JPH05175199A - 突起電極の形成方法 - Google Patents
突起電極の形成方法Info
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- JPH05175199A JPH05175199A JP3344334A JP34433491A JPH05175199A JP H05175199 A JPH05175199 A JP H05175199A JP 3344334 A JP3344334 A JP 3344334A JP 34433491 A JP34433491 A JP 34433491A JP H05175199 A JPH05175199 A JP H05175199A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＬＳＩチップの突起電極の中央部に弾性体よ
りなる突起電極の核を容易に形成する方法を提供するも
のであり基板への接続の信頼性を向上させる。 【構成】 バリアメタル４上にめっきにより突起電極を
形成する際に、めっきマスク５を弾性体で形成し、また
開口部をリング状とし中央に残っためっきマスクの一部
を覆うようにめっきし弾性体の核を有した突起電極８を
得る。 【効果】 ＬＳＩチップの突起電極の中央部に弾性体よ
りなる突起電極の核を容易に形成する方法を提供するも
のであり基板への接続の信頼性を向上させる。
りなる突起電極の核を容易に形成する方法を提供するも
のであり基板への接続の信頼性を向上させる。 【構成】 バリアメタル４上にめっきにより突起電極を
形成する際に、めっきマスク５を弾性体で形成し、また
開口部をリング状とし中央に残っためっきマスクの一部
を覆うようにめっきし弾性体の核を有した突起電極８を
得る。 【効果】 ＬＳＩチップの突起電極の中央部に弾性体よ
りなる突起電極の核を容易に形成する方法を提供するも
のであり基板への接続の信頼性を向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造
方法関し、特にマイクロコンピュータや、ゲートアレー
等の多電極、狭ピッチのＬＳＩチップの実装に関するも
のである。
方法関し、特にマイクロコンピュータや、ゲートアレー
等の多電極、狭ピッチのＬＳＩチップの実装に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の典型的な従来の技術を図３
とともに説明する。図３においてまず、図３ａに示すよ
うに、セラミック、ガラス等よりなる絶縁性の配線基板
１４の導体配線１５を有する面の半導体素子接続部位
に、絶縁性樹脂１６を塗布する。導体配線１５は、Ｃｒ
−Ａｕ，Ａｌ、ＩＴＯ等であり、絶縁樹脂１６は熱硬化
あるいは紫外線硬化のエポキシ、アクリル等である。つ
ぎに、図３ｂに示すように、Ａｕ等よりなり全てが金属
で構成された突起電極１８を有したＬＳＩチップ等の半
導体素子１７を、突起電極１８と導体配線１５が整合す
るように配線基板１４の絶縁樹脂１６が塗布された領域
に設置し、加圧ツール１９にて半導体素子１７を配線基
板１４に対して加圧する。このとき、半導体素子１７の
突起電極１８は金属であるため塑性変形し、絶縁樹脂１
６は周囲に押し出され、半導体素子１７の突起電極１８
は導体配線１５に接触する。つぎに、加圧ツール１９で
半導体素子１７を配線基板１４に対して加圧した状態
で、絶縁樹脂１６を硬化させ、その後図３ｃに示すよう
に、加圧ツール１９を除去する。このとき、半導体素子
１７は配線基板１４に絶縁樹脂１６により固着されると
ともに、半導体素子１７の塑性変形された突起電極１８
と導体配線１５は接触により電気的に接続される。
とともに説明する。図３においてまず、図３ａに示すよ
うに、セラミック、ガラス等よりなる絶縁性の配線基板
１４の導体配線１５を有する面の半導体素子接続部位
に、絶縁性樹脂１６を塗布する。導体配線１５は、Ｃｒ
−Ａｕ，Ａｌ、ＩＴＯ等であり、絶縁樹脂１６は熱硬化
あるいは紫外線硬化のエポキシ、アクリル等である。つ
ぎに、図３ｂに示すように、Ａｕ等よりなり全てが金属
で構成された突起電極１８を有したＬＳＩチップ等の半
導体素子１７を、突起電極１８と導体配線１５が整合す
るように配線基板１４の絶縁樹脂１６が塗布された領域
に設置し、加圧ツール１９にて半導体素子１７を配線基
板１４に対して加圧する。このとき、半導体素子１７の
突起電極１８は金属であるため塑性変形し、絶縁樹脂１
６は周囲に押し出され、半導体素子１７の突起電極１８
は導体配線１５に接触する。つぎに、加圧ツール１９で
半導体素子１７を配線基板１４に対して加圧した状態
で、絶縁樹脂１６を硬化させ、その後図３ｃに示すよう
に、加圧ツール１９を除去する。このとき、半導体素子
１７は配線基板１４に絶縁樹脂１６により固着されると
ともに、半導体素子１７の塑性変形された突起電極１８
と導体配線１５は接触により電気的に接続される。
【０００３】半導体素子への突起電極への形成方法は、
半導体ウェハーの段階で表面にバリアメタルを蒸着しフ
ォトレジストによりめっきマスクを形成し電解めっきに
より半導体ウェハーの電極上に選択的に金属層を形成し
行なうものであり、通常のＴＡＢ（ＴＡＰＥ ＡＵＴＯ
ＭＡＴＥＤ ＤＢＯＮＤＩＮＧ）方式の突起電極形成方
法と同様である。
半導体ウェハーの段階で表面にバリアメタルを蒸着しフ
ォトレジストによりめっきマスクを形成し電解めっきに
より半導体ウェハーの電極上に選択的に金属層を形成し
行なうものであり、通常のＴＡＢ（ＴＡＰＥ ＡＵＴＯ
ＭＡＴＥＤ ＤＢＯＮＤＩＮＧ）方式の突起電極形成方
法と同様である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の技術で
は、半導体素子１７の突起電極１８を塑性変形させてい
るため、半導体素子１１を固着している絶縁樹脂１６が
熱膨張して突起電極１８と導体配線１５との間に隙間が
生じて電気的な接続不良が生じ、耐熱性の低いものであ
る。また、金属性の突起電極１８の変形を極力小さくし
て弾性変形にとどめておき、絶縁成樹脂１６の熱膨張に
突起電極１８の変形を追従させる方法もあるが、変形量
が非常に小さいため、突起電極１８の高さのばらつき
や、配線基板１４の平面度の影響により接続歩留りが非
常に低いものである。
は、半導体素子１７の突起電極１８を塑性変形させてい
るため、半導体素子１１を固着している絶縁樹脂１６が
熱膨張して突起電極１８と導体配線１５との間に隙間が
生じて電気的な接続不良が生じ、耐熱性の低いものであ
る。また、金属性の突起電極１８の変形を極力小さくし
て弾性変形にとどめておき、絶縁成樹脂１６の熱膨張に
突起電極１８の変形を追従させる方法もあるが、変形量
が非常に小さいため、突起電極１８の高さのばらつき
や、配線基板１４の平面度の影響により接続歩留りが非
常に低いものである。
【０００５】本発明は上記問題点に鑑み、絶縁性樹脂に
熱膨張が生じても突起電極が常に導体配線に接触し信頼
性の高い半導体装置を得るための突起電極を提供するも
のである。
熱膨張が生じても突起電極が常に導体配線に接触し信頼
性の高い半導体装置を得るための突起電極を提供するも
のである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の突起電極形成方法は、配線が形成された半
導体ウェハーの表面に金属膜を形成する工程、前記配線
の一部にリング状の開口部を有した絶縁性皮膜を前記金
属膜上に形成する工程、前記金属膜を電極とし電解めっ
きにより前記開口部に前記リング状の開口部内にある島
状の絶縁性皮膜の表面を覆うように金属突起を形成する
工程、前記金属突起の周囲にある前記絶縁性皮膜を除去
する工程、前記金属膜の不要部を除去する工程を備えた
ものである。
めに本発明の突起電極形成方法は、配線が形成された半
導体ウェハーの表面に金属膜を形成する工程、前記配線
の一部にリング状の開口部を有した絶縁性皮膜を前記金
属膜上に形成する工程、前記金属膜を電極とし電解めっ
きにより前記開口部に前記リング状の開口部内にある島
状の絶縁性皮膜の表面を覆うように金属突起を形成する
工程、前記金属突起の周囲にある前記絶縁性皮膜を除去
する工程、前記金属膜の不要部を除去する工程を備えた
ものである。
【０００７】
【作用】本発明は上記した構成によって、半導体素子の
突起電極が内部の中央部に弾性体の絶縁性皮膜よりなる
核を含んでいるため突起電極の弾性回復量を十分に大き
くすることができる。したがって、配線基板に絶縁性樹
脂を用いて半導体素子を固定して、半導体素子の突起電
極と配線基板の導体配線の電気的接続を得る場合におい
て、半導体素子を配線基板に対して加圧した状態で絶縁
性樹脂を硬化させることで、突起電極の中央部にある弾
性体の絶縁性皮膜よりなる核が弾性変形して突起電極が
配線基板の導体配線に弾性接触した状態になる。このた
め、仮に半導体素子固定用の絶縁性樹脂の寸法変化が生
じても突起電極の弾性復元により導体配線と突起電極は
常に接触した状態を保持するものである。
突起電極が内部の中央部に弾性体の絶縁性皮膜よりなる
核を含んでいるため突起電極の弾性回復量を十分に大き
くすることができる。したがって、配線基板に絶縁性樹
脂を用いて半導体素子を固定して、半導体素子の突起電
極と配線基板の導体配線の電気的接続を得る場合におい
て、半導体素子を配線基板に対して加圧した状態で絶縁
性樹脂を硬化させることで、突起電極の中央部にある弾
性体の絶縁性皮膜よりなる核が弾性変形して突起電極が
配線基板の導体配線に弾性接触した状態になる。このた
め、仮に半導体素子固定用の絶縁性樹脂の寸法変化が生
じても突起電極の弾性復元により導体配線と突起電極は
常に接触した状態を保持するものである。
【０００８】
【実施例】以下本発明の一実施例の突起電極の製造方法
及びその突起電極を有したＬＳＩチップの実装方法につ
いて、図面を参照しながら説明する。
及びその突起電極を有したＬＳＩチップの実装方法につ
いて、図面を参照しながら説明する。
【０００９】図１は本発明の実施例における突起電極の
製造方法の工程別断面図、図２は本発明の突起電極を有
したＬＳＩチップの実装方法の工程別断面図を示すもの
である。図１、図２においてにおいて、１は半導体ウェ
ハー、２は電極、３は保護膜、４はバリアメタル、５は
感光性樹脂、６は突起電極の核、７はリング状の開口
部、８は突起電極、９は回路基板、１０は導体配線、１
１は絶縁性樹脂、１２は加圧ツール、１３は紫外線を示
すものである。
製造方法の工程別断面図、図２は本発明の突起電極を有
したＬＳＩチップの実装方法の工程別断面図を示すもの
である。図１、図２においてにおいて、１は半導体ウェ
ハー、２は電極、３は保護膜、４はバリアメタル、５は
感光性樹脂、６は突起電極の核、７はリング状の開口
部、８は突起電極、９は回路基板、１０は導体配線、１
１は絶縁性樹脂、１２は加圧ツール、１３は紫外線を示
すものである。
【００１０】まず図１を用いて突起電極の製造方法につ
いて説明する。まず始めに図１ａに示すように、電極２
及び保護膜３を有した半導体ウェハー１の表面に、バリ
アメタル４を形成する。バリアメタル４は電極２と後に
形成する突起電極の密着性を上げるために形成するもの
でその材料は、ＣｒーＣｕ，Ｔｉ−Ｐｄ−Ａｕ等の２層
から３層の金属膜で、厚みは０・３から１・０μｍ程度
であるある。バリアメタル４の形成は、真空蒸着やスパ
ッタリングなどを用いることにより容易に行なうことが
できる。次に図１ｂに示すように、バリアメタル４上に
感光性樹脂５をスピンナー等を用いて塗布する。感光性
樹脂５はいわゆるポジ型、ネガ型のフォトレジストや、
シリコーン、エポキシ、ポリイミド等の感光性樹脂を用
いる。感光性樹脂５の厚みは２から３０μｍ程度であ
る。次にフォトマスクを介して感光性樹脂５に選択的に
光を照射し、現像することにより、電極２上にリング状
の開口部７及び突起電極の核６を形成する。リング状の
開口部７の寸法は１０μｍΦから５０μｍΦ、突起電極
の核６の寸法は３μｍΦから４０μｍΦ程度である。リ
ング状の開口部７と突起電極の核６の寸法関係は例えば
リング状の開口部７の寸法が３０μｍのとき突起電極の
核６の寸法は５から１０μｍ程度である。次に図１ｃに
示すようにバリアメタル４を電極にし、感光性樹脂５を
マスクとし電解めっきを施しリング状の開口部７に突起
電極の核６を覆うように金属層を成長させ突起電極８を
形成する。突起電極８の材質はＡｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等であ
る。突起電極の核６を覆うように金属層が形成できるの
は感光性樹脂５の表面まで金属層を成長させ引き続きめ
っきを施すことにより金属層は横方向にも成長する事に
よる。次に図１ｄに示すように感光性樹脂５をレジスト
ストリッパーや発煙硝酸等を用いて除去する。その後図
１ｄにし示す様にフォトリソ技術及び、エッチング技術
を用いて不要部のバリアメタル４を除去し突起電極８を
電気的に分離する。以上の様に、本発明によれば従来の
突起電極の形成方法を、そのまま用いめっきマスクとな
る感光性樹脂５のパターンニング時の形状をフォトマス
クにより変更するだけで、容易に弾性体よりなる突起電
極の核６を有した突起電極８を形成することができる。
いて説明する。まず始めに図１ａに示すように、電極２
及び保護膜３を有した半導体ウェハー１の表面に、バリ
アメタル４を形成する。バリアメタル４は電極２と後に
形成する突起電極の密着性を上げるために形成するもの
でその材料は、ＣｒーＣｕ，Ｔｉ−Ｐｄ−Ａｕ等の２層
から３層の金属膜で、厚みは０・３から１・０μｍ程度
であるある。バリアメタル４の形成は、真空蒸着やスパ
ッタリングなどを用いることにより容易に行なうことが
できる。次に図１ｂに示すように、バリアメタル４上に
感光性樹脂５をスピンナー等を用いて塗布する。感光性
樹脂５はいわゆるポジ型、ネガ型のフォトレジストや、
シリコーン、エポキシ、ポリイミド等の感光性樹脂を用
いる。感光性樹脂５の厚みは２から３０μｍ程度であ
る。次にフォトマスクを介して感光性樹脂５に選択的に
光を照射し、現像することにより、電極２上にリング状
の開口部７及び突起電極の核６を形成する。リング状の
開口部７の寸法は１０μｍΦから５０μｍΦ、突起電極
の核６の寸法は３μｍΦから４０μｍΦ程度である。リ
ング状の開口部７と突起電極の核６の寸法関係は例えば
リング状の開口部７の寸法が３０μｍのとき突起電極の
核６の寸法は５から１０μｍ程度である。次に図１ｃに
示すようにバリアメタル４を電極にし、感光性樹脂５を
マスクとし電解めっきを施しリング状の開口部７に突起
電極の核６を覆うように金属層を成長させ突起電極８を
形成する。突起電極８の材質はＡｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等であ
る。突起電極の核６を覆うように金属層が形成できるの
は感光性樹脂５の表面まで金属層を成長させ引き続きめ
っきを施すことにより金属層は横方向にも成長する事に
よる。次に図１ｄに示すように感光性樹脂５をレジスト
ストリッパーや発煙硝酸等を用いて除去する。その後図
１ｄにし示す様にフォトリソ技術及び、エッチング技術
を用いて不要部のバリアメタル４を除去し突起電極８を
電気的に分離する。以上の様に、本発明によれば従来の
突起電極の形成方法を、そのまま用いめっきマスクとな
る感光性樹脂５のパターンニング時の形状をフォトマス
クにより変更するだけで、容易に弾性体よりなる突起電
極の核６を有した突起電極８を形成することができる。
【００１１】なお以上のようにして突起電極８が形成さ
れた半導体ウェハー１を各区画毎に切断して分離する
と、それぞれＬＳＩチップなどのの半導体素子となりこ
れが後に配線基板に搭載される。
れた半導体ウェハー１を各区画毎に切断して分離する
と、それぞれＬＳＩチップなどのの半導体素子となりこ
れが後に配線基板に搭載される。
【００１２】次に図２を用い、前述した突起電極８を有
したＬＳＩチップの配線基板への接続方法について説明
する。
したＬＳＩチップの配線基板への接続方法について説明
する。
【００１３】まず図２ａに示すように、ガラス、セラミ
ック等よりなり、導体配線１０を有した絶縁性の配線基
板９の後にＬＳＩチップを搭載する領域に絶縁性樹脂１
１を塗布する。配線基板９の厚みは、０・１から２・０
ｍｍ程度である。導体配線１０は、Ｃｒ−Ａｕ，Ａｌ、
ＩＴＯ等であり、その厚みは０・１から１０μｍ程度で
ある。絶縁性樹脂１１は例えばアクリル、エポキシ等の
光硬化型であり、塗布はディスペンサ、印刷等を用い
る。
ック等よりなり、導体配線１０を有した絶縁性の配線基
板９の後にＬＳＩチップを搭載する領域に絶縁性樹脂１
１を塗布する。配線基板９の厚みは、０・１から２・０
ｍｍ程度である。導体配線１０は、Ｃｒ−Ａｕ，Ａｌ、
ＩＴＯ等であり、その厚みは０・１から１０μｍ程度で
ある。絶縁性樹脂１１は例えばアクリル、エポキシ等の
光硬化型であり、塗布はディスペンサ、印刷等を用い
る。
【００１４】次に、図２ｂに示すように、前述した弾性
体よりなる突起電極の核６を有した突起電極８を有した
ＬＳＩチップ１２を突起電極８と導体配線１０が整合す
るように配線基板９の絶縁性樹脂１１が塗布された領域
に設置する。突起電極８の厚みは５μｍから４０μｍ程
度であり、その寸法は１５μｍΦから５０μｍΦ程度で
ある。ついで、突起電極８が弾性変形状態になるよう
に、加圧ツール１３にてＬＳＩチップ１２を配線基板９
に対して加圧する。加圧力は、０．５ｇ／突起電極〜５
ｇ／突起電極程度である。このとき、絶縁性樹脂１１は
周囲に押し出され、ＬＳＩチップ１２の突起電極８と導
体配線１０は電気的に弾性接触する。
体よりなる突起電極の核６を有した突起電極８を有した
ＬＳＩチップ１２を突起電極８と導体配線１０が整合す
るように配線基板９の絶縁性樹脂１１が塗布された領域
に設置する。突起電極８の厚みは５μｍから４０μｍ程
度であり、その寸法は１５μｍΦから５０μｍΦ程度で
ある。ついで、突起電極８が弾性変形状態になるよう
に、加圧ツール１３にてＬＳＩチップ１２を配線基板９
に対して加圧する。加圧力は、０．５ｇ／突起電極〜５
ｇ／突起電極程度である。このとき、絶縁性樹脂１１は
周囲に押し出され、ＬＳＩチップ１２の突起電極８と導
体配線１０は電気的に弾性接触する。
【００１５】このとき、突起電極８は、ゴム状の弾性体
である突起電極の核６を有しているため、小さい加圧力
で安易に変形し、その弾性変形量が大きく、突起電極８
の厚みのばらつきや、配線基板９の平面度を吸収し、Ｌ
ＳＩチップ１２の全ての突起電極８を導体配線１０に容
易にかつ確実に接触させることができるつぎに、ＬＳＩ
チップ１２を加圧した状態で、絶縁性樹脂１１を硬化さ
せる。硬化の方法は、例えば配線基板９がガラス等の透
明基板の場合は、配線基板９の裏面より紫外線１４を照
射する。また、セラミック等の不透明基板の場合は、Ｌ
ＳＩチップ１２の側面より紫外線を照射する。
である突起電極の核６を有しているため、小さい加圧力
で安易に変形し、その弾性変形量が大きく、突起電極８
の厚みのばらつきや、配線基板９の平面度を吸収し、Ｌ
ＳＩチップ１２の全ての突起電極８を導体配線１０に容
易にかつ確実に接触させることができるつぎに、ＬＳＩ
チップ１２を加圧した状態で、絶縁性樹脂１１を硬化さ
せる。硬化の方法は、例えば配線基板９がガラス等の透
明基板の場合は、配線基板９の裏面より紫外線１４を照
射する。また、セラミック等の不透明基板の場合は、Ｌ
ＳＩチップ１２の側面より紫外線を照射する。
【００１６】つぎに、図２ｃに示すように、加圧ツール
１３による加圧を解除する。このとき、ＬＳＩチップ１
２は配線基板９に固着されると同時に、突起電極８と導
体配線１０とは接触により電気的に接続され、その状態
が保持される。
１３による加圧を解除する。このとき、ＬＳＩチップ１
２は配線基板９に固着されると同時に、突起電極８と導
体配線１０とは接触により電気的に接続され、その状態
が保持される。
【００１７】
【発明の効果】本発明では中央部部に弾性対よりなる核
を有した突起電極の製造方法として電解めっきに用いる
めっきマスクの材料をそのまま用い、また形成方法もめ
っきマスクのパターンニング時に同時に行なうことがで
きるため非常に簡単に核を有した突起電極を形成するこ
とができ低コストなものである。
を有した突起電極の製造方法として電解めっきに用いる
めっきマスクの材料をそのまま用い、また形成方法もめ
っきマスクのパターンニング時に同時に行なうことがで
きるため非常に簡単に核を有した突起電極を形成するこ
とができ低コストなものである。
【００１８】また本発明による突起電極を有したＬＳＩ
チップの配線基板への接続においては、ＬＳＩチップの
突起電極が弾性を有する絶縁体からなる突起電極核を有
しており、突起電極が弾性変形状態で配線基板の導体配
線に接触しているため、つぎに示す効果がある。
チップの配線基板への接続においては、ＬＳＩチップの
突起電極が弾性を有する絶縁体からなる突起電極核を有
しており、突起電極が弾性変形状態で配線基板の導体配
線に接触しているため、つぎに示す効果がある。
【００１９】１ ＬＳＩチップを配線基板に接続した後
に、ＬＳＩチップの固着に用いた絶縁性樹脂が熱膨張し
ても、突起電極は容易に弾性復元し、突起電極と配線基
板の導体配線は常に接触した状態を保ち、耐熱性が高
く、信頼性が高い。
に、ＬＳＩチップの固着に用いた絶縁性樹脂が熱膨張し
ても、突起電極は容易に弾性復元し、突起電極と配線基
板の導体配線は常に接触した状態を保ち、耐熱性が高
く、信頼性が高い。
【００２０】２ 突起電極の変形量を大きくしても、弾
性変形状態を保つことができるため、突起電極の厚みの
ばらつきが大きい場合や、配線基板の平面度が無い場合
でも、歩留まりよく接続することができる。
性変形状態を保つことができるため、突起電極の厚みの
ばらつきが大きい場合や、配線基板の平面度が無い場合
でも、歩留まりよく接続することができる。
【００２１】３ 非常に小さい加圧力で、接続を行なう
ことができるため、ＬＳＩチップの加圧時におけるＬＳ
Ｉチップのそりや歪の発生がなく、ＬＳＩの特性変動が
なく高品質の半導体装置を得ることができる。
ことができるため、ＬＳＩチップの加圧時におけるＬＳ
Ｉチップのそりや歪の発生がなく、ＬＳＩの特性変動が
なく高品質の半導体装置を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例における突起電極の形成
方法の工程順断面図
方法の工程順断面図
【図２】図１の突起電極を有したＬＳＩチップの配線基
板への接続方法の１例を示す工程別断面図
板への接続方法の１例を示す工程別断面図
【図３】従来の突起電極を有したＬＳＩチップの基板へ
の接続方法を示す工程別断面図
の接続方法を示す工程別断面図
１ 半導体ウェハー ２ 電極 ３ 保護膜 ４ バリアメタル ５ 感光性樹脂 ６ 突起電極の核 ７ リング状の開口部 ８ 突起電極 ９ 配線基板 １０ 導体配線 １１ 絶縁性樹脂 １２ ＬＳＩチップ １３ 加圧ツール
Claims (2)
- 【請求項１】配線が形成された半導体ウェハーの表面に
金属膜を形成する工程、前記配線の一部にリング状の開
口部を有した絶縁性皮膜を前記金属膜上に形成する工
程、前記金属膜を電極とし電解めっきにより前記開口部
に前記リング状の開口部内にある島状の絶縁性皮膜の表
面を覆うように金属突起を形成する工程、前記金属突起
の周囲にある前記絶縁性皮膜を除去する工程、前記金属
膜の不要部を除去する工程よりなることを特徴とする突
起電極の形成方法。 - 【請求項２】絶縁性皮膜が弾性体であることを特徴とす
る請求項１記載の突起電極の形成方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3344334A JP3003344B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 突起電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3344334A JP3003344B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 突起電極の形成方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175199A true JPH05175199A (ja) | 1993-07-13 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3003344B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10017746A1 (de) * | 2000-04-10 | 2001-10-18 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit mikroskopisch kleinen Kontaktflächen und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US6555849B1 (en) | 1998-05-12 | 2003-04-29 | Infineon Technologies Ag | Deactivatable thyristor |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP3344334A patent/JP3003344B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6555849B1 (en) | 1998-05-12 | 2003-04-29 | Infineon Technologies Ag | Deactivatable thyristor |
| DE10017746A1 (de) * | 2000-04-10 | 2001-10-18 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit mikroskopisch kleinen Kontaktflächen und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US6946725B2 (en) | 2000-04-10 | 2005-09-20 | Infineon Technologies Ag | Electronic device having microscopically small contact areas and methods for producing the electronic device |
| DE10017746B4 (de) * | 2000-04-10 | 2005-10-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit mikroskopisch kleinen Kontaktflächen |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3003344B2 (ja) | 2000-01-24 |
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