JPH0517686A - 感光性耐熱樹脂組成物と層間絶縁膜の形成方法 - Google Patents
感光性耐熱樹脂組成物と層間絶縁膜の形成方法Info
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- JPH0517686A JPH0517686A JP17029591A JP17029591A JPH0517686A JP H0517686 A JPH0517686 A JP H0517686A JP 17029591 A JP17029591 A JP 17029591A JP 17029591 A JP17029591 A JP 17029591A JP H0517686 A JPH0517686 A JP H0517686A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 集積回路の層間絶縁に適した感光性耐熱樹脂
組成物に関し、感光性を有し、また耐熱性と平坦化性の
優れた材料を提供することを目的とする。 【構成】 側鎖に芳香族酸無水物を有するシリコーン樹
脂と側鎖に多官能低級オキシドを有するシリコーン化合
物の混合物よりなることを特徴として感光性耐熱樹脂組
成物を構成するか、或いは、側鎖に芳香族酸無水物を有
するシリコーン樹脂と側鎖に多官能低級オキシドを有す
るシリコーン化合物との混合物に光照射により酸を発生
する酸発生剤を添加したことを特徴として感光性耐熱樹
脂組成物を構成し、集積回路の層間絶縁膜を形成する。
組成物に関し、感光性を有し、また耐熱性と平坦化性の
優れた材料を提供することを目的とする。 【構成】 側鎖に芳香族酸無水物を有するシリコーン樹
脂と側鎖に多官能低級オキシドを有するシリコーン化合
物の混合物よりなることを特徴として感光性耐熱樹脂組
成物を構成するか、或いは、側鎖に芳香族酸無水物を有
するシリコーン樹脂と側鎖に多官能低級オキシドを有す
るシリコーン化合物との混合物に光照射により酸を発生
する酸発生剤を添加したことを特徴として感光性耐熱樹
脂組成物を構成し、集積回路の層間絶縁膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ＩＣなど多層配線
構造をとる集積回路において、層間絶縁層の形成に適し
た感光性樹脂組成物に関する。
構造をとる集積回路において、層間絶縁層の形成に適し
た感光性樹脂組成物に関する。
【０００２】大量の情報を高速に処理する必要から、情
報処理装置の主体を構成する半導体装置は集積化が進ん
でLSI やVLSIが実用化されており、更に一段と集積度の
増したULSIについても実用化が進められている。
報処理装置の主体を構成する半導体装置は集積化が進ん
でLSI やVLSIが実用化されており、更に一段と集積度の
増したULSIについても実用化が進められている。
【０００３】こゝで、集積化はチップの大型化と云うよ
りも素子を構成する単位素子の微細化により行われ、導
体配線の最小線幅はサブミクロン(Sub-micron)に達して
おり、また、電子回路は層間絶縁膜を介する多層配線構
成がとられている。
りも素子を構成する単位素子の微細化により行われ、導
体配線の最小線幅はサブミクロン(Sub-micron)に達して
おり、また、電子回路は層間絶縁膜を介する多層配線構
成がとられている。
【０００４】そのため、層間絶縁膜の形成材料としては
耐熱性が優れ、下地平坦化性をもち、また優れた感光性
を有していることが望まれている。
耐熱性が優れ、下地平坦化性をもち、また優れた感光性
を有していることが望まれている。
【０００５】
【従来の技術】半導体集積回路の製造において、基板上
には多数の電極や導体配線などが形成されるために、そ
の表面は凹凸を多く含み、多数の段差が存在している。
には多数の電極や導体配線などが形成されるために、そ
の表面は凹凸を多く含み、多数の段差が存在している。
【０００６】この段差は多層配線を行う上で信頼性の低
下などの問題を生じる。そのために層間絶縁膜の形成材
料としては平坦化性が優れていることが必要である。
下などの問題を生じる。そのために層間絶縁膜の形成材
料としては平坦化性が優れていることが必要である。
【０００７】また、半導体製造工程においては高温での
熱処理を必要とすることから耐熱性に優れていることが
必要であり、また、基板上にパターン形成されている配
線間隔は極めて狭いことから電気絶縁性が優れているこ
とが必要である。
熱処理を必要とすることから耐熱性に優れていることが
必要であり、また、基板上にパターン形成されている配
線間隔は極めて狭いことから電気絶縁性が優れているこ
とが必要である。
【０００８】また、層間絶縁膜を挟んで上下に設けられ
る配線パターンは必要とする位置でバイアホール（Via-
hole) で結ばれており、従来はフォトレジストを使用
し、これをマスクとしてドライエッチングを施すなどの
方法によりバイアホールが形成されているが、絶縁材料
自体が感光性を有しており、微細パターンの形成が可能
であれば処理工数の大幅な短縮が可能となる。
る配線パターンは必要とする位置でバイアホール（Via-
hole) で結ばれており、従来はフォトレジストを使用
し、これをマスクとしてドライエッチングを施すなどの
方法によりバイアホールが形成されているが、絶縁材料
自体が感光性を有しており、微細パターンの形成が可能
であれば処理工数の大幅な短縮が可能となる。
【０００９】以上のことから、層間絶縁膜形成用の樹脂
の必要条件として、 優れた下地平坦化性を有していること、 耐熱性に優れていること、 電気絶縁性に優れていること、 優れた感光性をもっていること、 などが挙げられるが、これらの総てを満足する材料を得
ることは困難である。
の必要条件として、 優れた下地平坦化性を有していること、 耐熱性に優れていること、 電気絶縁性に優れていること、 優れた感光性をもっていること、 などが挙げられるが、これらの総てを満足する材料を得
ることは困難である。
【００１０】すなわち、無機絶縁物としては二酸化硅素
（SiO2)，窒化硅素（Si3N4), 燐硅酸ガラス( 略称PSG)
などがあり、スパッタ法や気相成長法(CVD法) などによ
り被処理基板上に膜形成されている。
（SiO2)，窒化硅素（Si3N4), 燐硅酸ガラス( 略称PSG)
などがあり、スパッタ法や気相成長法(CVD法) などによ
り被処理基板上に膜形成されている。
【００１１】然し、これらの絶縁膜は電気的特性や耐熱
性などの特性は優れているものゝ、下地基板の凹凸を忠
実に再現するために平坦化のためにはエッチバックなど
特別な処理工程を必要とし面倒である。
性などの特性は優れているものゝ、下地基板の凹凸を忠
実に再現するために平坦化のためにはエッチバックなど
特別な処理工程を必要とし面倒である。
【００１２】一方、有機絶縁物としてはポリイミド樹脂
やシリコーン樹脂があり、これを溶剤に溶解して得られ
る塗液は基板上にスピンコート法により膜形成できるた
め、平坦化性に優れ、また電気絶縁性にも優れている
が、問題がある。
やシリコーン樹脂があり、これを溶剤に溶解して得られ
る塗液は基板上にスピンコート法により膜形成できるた
め、平坦化性に優れ、また電気絶縁性にも優れている
が、問題がある。
【００１３】すなわち、ポリイミド樹脂は約450 ℃で分
解が生じ、吸湿性も高い。また、シルセスキオキサン樹
脂やシルフェニレンシロキサン樹脂などのシリコーン樹
脂は硬化した後にSiO2に近い低膨張率の材料となり、硬
化反応による膜の内部歪みと熱衝撃によって、厚さが0.
5μm 以下の薄膜でもクラックが発生し易い。
解が生じ、吸湿性も高い。また、シルセスキオキサン樹
脂やシルフェニレンシロキサン樹脂などのシリコーン樹
脂は硬化した後にSiO2に近い低膨張率の材料となり、硬
化反応による膜の内部歪みと熱衝撃によって、厚さが0.
5μm 以下の薄膜でもクラックが発生し易い。
【００１４】このように、単独で上記の必要条件を満た
す材料は存在しない。
す材料は存在しない。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】発明者等はこれらの問
題を解決する方法として、耐熱性の優れたシルセスキオ
キサン樹脂やシルフェニレンシロキサン樹脂などのシリ
コーン樹脂をベースポリマとし、これに優れた感光性を
付与し、また露光部をアルカリ可溶性とするなどの方法
により上記の諸条件を満たそうとするもので、如何にし
て実現するかが課題である。
題を解決する方法として、耐熱性の優れたシルセスキオ
キサン樹脂やシルフェニレンシロキサン樹脂などのシリ
コーン樹脂をベースポリマとし、これに優れた感光性を
付与し、また露光部をアルカリ可溶性とするなどの方法
により上記の諸条件を満たそうとするもので、如何にし
て実現するかが課題である。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記の課題は側鎖に芳香
族酸無水物を有するシリコーン樹脂と側鎖に多官能低級
オキシドを有するシリコーン化合物の混合物よりなるこ
とを特徴として感光性耐熱樹脂組成物を構成するか、或
いは、側鎖に芳香族酸無水物を有するシリコーン樹脂と
側鎖に多官能低級オキシドを有するシリコーン化合物と
の混合物に光照射により酸を発生する酸発生剤を添加し
たことを特徴として感光性耐熱樹脂組成物を構成し、こ
れを用いて集積回路の層間絶縁膜を形成することにより
解決することができる。
族酸無水物を有するシリコーン樹脂と側鎖に多官能低級
オキシドを有するシリコーン化合物の混合物よりなるこ
とを特徴として感光性耐熱樹脂組成物を構成するか、或
いは、側鎖に芳香族酸無水物を有するシリコーン樹脂と
側鎖に多官能低級オキシドを有するシリコーン化合物と
の混合物に光照射により酸を発生する酸発生剤を添加し
たことを特徴として感光性耐熱樹脂組成物を構成し、こ
れを用いて集積回路の層間絶縁膜を形成することにより
解決することができる。
【００１７】
【作用】発明者等は集積回路の層間絶縁膜として必要な
上記の諸条件を満足する方法として一般式（１）或いは
（２）で表され、側鎖（R1) として無水マレイン酸のよ
うな芳香族酸無水物を有するポリオルガノシルフェニレ
ンシロキサンやポリオルガノシルアルキレンシロキサン
などのシリコーン樹脂と、一般式（３）で表され、側鎖
（R1) を構成する原子の少なくとも２個以上が低級エポ
キシ化合物であり、主鎖のR2がフェニレンなどの芳香族
化合物であるシリコーン樹脂との混合物を用いるもので
ある。
上記の諸条件を満足する方法として一般式（１）或いは
（２）で表され、側鎖（R1) として無水マレイン酸のよ
うな芳香族酸無水物を有するポリオルガノシルフェニレ
ンシロキサンやポリオルガノシルアルキレンシロキサン
などのシリコーン樹脂と、一般式（３）で表され、側鎖
（R1) を構成する原子の少なくとも２個以上が低級エポ
キシ化合物であり、主鎖のR2がフェニレンなどの芳香族
化合物であるシリコーン樹脂との混合物を用いるもので
ある。
【００１８】このような樹脂を被処理基板上にスピンコ
ートなどの方法により塗布した後に紫外線などの電離放
射線を照射すると一般式（３）を構成するR2基はラジカ
ル化し、これによりエポキシ基が開環して架橋重合が進
行し、硬化させることができる。
ートなどの方法により塗布した後に紫外線などの電離放
射線を照射すると一般式（３）を構成するR2基はラジカ
ル化し、これによりエポキシ基が開環して架橋重合が進
行し、硬化させることができる。
【００１９】また、側鎖に芳香族酸無水物を有するシリ
コーン樹脂を用いることの利点は、現像を行う場合に酸
無水物が吸水して有機酸となり、そのためアルカリ現像
が可能になることである。
コーン樹脂を用いることの利点は、現像を行う場合に酸
無水物が吸水して有機酸となり、そのためアルカリ現像
が可能になることである。
【００２０】特にこの反応はルイス酸のように光照射に
より酸を発生する酸発生剤を樹脂組成物中に加えておけ
ば、発生する酸によりこの反応はより顕著に進行し、こ
れにより高感度化と高解像性を実現することができる。
より酸を発生する酸発生剤を樹脂組成物中に加えておけ
ば、発生する酸によりこの反応はより顕著に進行し、こ
れにより高感度化と高解像性を実現することができる。
【００２１】本発明は一般式（１）または（２）で表さ
れ、側鎖に芳香族酸無水物を有するシリコーン樹脂に対
し一般式（３）で表される多官能低級エポキシドを１〜
10重量％、好ましくは３〜８重量％添加することにより
優れた感光性を実現し、また光照射により酸を発生する
酸発生剤を樹脂組成物に対し0.5 〜５重量％、好ましく
は１〜３重量％添加することにより更に高感度化と高解
像性を実現するものである。
れ、側鎖に芳香族酸無水物を有するシリコーン樹脂に対
し一般式（３）で表される多官能低級エポキシドを１〜
10重量％、好ましくは３〜８重量％添加することにより
優れた感光性を実現し、また光照射により酸を発生する
酸発生剤を樹脂組成物に対し0.5 〜５重量％、好ましく
は１〜３重量％添加することにより更に高感度化と高解
像性を実現するものである。
【００２２】
【化１】
【００２３】
【化２】
【００２４】こゝで、
R0,R1 は同一または異なっていてもよく、その20％以上
が芳香族酸無水物で、残りは芳香族化合物, 炭素数が１
〜３の低級アルキル基または低級エポキシ化合物、 R2 はフェニレンなどの芳香族化合物，エチレンなど
の低級アルキレンまたは酸素原子、
が芳香族酸無水物で、残りは芳香族化合物, 炭素数が１
〜３の低級アルキル基または低級エポキシ化合物、 R2 はフェニレンなどの芳香族化合物，エチレンなど
の低級アルキレンまたは酸素原子、
【００２５】
【化３】
【００２６】こゝで、
R1 は少なくとも２個以上が炭素数２〜３の低級エポ
キシ化合物であり、残りは芳香族化合物，炭素数が１〜
３の低級アルキル基または低級エポキシ化合物、 R2 はフェニレンなどの芳香族化合物，エチレンなど
の低級アルキレンまたは酸素原子、
キシ化合物であり、残りは芳香族化合物，炭素数が１〜
３の低級アルキル基または低級エポキシ化合物、 R2 はフェニレンなどの芳香族化合物，エチレンなど
の低級アルキレンまたは酸素原子、
【００２７】
【実施例】
合成例１：( 芳香族酸無水物をもつシリコーン樹脂の合
成) 300cc の四っ口フラスコにメチルイソブチルケトン100c
c と水30ccを入れ、触媒としてトリエチルアミン15ccを
加え、攪拌を続けながら室温で1,4-ビス( フタレイトジ
クロルシリル) ベンゼン５ｇと1,4-ビス( フェニルジク
ロルシリル) メタン５ｇとをテトラヒドロフラン50ccに
溶解し、40分を要して滴下した。
成) 300cc の四っ口フラスコにメチルイソブチルケトン100c
c と水30ccを入れ、触媒としてトリエチルアミン15ccを
加え、攪拌を続けながら室温で1,4-ビス( フタレイトジ
クロルシリル) ベンゼン５ｇと1,4-ビス( フェニルジク
ロルシリル) メタン５ｇとをテトラヒドロフラン50ccに
溶解し、40分を要して滴下した。
【００２８】滴下終了後に80℃に加温して２時間に亙っ
て攪拌を続けた。そして、反応終了後に室温まで冷却し
た後、多量の水を用い水相が中性になるまで洗浄した。
て攪拌を続けた。そして、反応終了後に室温まで冷却し
た後、多量の水を用い水相が中性になるまで洗浄した。
【００２９】そして、水で洗浄した反応溶液から共沸に
より残存している水を取り除いた。その後、触媒として
ピリジン20ccを加え、40℃に加温した後、グリシジルエ
ポキシジメチルイソシアナトシラン20ccを添加し、この
温度で５時間反応させ、未反応の水素基の水素原子を置
換した。
より残存している水を取り除いた。その後、触媒として
ピリジン20ccを加え、40℃に加温した後、グリシジルエ
ポキシジメチルイソシアナトシラン20ccを添加し、この
温度で５時間反応させ、未反応の水素基の水素原子を置
換した。
【００３０】反応終了後に反応溶液を多量の水に投入し
て樹脂を析出させ回収した。沈澱回収後の樹脂を凍結乾
燥して5.5 ｇの白色粉末を得、ゲルパーミエーションク
ロマトグラフによるポリスチレン換算により求めた重量
平均分子量は5.8 ×104 であった。
て樹脂を析出させ回収した。沈澱回収後の樹脂を凍結乾
燥して5.5 ｇの白色粉末を得、ゲルパーミエーションク
ロマトグラフによるポリスチレン換算により求めた重量
平均分子量は5.8 ×104 であった。
【００３１】この樹脂を再度テトラクロロエタンに溶解
して加熱脱水して生成する水を共沸混合物として除去
し、酸無水物を得た。次に、この基板を大気中500 ℃で
１時間の加熱を行った後、ー65℃〜150 ℃の熱衝撃試験
を10回に亙って行ったが基板との剥離はなく、またクラ
ックの発生も認められなかった。 合成例２：（多官能低級エポキシドをもつシリコーン化
合物の合成） ビニルメチルフェニルジシロキサン10ｇをジクロメタン
に溶解し、これに過酢酸20ccを添加し、40℃の水浴にて
10時間に亙って反応させた。
して加熱脱水して生成する水を共沸混合物として除去
し、酸無水物を得た。次に、この基板を大気中500 ℃で
１時間の加熱を行った後、ー65℃〜150 ℃の熱衝撃試験
を10回に亙って行ったが基板との剥離はなく、またクラ
ックの発生も認められなかった。 合成例２：（多官能低級エポキシドをもつシリコーン化
合物の合成） ビニルメチルフェニルジシロキサン10ｇをジクロメタン
に溶解し、これに過酢酸20ccを添加し、40℃の水浴にて
10時間に亙って反応させた。
【００３２】この溶液にメチルイソブチルケトン100cc
を添加し、イオン交換水による洗浄を行った。そして、
洗浄終了後に減圧蒸留を行いエチレンオキシメチルフェ
ニルジシロキサンを分離して５ｇを回収した。 合成例３：（樹脂組成物溶液の調製） 実施例１と実施例２で合成した樹脂とシリコーン化合物
を95：５の割合で混合し、これをメチルイソブチルケト
ンに30重量％の濃度に溶解して樹脂溶液（Ａ）を得た。
を添加し、イオン交換水による洗浄を行った。そして、
洗浄終了後に減圧蒸留を行いエチレンオキシメチルフェ
ニルジシロキサンを分離して５ｇを回収した。 合成例３：（樹脂組成物溶液の調製） 実施例１と実施例２で合成した樹脂とシリコーン化合物
を95：５の割合で混合し、これをメチルイソブチルケト
ンに30重量％の濃度に溶解して樹脂溶液（Ａ）を得た。
【００３３】また、この樹脂溶液に酸発生剤であるジフ
ェニルヨードニウムクロライドを樹脂に対して２重量％
添加して樹脂溶液（Ｂ）を得た。 実施例１：（Ａ）液使用例 半導体素子を形成し、第１層アルミ配線を施したSi基板
(Al の厚さは１μm ，最小線幅は１μm ，最小線間隔は
1.5 μm) の上に1.5 μm の厚さにスピンコートした。
ェニルヨードニウムクロライドを樹脂に対して２重量％
添加して樹脂溶液（Ｂ）を得た。 実施例１：（Ａ）液使用例 半導体素子を形成し、第１層アルミ配線を施したSi基板
(Al の厚さは１μm ，最小線幅は１μm ，最小線間隔は
1.5 μm) の上に1.5 μm の厚さにスピンコートした。
【００３４】塗布後に80℃で20分間溶剤乾燥を行った
後、約400mJ/cm2 のパワーで紫外線の照射を行い、膜を
硬化させた。こゝで、基板表面の段差は約0.2 μm であ
り、Al配線により生じた段差は平坦化れさていた。
後、約400mJ/cm2 のパワーで紫外線の照射を行い、膜を
硬化させた。こゝで、基板表面の段差は約0.2 μm であ
り、Al配線により生じた段差は平坦化れさていた。
【００３５】続いて、常法によりスルーホールを形成し
た後、二層目のAl配線を行い、保護層として1.2 μm の
PSG 膜を形成した後、電極取り出し用の窓開けを行って
半導体装置を得た。
た後、二層目のAl配線を行い、保護層として1.2 μm の
PSG 膜を形成した後、電極取り出し用の窓開けを行って
半導体装置を得た。
【００３６】この装置を大気中で450 ℃で１時間加熱試
験と、−65℃→150 ℃の10回の熱衝撃試験を行ったが不
良は全く見られなかった。 実施例２：（Ａ）液使用例 実施例１と同様にして樹脂層の塗布と乾燥まで行った
後、約400mJ/cm2 のパワーでエキシマレーザ光の照射を
行い、スルーホール部のみを未照射の状態にしてメチル
イソブチルケトンに浸漬し、直径1.5 μmのスルーホー
ルが形成された樹脂層を得た。 続いて、常法によりス
ルーホールを形成した後、二層目のAl配線を行い、保護
層として1.2 μm のPSG 膜を形成した後、電極取り出し
用の窓開けを行って半導体装置を得た。
験と、−65℃→150 ℃の10回の熱衝撃試験を行ったが不
良は全く見られなかった。 実施例２：（Ａ）液使用例 実施例１と同様にして樹脂層の塗布と乾燥まで行った
後、約400mJ/cm2 のパワーでエキシマレーザ光の照射を
行い、スルーホール部のみを未照射の状態にしてメチル
イソブチルケトンに浸漬し、直径1.5 μmのスルーホー
ルが形成された樹脂層を得た。 続いて、常法によりス
ルーホールを形成した後、二層目のAl配線を行い、保護
層として1.2 μm のPSG 膜を形成した後、電極取り出し
用の窓開けを行って半導体装置を得た。
【００３７】この装置を大気中で450 ℃で１時間加熱試
験と、−65℃→150 ℃の10回の熱衝撃試験を行ったが不
良は全く見られなかった。 実施例３：（Ｂ）液使用例 半導体素子を形成し、第１層アルミ配線を施したSi基板
(Al の厚さは１μm ，最小線幅は１μm ，最小線間隔は
1.5 μm) の上に1.5 μm の厚さにスピンコートした。
験と、−65℃→150 ℃の10回の熱衝撃試験を行ったが不
良は全く見られなかった。 実施例３：（Ｂ）液使用例 半導体素子を形成し、第１層アルミ配線を施したSi基板
(Al の厚さは１μm ，最小線幅は１μm ，最小線間隔は
1.5 μm) の上に1.5 μm の厚さにスピンコートした。
【００３８】塗布後に80℃で20分間溶剤乾燥を行った
後、約60mJ/cm2のパワーで紫外線の照射を行い、更に12
0 ℃で３分間の熱処理を行い膜を硬化させた。こゝで、
基板表面の段差は約0.2 μm であり、Al配線により生じ
た段差は平坦化れさていた。
後、約60mJ/cm2のパワーで紫外線の照射を行い、更に12
0 ℃で３分間の熱処理を行い膜を硬化させた。こゝで、
基板表面の段差は約0.2 μm であり、Al配線により生じ
た段差は平坦化れさていた。
【００３９】続いて、常法によりスルーホールを形成し
た後、二層目のAl配線を行い、保護層として1.2 μm の
PSG 膜を形成した後、電極取り出し用の窓開けを行って
半導体装置を得た。
た後、二層目のAl配線を行い、保護層として1.2 μm の
PSG 膜を形成した後、電極取り出し用の窓開けを行って
半導体装置を得た。
【００４０】この装置を大気中で450 ℃で１時間加熱試
験と、−65℃→150 ℃の10回の熱衝撃試験を行ったが不
良は全く見られなかった。次に、この基板を大気中500
℃で１時間の加熱を行った後、ー65℃〜150 ℃の熱衝撃
試験を10回に亙って行ったが基板との剥離はなく、また
クラックの発生も認められなかった。 実施例４：（Ｂ）液使用例 実施例３と同様にして樹脂層の塗布と乾燥まで行った
後、約60mJ/cm2のパワーでエキシマレーザ光の照射を行
い、スルーホール部のみを未照射の状態にし、更に105
℃で５分間の熱処理を行った後、メチルイソブチルケト
ンに浸漬し、直径1.0 μm のスルーホールが形成された
樹脂層を得た。 続いて、常法によりスルーホールを形
成した後、二層目のAl配線を行い、保護層として1.2 μ
m のPSG 膜を形成した後、電極取り出し用の窓開けを行
って半導体装置を得た。
験と、−65℃→150 ℃の10回の熱衝撃試験を行ったが不
良は全く見られなかった。次に、この基板を大気中500
℃で１時間の加熱を行った後、ー65℃〜150 ℃の熱衝撃
試験を10回に亙って行ったが基板との剥離はなく、また
クラックの発生も認められなかった。 実施例４：（Ｂ）液使用例 実施例３と同様にして樹脂層の塗布と乾燥まで行った
後、約60mJ/cm2のパワーでエキシマレーザ光の照射を行
い、スルーホール部のみを未照射の状態にし、更に105
℃で５分間の熱処理を行った後、メチルイソブチルケト
ンに浸漬し、直径1.0 μm のスルーホールが形成された
樹脂層を得た。 続いて、常法によりスルーホールを形
成した後、二層目のAl配線を行い、保護層として1.2 μ
m のPSG 膜を形成した後、電極取り出し用の窓開けを行
って半導体装置を得た。
【００４１】この装置を大気中で450 ℃で１時間加熱試
験と、−65℃→150 ℃の10回の熱衝撃試験を行ったが不
良は全く見られなかった。
験と、−65℃→150 ℃の10回の熱衝撃試験を行ったが不
良は全く見られなかった。
【００４２】
【発明の効果】本発明の実施により優れた下地平坦化性
をもち，耐熱性に優れ，電気絶縁性に優れ，また、優れ
た感光性をもつ樹脂組成物を得ることができ、この樹脂
組成物を用いて集積回路の層間絶縁膜を形成することに
より信頼性の向上した半導体集積回路を得ることができ
る。
をもち，耐熱性に優れ，電気絶縁性に優れ，また、優れ
た感光性をもつ樹脂組成物を得ることができ、この樹脂
組成物を用いて集積回路の層間絶縁膜を形成することに
より信頼性の向上した半導体集積回路を得ることができ
る。
Claims (3)
- 【請求項１】 側鎖に芳香族酸無水物を有するシリコー
ン樹脂と側鎖に多官能低級オキシドを有するシリコーン
化合物の混合物よりなることを特徴とする感光性耐熱樹
脂組成物。 - 【請求項２】 側鎖に芳香族酸無水物を有するシリコー
ン樹脂と側鎖に多官能低級オキシドを有するシリコーン
化合物との混合物に光照射により酸を発生する酸発生剤
を添加したことを特徴とする感光性耐熱樹脂組成物。 - 【請求項３】 前記の感光性耐熱樹脂組成物を用いて集
積回路の層間絶縁を行うことを特徴とする層間絶縁膜の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17029591A JPH0517686A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 感光性耐熱樹脂組成物と層間絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17029591A JPH0517686A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 感光性耐熱樹脂組成物と層間絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0517686A true JPH0517686A (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=15902317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17029591A Withdrawn JPH0517686A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 感光性耐熱樹脂組成物と層間絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0517686A (ja) |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP17029591A patent/JPH0517686A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |