JPH05175379A - ロウ材付きヒートシンク - Google Patents
ロウ材付きヒートシンクInfo
- Publication number
- JPH05175379A JPH05175379A JP3342723A JP34272391A JPH05175379A JP H05175379 A JPH05175379 A JP H05175379A JP 3342723 A JP3342723 A JP 3342723A JP 34272391 A JP34272391 A JP 34272391A JP H05175379 A JPH05175379 A JP H05175379A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- brazing material
- heat sink
- island
- semiconductor element
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】ヒートシンク１上にあらかじめ、必要量のロウ
材４をメツキ法あるいは蒸着法により素子搭載部に島状
に形成し、最適なロウ材を供給することにより、素子の
電気的ショートを防ぐ。 【効果】ヒートシンク上へ素子を搭載するのに必要な最
適なロウ材を供給することにより、素子の電気的ショー
トを防止し、実装歩留りが向上する。
材４をメツキ法あるいは蒸着法により素子搭載部に島状
に形成し、最適なロウ材を供給することにより、素子の
電気的ショートを防ぐ。 【効果】ヒートシンク上へ素子を搭載するのに必要な最
適なロウ材を供給することにより、素子の電気的ショー
トを防止し、実装歩留りが向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、小型の半導体素子、例
えば単体トランジスタ、あるいは半導体レーザやＬＥＤ
等の光発光素子を搭載するヒートシンクに関する。
えば単体トランジスタ、あるいは半導体レーザやＬＥＤ
等の光発光素子を搭載するヒートシンクに関する。
【０００２】
【従来の技術】単体トランジスタ、あるいは半導体レー
ザやＬＥＤ等の光発光素子等の実装に使用されるヒート
シンクは、一般に、セラミックスやダイヤモンドが使用
されているが、これらのヒートシンクは一般に上下面、
あるいは全面に金属薄が厚膜法や薄膜法により施されて
おり、これらヒートシンク上に半導体素子を搭載するた
めに鉛−すず系の半田や金−すず系のろう材をく形また
は円形の箔材として接合用ろう材として用いて実施して
いる。
ザやＬＥＤ等の光発光素子等の実装に使用されるヒート
シンクは、一般に、セラミックスやダイヤモンドが使用
されているが、これらのヒートシンクは一般に上下面、
あるいは全面に金属薄が厚膜法や薄膜法により施されて
おり、これらヒートシンク上に半導体素子を搭載するた
めに鉛−すず系の半田や金−すず系のろう材をく形また
は円形の箔材として接合用ろう材として用いて実施して
いる。
【０００３】すなわち、図１の（ａ）に示す様に、ヒー
トシンク１と半導体素子３の間に箔状のロウ材２をはさ
み、ろう材を加熱溶融することによりヒートシンク１と
素子３を接合し、図１の（ｂ）の状態にする。
トシンク１と半導体素子３の間に箔状のロウ材２をはさ
み、ろう材を加熱溶融することによりヒートシンク１と
素子３を接合し、図１の（ｂ）の状態にする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の箔状のろう材を
使用した場合、小型の半導体素子に対し、これらろう材
の必要量はわずかな量であるにもかかわらず、外形寸法
が必要以上に大きく、また厚さも数十ミクロンと厚いた
めに、必要量が十分にコントロール出来ず、ろう材の量
が過多になる。このため、ヒートシンク上へ素子搭載時
に、これら必要以上のろう材が素子表面や側面に濡れ広
がり、電気的ショートを発生するという不具合が生じ
る。これらを模式的に示すと図１の（ｂ）の２ａや２ｂ
の通りである。
使用した場合、小型の半導体素子に対し、これらろう材
の必要量はわずかな量であるにもかかわらず、外形寸法
が必要以上に大きく、また厚さも数十ミクロンと厚いた
めに、必要量が十分にコントロール出来ず、ろう材の量
が過多になる。このため、ヒートシンク上へ素子搭載時
に、これら必要以上のろう材が素子表面や側面に濡れ広
がり、電気的ショートを発生するという不具合が生じ
る。これらを模式的に示すと図１の（ｂ）の２ａや２ｂ
の通りである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述のトラブルを解決す
るためには、搭載時に使用するロウ材の量を適切にする
必要があり、このためには、必要量の制御が困難な箔状
のロウ材を使用するのではなく、あらかじめ、素子を搭
載するのに必要な部分のみ島状に形成されているロウ材
を使用することにより解決することが可能となる。
るためには、搭載時に使用するロウ材の量を適切にする
必要があり、このためには、必要量の制御が困難な箔状
のロウ材を使用するのではなく、あらかじめ、素子を搭
載するのに必要な部分のみ島状に形成されているロウ材
を使用することにより解決することが可能となる。
【０００６】
【作用】本発明による島状に形成された素子接合用のろ
う材は、半導体素子の接合に必要な最適量のロウ材の大
きさ、並びに厚さであらかじめ決められているため、従
来の箔状のろう材を用いることにより生じる不具合がな
くなる。これら、本発明による島状に形成されたろう材
は、既知のメッキ法あるいは蒸着法により容易に形成す
ることが可能である。
う材は、半導体素子の接合に必要な最適量のロウ材の大
きさ、並びに厚さであらかじめ決められているため、従
来の箔状のろう材を用いることにより生じる不具合がな
くなる。これら、本発明による島状に形成されたろう材
は、既知のメッキ法あるいは蒸着法により容易に形成す
ることが可能である。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例を図２の（ａ）に示す。ヒー
トシンク１上に形成された島状のロウ材４は電気メッキ
あるいは抵抗加熱、ＥＢ（エレクトロンビーム）法等の
蒸着により形成された鉛−すず系の半田、あるいは抵抗
加熱、ＥＢ法等の蒸着法により形成された金−すず系ろ
う材であり、この島状の大きさは搭載する半導体素子よ
り片側で０〜０.２mm 大きく、厚みは２〜１０μｍが最
適である。
トシンク１上に形成された島状のロウ材４は電気メッキ
あるいは抵抗加熱、ＥＢ（エレクトロンビーム）法等の
蒸着により形成された鉛−すず系の半田、あるいは抵抗
加熱、ＥＢ法等の蒸着法により形成された金−すず系ろ
う材であり、この島状の大きさは搭載する半導体素子よ
り片側で０〜０.２mm 大きく、厚みは２〜１０μｍが最
適である。
【０００８】ヒートシンク上に半導体素子３を接合、搭
載後を図２の（ｂ）に示す様に、ろう材は最適量が確保
されるため、従来の様に素子表面が側面に必要以上に濡
れひろがることなく電気的ショートの発生もおさえるこ
とが出来る。
載後を図２の（ｂ）に示す様に、ろう材は最適量が確保
されるため、従来の様に素子表面が側面に必要以上に濡
れひろがることなく電気的ショートの発生もおさえるこ
とが出来る。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、ヒートシンク上の島状
に形成されたろう材を用いて半導体素子をヒートシンク
上に接合，搭載することにより、接合に必要な最適量が
供給されることによって、半導体素子の表面あるいは側
面に必要以上にロウ材が濡れ広がることがなくなり、電
気的ショートといった不具合の発生をなくし、素子の組
立て歩留を大幅に向上することができる。
に形成されたろう材を用いて半導体素子をヒートシンク
上に接合，搭載することにより、接合に必要な最適量が
供給されることによって、半導体素子の表面あるいは側
面に必要以上にロウ材が濡れ広がることがなくなり、電
気的ショートといった不具合の発生をなくし、素子の組
立て歩留を大幅に向上することができる。
【図１】従来の箔状ろう材を用いてヒートシンクに搭載
する時を模式的に示した断面図。
する時を模式的に示した断面図。
【図２】本発明によるヒートシンク上に島状にろう材を
あらかじめ施した時の接合時を示す断面図。
あらかじめ施した時の接合時を示す断面図。
１…ヒートシンク、２…半導体素子、３…箔状のろう
材、４…島状の形成したろう材。
材、４…島状の形成したろう材。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体実装用ヒートシンクにおいて、半導
体素子を搭載する部分にのみ、島状に接合用ロウ材を施
してあることを特徴とするヒートシンク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3342723A JPH05175379A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | ロウ材付きヒートシンク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3342723A JPH05175379A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | ロウ材付きヒートシンク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175379A true JPH05175379A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18355995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3342723A Pending JPH05175379A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | ロウ材付きヒートシンク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175379A (ja) |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP3342723A patent/JPH05175379A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5609287A (en) | Solder material, junctioning method, junction material, and semiconductor device | |
| CN1134056C (zh) | 用于建立芯片-衬底-连接的设备和方法 | |
| JP4626517B2 (ja) | 半導体レーザアセンブリ | |
| US20090185593A1 (en) | Method of manufacturing laser diode packages and arrays | |
| JP2006287226A (ja) | はんだ結合を形成するために規定された層列を有する半導体チップ及び支持体と半導体チップとの間にはんだ結合を形成するための方法 | |
| JPH0513820A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3146735B2 (ja) | スタックレーザ | |
| JPS6063981A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH11220204A (ja) | アレイ型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPH08330672A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH09232690A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2874819B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003309314A (ja) | 集積光学素子及びその製造方法 | |
| JP2015005571A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05243690A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH06188328A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の組立方法 | |
| JPH04329681A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| KR0169239B1 (ko) | 레이저 다이오드의 접합구조 및 접합방법 | |
| JPS6018985A (ja) | 発光装置 | |
| JPH06140540A (ja) | ヒートシンク及びそのヒートシンクを用いた半導体装置の実装方法 | |
| JP3368140B2 (ja) | 電子部品の実装方法及びその構造 | |
| JPH02137389A (ja) | サブマウント及び光半導体装置 | |
| JPH0623011Y2 (ja) | マルチビーム半導体レーザ装置 | |
| JPS63228650A (ja) | 発熱素子用冷却装置 | |
| JPH05304233A (ja) | 半導体装置の製造方法 |