JPH05182191A

JPH05182191A - 磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH05182191A
Application number: JP35909391A
Authority: JP
Inventors: Kazunobu Chiba; 一信千葉; Kenichi Sato; 研一佐藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1991-12-28
Filing date: 1991-12-28
Publication date: 1993-07-23

Abstract

(57)【要約】【目的】成膜速度を高め、生産性の向上を図るととも
に、安定な放電を行って、得られる保護膜の膜質を改善
する。【構成】ベースフィルム２上に真空蒸着法により磁性
層を形成した後、真空室１内に配設された冷却キャン７
の周面に沿って上記ベースフィルム２を移動走行させな
がらマグネトロンスパッタを行って保護膜を形成する。
この保護膜の成膜に際し、カソード電極８に６Ｗ／ｃｍ
²以上の高い電力を投入する。また、前記カソード電極
８上に固定されるターゲット材９の不純物量を１５ｐｐ
ｍ以下とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、強磁性金属薄膜からな
る磁性層上にマグネトロンスパッタにより保護膜を形成
する磁気記録媒体の製造方法に関し、特に生産性の向上
と膜質の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】金属あるいはＣｏ−Ｎｉ等の合金からな
る磁性材料をメッキや真空薄膜形成技術（真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法等）により
ポリエステルフィルムやポリイミドフィルム等のベース
フィルム上に直接被着した、所謂強磁性金属薄膜型の磁
気記録媒体は、保磁力、角形比等に優れ、短波長域にお
ける電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層の薄膜
化が可能であるために記録減磁や再生時の厚み損失が著
しく小さいこと、或いは磁性層中に非磁性材料である結
合剤等を混入する必要がないために磁性材料の充填密度
を高くできること等、数々の利点を有している。

【０００３】この強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体にお
いて、一般に磁性層は真空蒸着法により形成されてお
り、例えばベースフィルムの表面に対して磁性材料を斜
めに蒸着させる、所謂斜方蒸着法が提案され実用化され
ている。この場合、所定の方向に回転可能な冷却キャン
の外周面にベースフィルムを巻回させ、上記冷却キャン
の回転に応じて上記磁性支持体を所定の速度で移動走行
させながら、ルツボより蒸着せしめられた磁性材料を上
記ベースフィルムの表面に対してある角度をなす方向か
ら入射させ、この磁性材料を上記ベースフィルム上に蒸
着させて磁性層を形成している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体を特にデジタルビデオ
テープレコーダ等に用いる場合には、アナログビデオテ
ープレコーダ等に用いる場合に比べて記録・再生時にド
ラムが高速回転されるので、磁気ヘッドとの摺動による
い磁気記録媒体の損傷が大きいことが問題となってい
る。

【０００５】そこで、従来より、ベースフィルム上に強
磁性金属薄膜を成膜した後に、この強磁性金属薄膜上に
カーボン膜やＳｉＯ₂膜等からなる保護膜を形成し、こ
れにより耐久性を確保しようとしている。

【０００６】この保護膜を成膜する方法としては、従来
より種々の方法が検討されているが、例えば蒸着法によ
り保護膜を形成した場合では、得られた膜に昇華性があ
るために膜質が不安定であり、実用的な膜を得ることは
困難である。これに対して、スパッタリング法を使用す
る場合では、蒸着法に比べて成膜速度が１／１０〜１／
１００程度と非常に遅く、生産性に乏しいという欠点が
ある。また、このスパッタ時において、主としてターゲ
ット中に含まれるＡｌ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｓｉ等の不純物に
より異常放電が発生することがある。このような異常放
電が起きると、安定な膜質を有する保護膜を形成するこ
とができなくなる。

【０００７】そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、成膜速度を高め、生産性の向
上を図るとともに、安定な膜質を有する保護膜を得るこ
とが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供することを目
的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体の
製造方法は、上述の目的を達成するために提案されたも
のである。即ち、本願の第１の発明は、ベースフィルム
上に真空蒸着法により強磁性金属薄膜を形成した後、こ
の強磁性金属薄膜上にマグネトロンスパッタにより保護
膜を形成する磁気記録媒体の製造方法において、前記保
護膜を成膜する際に、カソード投入電力を６Ｗ／ｃｍ²
以上とすることを特徴とするものである。

【０００９】また、本願の第２の発明は、ベースフィル
ム上に真空蒸着法により強磁性金属薄膜を形成した後、
この強磁性金属薄膜上にマグネトロンスパッタにより保
護膜を形成する磁気記録媒体の製造方法において、前記
保護膜を成膜する際に、使用するターゲット材の不純物
量を１５ｐｐｍ以下とすることを特徴とするものであ
る。

【００１０】本発明において、磁性層とされる強磁性金
属薄膜は、真空蒸着法により形成される。この真空蒸着
法としては、通常の真空蒸着法の他、電界、磁界、電子
ビーム照射等により蒸気流のイオン化、加速化等を行っ
て蒸発化学種の平均自由工程の大きい雰囲気にてベース
フィルム上に磁性薄膜を成膜させる方法等でも良い。本
発明では、このような真空蒸着法により強磁性金属薄膜
を成膜した後、マグネトロンスパッタにより保護膜を形
成する。

【００１１】上記保護膜の成膜方法としては、送り側よ
り送り出されたベースフィルムを巻き取り側に向かって
順次走行させながらスパッタリングを行う、所謂連続巻
取り方式が採用される。この連続巻取り方式では、上記
強磁性金属薄膜が成膜されたベースフィルムを例えば上
記送り側と巻き取り側の中途部に配設される大径のキャ
ン等により支持して移動走行させるとともに、このキャ
ンの周囲に配設されたターゲット材により上記ベースフ
ィルムに対してスパッタリングがなされ、保護膜が成膜
される。

【００１２】このようなスパッタリングに際し、本願の
第１の発明では、上記カソード電極に与えられるカソー
ド投入電力を６Ｗ／ｃｍ²以上、より好ましくは１０Ｗ
／ｃｍ²以上とする。カソード投入電力は、保護膜成膜
時の磁気テープの送り速度とほぼリニヤな関係にあり、
上記カソード投入電力を増大させることによって磁気テ
ープの送り速度は高くなる。従って、単位時間当たりに
得られる保護膜の長さが倍増され、生産性が向上する。
上記カソード投入電力が上記範囲よりも小さいと、ベー
スフィルムの送り速度を十分に向上させることができ
ず、効果が期待できない。

【００１３】なお、上記カソード投入電力とは、上記タ
ーゲット材が固定されるカソード電極（通常はＣｕから
なる。）に投入される電力である。

【００１４】ここで、カソード投入電力を上記範囲とす
るためには、高いカソード投入電力が与えられた場合で
も上記ターゲット材とカソード電極との接着性が十分に
確保されることが必要とされる。即ち、上記カソード電
極とターゲット材は、通常半田等によって接着され固定
されているが、このような接着を行った場合には、カソ
ード投入電力を４〜５Ｗ／ｃｍ²程度とした時点で上記
半田が溶け出し、上記ターゲット材の位置がズレたり、
カソード電極がショートしたりして、上記ターゲット材
に対する冷却効果の低下や、上記カソード電極とその周
囲に配設される各部材との絶縁性の劣化等の問題が生じ
る。

【００１５】そこで、本願の第１の発明においては、上
記カソード電極に対するターゲット材の取付け手段とし
て、例えば上記カソード電極とターゲット材間にボンデ
ィングを施す方法、上記カソード電極やターゲット材に
適当な補助機構を設け、この補助機構により上記ターゲ
ット材をカソード電極に保持する方法等を使用する。上
記補助機構により上記ターゲット材をカソード電極に保
持する方法としては、例えば上記カソード電極に各種ネ
ジやタッピングネジ等の接合部材を貫通させるための貫
通孔を設け、上記カソード電極の裏面より前記貫通孔を
介して上記接合部材を貫通させ、該接合部材の先端部が
上記ターゲット材の内部に形成されたネジ穴に螺入され
るようにしてこれらターゲット材とカソード電極を接合
させる方法、或いはこれらターゲット材とカソード電極
の接合面に凹凸状の溝部をそれぞれ形成し、これらの溝
部が互いに係合するようにして固定化させる方法等が考
えられる。なお、前者においては、通常のネジの他、上
述のような貫通孔やネジ穴を必要としないタッピングネ
ジを使用しても良い。

【００１６】また、上記ボンディングを施す方法では、
ボンディングと同時に半田付けを行っても良いし、更に
上記補助機構による方法と組み合わせても良い。また、
本願の第１の発明では、カソード投入電力を向上させる
ために、上述の取付け手段により上記カソード電極とタ
ーゲット材を固定化した上で、更にこれらカソード電極
とターゲット材を水冷等により冷却することによって上
記取付け手段にかかる熱負荷を軽減させることが望まし
い。

【００１７】但し、これらの方法により上記カソード電
極とターゲット材を固定した場合でも、上記カソード投
入電力があまり大きすぎると、ターゲット材にヒビ割れ
が発生する等の障害が起きるために、上記カソード投入
電力には自ずと上限は存在する。

【００１８】また、本願の第２の発明は、上述のような
スパッタリングに際し、不純物量が１５ｐｐｍ以下、よ
り好ましくは１０ｐｐｍ以下であるターゲット材を使用
する。これにより、ターゲット材に含まれる不純物によ
る異常放電が抑えられるので、膜質が安定し、良好な特
性を有する保護膜が得られる。なお、この場合にも、成
膜速度の向上を図る上で、上記本願の第１の発明が適用
されることが望ましい。

【００１９】更に、上記ターゲット材は、上記キャンの
周囲に複数配設されることが望ましい。これにより、ス
パッタ時における上記ベースフィルムの送り速度が上記
ターゲット材の個数に比例して高められ、生産性が向上
する。

【００２０】本願の第１の発明及び第２の発明におい
て、上記保護膜としては例えばＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄，
ＳｉＮ_x，ＢＮ，カーボン，ＺｎＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｍ
ｏＳ₂，ＳｉＣ等が何れも使用可能であるが、特にカー
ボン膜が好適である。また、上記強磁性金属薄膜を構成
する磁性材料としては、一般的に使用されているもので
あれば何れでも良いが、好ましくは金属磁性材料が使用
されるのが良い。この場合、金属磁性材料としては、通
常この種の磁気記録媒体で使用されるものが何れも使用
可能である。具体的に例示すれば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等
の磁性金属や、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等が挙げられる。

【００２１】また、上記ベースフィルムとしては、通常
この種の磁気記録媒体において使用されるものが何れも
使用可能である。具体的に例示するならば、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレー
ト等のポリエステル樹脂や芳香族ポリアミドフィルム、
ポリイミド樹脂フィルム等が挙げられる。更に、本発明
においては、必要に応じて、上記ベースフィルム上に下
塗り膜を形成する工程やバックコート層、トップコート
層等を形成する工程等を加えても良い。この場合、下塗
り膜、バックコート層、トップコート層等の成膜条件
は、通常この種の磁気記録媒体の製造方法に適用される
方法であれば良く、特に限定されない。

【００２２】

【作用】本願の第１の発明においては、ベースフィルム
上に形成された磁性層上に保護膜を成膜するためにマグ
ネトロンスパッタを行う際に、カソード投入電力を６Ｗ
／ｃｍ²以上と高く設定する。これにより、保護膜成膜
時のベースフィルムの送り速度が高くなり、成膜速度が
向上する。

【００２３】また、本願の第２の発明においては、上述
のようなマグネトロンスパッタに際し、ターゲット材の
不純物量を１５ｐｐｍ以下に規制することにより、異常
放電の発生が抑えられ、膜質の安定性が確保される。

【００２４】

【実施例】以下、本発明を適用した磁気記録媒体の製造
方法の実施例を具体的に説明する。先ず、本発明を適用
した磁気記録媒体の製造方法により作製した磁気テープ
の保護膜成膜工程において使用される製造装置の構成に
ついて説明する。

【００２５】この製造装置においては、図１に示すよう
に、頭部と底部にそれぞれ設けられた排気口１１，１１
から排気されて内部が真空状態となされた真空室１内の
上方側に図中の反時計回り方向に定速回転する送りロー
ル３と、図中の時計回り方向に定速回転する巻取りロー
ル４とが設けられ、磁性層が形成されたベースフィルム
２が上記送りロール３から巻取りロール４に向かって順
次走行するようになされている。

【００２６】これら送りロール３から巻取りロール４に
亘って上記ベースフィルム２が移動走行される中途部に
は、上記送りロール３及び巻取りロール４の径よりも大
径となされた冷却キャン７が配設される。この冷却キャ
ン７は、上記ベースフィルム２を図中下方に引き出すよ
うに配設され、図中の時計回り方向に定速回転する構成
とされる。なお、上記送りロール３、巻取りロール４及
び冷却キャン７は、それぞれ上記ベースフィルム２の幅
と略同じ長さからなる円筒状をなすものであり、また、
上記冷却キャン７の内部には、図示しない冷却装置が設
けられ、スパッタ時の熱による上記ベースフィルム２の
変形等を防止するようになされている。

【００２７】従って、上記ベースフィルム２は、上記送
りロール３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン
７の周面を通過し、上記巻取りロール４に巻き取られて
いくようになされている。なお、上記送りロール３と上
記冷却キャン７の間、この冷却キャン７と上記巻取りロ
ール４の間には、それぞれガイドロール５，６が配設さ
れ、上記送りロール３から冷却キャン７及びこの冷却キ
ャン７から巻取りロール４に亘って走行する上記ベース
フィルム２に所定のテンシャンをかけ、円滑な移動走行
が行えるようになされている。

【００２８】一方、上記真空室１内には、上記冷却キャ
ン７の下方にカーボンからなるターゲット材９が配設さ
れ、このターゲット材９は、Ｃｕからなるカソード電極
８上に取け付けられる。そして、このカソード電極８に
所定のカソード投入電力が与えられることにより、上記
ターゲット材９と上記冷却キャン７間で放電が起こり、
上記ターゲット材９から叩き出されたカーボンが上記冷
却キャン７の周面を移動走行するベースフィルム２に対
して被着し保護膜が形成されるようになされている。

【００２９】そして、上記冷却キャン７の近傍には、上
記送りロール３に近い位置と巻取りロール４に近い位置
に該冷却キャン７の周面に沿って防着板１０ａ，１０ｂ
がそれぞれ配設される。これにより、これら防着板１０
ａ，１０ｂから露出する上記ベースフィルム２の表面に
対してのみにスパッタリングがなされるようになり、こ
のベースフィルム２の表面に被着する分以外の保護膜材
料は、上記防着板１０ａ，１０ｂに付着し、これら防着
板１０ａ，１０ｂにより保持される。従って、上記ベー
スフィルム２の表面以外に付着した保護膜材料がターゲ
ット上に脱落して、異常放電の原因となる虞れがなくな
り、得られる保護膜の膜質を安定にすることができる。

【００３０】なお、これら防着板１０ａ，１０ｂは、該
防着板１０ａ，１０ｂに付着される上記保護膜材料との
接着性を高めるために、所定の温度に保温されることが
望ましい。また、上記真空室１内には、上記冷却キャン
７の下方側と上方側を分断するごとく、仕切り板１２が
設けられている。これにより、この仕切り板１２により
区切られた上記真空室１内の上方側には、スパッタガス
が拡散することがなくなるので、スパッタ効率が向上す
る。

【００３１】そこで、このような製造装置を用いて、以
下のように各種磁気テープを作製し、それぞれの実験結
果に基づいて保護膜の特性を検討した。実験１本実験では、保護膜の成膜時におけるカソード投入電力
と得られる膜の成膜速度について検討した。

【００３２】先ず、表面に下塗り膜が形成されたベース
フィルムを作製した。即ち、アクリル酸エステルを主成
分とするラテックス粒子（平均粒径３０ｎｍ）を厚さ１
０μｍのポリエステルフィルム表面に上記ラテックス粒
子の密度が１０００万個／ｍｍ²となるように塗布して
上記ベースフィルムを得た。

【００３３】次に、ルツボ内に磁性材料（Ｃｏ₈₀Ｎｉ₂₀
合金：数値は重量％を表す。）を充填し、所定の真空度
に保たれた真空室内で上記磁性材料を電子銃により蒸発
せしめるとともに、上記ベースフィルムを冷却キャンの
周面に沿って所定の速度で移動走行させて、このベース
フィルムの表面に上記磁性材料を斜め方向から入射させ
て磁性層を成膜した。なお、この斜め蒸着に際して、上
記ベースフィルムの表面に酸素ガスを３００ｃｃ／分の
割合で導入し、このベースフィルムの表面に対する上記
磁性材料の入射角が４０〜９０°の範囲となるように設
定した。また、上記ベースフィルムの送り速度は、得ら
れる磁性層の膜厚が２００ｎｍとなるように設定した。

【００３４】その後、この磁性層が形成された面と反対
側の面にウレタン樹脂とカーボンからなるバックコート
層を塗布形成して、磁気テープを得た。

【００３５】続いて、図１に示される製造装置を用い
て、Ａｒガス雰囲気中でマグネトロンスパッタを行っ
て、上記磁性層上に膜厚１００Åのカーボン保護膜を形
成した。この時、上記真空室内の真空度は２Ｐａとし、
上記磁気テープの送り速度を変化させることによって成
膜速度を制御し、得られる保護膜の膜厚が一定となるよ
うにした。なお、上記ターゲット材としては、寸法が幅
２００ｍｍ×長さ１５０ｍｍである角型のものを使用
し、このターゲット材と上記ベースフィルムとの距離が
５０ｍｍとなるように調節した。

【００３６】また、上記製造装置においては、カソード
電極上にターゲット材を固定する方法として、４本のネ
ジを使用した。即ち、図２及び図３に示すように、上記
カソード電極８の四隅に厚さ方向に貫通してなる貫通孔
１３がそれぞれ設けられ、これら貫通孔１３介して上記
カソード電極８の裏面側よりＭ３のネジ１４が該カソー
ド電極８内に貫通される。これらネジ１４は、上記ター
ゲット材９に設けられたネジ穴に螺入され、該ターゲッ
ト材９が上記カソード電極８上に固定されるようになさ
れている。これにより、カソード投入電力を６Ｗ／ｃｍ
²以上に設定しても、上記ターゲット材９の位置がズレ
ることなく、確実に上記カソード電極８上に保持するこ
とができる。

【００３７】この時、上記カソード電極８及びターゲッ
ト材９の冷却温度は、２℃（通常は２５℃程度）まで下
げ、上記カソード電極８とターゲット材９の接合部にか
かる熱負荷の緩和を図った。更に、本実験では、カソー
ド投入電力の増加に伴って、上記防着板に付着した保護
膜材料が該防着板から剥離しやすい状態にされる。そこ
で、この防着板に付着した保護膜材料の接着性を高め
て、該保護膜材料の脱落を防止するために、上防着板を
温水により６０℃に保持した。

【００３８】そして、このようにして保護膜が形成され
た磁気テープを８ｍｍ幅に裁断してサンプルテープＡ〜
Ｃを得た。

【００３９】そこで、このようにして得られた各サンプ
ルテープＡ〜Ｃ、及び比較用としてカソード投入電力を
４Ｗ／ｃｍ²とした場合（サンプルテープａ）につい
て、ソニー社製のＥＶ−Ｓ１改造機（商品名）によりス
チル特性をそれぞれ調べ、この結果を下記の表１に示し
た。なお、スチル特性は走行時間を５０時間で打切りと
して、出力が初期値から３ｄＢ劣化した時点までに要し
た時間により評価し、シャトル特性は３０分テープを１
００回走行させた後の初期からの出力減衰量により評価
した。

【００４０】

【表１】

【００４１】表１に示すように、カソード投入電力を６
Ｗ／ｃｍ²以上とした場合では、保護膜成膜時のベース
フィルムの送り速度が高くなり、成膜速度の向上を図る
ことができた。また、カソード投入電力が高く設定され
るほど、得られた保護膜のスチル時間が長くなり、耐久
性に優れた磁気テープが得られることが判った。

【００４２】実験２本実験では、保護膜を成膜する際に使用したターゲット
材の不純物量を変化させて、得られる保護膜の膜質等に
ついて検討した。先ず、表面に下塗り膜が形成されたベ
ースフィルムを作製した。即ち、イソプロピルアルコー
ルを溶剤として用い、アクリル酸エステルを主成分とす
るバインダー樹脂中にＳｉＯ₂微粒子（平均粒径１８ｎ
ｍ）を分散混合して下塗り液を調製した。そして、この
下塗り液を１０μｍ厚のポリエステルフィルム表面に上
記ＳｉＯ₂微粒子の密度が１０００万個／ｍｍ²となる
ように塗布して上記ベースフィルムを得た。

【００４３】次に、ルツボ内に磁性材料（Ｃｏ₈₀Ｎｉ₂₀
合金：数値は重量％を表す。）を充填し、所定の真空度
に保たれた真空室内で上記磁性材料を所定の加熱手段に
より蒸発せしめるとともに、上記ベースフィルムを冷却
キャンの周面に沿って所定の速度で移動走行させて、こ
のベースフィルムの表面に上記磁性材料を斜め方向から
入射させて膜厚が２００ｎｍとなるように磁性層を成膜
した。この時、上記ベースフィルムの表面に３００ｃｃ
／分の割合で酸素ガスを導入しながら蒸着を行い、この
ベースフィルムの表面に対する上記磁性材料の入射角が
４０〜９０°の範囲となるように設定した。

【００４４】その後、この磁性層が形成された面と反対
側の面にウレタン樹脂とカーボンからなるバックコート
層を塗布形成して、磁気テープを得た。

【００４５】続いて、図１に示される製造装置を用い
て、得られた磁気テープの磁性層上にカーボン保護膜を
形成した。この時、上記真空室内の真空度は２Ｐａと
し、Ａｒガス雰囲気中にて保護膜の全膜厚が２００Åと
なるように上記磁気テープの送り速度を制御しながらマ
グネトロンスパッタを行った。なお、上記ターゲット材
としては、寸法が幅２００ｍｍ×長さ１５０ｍｍである
角型のものを使用し、このターゲット材と上記ベースフ
ィルムとの距離が５０ｍｍとなるように調節した。

【００４６】更に、この保護膜上にパーフルオロポリエ
ーテルをトップコートした後、８ｍｍ幅に裁断してサン
プルテープＤ〜Ｇを得た。

【００４７】そこで、このようにして得られた各サンプ
ルテープＤ〜Ｇ、及び比較用として不純物量が多いター
ゲット材を用いた場合（サンプルテープｂ，ｃ）につい
て、ソニー社製のＥＶ−Ｓ１改造機（商品名）によりス
チル特性、シャトル特性をそれぞれ調べ、この結果を下
記の表２に示した。なお、スチル特性は走行時間を５０
時間で打切りとして、出力が初期値から３ｄＢ劣化した
時点までに要した時間により評価し、シャトル特性は３
０分テープを１００回走行させた後の初期からの出力減
衰量により評価した。

【００４８】また、表２中に、保護膜の成膜時において
発生した異常放電の回数を併せて記す。

【００４９】

【表２】

【００５０】表２に示すように、ターゲット材の不純物
量を１５ｐｐｍ以下とした場合では、保護膜を成膜する
際の異常放電が極めて少なくなり、シャトル減衰量が抑
えられることが判った。これは、異常放電の発生が減る
ために、得られる膜の膜質が安定するためと考えられ
る。なお、サンプルテープＥとサンプルテープｂを比較
した場合、異常放電の発生回数は両者とも同じである
が、サンプルテープＥではカソード電極への投入電力を
１０ｋＷとしたのに対して、サンプルテープｂではその
１／５の２ｋＷと非常に低い。従って、このカソード投
入電力の比に対応して、両者の間には成膜速度に差が生
じており、生産性の点においてもサンプルテープＥの方
が優れた性質を有していることが明らかである。

【００５１】また、カソード電極への投入電力を大きく
すると、得られるカーボン膜の膜質が硬くなり、結果と
して耐久性が著しく向上できた。なお、上記ターゲット
材に含まれる不純物は、Ａｌ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｓｉ等であ
った。

【００５２】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本願
の第１の発明では、保護膜を成膜する際に、カソード投
入電力を増大させているので、成膜速度が向上し、生産
性の向上を図ることができる。また、本願の第２の発明
では、ターゲットに含まれる不純物量が少ないので、ス
パッタ時における異常放電の回数が減少し、得られる膜
の膜質が安定する。従って、例えば放送局等の業務用と
しても優れた耐久性、シャトル特性を発揮する磁気記録
媒体を提供すること可能とされる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の製造方法において使用
される保護膜の製造装置の一例を示す模式図である。

【図２】ターゲット材がカソード電極に取り付けられた
状態を一部破断して示す側面図である。

【図３】ターゲット材がカソード電極に取り付けられた
状態を示す平面図である。

【符号の説明】

１・・・真空室２・・・ベースフィルム３・・・送りロール４・・・巻取りロール７・・・冷却キャン８・・・カソード電極９・・・ターゲット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ベースフィルム上に真空蒸着法により強
磁性金属薄膜を形成した後、この強磁性金属薄膜上にマ
グネトロンスパッタにより保護膜を形成する磁気記録媒
体の製造方法において、前記保護膜を成膜する際に、カソード投入電力を６Ｗ／
ｃｍ²以上とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。
【請求項２】ベースフィルム上に真空蒸着法により強
磁性金属薄膜を形成した後、この強磁性金属薄膜上にマ
グネトロンスパッタにより保護膜を形成する磁気記録媒
体の製造方法において、前記保護膜を成膜する際に、使用するターゲット材の不
純物量を１５ｐｐｍ以下とすることを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。