JPH05181145A - 液晶素子用基板およびその製造方法 - Google Patents
液晶素子用基板およびその製造方法Info
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- JPH05181145A JPH05181145A JP31821491A JP31821491A JPH05181145A JP H05181145 A JPH05181145 A JP H05181145A JP 31821491 A JP31821491 A JP 31821491A JP 31821491 A JP31821491 A JP 31821491A JP H05181145 A JPH05181145 A JP H05181145A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 23
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 abstract description 16
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 29
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 スタンプ深さ規制用スペーサーが分散された
配向膜を基板本体上に形成したことを特徴とする液晶素
子用基板。 【効果】 膜厚の均一な配向膜１を備えた液晶素子用基
板を製造することができる。
配向膜を基板本体上に形成したことを特徴とする液晶素
子用基板。 【効果】 膜厚の均一な配向膜１を備えた液晶素子用基
板を製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は液晶素子用基板および
その製造方法に係り、特に画質の良い液晶素子を構成で
きる液晶素子用基板およびその製造方法に関する。
その製造方法に係り、特に画質の良い液晶素子を構成で
きる液晶素子用基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、本発明者が先に提案した液晶素
子用基板を示す断面図である。この基板は基板本体２と
厚さ数μｍの配向膜１とから構成されている。基板本体
２はガラス製の基板７とその上に形成された透明電極８
とから構成されている。基板本体２上に積層された配向
膜１はポリイミド等の高分子膜を素材とするもので、そ
の表面にはスタンプ法によって凹凸形状が形成されてい
る。
子用基板を示す断面図である。この基板は基板本体２と
厚さ数μｍの配向膜１とから構成されている。基板本体
２はガラス製の基板７とその上に形成された透明電極８
とから構成されている。基板本体２上に積層された配向
膜１はポリイミド等の高分子膜を素材とするもので、そ
の表面にはスタンプ法によって凹凸形状が形成されてい
る。
【０００３】本発明者らはこのような配向膜１を形成す
る方法として、図５に示すようなプレス装置４を用いる
方法を検討した。このプレス装置４は台座１１と上プレ
ート６とで構成されている。台座１１は高分子膜が塗布
された基板本体２を載置する場所である。上プレート６
は自重により前記高分子膜に圧力をかけるもので、その
下面には所定の凹凸形状が形成されたスタンパー３が取
り付けられている。このスタンパー３の周囲にはストッ
パー５が設けられている。
る方法として、図５に示すようなプレス装置４を用いる
方法を検討した。このプレス装置４は台座１１と上プレ
ート６とで構成されている。台座１１は高分子膜が塗布
された基板本体２を載置する場所である。上プレート６
は自重により前記高分子膜に圧力をかけるもので、その
下面には所定の凹凸形状が形成されたスタンパー３が取
り付けられている。このスタンパー３の周囲にはストッ
パー５が設けられている。
【０００４】このようなプレス装置４を用いて基板を製
造するにはまず、ポリイミドなどからなるの高分子膜を
塗布した基板本体２を台座１１に載置し、ついで上プレ
ート６を降下させる。すると前記高分子膜の表面にスタ
ンパー３の表面に形成された凹凸形状が転写され、高分
子膜は配向膜１となる。この時配向膜１の厚さはストッ
パー５が台座１１に当接し、それによって上プレート６
の高分子膜１への進入が阻止されることによって定ま
る。
造するにはまず、ポリイミドなどからなるの高分子膜を
塗布した基板本体２を台座１１に載置し、ついで上プレ
ート６を降下させる。すると前記高分子膜の表面にスタ
ンパー３の表面に形成された凹凸形状が転写され、高分
子膜は配向膜１となる。この時配向膜１の厚さはストッ
パー５が台座１１に当接し、それによって上プレート６
の高分子膜１への進入が阻止されることによって定ま
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしこのようにスト
ッパー５を設けたプレス装置４を使用して高分子膜の表
面に凹凸形状を形成すると、以下に示す不都合が生じ
た。まず、ストッパー５の下面、台座１１の上面、およ
びスタンパー３を取り付けている上プレート６の下面が
高精度に仕上げられていないと、すなわち平坦度や平行
度の精度が低いと、高分子膜の表面全体にスタンパー３
を均一に当接させることができない。このような場合は
スタンパー３に形成された凹凸形状が均一に高分子膜の
表面に転写されずに表面形状が不均一な配向膜１が形成
されたり、膜厚の不均一な配向膜１を有する基板が製造
されてしまう。この配向膜の表面形状の不均一性や配向
膜１の厚さのばらつきは、ドメインの発生を招き、液晶
分子の配向に影響を及ぼし、ひいては液晶素子の画質に
まで悪影響を及ぼす。また、液晶層と透明電極８との間
の絶縁性の場所によるむらを生じる可能性もある。この
ような問題を防止するためには、前記平坦度や平行度の
精度を高めればよいが、現実には配向膜１に求められて
いる厚さ数μｍという膜厚、その表面に均一にスタンパ
ーの形状を転写すること、更にその膜厚の均一性を達成
できる程度にまで前記プレス装置４の平坦度や平行度を
高めることは不可能である。
ッパー５を設けたプレス装置４を使用して高分子膜の表
面に凹凸形状を形成すると、以下に示す不都合が生じ
た。まず、ストッパー５の下面、台座１１の上面、およ
びスタンパー３を取り付けている上プレート６の下面が
高精度に仕上げられていないと、すなわち平坦度や平行
度の精度が低いと、高分子膜の表面全体にスタンパー３
を均一に当接させることができない。このような場合は
スタンパー３に形成された凹凸形状が均一に高分子膜の
表面に転写されずに表面形状が不均一な配向膜１が形成
されたり、膜厚の不均一な配向膜１を有する基板が製造
されてしまう。この配向膜の表面形状の不均一性や配向
膜１の厚さのばらつきは、ドメインの発生を招き、液晶
分子の配向に影響を及ぼし、ひいては液晶素子の画質に
まで悪影響を及ぼす。また、液晶層と透明電極８との間
の絶縁性の場所によるむらを生じる可能性もある。この
ような問題を防止するためには、前記平坦度や平行度の
精度を高めればよいが、現実には配向膜１に求められて
いる厚さ数μｍという膜厚、その表面に均一にスタンパ
ーの形状を転写すること、更にその膜厚の均一性を達成
できる程度にまで前記プレス装置４の平坦度や平行度を
高めることは不可能である。
【０００６】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、表面形状が均一で、均一な膜厚を有する配向膜１を
製作し易い液晶素子用基板、およびその製造方法を提供
することを目的とする。
で、表面形状が均一で、均一な膜厚を有する配向膜１を
製作し易い液晶素子用基板、およびその製造方法を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の液晶素子
用基板では、スタンプ深さ規制用スペーサーが分散され
た配向膜を基板本体上に形成したことにより前記問題の
解決を図った。
用基板では、スタンプ深さ規制用スペーサーが分散され
た配向膜を基板本体上に形成したことにより前記問題の
解決を図った。
【０００８】請求項２記載の液晶素子の製造方法は、請
求項１記載の液晶素子用基板を製造する方法であって、
まずスタンプ深さ規制用スペーサーが分散されている膜
を基板本体上に積層し、ついで凹凸形状が形成されてい
るスタンパーを前記スペーサーによってスタンパーの進
入が阻止されるまで膜に押し付けることにより前記問題
の解決を図った。
求項１記載の液晶素子用基板を製造する方法であって、
まずスタンプ深さ規制用スペーサーが分散されている膜
を基板本体上に積層し、ついで凹凸形状が形成されてい
るスタンパーを前記スペーサーによってスタンパーの進
入が阻止されるまで膜に押し付けることにより前記問題
の解決を図った。
【０００９】前記スペーサーの形状は特に限定されない
が、どの様に配置されても高さが変わることのない球形
が好ましい。スぺーサーの粒径は、スぺーサーが分散さ
れている膜の膜厚と表面に形成されている凹凸の深さと
に関係しており、粒径は８０〜１５００オングストロー
ムが好ましい。スペーサーの粒径が８０オングストロー
ムより小さいと、基板内面における膜厚の制御が困難で
あるという不都合が生じるとともに、膜の表面に形成さ
れる凹凸形状が安定しなくなる。スぺーサーの粒径が１
５００オングストロームを超えると、膜の厚さも同等あ
るいはそれ以上となり光の透過率が減少し、液晶素子の
表示コントラストが低下したり、膜の容量が増大し表示
に有効に働く電圧が低下したりする。スペーサーの素材
としては配向膜の表面に凹凸形状を形成するときスペー
サー自身も加熱されるので、加熱によって高さが変化し
ないような熱膨張係数の小さいものが適している。ま
た、表面に凹凸形状が形成されかつ全体の形状が平坦で
あるスタンパーを用いて配向膜の表面に凹凸形状を形成
する場合、膜厚を均一にするには、スペーサーを１００
〜１０００個／ｍｍ2 程度の密度で分布させることが望
ましい。
が、どの様に配置されても高さが変わることのない球形
が好ましい。スぺーサーの粒径は、スぺーサーが分散さ
れている膜の膜厚と表面に形成されている凹凸の深さと
に関係しており、粒径は８０〜１５００オングストロー
ムが好ましい。スペーサーの粒径が８０オングストロー
ムより小さいと、基板内面における膜厚の制御が困難で
あるという不都合が生じるとともに、膜の表面に形成さ
れる凹凸形状が安定しなくなる。スぺーサーの粒径が１
５００オングストロームを超えると、膜の厚さも同等あ
るいはそれ以上となり光の透過率が減少し、液晶素子の
表示コントラストが低下したり、膜の容量が増大し表示
に有効に働く電圧が低下したりする。スペーサーの素材
としては配向膜の表面に凹凸形状を形成するときスペー
サー自身も加熱されるので、加熱によって高さが変化し
ないような熱膨張係数の小さいものが適している。ま
た、表面に凹凸形状が形成されかつ全体の形状が平坦で
あるスタンパーを用いて配向膜の表面に凹凸形状を形成
する場合、膜厚を均一にするには、スペーサーを１００
〜１０００個／ｍｍ2 程度の密度で分布させることが望
ましい。
【００１０】表面に凹凸形状が形成されかつ全体の形状
が湾曲しているスタンパーを用いて配向膜の表面に凹凸
形状を形成する場合には、スペーサーの分布密度を１０
０〜３０００個／ｍｍ2 程度にすることが望ましい。全
体の形状が平坦であるスタンパーを用いる場合、スタン
パーをスペーサーに当接させるとき圧力が分散されるの
で、比較的低密度（１００〜１０００個／ｍｍ2 程度）
に分散されたスペーサーにより、押し付けられるスタン
パーを支持することができる。他方、全体の形状が湾曲
しているスタンパーを用いる場合、スタンパーをスペー
サーに当接させるとき圧力が分散されないので、その圧
力に耐え得るように比較的高密度（１００〜３０００個
／ｍｍ2 程度）にスペーサーを配向膜中に分散させる必
要がある。
が湾曲しているスタンパーを用いて配向膜の表面に凹凸
形状を形成する場合には、スペーサーの分布密度を１０
０〜３０００個／ｍｍ2 程度にすることが望ましい。全
体の形状が平坦であるスタンパーを用いる場合、スタン
パーをスペーサーに当接させるとき圧力が分散されるの
で、比較的低密度（１００〜１０００個／ｍｍ2 程度）
に分散されたスペーサーにより、押し付けられるスタン
パーを支持することができる。他方、全体の形状が湾曲
しているスタンパーを用いる場合、スタンパーをスペー
サーに当接させるとき圧力が分散されないので、その圧
力に耐え得るように比較的高密度（１００〜３０００個
／ｍｍ2 程度）にスペーサーを配向膜中に分散させる必
要がある。
【００１１】
【作用】請求項１の液晶素子用基板は、スタンプ深さ規
制用スペーサーが分散された配向膜を基板本体上に形成
したものなので、この配向膜を製造するためにスタンパ
ーを膜に押し付けたとき、前記スペーサーによってスタ
ンパーの進入が阻止され、スタンパーはそれ以上基板本
体に近づくことがない。スペーサーは配向膜全体に分散
しているので配向膜の表面形状が均一で膜厚も均一とな
る。
制用スペーサーが分散された配向膜を基板本体上に形成
したものなので、この配向膜を製造するためにスタンパ
ーを膜に押し付けたとき、前記スペーサーによってスタ
ンパーの進入が阻止され、スタンパーはそれ以上基板本
体に近づくことがない。スペーサーは配向膜全体に分散
しているので配向膜の表面形状が均一で膜厚も均一とな
る。
【００１２】請求項２の製造方法では、請求項１記載の
液晶素子用基板を製造する方法であって、まずスタンプ
深さ規制用スペーサーが分散されている膜を基板本体上
に積層し、ついで凹凸形状が形成されているスタンパー
を前記スペーサーによってスタンパーの進入が阻止され
るまで膜に押し付けるので、スタンパーの進入はスペー
サーによって所定の位置で阻止され、その位置以上スタ
ンパーが基板本体に近づくことがない。その結果、表面
形状が均一で膜厚の均一な配向膜を形成することができ
る。
液晶素子用基板を製造する方法であって、まずスタンプ
深さ規制用スペーサーが分散されている膜を基板本体上
に積層し、ついで凹凸形状が形成されているスタンパー
を前記スペーサーによってスタンパーの進入が阻止され
るまで膜に押し付けるので、スタンパーの進入はスペー
サーによって所定の位置で阻止され、その位置以上スタ
ンパーが基板本体に近づくことがない。その結果、表面
形状が均一で膜厚の均一な配向膜を形成することができ
る。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の液晶素子用基
板およびその製造方法を詳しく説明する。なお前記従来
例と同一構成部分には、同一符号を符して説明を簡略化
する。
板およびその製造方法を詳しく説明する。なお前記従来
例と同一構成部分には、同一符号を符して説明を簡略化
する。
【００１４】（実施例１）図１は本実施例の液晶素子用
基板を示す断面図である。この液晶素子用基板は基板本
体２と配向膜１とから構成されている。基板本体２はガ
ラス基板７の上にＩＴＯからなる透明電極８が形成され
ているものである。配向膜１はポリエーテルケトン（Ｐ
ＥＳ）中にガラス粒子１０が分散されてなる膜であり、
基板本体２上に形成されている。配向膜１中のガラス粒
子１０の直径は７００オングストロームであり、配向膜
１の膜厚は８００オングストロームである。ガラス粒子
１０は配向膜１中に５００個／ｍｍ2 程度に分散されて
いる
基板を示す断面図である。この液晶素子用基板は基板本
体２と配向膜１とから構成されている。基板本体２はガ
ラス基板７の上にＩＴＯからなる透明電極８が形成され
ているものである。配向膜１はポリエーテルケトン（Ｐ
ＥＳ）中にガラス粒子１０が分散されてなる膜であり、
基板本体２上に形成されている。配向膜１中のガラス粒
子１０の直径は７００オングストロームであり、配向膜
１の膜厚は８００オングストロームである。ガラス粒子
１０は配向膜１中に５００個／ｍｍ2 程度に分散されて
いる
【００１５】上記液晶素子用基板は以下に示す工程によ
って製作された。 予め、１−メチル−２−ピロリドンを溶媒とし、その
溶媒にガラス粒子１０とＰＥＳとを加え、混合溶液を調
整した。 基板本体２上に前記混合溶液を所定の形状に印刷をし
た。 前記混合溶液を乾燥させることにより溶媒を蒸発さ
せ、高分子膜を形成した。この高分子膜の厚さは８００
オングストロームであった。 高分子膜を有する基板本体２を２００〜２４０℃に加
熱し、図２に示すように、その表面にスタンパー３を２
００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で押し付けた。このスタンパー
３は表面にピッチ２８００オングストローム、深さ１０
０オングストロームの凹凸模様が形成されたものであ
る。本実施例の液晶素子用基板では、配向膜１中にガラ
ス粒子１０が高密度（５００個／ｍｍ2 程度）に分散さ
れているので、スタンパー３の凸部１２がガラス粒子１
０の頂点に当接してスタンパー３の進入が阻止される確
率が高い。よってこの配向膜１は谷部における膜厚がガ
ラス粒子１０の粒径と同じものとなる。
って製作された。 予め、１−メチル−２−ピロリドンを溶媒とし、その
溶媒にガラス粒子１０とＰＥＳとを加え、混合溶液を調
整した。 基板本体２上に前記混合溶液を所定の形状に印刷をし
た。 前記混合溶液を乾燥させることにより溶媒を蒸発さ
せ、高分子膜を形成した。この高分子膜の厚さは８００
オングストロームであった。 高分子膜を有する基板本体２を２００〜２４０℃に加
熱し、図２に示すように、その表面にスタンパー３を２
００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で押し付けた。このスタンパー
３は表面にピッチ２８００オングストローム、深さ１０
０オングストロームの凹凸模様が形成されたものであ
る。本実施例の液晶素子用基板では、配向膜１中にガラ
ス粒子１０が高密度（５００個／ｍｍ2 程度）に分散さ
れているので、スタンパー３の凸部１２がガラス粒子１
０の頂点に当接してスタンパー３の進入が阻止される確
率が高い。よってこの配向膜１は谷部における膜厚がガ
ラス粒子１０の粒径と同じものとなる。
【００１６】本実施例の液晶素子用基板では、ガラス粒
子１０が分散されている配向膜１を基板本体２上に形成
したものなので、この配向膜１を製造するためにスタン
パー３を膜に押し付けたとき、前記ガラス粒子１０によ
ってスタンパー３の進入が阻止され、スタンパー３はそ
れ以上基板本体２に近づくことがない。ガラス粒子１０
は配向膜１全体に分散しているので配向膜１の膜厚は均
一となる。従って、本実施例の液晶素子用基板は、均一
な膜厚を有する配向膜１を備えた液晶素子用基板となっ
た。
子１０が分散されている配向膜１を基板本体２上に形成
したものなので、この配向膜１を製造するためにスタン
パー３を膜に押し付けたとき、前記ガラス粒子１０によ
ってスタンパー３の進入が阻止され、スタンパー３はそ
れ以上基板本体２に近づくことがない。ガラス粒子１０
は配向膜１全体に分散しているので配向膜１の膜厚は均
一となる。従って、本実施例の液晶素子用基板は、均一
な膜厚を有する配向膜１を備えた液晶素子用基板となっ
た。
【００１７】本実施例の製造方法では、まずガラス粒子
１０が分散されている膜を基板本体２上に積層し、つい
で凹凸形状が形成されているスタンパー３を前記ガラス
粒子１０によってスタンパー３の進入が阻止されるまで
膜に押し付けるので、スタンパー３の進入はガラス粒子
１０によって所定の位置で阻止され、その位置以上スタ
ンパー３が基板本体２に近づくことがない。その結果、
膜厚の均一な配向膜１を形成することができる。従っ
て、本実施例の製造方法によれば膜厚の均一な配向膜１
を備えた液晶素子用基板を製造することができる。
１０が分散されている膜を基板本体２上に積層し、つい
で凹凸形状が形成されているスタンパー３を前記ガラス
粒子１０によってスタンパー３の進入が阻止されるまで
膜に押し付けるので、スタンパー３の進入はガラス粒子
１０によって所定の位置で阻止され、その位置以上スタ
ンパー３が基板本体２に近づくことがない。その結果、
膜厚の均一な配向膜１を形成することができる。従っ
て、本実施例の製造方法によれば膜厚の均一な配向膜１
を備えた液晶素子用基板を製造することができる。
【００１８】（実施例２）図３は本実施例の液晶素子用
基板を示す断面図である。この液晶素子用基板の配向膜
１中にはガラス粒子１０が低密度（１００個／ｍｍ2 程
度）に分散されている。このようにガラス粒子１０が比
較的低密度で分散されている場合、スタンパー３の凸部
１２がガラス粒子１０に接すると、ガラス粒子１０はス
タンパー３の進入にともなって、傾斜する側面に沿って
動かされスタンパー３の凹部に入り込む。
基板を示す断面図である。この液晶素子用基板の配向膜
１中にはガラス粒子１０が低密度（１００個／ｍｍ2 程
度）に分散されている。このようにガラス粒子１０が比
較的低密度で分散されている場合、スタンパー３の凸部
１２がガラス粒子１０に接すると、ガラス粒子１０はス
タンパー３の進入にともなって、傾斜する側面に沿って
動かされスタンパー３の凹部に入り込む。
【００１９】本実施例の液晶素子用基板ではガラス粒子
１０にスタンパー３の傾斜する側面が接することによっ
てスタンパー３の高分子膜への進入が阻止される。この
結果、この実施例の液晶素子用基板では、ガラス粒子１
０が配向膜１の表面に形成された凸部に入り込み、配向
膜１の傾斜する側面に接した状態となっている。従っ
て、本実施例液晶素子用基板においても実施例１と同様
な作用効果が得られる。
１０にスタンパー３の傾斜する側面が接することによっ
てスタンパー３の高分子膜への進入が阻止される。この
結果、この実施例の液晶素子用基板では、ガラス粒子１
０が配向膜１の表面に形成された凸部に入り込み、配向
膜１の傾斜する側面に接した状態となっている。従っ
て、本実施例液晶素子用基板においても実施例１と同様
な作用効果が得られる。
【００２０】また、本実施例の液晶素子用基板では、ガ
ラス粒子１０の粒径、またはスタンパー３の表面に形成
された凸部の斜面の傾斜角を変えることによっても配向
膜１の膜厚を制御できる。
ラス粒子１０の粒径、またはスタンパー３の表面に形成
された凸部の斜面の傾斜角を変えることによっても配向
膜１の膜厚を制御できる。
【００２１】
【発明の効果】請求項１記載の液晶素子用基板は、スタ
ンプ深さ規制用スペーサーが分散されている配向膜を基
板本体上に形成したものなので、この配向膜を製造する
ためにスタンパーを膜に押し付けたとき、前記スペーサ
ーによってスタンパーの進入が阻止され、スタンパーは
それ以上基板本体に近づくことがない。スペーサーは配
向膜全体に分散しているので配向膜の表面形状は均一と
なり膜厚も均一となる。従って請求項１記載の液晶素子
用基板は、表面形状が均一で膜厚も均一な配向膜を備え
た液晶素子用基板となる。
ンプ深さ規制用スペーサーが分散されている配向膜を基
板本体上に形成したものなので、この配向膜を製造する
ためにスタンパーを膜に押し付けたとき、前記スペーサ
ーによってスタンパーの進入が阻止され、スタンパーは
それ以上基板本体に近づくことがない。スペーサーは配
向膜全体に分散しているので配向膜の表面形状は均一と
なり膜厚も均一となる。従って請求項１記載の液晶素子
用基板は、表面形状が均一で膜厚も均一な配向膜を備え
た液晶素子用基板となる。
【００２２】請求項２記載の製造方法は、請求項１記載
の液晶素子用基板を製造する方法であって、まずスタン
プ深さ規制用スペーサーが分散されている膜を基板本体
上に積層し、ついで凹凸形状が形成されているスタンパ
ーを前記スペーサーによってスタンパーの進入が阻止さ
れるまで膜に押し付けるので、スタンパーの進入はスペ
ーサーによって所定の位置で阻止され、その位置以上ス
タンパーが基板に近づくことがない。その結果、表面形
状が均一で膜厚も均一な配向膜を形成することができ
る。従って請求項２記載の製造方法によれば、表面形状
が均一で膜厚も均一な配向膜を備えた液晶素子用基板を
製造することができる。
の液晶素子用基板を製造する方法であって、まずスタン
プ深さ規制用スペーサーが分散されている膜を基板本体
上に積層し、ついで凹凸形状が形成されているスタンパ
ーを前記スペーサーによってスタンパーの進入が阻止さ
れるまで膜に押し付けるので、スタンパーの進入はスペ
ーサーによって所定の位置で阻止され、その位置以上ス
タンパーが基板に近づくことがない。その結果、表面形
状が均一で膜厚も均一な配向膜を形成することができ
る。従って請求項２記載の製造方法によれば、表面形状
が均一で膜厚も均一な配向膜を備えた液晶素子用基板を
製造することができる。
【図１】実施例１の液晶素子用基板を示す概略断面図
【図２】実施例１の液晶素子用基板の配向膜を製造して
いる工程を説明するための概略断面図
いる工程を説明するための概略断面図
【図３】実施例２の液晶素子用基板を示す概略断面図
【図４】従来の液晶素子用基板を示す概略断面図
【図５】従来の液晶素子用基板の配向膜を製造している
工程を説明するための概略断面図
工程を説明するための概略断面図
１ 配向膜 ２ 基板本体 ３ スタンパー １０ スペーサー（ガラス粒子）
Claims (2)
- 【請求項１】 スタンプ深さ規制用スペーサーが分散さ
れた配向膜を基板本体上に形成したことを特徴とする液
晶素子用基板。 - 【請求項２】 請求項１記載の液晶素子用基板を製造す
る方法であって、まずスタンプ深さ規制用スペーサーが
分散されている膜を基板本体上に積層し、ついで凹凸形
状が形成されているスタンパーを前記スペーサーによっ
て進入が阻止されるまで膜に押し付けることを特徴とす
る液晶素子用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31821491A JPH05181145A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 液晶素子用基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31821491A JPH05181145A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 液晶素子用基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05181145A true JPH05181145A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18096710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31821491A Withdrawn JPH05181145A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 液晶素子用基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05181145A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0867288A2 (en) | 1994-04-27 | 1998-09-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Recording head |
| CN100410777C (zh) * | 2005-07-27 | 2008-08-13 | 中华映管股份有限公司 | 供喷墨法形成配向膜的基板结构及用其制作的液晶面板 |
-
1991
- 1991-12-02 JP JP31821491A patent/JPH05181145A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0867288A2 (en) | 1994-04-27 | 1998-09-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Recording head |
| CN100410777C (zh) * | 2005-07-27 | 2008-08-13 | 中华映管股份有限公司 | 供喷墨法形成配向膜的基板结构及用其制作的液晶面板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |