陰極構体は、一
般には、ニッケルを主成分としてマグネシウムを含む陰
極基体の主表面にたとえば（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）Ｏから
なるエミッタ層が形成されたものとなっている（特開昭
６３−３１４７４１，電子通信学会技術研究報告 ８
２， ４９〜５６（８２）など）。
般には、ニッケルを主成分としてマグネシウムを含む陰
極基体の主表面にたとえば（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）Ｏから
なるエミッタ層が形成されたものとなっている（特開昭
６３−３１４７４１，電子通信学会技術研究報告 ８
２， ４９〜５６（８２）など）。
【０００３】ここで、陰極基体にマグネシウムが含まれ
ている理由は、エミッタ層の酸化バリウムと反応し、こ
の反応によって生じるバリウムがエミッションに寄与す
るからである。
ている理由は、エミッタ層の酸化バリウムと反応し、こ
の反応によって生じるバリウムがエミッションに寄与す
るからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成からなる陰極構体によれば、その使用時におい
て、陰極基体内に含有されているマグネシウムが陰極基
体の裏面側から蒸発するという問題点を残していた。
うな構成からなる陰極構体によれば、その使用時におい
て、陰極基体内に含有されているマグネシウムが陰極基
体の裏面側から蒸発するという問題点を残していた。
【０００５】このため、電子放射に全く寄与しないまま
マグネシウムの消耗を早めてしまい、寿命の低下をもた
らしていた。
マグネシウムの消耗を早めてしまい、寿命の低下をもた
らしていた。
【０００６】それ故、本発明は、このような事情に基づ
いてなされたものであり、その目的とするところのもの
は、高寿命を図った陰極構体を提供することにある。
いてなされたものであり、その目的とするところのもの
は、高寿命を図った陰極構体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、基本的には、ニッケルを主成分と
してマグネシウムを含む陰極基体と、この陰極基体の主
表面に塗布された酸化物とからなる陰極構体において、
前記裏面にマグネシウムが熱拡散し難い高融点金属層を
設けてなるものである。
るために、本発明は、基本的には、ニッケルを主成分と
してマグネシウムを含む陰極基体と、この陰極基体の主
表面に塗布された酸化物とからなる陰極構体において、
前記裏面にマグネシウムが熱拡散し難い高融点金属層を
設けてなるものである。
【０００８】
【作用】このように構成した陰極構体は、その陰極基体
の裏面にマグネシウムが拡散し難い高融点金属層が設け
られているため、陰極基体内のマグネシウムはその裏面
側から蒸発することを抑制されることになる。
の裏面にマグネシウムが拡散し難い高融点金属層が設け
られているため、陰極基体内のマグネシウムはその裏面
側から蒸発することを抑制されることになる。
【０００９】このため、陰極基体内のマグネシウムはそ
の大部分において陰極基体の主表面の酸化物と反応し、
エミッションに寄与する材料を生成することができるよ
うになる。
の大部分において陰極基体の主表面の酸化物と反応し、
エミッションに寄与する材料を生成することができるよ
うになる。
【００１０】したがって、マグネシウムが無駄に蒸発し
て損耗するようなことがなくなることから、高寿命化が
図れるようになる。
て損耗するようなことがなくなることから、高寿命化が
図れるようになる。
【００１１】
【実施例】図２は、本発明による陰極構体が適用される
カラーブラウン管の一実施例を示す一部破断構成図であ
る。
カラーブラウン管の一実施例を示す一部破断構成図であ
る。
【００１２】同図において、映像面側から、フェースパ
ネル２１、蛍光体膜２２、シャドウマスク２３、電子銃
２５がそれぞれ順次配置されている。そして、フェース
パネル２１側からつぼまって電子銃２５を内包するよう
にしてファネル２６が設けられている。
ネル２１、蛍光体膜２２、シャドウマスク２３、電子銃
２５がそれぞれ順次配置されている。そして、フェース
パネル２１側からつぼまって電子銃２５を内包するよう
にしてファネル２６が設けられている。
【００１３】ここで、電子銃２５から放射された電子ビ
ーム２７は、ファネル２６の外面に配置された偏向ヨー
クの磁界で偏向作用を受け、シャドウマスク２３を通過
して蛍光体膜２２に照射されるようになっている。
ーム２７は、ファネル２６の外面に配置された偏向ヨー
クの磁界で偏向作用を受け、シャドウマスク２３を通過
して蛍光体膜２２に照射されるようになっている。
【００１４】図３は、図２に示した電子銃２５の一実施
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
【００１５】電子銃２５は、同じ構造の青電子銃２５
Ｂ、赤電子銃２５Ｒ、および緑電子銃２５Ｇからなり、
各電子銃はそれぞれの中心軸が正三角形の各頂点に位置
付けられるように配置されたものである。
Ｂ、赤電子銃２５Ｒ、および緑電子銃２５Ｇからなり、
各電子銃はそれぞれの中心軸が正三角形の各頂点に位置
付けられるように配置されたものである。
【００１６】そして、これら各電子銃は、ガラス支持ビ
ード２８によって固定され、その蛍光体膜２２側（前方
部）にはコンバゼンス磁極２９が設けられたものとなっ
ており、また、後方部にはベースが設けられたものとな
っている。
ード２８によって固定され、その蛍光体膜２２側（前方
部）にはコンバゼンス磁極２９が設けられたものとなっ
ており、また、後方部にはベースが設けられたものとな
っている。
【００１７】そして、図４は、図３におけるたとえば青
電子銃２５Ｂを取りだして示した斜視分解構成図であ
る。円筒状からなる第１グリッドＧ1、第２グリッド
Ｇ2、第３グリッドＧ3、第４グリッドＧ4が、それぞれ
中心軸を一致づけて配置され、前記第１グリッドＧ1内
に、本実施例で特に改良された陰極構体１が内臓され、
さらに、この陰極構体１内にヒータ２が内臓されてい
る。
電子銃２５Ｂを取りだして示した斜視分解構成図であ
る。円筒状からなる第１グリッドＧ1、第２グリッド
Ｇ2、第３グリッドＧ3、第４グリッドＧ4が、それぞれ
中心軸を一致づけて配置され、前記第１グリッドＧ1内
に、本実施例で特に改良された陰極構体１が内臓され、
さらに、この陰極構体１内にヒータ２が内臓されてい
る。
【００１８】図１は、前記陰極構体１と、この陰極構体
１に内臓されたヒータ２のさらに詳細な構成を示す断面
図である。
１に内臓されたヒータ２のさらに詳細な構成を示す断面
図である。
【００１９】同図において、電子銃の中心線と一致づけ
られて配置されたとえばニクロムから構成される円筒体
１１があり、この円筒体１１内にはヒータ２が配置され
ている。そして、この円筒体１１の前方部には陰極基体
１２が配置されている。
られて配置されたとえばニクロムから構成される円筒体
１１があり、この円筒体１１内にはヒータ２が配置され
ている。そして、この円筒体１１の前方部には陰極基体
１２が配置されている。
【００２０】この陰極基体１２は、たとえば、ニッケル
（Ｎｉ）あるいはニッケル−タングステン（Ｗ）を主成
分として、還元性金属であるマグネシウム（Ｍｇ）、シ
リコン（Ｓｉ）等を０．０１〜０．１重量パーセントの
範囲で含有して構成されたものとなっている。ここで、
マグネシウム、シリコンからなるこれらの還元性金属は
後述するエミッタ層１３中のＢａＯを還元してＢａを生
成するために添加されるものである。
（Ｎｉ）あるいはニッケル−タングステン（Ｗ）を主成
分として、還元性金属であるマグネシウム（Ｍｇ）、シ
リコン（Ｓｉ）等を０．０１〜０．１重量パーセントの
範囲で含有して構成されたものとなっている。ここで、
マグネシウム、シリコンからなるこれらの還元性金属は
後述するエミッタ層１３中のＢａＯを還元してＢａを生
成するために添加されるものである。
【００２１】そして、このように構成される陰極基体１
２の前方部側に位置付けられる表面（主表面）には、エ
ミッタ層１３が塗布形成されている。
２の前方部側に位置付けられる表面（主表面）には、エ
ミッタ層１３が塗布形成されている。
【００２２】このエミッタ層１３は、その材料が（Ｂ
ａ、Ｓｒ、Ｃａ）Ｏで構成され、直径１〜２μｍ、長さ
１０〜１５μｍの粉体からなっている。なお、（Ｂａ、
Ｓｒ、Ｃａ）Ｏは、電子管内に組み込む前において（Ｂ
ａ、Ｓｒ、Ｃａ）ＣＯ3からなる材料を電子管の真空排
気工程で加える熱処理の際の熱による熱分解で得られる
ものとなっている。
ａ、Ｓｒ、Ｃａ）Ｏで構成され、直径１〜２μｍ、長さ
１０〜１５μｍの粉体からなっている。なお、（Ｂａ、
Ｓｒ、Ｃａ）Ｏは、電子管内に組み込む前において（Ｂ
ａ、Ｓｒ、Ｃａ）ＣＯ3からなる材料を電子管の真空排
気工程で加える熱処理の際の熱による熱分解で得られる
ものとなっている。
【００２３】さらに、前記陰極基体１２の裏面には、た
とえばタングステン（Ｗ）からなる高融点金属層１４が
形成されており、このタングステンからなる高融点金属
層１４は、陰極基体１２からのマグネシウムが熱拡散し
難くしている金属層として設けられたものとなってい
る。したがって、このようなことから、必ずしもタング
ステンに限定されることなく、たとえば、モリブデン
（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、レニウム（Ｒｅ）等から
なる金属層であってもよい。
とえばタングステン（Ｗ）からなる高融点金属層１４が
形成されており、このタングステンからなる高融点金属
層１４は、陰極基体１２からのマグネシウムが熱拡散し
難くしている金属層として設けられたものとなってい
る。したがって、このようなことから、必ずしもタング
ステンに限定されることなく、たとえば、モリブデン
（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、レニウム（Ｒｅ）等から
なる金属層であってもよい。
【００２４】このような構成からなる陰極構体１は、た
とえば厚さ０．１５ｍｍの陰極基体を約４５０℃に加熱
し、該陰極基体の一方の面にスパッタリング方法で約
０．０１ｍｍの厚さからなるタングステン層を形成し、
その後、他方の面に５０：４０：１０モルパーセントの
（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）Ｏ層を約０．０９ｍｍの厚さで塗
布形成して製造することができる。
とえば厚さ０．１５ｍｍの陰極基体を約４５０℃に加熱
し、該陰極基体の一方の面にスパッタリング方法で約
０．０１ｍｍの厚さからなるタングステン層を形成し、
その後、他方の面に５０：４０：１０モルパーセントの
（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）Ｏ層を約０．０９ｍｍの厚さで塗
布形成して製造することができる。
【００２５】このように構成した陰極構体１によれば、
その陰極基体１２の裏面にたとえばタングステン層１４
のようにマグネシウムが拡散し難い高融点金属層が設け
られているため、陰極基体１２内のマグネシウムはその
裏面側から蒸発することを抑制されることになる。
その陰極基体１２の裏面にたとえばタングステン層１４
のようにマグネシウムが拡散し難い高融点金属層が設け
られているため、陰極基体１２内のマグネシウムはその
裏面側から蒸発することを抑制されることになる。
【００２６】このため、陰極基体１２内のマグネシウム
はその大部分において陰極基体１２の主表面のエミッタ
層１３の酸化物と反応し、エミッションに寄与する材料
を生成することができるようになる。
はその大部分において陰極基体１２の主表面のエミッタ
層１３の酸化物と反応し、エミッションに寄与する材料
を生成することができるようになる。
【００２７】したがって、マグネシウムが無駄に蒸発し
て損耗するようなことがなくなることから、高寿命化が
図れるようになる。
て損耗するようなことがなくなることから、高寿命化が
図れるようになる。
【００２８】上述した実施例のように構成した陰極構体
によると、従来約８５０℃の動作温度で約１，５００時
間後に電子放射の低下が認められるのに対し、約５，５
００時間までその時間を延長できることが判明した。ま
た、Ｘ線分析の結果、タングステン層へのマグネシウム
の拡散は認められたが、タングステン層表面にまでは達
していないことが判明しマグネシウムの充分な熱拡散の
抑制効果が確かめられた。
によると、従来約８５０℃の動作温度で約１，５００時
間後に電子放射の低下が認められるのに対し、約５，５
００時間までその時間を延長できることが判明した。ま
た、Ｘ線分析の結果、タングステン層へのマグネシウム
の拡散は認められたが、タングステン層表面にまでは達
していないことが判明しマグネシウムの充分な熱拡散の
抑制効果が確かめられた。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による陰極
構体によれば、高寿命化を図ることができるようにな
る。
構体によれば、高寿命化を図ることができるようにな
る。
【図１】 本発明による陰極構体の一実施例を示す断面
図である。
図である。
【図２】 本発明が適用されるカラーブラン管の一実施
例を示す一部破断構成図である。
例を示す一部破断構成図である。
【図３】 図２に示す電子銃の一実施例を示す斜視構成
図である。
図である。
【図４】 図３に示す電子銃のうち青電子銃の一実施例
を示す斜視分解構成図である。
を示す斜視分解構成図である。
１…陰極構体、２…ヒータ、１２…陰極基体、１３…エ
ミッタ層、１４…タングステン層。
ミッタ層、１４…タングステン層。
Claims (1)
- 【請求項１】 ニッケルを主成分としてマグネシウムを
含む陰極基体と、この陰極基体の主表面に塗布された酸
化物とからなる陰極構体において、前記裏面にマグネシ
ウムが熱拡散し難い高融点金属層を設けてなることを特
徴とする陰極構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34075791A JPH05174701A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 陰極構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34075791A JPH05174701A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 陰極構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05174701A true JPH05174701A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18340019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34075791A Pending JPH05174701A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 陰極構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05174701A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000025338A1 (en) * | 1998-10-28 | 2000-05-04 | Matsushita Electronics Corporation | Cathod structure for cathode ray tube |
-
1991
- 1991-12-24 JP JP34075791A patent/JPH05174701A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000025338A1 (en) * | 1998-10-28 | 2000-05-04 | Matsushita Electronics Corporation | Cathod structure for cathode ray tube |
| US6492765B1 (en) | 1998-10-28 | 2002-12-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Cathode structure for cathode ray tube |
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