JPH065198A - 陰極素子を含む陰極 - Google Patents
陰極素子を含む陰極Info
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- JPH065198A JPH065198A JP4276893A JP4276893A JPH065198A JP H065198 A JPH065198 A JP H065198A JP 4276893 A JP4276893 A JP 4276893A JP 4276893 A JP4276893 A JP 4276893A JP H065198 A JPH065198 A JP H065198A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/14—Solid thermionic cathodes characterised by the material
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- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 所定の温度でより高い放出電流密度及び長い
寿命を達成可能な陰極素子を提供する。 【構成】 ２つの面間に多孔性陰極素子を有する高融点
金属の陰極。孔は１０００ｎｍより小さい直径を有し、
片面又は両面に開いている。陰極素子は放出材料を含
み、又は含浸した陰極の上部に外部素子として形成され
得る。
寿命を達成可能な陰極素子を提供する。 【構成】 ２つの面間に多孔性陰極素子を有する高融点
金属の陰極。孔は１０００ｎｍより小さい直径を有し、
片面又は両面に開いている。陰極素子は放出材料を含
み、又は含浸した陰極の上部に外部素子として形成され
得る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２つの向かい合った面
間に高融点金属（特にタングステン、タンタル、レニウ
ム、イリジウム、オスミウムのような）からなる多孔性
陰極素子を含む陰極に関する。
間に高融点金属（特にタングステン、タンタル、レニウ
ム、イリジウム、オスミウムのような）からなる多孔性
陰極素子を含む陰極に関する。
【０００２】
【従来の技術】性能要求が増々厳しくなるので、真空電
子管、例えば、受像管、Ｘ線管及び高周波数及びマイク
ロ波技術の一般的な管の電子エミッタは可能な低い操作
温度で放出電流密度が高く、寿命が長く、残留気体の毒
性に対して抵抗性が高く及び電子衝撃の間の挙動が安定
でなければならない。
子管、例えば、受像管、Ｘ線管及び高周波数及びマイク
ロ波技術の一般的な管の電子エミッタは可能な低い操作
温度で放出電流密度が高く、寿命が長く、残留気体の毒
性に対して抵抗性が高く及び電子衝撃の間の挙動が安定
でなければならない。
【０００３】ＨＤＴＶ陰極は２０Ａ／ｃｍ2 の放出電流
密度を有し、作動温度は１０００℃より十分に低く、一
方２００００時間より寿命が長いことが要求される。今
日の高性能のＸ線管の陰極は１０-3mbarまでの比較的高
い残留気体の圧力で且つ強いイオン衝撃の下で１０Ａ／
ｃｍ2 の放出電流密度を有する。
密度を有し、作動温度は１０００℃より十分に低く、一
方２００００時間より寿命が長いことが要求される。今
日の高性能のＸ線管の陰極は１０-3mbarまでの比較的高
い残留気体の圧力で且つ強いイオン衝撃の下で１０Ａ／
ｃｍ2 の放出電流密度を有する。
【０００４】陰極の最も重要な性質の基準は、その寿命
を通じて安定した高い放出電流密度である。電子に対し
て所定の動作機能を有する既知の材料では、電子放出は
温度の増加につれて指数関数的に増加し得る。しかしな
がら、このことはパワーの散逸の増加、放射固体構造体
又はその加熱素子の機械的安定性の減少、放射材料の蒸
発のためにディスペンサ材料の急激な消耗及び管の系成
分（例えば格子）の有害な汚染を引き起こすことがあ
り、その結果、それ自体は電子放射に好ましい温度増加
に限度を設けなければならない。
を通じて安定した高い放出電流密度である。電子に対し
て所定の動作機能を有する既知の材料では、電子放出は
温度の増加につれて指数関数的に増加し得る。しかしな
がら、このことはパワーの散逸の増加、放射固体構造体
又はその加熱素子の機械的安定性の減少、放射材料の蒸
発のためにディスペンサ材料の急激な消耗及び管の系成
分（例えば格子）の有害な汚染を引き起こすことがあ
り、その結果、それ自体は電子放射に好ましい温度増加
に限度を設けなければならない。
【０００５】高温操作ではわずかの高融点金属のみ、特
に耐熱性を有する金属Ｗ，Ｒe 及びＴa が適当である。
これは低蒸発速度の要求を同時に満たさなければならな
いからである。
に耐熱性を有する金属Ｗ，Ｒe 及びＴa が適当である。
これは低蒸発速度の要求を同時に満たさなければならな
いからである。
【０００６】純粋な金属の高温操作の利点は陰極表面の
汚染（ポイゾニング）が低いこと及びイオン衝撃に対し
て感度が低いことである。純粋なタングステンでさえ５
Ａ／ｃｍ2 を超える高放出電流密度及び１０3 ｈを超え
る寿命に対して不適である。一方、このような放出条件
を、電子動作機能を減ずるために適当な表面錯体（吸着
質／基質双極子層）を形成することにより満たさなけれ
ばならない。そして、比較的低い操作温度で且つ少ない
エネルギーロスで高放出電流密度が得られる。実際上は
Ｗ／ＴｈＯ2 , Ｗ／Ｔｈ，Ｗ／Ｂａ, Ｗ／ＢａＯ, Ｗ／
Ｓｃ2 Ｏ3 ／Ｂa Ｏ／ＣａＯ／Ａｌ2 Ｏ3 の材料の組合
せを用いる。
汚染（ポイゾニング）が低いこと及びイオン衝撃に対し
て感度が低いことである。純粋なタングステンでさえ５
Ａ／ｃｍ2 を超える高放出電流密度及び１０3 ｈを超え
る寿命に対して不適である。一方、このような放出条件
を、電子動作機能を減ずるために適当な表面錯体（吸着
質／基質双極子層）を形成することにより満たさなけれ
ばならない。そして、比較的低い操作温度で且つ少ない
エネルギーロスで高放出電流密度が得られる。実際上は
Ｗ／ＴｈＯ2 , Ｗ／Ｔｈ，Ｗ／Ｂａ, Ｗ／ＢａＯ, Ｗ／
Ｓｃ2 Ｏ3 ／Ｂa Ｏ／ＣａＯ／Ａｌ2 Ｏ3 の材料の組合
せを用いる。
【０００７】低動作機能及び低蒸発速度を同時に有する
錯体を形成した放出表面の可能な限りの均一な被膜を考
慮すべきである。実際上は、この目的達成のために、例
えば、含浸、上部層、混合金属基材、多層及び制御され
た多孔性ディスペンサー陰極のような構造的に変形した
陰極を用いることを試みる。従来の構造的に変形した陰
極の未だ不適当な放出に対する原因は例えば、蒸発／ス
パッタリング後に孔又は粒子境界からの分配が不適であ
るために、又は残留気体による表面位置の汚染のために
含浸した陰極におけるＢａＯによる放出陽極表面の被膜
程度が不充分なことによる。
錯体を形成した放出表面の可能な限りの均一な被膜を考
慮すべきである。実際上は、この目的達成のために、例
えば、含浸、上部層、混合金属基材、多層及び制御され
た多孔性ディスペンサー陰極のような構造的に変形した
陰極を用いることを試みる。従来の構造的に変形した陰
極の未だ不適当な放出に対する原因は例えば、蒸発／ス
パッタリング後に孔又は粒子境界からの分配が不適であ
るために、又は残留気体による表面位置の汚染のために
含浸した陰極におけるＢａＯによる放出陽極表面の被膜
程度が不充分なことによる。
【０００８】このような陰極の実施態様においては、よ
り高温にて達成される高放出電流密度は寿命に負担とな
る。最悪の場合には、表面部分を不可逆的に純粋な基材
金属の値を越えて作動機能を増加する素子又は分子で被
膜する。蒸発又はイオン衝撃のための作動機能の損失−
吸着質の減少（例えばＳｃ2 Ｏ3 からＳｃ）を再生可能
であるが、その効果においては同様に有害である。
り高温にて達成される高放出電流密度は寿命に負担とな
る。最悪の場合には、表面部分を不可逆的に純粋な基材
金属の値を越えて作動機能を増加する素子又は分子で被
膜する。蒸発又はイオン衝撃のための作動機能の損失−
吸着質の減少（例えばＳｃ2 Ｏ3 からＳｃ）を再生可能
であるが、その効果においては同様に有害である。
【０００９】上述の型の陰極素子を含むディスペンサー
陰極は欧州特許公開第0442163 号明細書によりＩ陰極と
して既知である。例えばＢａＯのような酸化物粒子は材
料構造中に埋め込まれている。
陰極は欧州特許公開第0442163 号明細書によりＩ陰極と
して既知である。例えばＢａＯのような酸化物粒子は材
料構造中に埋め込まれている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、所定の温度でより高い放出電流密度及び長い寿命を
達成可能な上述のタイプの陰極素子を提供することであ
る。この目的は、陰極素子が、平均直径が１０００ｎｍ
より小さい高融点金属の粒子を含み、片面又は両面から
利用できる孔を有することで解決される。
は、所定の温度でより高い放出電流密度及び長い寿命を
達成可能な上述のタイプの陰極素子を提供することであ
る。この目的は、陰極素子が、平均直径が１０００ｎｍ
より小さい高融点金属の粒子を含み、片面又は両面から
利用できる孔を有することで解決される。
【００１１】
【課題を解決するための手段】高融点金属及び平均直径
が１０００ｎｍより小さいナノ−構造の粒子を含む陰極
が以下のことを特徴とする。即ち、陰極素子が、平均直
径が１０００ｎｍより小さく、均一な分散にて多孔性陰
極素子に連結した粒子から完全になり、陰極素子の全体
積の５〜９０％が、周囲に対して開いており、距離がな
く、孔により構成され、１０００ｎｍより小さい隣り合
う粒子間の無充填の孔からなる。
が１０００ｎｍより小さいナノ−構造の粒子を含む陰極
が以下のことを特徴とする。即ち、陰極素子が、平均直
径が１０００ｎｍより小さく、均一な分散にて多孔性陰
極素子に連結した粒子から完全になり、陰極素子の全体
積の５〜９０％が、周囲に対して開いており、距離がな
く、孔により構成され、１０００ｎｍより小さい隣り合
う粒子間の無充填の孔からなる。
【００１２】更に、陰極は、多孔性陰極素子が高融点金
属の粒子及び金属酸化物の粒子（例えばＳｃ2 Ｏ3 , Ｙ
2 Ｏ3 , Ｅｕ2 Ｏ3 , Ｌａ2 Ｏ3 , ＴｎＯ2 ）からな
り、加熱可能な基体上に形成されることを特徴とする。
属の粒子及び金属酸化物の粒子（例えばＳｃ2 Ｏ3 , Ｙ
2 Ｏ3 , Ｅｕ2 Ｏ3 , Ｌａ2 Ｏ3 , ＴｎＯ2 ）からな
り、加熱可能な基体上に形成されることを特徴とする。
【００１３】以下に、本発明の陰極素子を“放出陰極素
子（effusion cathode element）”として述べる。これ
は操作中に電子が表面に最も近い密につまった孔から真
空中に“放出する”からである。アルカリ土類金属酸化
物を含まない場合でさえ、本発明の放出陰極電子を例え
ば既知のタイプのＩ陰極に対して上部層又は被膜素子と
して使用できる。一方、本発明の放出陰極素子は完全な
陰極として使用できるように、アルカリ土類金属酸化物
の粒子をも含み得る。
子（effusion cathode element）”として述べる。これ
は操作中に電子が表面に最も近い密につまった孔から真
空中に“放出する”からである。アルカリ土類金属酸化
物を含まない場合でさえ、本発明の放出陰極電子を例え
ば既知のタイプのＩ陰極に対して上部層又は被膜素子と
して使用できる。一方、本発明の放出陰極素子は完全な
陰極として使用できるように、アルカリ土類金属酸化物
の粒子をも含み得る。
【００１４】粒子の均一な分散は、体積（２０）
【外１】 を有する各体積素子において、直径ｄを有する粒子の数
は平均直径〔外１〕が±２０％未満であることとは違う
ことを意味することがわかる。こにおいて、〔外１〕を
粒子の統計的な種々の直径ｄの平均値として定義する。
別の角度位置にて測定した立体拡張(spatial extensio
n) の平均値は完全ではない球状の粒子の直径ｄである
ことがわかる。本発明の放出陰極素子は特にＯs 又はＲ
u の既知の上部被膜をも有し得る。
は平均直径〔外１〕が±２０％未満であることとは違う
ことを意味することがわかる。こにおいて、〔外１〕を
粒子の統計的な種々の直径ｄの平均値として定義する。
別の角度位置にて測定した立体拡張(spatial extensio
n) の平均値は完全ではない球状の粒子の直径ｄである
ことがわかる。本発明の放出陰極素子は特にＯs 又はＲ
u の既知の上部被膜をも有し得る。
【００１５】本発明の放出陰極素子において、電子放出
に重要な素子及び化合物は均一な微細な分散にて且つ孔
の高度な全表面積を有して互いに結びつく。孔は開いて
おり、もって、固体状態材料がない通路を通って放出陰
極素子の外側両面から利用できるので、本発明の放出陰
極体の活性表面がかなり増加する。開孔を通って表面に
最も近い領域にアルカリ土類金属の原子を分配すること
はより容易である。結果として、高放出電流密度が比較
的低い操作温度にて達成できる。
に重要な素子及び化合物は均一な微細な分散にて且つ孔
の高度な全表面積を有して互いに結びつく。孔は開いて
おり、もって、固体状態材料がない通路を通って放出陰
極素子の外側両面から利用できるので、本発明の放出陰
極体の活性表面がかなり増加する。開孔を通って表面に
最も近い領域にアルカリ土類金属の原子を分配すること
はより容易である。結果として、高放出電流密度が比較
的低い操作温度にて達成できる。
【００１６】又、本発明の装置はイオン衝撃（スパッタ
リング）及び残留基体（ポイゾニング）に鈍感である。
事実、スパッタリング効果は表面に最も近い孔構造の領
域ではなく、外側表面においてのみ影響がある。構造の
内側部分の望ましくない残留気体の体積は、操作条件下
では妨害される。これはこの領域にある粒子の自由表面
は望ましい原子／分子を高度に有するからである。
リング）及び残留基体（ポイゾニング）に鈍感である。
事実、スパッタリング効果は表面に最も近い孔構造の領
域ではなく、外側表面においてのみ影響がある。構造の
内側部分の望ましくない残留気体の体積は、操作条件下
では妨害される。これはこの領域にある粒子の自由表面
は望ましい原子／分子を高度に有するからである。
【００１７】既知の陰極と比べると、これらの利点は、
放出陰極素子が少なくとも９０％が５〜１００ｎｍの
間、好ましくは３０〜５０ｎｍの間の直径を有する粒子
を含む場合に特に有意義である。粒子の直径が小さけれ
ば小さい程、利用可能な活性表面の全体と放出陰極素子
の外側表面との比が大きくなる。粒子の直径（ｄ＜１ｎ
ｍ）が小さすぎると、又、孔の直径が小さすぎると、孔
はあまり効果的ではなくなる。というのは、直径ｄが１
ｎｍより小さい粒子を含む構造は７５０゜の操作温度で
一定した安定を維持しないからである。固体状態構造の
１０％より多い粒子が５０ｎｍより大きい直径を有する
場合、本発明の陰極のイオン衝撃に対する顕著な抵抗性
が大きく影響する。
放出陰極素子が少なくとも９０％が５〜１００ｎｍの
間、好ましくは３０〜５０ｎｍの間の直径を有する粒子
を含む場合に特に有意義である。粒子の直径が小さけれ
ば小さい程、利用可能な活性表面の全体と放出陰極素子
の外側表面との比が大きくなる。粒子の直径（ｄ＜１ｎ
ｍ）が小さすぎると、又、孔の直径が小さすぎると、孔
はあまり効果的ではなくなる。というのは、直径ｄが１
ｎｍより小さい粒子を含む構造は７５０゜の操作温度で
一定した安定を維持しないからである。固体状態構造の
１０％より多い粒子が５０ｎｍより大きい直径を有する
場合、本発明の陰極のイオン衝撃に対する顕著な抵抗性
が大きく影響する。
【００１８】高融点金属化合物は固体状態粒子の全体積
の３０％超過、特に約５０〜９０％の量からなる。アル
カリ土類金属酸化物の粒子を含む本発明の放出陰極体の
約５０％の値が有利であることがわかった。金属量が３
０％より少ない場合は放出陰極素子の十分に満足な金属
導電性はもはや保証できない。
の３０％超過、特に約５０〜９０％の量からなる。アル
カリ土類金属酸化物の粒子を含む本発明の放出陰極体の
約５０％の値が有利であることがわかった。金属量が３
０％より少ない場合は放出陰極素子の十分に満足な金属
導電性はもはや保証できない。
【００１９】本発明の別の実施態様において、酸化粒子
は少なくとも部分的に薄い金属外皮で覆われており、又
は金属粒子の少なくとも一部が薄い酸化被膜層で覆われ
ている。勿論、被膜層は、とても薄く、透明構造を有し
ているので、被覆されたコアは被膜層を通して活性にな
る。非常に高い放出電流密度が、放出陰極素子の上部の
孔体積が下部より大きい場合に可能となる。
は少なくとも部分的に薄い金属外皮で覆われており、又
は金属粒子の少なくとも一部が薄い酸化被膜層で覆われ
ている。勿論、被膜層は、とても薄く、透明構造を有し
ているので、被覆されたコアは被膜層を通して活性にな
る。非常に高い放出電流密度が、放出陰極素子の上部の
孔体積が下部より大きい場合に可能となる。
【００２０】
【実施例】図３において、放出陰極素子１をＩ陰極素子
２に形成する。Ｉ陰極素子２はアルミン酸ＢａＣａ４を
含浸した多孔性Ｗマトリックス３からなる。放出陰極素
子１の体積素子の構造を図１に示す。３０ｎｍの平均値
径のタングステン粒子５は操作中に電子気体雲を生じる
多孔性スペース６まわりの支持フレームを構成する。ほ
ぼ同径を有するＳｃ2 Ｏ3 の分離酸化物粒子７を混合し
ている。Ｉ陰極素子２（図３）から矢印８の方向へのＢ
ａの補給に応答して例えば、９００℃で陰極を操作する
際に孔に向かって指向するＷ粒子５の表面にＢａ−Ｓｃ
−Ｏの表面錯体９を形成する。９００℃且つ約４ｋＶ／
ｍｍの強度域で、１１０Ａ／ｃｍ2の放出電流密度（矢
印１０及び１１で示す電子流れ方向）を５０時間の操作
の後、測定した。これらの実験室テストでは、既知の陰
極素子に比べてかなり良好な値を既に得ている。９６５
℃で３０００時間以上の寿命を何の問題もなく達成し
た。
２に形成する。Ｉ陰極素子２はアルミン酸ＢａＣａ４を
含浸した多孔性Ｗマトリックス３からなる。放出陰極素
子１の体積素子の構造を図１に示す。３０ｎｍの平均値
径のタングステン粒子５は操作中に電子気体雲を生じる
多孔性スペース６まわりの支持フレームを構成する。ほ
ぼ同径を有するＳｃ2 Ｏ3 の分離酸化物粒子７を混合し
ている。Ｉ陰極素子２（図３）から矢印８の方向へのＢ
ａの補給に応答して例えば、９００℃で陰極を操作する
際に孔に向かって指向するＷ粒子５の表面にＢａ−Ｓｃ
−Ｏの表面錯体９を形成する。９００℃且つ約４ｋＶ／
ｍｍの強度域で、１１０Ａ／ｃｍ2の放出電流密度（矢
印１０及び１１で示す電子流れ方向）を５０時間の操作
の後、測定した。これらの実験室テストでは、既知の陰
極素子に比べてかなり良好な値を既に得ている。９６５
℃で３０００時間以上の寿命を何の問題もなく達成し
た。
【００２１】図２の実施態様において、Ｓｃ2 Ｏ3 コア
１２及びＢａＯコア１３（又はＣａＯコアも）をＷ被膜
１４ａ及び１４ｂでそれぞれ包む。Ｂａ−Ｓｃ−Ｏの放
出被膜を孔スペース１５に向かって指向する二重被膜粒
子のＷ表面に形成する。矢印１６，１７の方向に流れる
電子流れに対して、８５０℃且つ約４ｋＶ／ｍｍの強度
域にて９５Ａ／ｃｍ2 の流れ密度を測定した。既知の粉
末−冶金学的に製造された陰極素子において、これは開
孔構造を有していないが、多くても８０Ａ／ｃｍ2 を比
較可能な条件下で達成できた。本発明により達成された
好ましい値を実験室において非−最適化テスト試料で測
定したことを考慮すべきである。本発明の素子にて要求
される開孔を特にＰＣＶＤのような堆積法により達成で
きた。焼結法はあまり適当でないことがわかった。
１２及びＢａＯコア１３（又はＣａＯコアも）をＷ被膜
１４ａ及び１４ｂでそれぞれ包む。Ｂａ−Ｓｃ−Ｏの放
出被膜を孔スペース１５に向かって指向する二重被膜粒
子のＷ表面に形成する。矢印１６，１７の方向に流れる
電子流れに対して、８５０℃且つ約４ｋＶ／ｍｍの強度
域にて９５Ａ／ｃｍ2 の流れ密度を測定した。既知の粉
末−冶金学的に製造された陰極素子において、これは開
孔構造を有していないが、多くても８０Ａ／ｃｍ2 を比
較可能な条件下で達成できた。本発明により達成された
好ましい値を実験室において非−最適化テスト試料で測
定したことを考慮すべきである。本発明の素子にて要求
される開孔を特にＰＣＶＤのような堆積法により達成で
きた。焼結法はあまり適当でないことがわかった。
【００２２】図４は、図２で示すような構造を有する折
曲形箔タイプの放出陰極素子２０を示す。これは好まし
くはＷ，Ｎｉ，又はＴｉからなる支持体２１上に配置さ
れる。支持体２１は同時に放出電極素子２０の被膜を製
造するための基体である。
曲形箔タイプの放出陰極素子２０を示す。これは好まし
くはＷ，Ｎｉ，又はＴｉからなる支持体２１上に配置さ
れる。支持体２１は同時に放出電極素子２０の被膜を製
造するための基体である。
【００２３】本発明の放出陰極素子の金属導電率及びナ
ノ−構造均一構造のために、折曲形放出陰極素子２０は
支持体２１なしで直接加熱することもできる。熱流れ
（矢印１８）が通過する際、矢印１９の方向の電子流れ
が生じ得る。勿論、間接に加熱することもできる。例え
ば、図２のように、構成された放出陰極素子を抵抗熱素
子上に配置してもよい。
ノ−構造均一構造のために、折曲形放出陰極素子２０は
支持体２１なしで直接加熱することもできる。熱流れ
（矢印１８）が通過する際、矢印１９の方向の電子流れ
が生じ得る。勿論、間接に加熱することもできる。例え
ば、図２のように、構成された放出陰極素子を抵抗熱素
子上に配置してもよい。
【図１】本発明の放出陰極素子の体積素子の断面図であ
り、Ｗ及びＳｃ2 Ｏ3 粒子からなり、アルカリ土類金属
酸化物粒子ではなく、Ｉ陰極素子（図３）の上部層とし
て適当である。
り、Ｗ及びＳｃ2 Ｏ3 粒子からなり、アルカリ土類金属
酸化物粒子ではなく、Ｉ陰極素子（図３）の上部層とし
て適当である。
【図２】完全なディスペンサー陰極として使用できるア
ルカリ土類金属酸化物粒子を有する実施態様を示す。
ルカリ土類金属酸化物粒子を有する実施態様を示す。
【図３】図１に示した放出陰極素子をＩ陰極素子上に形
成した陰極素子の断面図である。
成した陰極素子の断面図である。
【図４】図２に示したような構造を有する放出陰極素子
の流れ加熱折曲形の実施態様を示す。
の流れ加熱折曲形の実施態様を示す。
１ 放出陰極素子 ２ Ｉ陰極素子 ３ 多孔性Ｗマトリックス ４ アルミン酸ＢａＣａ ５ Ｗ粒子 ６ 多孔性スペース ７ 酸化物粒子 ９ 表面錯体 １２ Ｓｃ2 Ｏ3 １３ ＢａＯ １４ａ Ｗ被膜 １４ｂ Ｗ被膜 １５ 孔スペース ２０ 放出陰極素子 ２１ 支持体
Claims (9)
- 【請求項１】 ２つの向かい合った面の間に、高融点金
属を含んでなる多孔性陰極素子を含む陰極において、陰
極素子（１）が、平均直径が１０００ｎｍより小さい高
融点金属の粒子（５）を含み、且つ片面又は両面から利
用できる孔を有することを特徴とする陰極。 - 【請求項２】 ２つの向かい合った面の間に、高融点金
属を含んでなる多孔性陰極素子を含む陰極において、陰
極素子（１）が、平均直径が１０００ｎｍより小さい高
融点金属の粒子（５）及び平均直径が１０００ｎｍより
小さい金属酸化物の粒子（７）を含み、且つ片面又は両
面から利用できる孔を有することを特徴とする陰極。 - 【請求項３】 多孔性陰極素子を加熱装置に形成するこ
とを特徴とする請求項２記載の陰極。 - 【請求項４】 含浸剤（４）及び放出表面を備える多孔
性陰極体（３）を含む陰極において、陰極が放出表面上
に多孔性陰極素子（１）を含み、該素子が２つの向かい
合った面の間に高融点金属を含み、該陰極素子（１）
が、平均直径が１０００ｎｍより小さい高融点金属の粒
子（５）及び平均直径が１０００ｎｍより小さい金属酸
化物の粒子（７）を含み、且つ２つの面間に拡がる孔を
有することを特徴とする陰極。 - 【請求項５】 少なくとも高融点金属及び平均直径が１
０００ｎｍより小さいナノ−構造粒子を含んでなる多孔
性陰極素子を含む陰極において、陰極素子（１）が、平
均直径が１０００ｎｍより小さく、均一な分散にて多孔
性陰極素子に連結した粒子（５，７）から完全になり、
陰極素子（１）の全体積の５〜９０％が、周囲に対して
開いており、距離がなく、孔（６，１５）により構成さ
れ、１０００ｎｍより小さい隣り合う粒子（５，７，１
４ａ，１４ｂ）間の無充填の孔（６，１５）からなるこ
とを特徴とする陰極。 - 【請求項６】 多孔性陰極素子が、加熱可能な基体上に
形成された高融点金属の粒子（５）及び金属酸化物
（７）の粒子からなることを特徴とする請求項５記載の
陰極。 - 【請求項７】 多孔性陰極素子が、高融点金属の粒子
（５）、又は高融点金属の粒子及び金属酸化物の粒子
（７）のみを含み、且つ陰極素子（１）がＩ陰極素子
（２）上に形成されることを特徴とする請求項５記載の
陰極。 - 【請求項８】 多孔性陰極素子が、高融点金属（５）の
粒子及びアルカリ土類金属酸化物の粒子（１３）、又は
高融点金属の粒子及び金属酸化物の粒子及びアルカリ土
類金属酸化物の粒子を含むことを特徴とする請求項５又
は６記載の陰極。 - 【請求項９】 金属部分（５，１４ａ，１４ｂ）が、全
陰極素子の３０％より多い体積部分になることを特徴と
する請求項５〜８のうちいずれか１項に記載の陰極。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4206909:2 | 1992-03-05 | ||
| DE4206909A DE4206909A1 (de) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | Thermionisch emittierendes kathodenelement |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065198A true JPH065198A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=6453269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4276893A Pending JPH065198A (ja) | 1992-03-05 | 1993-03-03 | 陰極素子を含む陰極 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0559283B1 (ja) |
| JP (1) | JPH065198A (ja) |
| DE (2) | DE4206909A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4400353A1 (de) * | 1994-01-08 | 1995-07-13 | Philips Patentverwaltung | Steuerbarer thermionischer Elektronenemitter |
| DE19652822A1 (de) | 1996-12-18 | 1998-06-25 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Sinterelektrode |
| DE19855670A1 (de) * | 1998-12-02 | 1999-12-09 | Siemens Ag | Verfahren zum Betreiben eines Dampferzeugers und Dampferzeuger zur Durchführung des Verfahrens |
| DE102006024437B4 (de) * | 2006-05-24 | 2012-08-09 | Siemens Ag | Röntgenstrahler |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL266639A (ja) * | 1960-07-05 | |||
| FR1410641A (fr) * | 1963-10-04 | 1965-09-10 | Philips Nv | Corps métallique poreux et son procédé de fabrication |
| JPS58154131A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | Hitachi Ltd | 含浸形陰極 |
| US4986788A (en) * | 1989-11-02 | 1991-01-22 | Samsung Electron Devices Co., Ltd. | Process of forming an impregnated cathode |
| KR920001335B1 (ko) * | 1989-11-10 | 1992-02-10 | 삼성전관 주식회사 | 디스펜서 음극 |
-
1992
- 1992-03-05 DE DE4206909A patent/DE4206909A1/de not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-03-01 DE DE59304447T patent/DE59304447D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-03-01 EP EP93200563A patent/EP0559283B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-03-03 JP JP4276893A patent/JPH065198A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0559283A1 (de) | 1993-09-08 |
| EP0559283B1 (de) | 1996-11-13 |
| DE59304447D1 (de) | 1996-12-19 |
| DE4206909A1 (de) | 1993-09-09 |
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