JPH0963043A

JPH0963043A - 磁気記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0963043A
Application number: JP7214676A
Authority: JP
Inventors: Kazunobu Chiba; 一信千葉; Jota Ito; 条太伊藤; Tsutomu Takeda; 勉武田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1995-08-23
Filing date: 1995-08-23
Publication date: 1997-03-07

Abstract

(57)【要約】【課題】良好な表面性を有し、電磁変換特性に優れる
とともに、低コスト化が可能な磁気記録媒体を得ること
を目的とする。【解決手段】中心線平均粗さＲａが５〜２０ｎｍ、十
点平均粗さＲｚが３０〜４５０ｎｍ、最大高さＲｍａｘ
が３０〜４５０ｎｍである非磁性支持体１上に、強磁性
粉末と結合剤とを主体とする磁性塗布層２を形成し、こ
の磁性塗布層２上に真空薄膜成膜手段によって磁性薄膜
３を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体及び
その製造方法に関し、特に磁気記録媒体の電磁変換特性
の改善に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁気テープとしては、非磁性支持
体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の強磁性
粉末を有機結合剤中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾
燥することにより磁性層が形成される、いわゆる塗布型
の磁気記録媒体が広く使用されている。

【０００３】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりとともに、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃ
ｏ−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成手段
（真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等）によってポリエステルフィルムやポリアミド、
ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着する
ことで磁性層が形成される、いわゆる金属磁性薄膜型の
磁気記録媒体が提案されている。

【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、１
９８９年にビデオ用８ミリテープとして実用化されてお
り、抗磁力や角形比に優れ、短波長での電磁変換特性に
優れている。また、そればかりでなく、磁性層の厚みを
きわめて薄くできるため、記録減磁や再生時の厚み損失
が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である結合剤
を混入する必要がないため、磁性材料の充填密度を高め
ることができること等、数々の利点を有している。

【０００５】このような金属磁性薄膜型の磁性層は、表
面が非常に平滑であることから、記録再生装置の摺動部
材に対する接触面積が大きく、摩擦係数が大きくなる。
このため、走行耐久性を得るのが非常に難しい。また、
磁性層が、金属材料よりなることから外気中の水分によ
って腐食し易いといった問題もある。

【０００６】このため、この金属磁性薄膜型の磁気記録
媒体では、潤滑剤や防錆剤等の有機材料を用いることで
磁性層表面に潤滑性能を付与したり、防錆性能を付与す
ることが検討されている。

【０００７】また、その一方で、特開平２−２６７７１
８号公報、特開平２−２６７７１９号公報において開示
されているように、非磁性支持体上に、高分子樹脂より
なる微小な突起を設け、その突起形状を磁性層表面に浮
き出させることで磁性層表面の表面性を制御する、いわ
ゆる下塗技術の検討もなされている。

【０００８】この下塗技術は、磁性層表面にスペーシン
グロスが大きくならない程度の適度な粗度を与えるもの
であり、媒体の走行耐久性，電磁変換特性を改善するの
に非常に有効である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
金属磁性薄膜型の磁気記録媒体では、スペーシングロス
を抑えるために、表面粗さが非常に小さく、鏡面性の高
い非磁性支持体が用いられる。しかし、そのような非磁
性支持体は、材料費が非常にかかり、また歩留まりが悪
いことから高価になる。このため、磁気記録媒体の製造
コストの多くの部分が非磁性支持体に当てられ、媒体が
高価になるといった問題がある。

【００１０】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、良好な表面性を有し、電
磁変換特性に優れるとともに、低コスト化が可能な磁気
記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の磁気記録媒体は、中心線平均粗さＲａが
５〜２０ｎｍ、十点平均粗さＲｚが３０〜４５０ｎｍ、
最大高さＲｍａｘが３０〜４５０ｎｍである非磁性支持
体上に、強磁性粉末と結合剤とを主体とする磁性塗布層
が形成され、この磁性塗布層上に真空薄膜成膜手段によ
り成膜された磁性薄膜が形成されて構成される。なお、
ここで言う、中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ、
最大高さＲｍａｘとは、それぞれＪＩＳＢ０６０１で
規定される値である。

【００１２】ここで、本発明では上述のように非磁性支
持体の表面粗さを規制するが、さらに磁性塗布層は、中
心線平均粗さＲａが１０ｎｍ以下、十点平均粗さＲｚが
８０ｎｍ以下、最大高さＲｍａｘが１５０ｎｍ以下とな
るように形成されていることが望ましい。磁性塗布層の
表面粗さは、非磁性支持体の表面粗さと、磁性塗布層の
組成、特に添加剤として添加される研磨剤の量によって
制御される。磁性塗布層を上記表面粗さで形成するに
は、この研磨剤が強磁性粉末１００重量部に対して４重
量部以下の添加量で塗布層に添加されていることが望ま
しい。

【００１３】なお、この磁気記録媒体には、磁性塗布
層、磁性薄膜に加えて、磁性塗布層と磁性薄膜層の間に
中間膜を設けたり、磁性薄膜上に保護膜を設けるように
しても良い。中間膜、保護膜は、いずれも真空薄膜成膜
手段によって形成される。

【００１４】このような磁気記録媒体は、磁性塗布層を
形成し、さらに前記磁性塗布層上に、中間膜、磁性薄
膜、保護膜を真空薄膜成膜手段によって成膜することで
製造されるが、磁性塗布層を形成した後、その上に成膜
を行うのに先行して、磁性塗布層内の残留溶剤を揮発除
去しても良い。この残留溶剤の揮発除去は、例えば磁性
塗布層が形成された状態で、真空環境下に放置または真
空環境下で走行させることでなされる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の具体的な実施の形態につ
いて説明する。

【００１６】本発明の磁気記録媒体は、中心線平均粗さ
Ｒａが５〜２０ｎｍ、十点平均粗さＲｚが３０〜４５０
ｎｍ、最大高さＲｍａｘが３０〜４５０ｎｍである非磁
性支持体、すなわち比較的表面の粗い非磁性支持体上
に、強磁性粉末と結合剤とを主体とする磁性塗布層が形
成され、この磁性塗布層上に磁性薄膜が真空薄膜成膜手
段により成膜されてなっている。

【００１７】この磁気記録媒体では、表面が比較的粗い
非磁性支持体を使用していても、その上に形成される磁
性塗布層のマスキング効果によって、表面の凹凸形状が
緩和される。したがって、磁性薄膜はそれを反映して良
好な表面性を有して成膜されるのでスペーシングロスが
抑えられる。また、この磁気記録媒体は、磁性塗布層と
磁性薄膜の両方を有しているので、磁性塗布層のみの場
合よりも電磁変換特性が向上する。また、表面の比較的
粗い非磁性支持体は、歩留まり良く製造できるので媒体
の低コスト化が図れる。

【００１８】なお、このように磁性塗布層はマスキング
層として作用し、その表面性が磁性薄膜の表面に反映す
る。したがって、磁性薄膜を良好な表面性で成膜するに
は、この磁性塗布層の、中心線平均粗さＲａが１０ｎｍ
以下、十点平均粗さＲｚが８０ｎｍ以下、最大高さＲｍ
ａｘが１５０ｎｍ以下となっているのが望ましい。

【００１９】この磁性塗布層の表面性は、非磁性支持体
の表面性と、磁性塗布層の組成物、特に添加剤として添
加される研磨剤の大きさや量によって制御される。すな
わち、磁性塗布層の表面粗度が上記条件を満たすように
するには、非磁性支持体の中心線平均粗さＲａ，十点平
均粗さＲｚ及び最大高さＲｍａｘが上記範囲であること
が必要である。また、それとともに磁性塗布層に添加剤
として添加する研磨剤の粒径が０．３μｍ以下であり、
研磨剤の添加量が強磁性粉末１００重量部に対して４重
量部以下であるのが望ましい。研磨剤の粒径が０．３μ
ｍを越えていたり、量が多すぎる場合には、磁性塗布層
の表面性が損なわれ、それを反映して磁性薄膜の表面も
粗いものになり、電磁変換特性が損なわれる。

【００２０】以上のように本発明の磁気記録媒体は、所
定範囲の表面粗度となされた非磁性支持体上に磁性塗布
層、磁性薄膜が形成されるが、これらの材料としては、
以下のものが用いられる。

【００２１】まず、非磁性支持体としては、ポリエステ
ル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系
樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類、ポリカーボネート
等に代表されるような高分子支持体等が挙げられる。

【００２２】また、磁性塗布層は、強磁性粉末と結合剤
を有機溶剤とともに分散、混練して磁性塗料を調製し、
この磁性塗料を非磁性支持体上に塗布，加熱硬化するこ
とで形成される。

【００２３】この強磁性粉末としては、γ−Ｆｅ₂Ｏ₃、
Ｃｏ含有γ−Ｆｅ₂Ｏ₃，Ｃｏ被着γ−Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｆｅ₃
Ｏ₄、Ｃｏ含有γ−Ｆｅ₃Ｏ₄、Ｃｏ被着γ−Ｆｅ₃Ｏ₄、
ＣｒＯ₂等の酸化物磁性粉末や、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆ
ｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ、Ｍｎ−Ｂ
ｉ、Ｍｎ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｖ等の金属磁性粉末が挙
げられ、さらに、これらに種々の特性を改善する目的で
Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｎ等の金属成
分が添加されていてもよい。また、バリウムフェライト
等の六方晶系フェライトや窒化鉄等も使用可能である。
但し、これら強磁性粉末は、電磁変換特性の向上の観点
から、比表面積が４０ｍ²／ｇ以上であることが望まし
い。

【００２４】また、結合剤としては、塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体、塩化ビニル−プロピオン酸共重合体、
塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体等
の塩化ビニル系樹脂や、ポリエステルポリウレタン、ポ
リエーテルポリウレタン、ポリカーボネートポリウレタ
ン等のポリウレタン樹脂等が挙げられる。

【００２５】磁性層中の強磁性粉末と結合剤の含有量
は、強磁性粉末重量／結合剤重量比（Ｐ／Ｂ比）が８以
上となるように設定することが望ましい。Ｐ／Ｂ比をこ
の範囲とすることにより媒体の電磁変換特性が向上す
る。

【００２６】また、磁性塗料を塗料化するための有機溶
剤としては、結合剤の種類によって適当なものが選択さ
れ、一般的にはエーテル類、エステル類、ケトン類、芳
香族炭化水素、脂肪族炭化水素、塩素化炭化水素等から
選ばれる有機溶剤が用いられる。

【００２７】なお、磁性塗布層には、通常の塗布型の磁
気記録媒体の場合と同様に、帯電防止剤、研磨剤、滑剤
等の各種添加剤を添加するようにしてもよい。但し、研
磨剤の粒子径や添加量は、先に示した範囲とするのが望
ましい。

【００２８】このような磁性塗布層上に形成される磁性
薄膜は、真空薄膜形成手段によって成膜される。

【００２９】磁性薄膜の材料としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ等の強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ａｕ、Ｃｏ
−Ｐｔ、Ｍｎ−Ｂｉ、Ｍｎ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｃｏ−
Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金が挙げられ
る。磁性薄膜としては、これらの単層膜であってもよい
し多層膜であってもよい。

【００３０】上記金属磁性薄膜の形成手段としては、真
空下で強磁性金属材料を加熱蒸発させ被成膜面上に沈着
させる真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で
行うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする
雰囲気中でグロー放電を起こし、生じたアルゴンイオン
でターゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等のい
わゆるＰＶＤ技術が挙げられる。特に、酸素ガス存在雰
囲気下、磁性材料を斜め方向から蒸着する斜方蒸着法で
成膜を行うと、電磁変換特性に優れた磁性薄膜が得られ
る。

【００３１】以上が本発明の磁気記録媒体の基本的な構
成であるが、磁気記録媒体には、さらに磁性塗布層と磁
性薄膜の間に中間膜を形成したり、磁性薄膜の上に保護
膜を形成するようにしても良い。

【００３２】まず、中間膜は、磁性薄膜を成膜する当た
って、その成膜雰囲気中で磁性塗布層から残留溶剤や未
反応低分子が揮発してしまうのを抑えるためのものであ
る。磁性塗布層から揮発する残留溶剤や未反応低分子は
成膜雰囲気の真空度を損ない、その上に形成される磁性
薄膜の接着性を低下させる。この中間膜を形成してか
ら、磁性薄膜を成膜することにより、成膜雰囲気で塗布
層から残留溶剤や未反応低分子が揮発するのが抑えら
れ、接着性に優れた磁性薄膜が成膜できる。

【００３３】この中間膜は、磁性薄膜の成膜手段として
例示した真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッ
タ法等のＰＶＤ法や、キャン対向電極型プラズマＣＶＤ
法，プラズマ照射ＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、
トーチ型ＤＣプラズマＣＶＤ法、アークジェットプラズ
マＣＶＤ法などのＣＶＤ法等の真空薄膜形成手段によっ
て成膜される。そのような中間膜材料としては、Ｃｕ，
Ｃｒ，Ａｌ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆ
ｅ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏ等やこれらの合金が挙げられ
る。

【００３４】この中間膜の膜厚は、十分な効果を得るに
は２ｎｍ以上であることが必要であるが、スペーシング
ロスを抑える観点から２〜４０ｎｍ、より好ましくは４
〜２５ｎｍとなるように設定することが望ましい。

【００３５】また、磁性塗布層を形成した後に、テープ
原反を真空下で一定時間放置することにより、磁性塗布
層から残留溶剤や未反応低分子を積極的の揮発除去させ
ておいても良い。こうすることによっても、成膜雰囲気
で磁性塗布層から残留溶剤や未反応低分子が揮発するの
が抑えられ、接着性に優れた磁性薄膜が成膜できる。な
お、この残留溶剤や未反応低分子の揮発除去は、中間膜
の形成と併用しても構わない。

【００３６】なお、磁性塗布層上に中間膜を設ける場合
あるいは磁性塗布層上に直接磁性薄膜を形成する場合の
いずれにおいても、磁性塗布層表面を酸素ガス、アルゴ
ンガス等を用いてボンバード処理すると、磁性塗布層表
面とその上に形成される薄膜との密着性が向上し、中間
膜、磁性薄膜の耐久性が向上する。

【００３７】一方、保護膜は、媒体の走行耐久性を付与
する目的で設けられるものである。保護膜を成膜する
と、これによって媒体に走行耐久性が付与されるので、
走行耐久性を確保するために磁性塗布層中に添加する研
磨剤、帯電防止剤、滑剤等の添加料を減らすか、添加剤
を無添加とすることが可能となる。したがって、これら
添加剤を添加することによって生じる強磁性粉末の充填
量の低下、磁性塗布層表面の劣化が抑えられ、媒体の電
磁変換特性が向上する。

【００３８】この保護膜は真空薄膜成膜手段によって成
膜される。この成膜手段としては、先に例示したＰＶＤ
法やＣＶＤ法等が用いられる。

【００３９】また、保護膜材料としては、カーボン、Ｃ
ｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＢＮ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、Ｓｉ
Ｏ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＮ_x、ＳｉＣ、ＳｉＮ_x−ＳｉＯ₂、
ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＴｉＣ等の酸化物やセラミックス、
またＣｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｒ，Ａ
ｌ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｒ−Ｚｒ，Ｃｒ−Ｎ
ｂ，Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｒ−Ａｌ，Ｃｒ−Ｚｒ，Ｃｕ−Ｎ
ｉ，Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｒ−Ｆｅ等の金属または合金が挙げ
られる。保護膜は、これらの単層膜であってもよいし、
多層膜、複合膜であってもよい。なお、これら材料のう
ち、カーボン、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｓｉ
Ｃ、ＴｉＣ、ＴｉＮの単層膜、多層膜、複合膜はＣＶＤ
法によって成膜することが好ましい。

【００４０】この保護膜の膜厚は、十分な効果を得るに
は２ｎｍ以上であることが必要であるが、保護膜の膜厚
があまり厚くなるとスペーシングロスによって電磁変換
特性が劣化する。したがって、２〜４０ｎｍ、好ましく
は２〜２５ｎｍとするのが良い。

【００４１】また、さらに本発明の磁気記録媒体には、
通常の媒体で設けられているように、潤滑剤層、防錆剤
層、バックコート層が形成されていたり、非磁性支持体
上にいわゆる易接着層のような下塗層が形成されていて
もよい。この場合、バックコート層を構成する非磁性顔
料、結合剤、潤滑剤層、防錆剤層を構成する材料として
は従来公知のものがいずれも使用可能である。

【００４２】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について実験
結果に基づいて説明する。

【００４３】実験例１本実験例は、磁性塗膜上に磁性薄膜及び保護膜を形成す
ることによる効果を検討した例である。

【００４４】本実験例で作製した磁気テープの構成を図
１に示す。この磁気テープは、非磁性支持体１上に、磁
性塗布層２、磁性薄膜３、保護膜４及びトップコート層
５が順次形成され、非磁性支持体１のこれら各層が形成
された側とは反対側の面にバックコート層６が形成され
てなるものである。このような磁気テープを以下のよう
にして作製した。

【００４５】まず、中心線平均粗さＲａ＝８ｎｍ，十点
平均粗さＲｚ＝６０ｎｍ，最大高さＲｍａｘ＝１００ｎ
ｍであり、膜厚１０μｍ，幅１５０ｍｍのポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを非磁性支持体とし
て用意した。

【００４６】なお、この表面粗さは、ＪＩＳＢ０６０
１に準じ、小坂研究所社製の高精度表面粗さ計ＥＴ−３
０ＨＫを使用して測定した。具体的な測定条件を以下に
示す。

【００４７】表面粗さ測定条件針の半径：２μｍ荷重：２０ｍｇ拡大倍率：５０ｋ倍（ｚ方向）カットオフ：０．２５ｍｍ測定長：０．７３ｍｍ測定本数５５本そして、この非磁性支持体上に、磁性塗布層、磁性薄膜
及び保護膜を順次形成した。

【００４８】まず、磁性塗布層を形成するために、以下
の磁性塗料の組成物を表１に示す混合量で秤り取り、サ
ンドミルにて４時間分散、混合して磁性塗料を調製し
た。

【００４９】磁性塗料の組成物Ｃｏ−Ｎｉメタル磁性粉末（比表面積５０ｍ²／ｇ）カーボンブラックアルミナポリエステルポリウレタン塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体メチルエチルケトントルエン

【００５０】

【表１】

【００５１】この調製された磁性塗料を、結合剤に対し
て２０重量％なる割合で硬化剤を添加した後、連続巻取
り式のグラビアコータを用い、３μｍの膜厚で非磁性支
持体上に塗布し、加熱硬化した。そして、塗膜表面にカ
レンダー処理を施すことで磁性塗布層を形成した。磁性
塗布層の表面粗さを表２に示す。

【００５２】

【表２】

【００５３】次に、形成された磁性塗布層上に、蒸着法
により磁性薄膜を形成した。この磁性薄膜の形成に用い
た蒸着装置を図２に示す。

【００５４】この蒸着装置は、第１の蒸着室８１ａと第
２の蒸着室８１ｂの両方が並設された２室タイプの真空
蒸着装置であり、２層の蒸着膜がインラインで連続して
成膜されるようになされたものである。

【００５５】この２室タイプの蒸着装置は、真空排気口
８３から排気されて内部が真空状態となされた真空室が
間仕切り板８２によって左右に仕切られ、図中左側が第
１の蒸着室８１ａ，右側が第２の蒸着室８１ｂとなされ
ている。

【００５６】この蒸着装置では、送りロール８４が第１
の蒸着室８１ａに配設され、巻き取りロール８５が第２
の蒸着室８１ｂに配設されている。そして、これら２つ
の蒸着室８１ａ，８１ｂを仕切る間仕切り板８２には、
窓部９３が設けられ、この窓部９３に対応する位置にガ
イドロール８６が配設されている。したがって、テープ
原反９２は送りロール８４，ガイドロール８６，巻き取
りロール８５に沿って走行し、第１の蒸着室８１ａから
第２の蒸着室８１ｂに移送される。

【００５７】上記第１の蒸着室８１ａ，第２の蒸着室８
１ｂには、いずれも冷却キャン８７ａ，８７ｂが設けら
れている。これら冷却キャン８７ａ，８７ｂは、テープ
原反９２が、送りロール８４からガイドロール８６側に
走行する中途部と、このガイドロール８６から巻き取り
ロール８５側に走行する中途部で、それぞれテープ原反
９２を下方に引き出すように設けられている。

【００５８】さらに、第１の蒸着室８１ａ，第２の蒸着
室８１ｂには、冷却キャン８７ａ，８７ｂの下方にルツ
ボ８８ａ，８８ｂが設けられ、これらルツボ８８ａ，８
８ｂ内には、それぞれ成膜すべき蒸着膜の蒸着源、すな
わち金属磁性材料が充填されている。そして、各蒸着室
８１ａ，８１ｂには、蒸着源を加熱するための電子銃８
９ａ，８９ｂ，シャッタ９０ａ，９０ｂ，酸素導入口９
１ａ，９１ｂがそれぞれ設けられている。

【００５９】上記電子銃８９ａ，８９ｂは、当該電子銃
８９ａ，８９ｂより放出される電子線が上記ルツボ８８
ａ，８８ｂ内の金属磁性材料に照射されるような位置に
配設される。この電子銃８９ａ，８９ｂによって蒸発し
た金属磁性材料は、上記冷却キャン８７ａ，８７ｂの周
面を定速走行するテープ原反９２上に磁性薄膜として被
着形成される。また、上記シャッタ９０ａ，９０ｂは、
上記冷却キャン８７ａ，８７ｂと上記ルツボ８８ａ，８
８ｂとの間であって該冷却キャン８７ａ，８７ｂの近傍
に配設されている。このシャッタ９０ａ，９０ｂは、上
記冷却キャン８７ａ，８７ｂの周面を定速走行するテー
プ原反９２の所定領域を覆う形で形成され、このシャッ
タ９０ａ，９０ｂにより蒸発せしめられた金属磁性材料
が上記テープ原反９２に対して所定の角度範囲で斜めに
蒸着されるようになっている。さらに、上記酸素ガス導
入口９１ａ，９１ｂは、上記蒸着室８１ａ，８１ｂの底
面部を貫通して設けられている。この装置では、酸素ガ
ス導入口９１ａ，９１ｂを介してテープ原反９２の表面
に酸素ガスが供給され、蒸着膜として形成される磁性薄
膜の磁気特性，耐久性及び耐候性の向上が図られる。

【００６０】このような２室タイプの蒸着装置では、テ
ープ原反９２が送りロール８４から送り出され、巻き取
りロール８５に巻き取られる間に第１の蒸着室８１ａと
第２の蒸着室８１ｂを順次通過する。そして、第１の蒸
着室８１ａ及び第２の蒸着室でそれぞれ蒸着膜が被着形
成され、２層の蒸着膜がインラインで連続して形成され
る。なお、本実施例で採用した磁性薄膜の蒸着条件は以
下の通りである。

【００６１】磁性薄膜の蒸着条件方式：連続巻取り式斜め蒸着蒸着材料：Ｃｏ９０−Ｎｉ１０（但し、数字は各元素の
含有率を重量％で表す）導入酸素量：２５０ｃｃ／ｍｉｎ最低入射角：４５° 成膜時真空度：１×１０^-3Ｐａテープ速度：３０ｍ／分磁性薄膜膜厚（上層／下層）：１００ｎｍ／１００ｎｍ
合計２００ｎｍ次に、このようにして成膜された磁性薄膜上にスパッタ
法によりカーボン保護膜を成膜した。保護膜の成膜に使
用したスパッタ装置を図３に示す。

【００６２】上記スパッタ装置は、頭部と底部に排気口
６５を有する真空室５１内に、送りロール５３、巻き取
りロール５４、円筒キャン５５よりなるテープ支持系
と、スパッタカソード５８を有してなる。

【００６３】上記テープ支持系を構成する送りロール５
３，巻取りロール５４はそれぞれ時計回り（図中、矢印
ａ方向）に定速回転するようになされており、保護膜が
形成されるテープ原反５２はこれら送りロール５３から
巻取りロール５４に亘って掛け渡され、送りロール５３
から巻取りロール５４に順次走行する。

【００６４】また、送りロール５３から巻取りロール５
４に亘って掛け渡されるテープ原反５２の中途位置に
は、上記各ロール５３，５４の径よりも大径となされた
円筒キャン５５がテープ原反５２を下方に引き出すよう
に配設されている。この円筒キャン５５も送りロール５
３、巻取りロール５４同様、時計回り（図中矢印Ａ方
向）に定速回転するようになされている。また、この冷
却キャン５５には、図示しない冷却装置が内蔵され、テ
ープ原反５２の温度上昇による変形を防止するようにな
っている。なお、上記送りロール５３，巻取りロール５
４、冷却キャン５５の円筒高さは、テープ原反５２の幅
と略同じになされている。

【００６５】さらに、上記送りロール５３と上記円筒キ
ャン５５の間及び上記円筒キャン５５と上記巻取りロー
ルの間にそれぞれガイドロール５６，５７が設けられ、
上記送りロール５３、円筒キャン５５、巻取りロール５
４に順次亘って走行するテープ原反５３に所定のテンシ
ョンがかけられ、テープ原反５２が円滑に走行するよう
になされている。

【００６６】また、上記スパッタ装置においては、グロ
ー放電を起こすためのＤＣ電圧またはＲＦバイアス電圧
が上記巻取りロール５４に印加されるようになってい
る。そして、円筒キャン５５の左右及び下方にはそれぞ
れ高周波電源に接続されたスパッタカソード５８が上記
円筒キャン５５と略平行となるように配置されている。
なお、これらスパッタカソード５８の幅もテープ原反５
２の幅と略同じとなされている。さらに、この装置では
真空室５１内にスパッタガスを導入するためのガス導入
管６４が排出口を上記スパッタカソード５８の近傍とな
るように取り付けられている。

【００６７】このような構成のスパッタ装置によってテ
ープ原反５２に保護膜を形成するには、スパッタカソー
ド５８上にターゲット５９を載置して接着するとともに
テープ原反を送りロール、円筒キャン５５、巻取りロー
ル５４に亘って掛け渡す。そして、真空室５１内の空気
を排気口６５から排気し、真空室５１内が所定の真空度
となったところで、スパッタガスの導入、電圧印加を行
う。これにより、グロー放電が引き起こってスパッタガ
スがイオン化し、ターゲットから原子が叩き出されてテ
ープ原反５２上に被着し、保護膜が成膜される。

【００６８】なお、このようにして保護膜を形成するに
当たっては、円筒キャン５５に加熱手段を併設し、テー
プ原反５２を適宜加熱するようにしてもよい。これによ
り、接着強度の高い保護膜が形成される。また、このス
パッタ装置では、バイアス電圧を巻取りロール５４に印
加するような構成となされているが、円筒キャン５５に
バイアス電圧を印加する構成としても良い。

【００６９】なお、カーボン保護膜のスパッタ条件は以
下の通りである。

【００７０】保護膜のスパッタ条件方式：ＤＣマグネトロンスパッタ方式ターゲット材：カーボンスパッタガス：アルゴンバックグランド真空度：４×１０^-3Ｐａ成膜時真空度：２Ｐａテープ速度：０．１ｍｍ／秒膜厚：１５ｎｍそして、保護膜を形成した後、非磁性支持体の磁性塗布
層、磁性薄膜及び保護膜を形成した側とは反対側の面に
バックコート層を以下のようにして形成した。

【００７１】まず、下記に示すバックコート塗料の組成
物をボールミルにて２４時間混合分散してバックコート
塗料を調製した。

【００７２】バックコート塗料の組成カーボンブラック：１００重量部ポリウレタン樹脂：１００重量部このようにして調製されたバックコート塗料を、１０重
量部の硬化剤を添加した後、非磁性支持体の保護膜側と
は反対側の面に塗布し、乾燥することで膜厚０．６μｍ
のバックコート層を形成した。

【００７３】そして、さらに保護膜表面にパーフルオロ
ポリエーテルを塗布することでトップコート層を形成
し、８ｍｍ幅に裁断して磁気テープ（サンプルテープ１
〜サンプルテープ３）を作製した。

【００７４】また、比較のため、下記に示す組成の磁性
塗料を用いるとともに磁性薄膜と保護膜を設けないこと
以外はサンプルテープ１と同様にして作製された比較テ
ープ１（但し、トップコート層にはオレイン酸を使用し
た）、また、下記に示す組成の磁性塗料を用いるととも
に保護膜を設けないこと以外はサンプルテープ１と同様
にして作製された比較テープ２を用意した。なお、比較
テープ１，比較テープ２の磁性塗布層の表面粗さを表３
に併せて示す。

【００７５】磁性塗料の組成メタル磁性粉末（比表面積５０ｍ²／ｇ）：１００重量部カーボンブラック：８重量部アルミナ：８重量部オレイン酸：１重量部ポリエステルポリウレタン：８重量部塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体：８重量部メチルエチルケトン：１５０重量部トルエン：７０重量部

【００７６】

【表３】

【００７７】そして、これらサンプルテープ１〜サンプ
ルテープ３及び比較テープ１，比較テープ２について、
スチル耐久性および電磁変換特性を、ソニー社製，商品
名ＥＶ−Ｓ９００改造機によって調査した。

【００７８】スチル耐久性は、温度２５℃、相対湿度５
０％環境下においてスチル再生したときの、再生出力が
初期の出力レベルより３ｄＢ減衰するまでの時間（スチ
ル時間）によって評価した。

【００７９】電磁変換特性は、波長０．５４μｍの記録
信号を再生したときの再生出力によって評価した。な
お、再生出力は比較テープ１の再生出力を０ｄＢとした
ときの相対値として記録した。

【００８０】測定されたスチル時間及び電磁変換特性を
表４に示す。

【００８１】

【表４】

【００８２】表４において、まずサンプルテープ１〜サ
ンプルテープ３のスチル耐久性を見ると、これらサンプ
ルテープ系では、磁性塗布層への添加剤量を少なくして
いるものの実用十分なスチル耐久性が得られている。こ
れは保護膜によって耐久性が付与されるためである。

【００８３】次に、サンプルテープ１〜サンプルテープ
３と比較テープ１，比較テープ２を比較すると磁性塗布
層に添加した添加剤量が多くなされた比較テープ１，比
較テープ２は、添加剤の量が少なくなされたサンプルテ
ープ１〜サンプルテープ３よりも電磁変換特性が劣った
ものになっている。特に、添加剤量が多くなされるとと
もに磁性薄膜が形成されていない比較テープ１は、電磁
変換特性が低い値になっている。

【００８４】このことから、磁性薄膜を設けたり、保護
膜を設けることで磁性塗布層に要する添加剤量を少なく
することは、媒体の電磁変換特性を改善する上で有効で
あることがわかった。

【００８５】実験例２本実施例は、非磁性支持体の表面粗さについて検討した
例である。

【００８６】非磁性支持体として表５に示す表面粗さの
ＰＥＴフィルムを用いるとともに、下記に示す組成の磁
性塗料を使用して磁性塗布層を形成したこと以外はサン
プルテープ１と同様にして磁気テープ（サンプルテープ
４〜サンプルテープ７）を作製した。但し、サンプルテ
ープ７には保護膜を形成しなかった。

【００８７】磁性塗料の組成メタル磁性粉末（比表面積４３ｍ²／ｇ）：１００重量
部カーボンブラック（平均粒径７０ｎｍ）：４重量部アルミナ（平均粒径０．３μｍ）：０重量部ポリエステルポリウレタン：４重量部塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体：４重量部メチルエチルケトン：１５０重量部トルエン：７０重量部また、比較のため、表５に示すように、表面粗さが所定
範囲外の非磁性支持体を用いること以外はサンプルテー
プ４と同様にして磁気テープ（比較テープ３，比較テー
プ４）を作製した。

【００８８】

【表５】

【００８９】そして、作製された磁気テープについて、
電磁変換特性及びスチル耐久性を評価した。その結果を
表６に示す。

【００９０】

【表６】

【００９１】サンプルテープ４〜サンプルテープ７で
は、比較的表面の粗い非磁性支持体を用いているが、表
面粗さの低い非磁性支持体を用いた比較テープ４と同等
の電磁変換特性が得られている。これは、非磁性支持体
の表面の凹凸が磁性塗布層のマスキング効果によって緩
和され、結果的に媒体表面では粗さが低い状態になるか
らである。

【００９２】しかし、磁性塗布層を設けても、比較テー
プ３のように非磁性支持体の表面が非常に粗い場合に
は、磁性塗布層によって凹凸をマスキングしきれず、電
磁変換特性が劣化する。

【００９３】つまり、非磁性支持体の中心線平均粗さＲ
ａが５〜２０ｎｍ、十点平均粗さＲｚが３０〜４５０ｎ
ｍ、最大高さＲｍａｘが３０〜４５０ｎｍであれば、磁
性塗布層によってその表面の凹凸が十分にマスキングで
き、スペーシングロスが抑えられるようになる。

【００９４】なお、比較テープ４で用いたような表面性
の非常に良い非磁性支持体は、材料費が非常に高く、ま
た、歩留まりが低いため汎用には適さないものと考えら
れる。

【００９５】実験例３本実験例は、磁性塗膜の表面粗さについて検討した例で
ある。

【００９６】非磁性支持体として、中心線平均粗さＲａ
＝１１ｎｍ、十点平均粗さＲｚ＝１３０ｎｍ、最大高さ
Ｒｍａｘ＝１６０ｎｍのＰＥＴフィルムを使用するとと
もに、下記に示す組成の磁性塗料で磁性塗布層を形成し
たこと以外はサンプルテープ１と同様にして磁気テープ
（サンプルテープ８〜サンプルテープ１１）を作製し
た。但し、磁性塗料のアルミナの粒子径及び添加量を表
７に、磁性塗布層の厚さ及び表面粗さを表８に示す。

【００９７】磁性塗料の組成メタル磁性粉末（比表面積４３ｍ²／ｇ）：１００重量
部カーボンブラック（平均粒径７０ｎｍ）：１重量部アルミナ：ポリエステルポリウレタン：１０重量部塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体：２重量部メチルエチルケトン：１５０重量部トルエン：７０重量部また、比較のため、磁性塗料のアルミナ添加量あるいは
アルミナ粒子径を表７の示すように所定範囲外にしたこ
と以外はサンプルテープ８と同様にして磁気テープ（比
較テープ５〜比較テープ８）を作製した。これらテープ
における磁性塗布層の厚さ及び表面粗さも表８に示す。

【００９８】

【表７】

【００９９】

【表８】

【０１００】そして、作製された磁気テープについて、
電磁変換特性及びスチル耐久性を評価した。その結果を
表９に示す。

【０１０１】

【表９】

【０１０２】まず、表８に示すように、磁性塗布層の表
面粗さは添加した研磨剤（アルミナ）の添加量や粒子径
によって変化する。このことから研磨剤の添加量や粒子
径によって磁性塗布層の表面粗さが制御できることがわ
かる。

【０１０３】次に、表９において、サンプルテープ８〜
サンプルテープ１１と比較テープ５〜比較テープ８を比
較すると、磁性塗布層の中心線平均粗さＲａが１０ｎｍ
以下、十点平均粗さＲｚが８０ｎｍ以下、最大高さＲｍ
ａｘが１５０ｎｍ以下となされたサンプルテープ８〜サ
ンプルテープ１１では、磁性塗布層の表面粗さがこの範
囲外となされた比較テープ５〜比較テープ８に比べて格
段に大きな再生出力が得られている。

【０１０４】このことから、良好な電磁変換特性を得る
には非磁性支持体の表面粗さとともに磁性塗布層の表面
粗さを規制することも重要であることがわかる。すなわ
ち、磁性塗布層は中心線平均粗さＲａが１０ｎｍ以下、
十点平均粗さＲｚが８０ｎｍ以下、最大高さＲｍａｘが
１５０ｎｍ以下とされていること望ましい。なお、磁性
塗布層の表面粗さをこの範囲とするには、研磨剤の添加
量を強磁性粉末１００重量部に対して４重量部以下、研
磨剤の粒径を０．３μｍ以下とするのが適当である。

【０１０５】実験例４本実験例は、磁性塗布層上に中間膜を設ける効果及び磁
性塗布層中の残留溶剤，未反応低分子を除去する効果を
検討した例である。

【０１０６】非磁性支持体として、中心線平均粗さＲａ
＝１３ｎｍ、十点平均粗さＲｚ＝９８ｎｍ、最大高さＲ
ｍａｘ＝１５０ｎｍの非磁性支持体を使用し、下記に示
す組成の磁性塗料を使用すること以外はサンプルテープ
１と同様にして磁性塗布層を形成した。なお、磁性塗布
層の表面粗さは中心線平均粗さＲａ＝１１ｎｍ、十点平
均粗さＲｚ＝８８ｎｍ、最大高さＲｍａｘ＝１３０ｎｍ
であった。

【０１０７】磁性塗料の組成メタル磁性粉末（比表面積４３ｍ²／ｇ）：１００重量
部カーボンブラック（平均粒径７０ｎｍ）：５重量部アルミナ（平均粒径０．３μｍ）：０重量部ポリエステルポリウレタン：１０重量部塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体：２重量部メチルエチルケトン：１５０重量部トルエン：７０重量部このようにして磁性塗布層を形成した後、磁性塗布層の
残留溶剤や未反応低分子を揮発除去させるために表１０
に示す処理を施した。

【０１０８】

【表１０】

【０１０９】そして、上記磁性塗布層上にスパッタ法に
よって表１１に示す膜厚でＴｉ中間膜を形成した。中間
膜の成膜条件を以下に示す。

【０１１０】Ｔｉ中間膜のスパッタ条件方式：ＤＣマグネトロンスパッタ方式ターゲット材：チタン使用ガス：アルゴンバックグランド真空度：３×１０^-3Ｐａ成膜時真空度：３Ｐａテープ速度：中間膜厚みにあわせて設定次に、上記Ｔｉ中間膜上に表に示す膜厚で磁性薄膜を形
成し、この磁性薄膜上にカーボン保護膜を表１１に示す
膜厚でスパッタ法あるいはＣＶＤ法によって成膜した。
カーボン保護膜の成膜条件を以下に示す。

【０１１１】カーボン保護膜のスパッタ条件方式：ＤＣマグネトロンスパッタ方式ターゲット材：カーボン使用ガス：アルゴンバックグランド真空度：３×１０−３Ｐａ成膜時真空度：３．５Ｐａテープ速度：保護膜厚みにあわせて設定また、カーボン保護膜の成膜に用いたＣＶＤ装置を図４
に示す。

【０１１２】上記プラズマＣＶＤ装置は、頭部と底部に
排気口３５を有する真空室２１内に、送りロール２３、
巻取りロール２４、円筒キャン２５よりなるテープ支持
系と、プラズマ放電を起こすための対向電極２８を有し
てなる。

【０１１３】上記テープ支持系を構成する送りロール２
３，巻取りロール２４はそれぞれ時計回り（図中、矢印
ｂ方向）に定速回転するようになされており、保護膜が
形成されるテープ原反２２はこれら送りロール２３から
巻取りロール２４に亘って掛け渡され、送りロール２３
から巻取りロール２４に順次走行する。

【０１１４】また、送りロール２３から巻取りロール２
４に亘って掛け渡されるテープ原反２２の中途位置に
は、上記各ロール２３，２４の径よりも大径となされた
上記円筒キャン２５がテープ原反２２を下方に引き出す
ように配設されている。上記円筒キャン２５も送りロー
ル２３、巻取りロール２４同様時計回り（図中、矢印Ｂ
方向）に定速回転するようになされている、また、この
円筒キャンには図示しない冷却装置が内蔵され、テープ
原反２２の温度上昇による変形を防止するようになって
いる。なお、上記送りロール２３，巻取りロール２４，
円筒キャン２５の円筒高さは、テープ原反２２の幅と略
同じである。

【０１１５】さらに、上記テープ支持系には、上記送り
ロール２３と上記円筒キャン２５の間及び上記円筒キャ
ン２５と上記巻取りロールの間にそれぞれガイドロール
２６，２７を有しており、上記送りロール２３、円筒キ
ャン２５、巻取りロール２４に順次亘って走行するテー
プ原反２２に所定のテンションがかけられ、テープ原反
２２が円滑の走行するようになされている。

【０１１６】また、このＣＶＤ装置においては、プラズ
マ放電を起こすためのＤＣ電圧またはＲＦバイアス電圧
が上記巻取りロール２３に印加されるようになってお
り、また円筒キャン２５の近傍（円筒キャンに対して、
図中左側）下方に該円筒キャン２５と略平行となるよう
に上記対向電極２８が配置されている。上記対向電極２
８は円筒キャン２５側が曲面とされ、外部の高周波電源
が接続されている。また、真空室には原料ガスとキャリ
アーガスを導入するためのガス導入管３０が排出口を上
記対向電極２８の近傍となるように取り付けられてい
る。

【０１１７】このような構成のプラズマＣＶＤ装置によ
ってテープ原反に保護膜を形成するには、テープ原反
を、送りロール２３、円筒キャン２５、巻取りロール２
４に亘って掛け渡す。そして、排気口３５から真空室２
１内の空気を排気し、真空室２１内が所定の真空度とな
ったところで、原料ガス、キャリアガスの導入、電圧印
加を行う。これにより、原料ガスが化学反応を起こして
反応生成物が生成し、さらに蒸発してテープ原反上に蒸
着する。このときテープ原反を走行させることにより、
テープ原反表面に反応生成物が蒸着し、保護膜が成膜さ
れることとなる。なお、本実験例で採用したＣＶＤ条件
は下記の通りである。

【０１１８】保護膜のＣＶＤ条件方式：プラズマＣＶＤ使用ガス：アルゴン＋エチレン＋トルエンバックグランド真空度：３×１０^-3Ｐａ成膜時真空度：６〜９Ｐａテープ速度：０．１７ｍ／秒このようにして保護膜を形成した後、バックコート層，
トップコート層を形成し、さらに８ｍｍ幅に裁断するこ
とで磁気テープ（サンプルテープ１２〜サンプルテープ
１８及び比較テープ９，比較テープ１０）を作製した。
なお、磁性薄膜、バックコート層、トップコート層はサ
ンプルテープ１の場合と同様の条件で成膜した。

【０１１９】

【表１１】

【０１２０】そして、作製した磁気テープについて、ス
チル耐久性、電磁変換特性及び磁性薄膜、保護膜の接着
性を調べた。その結果を表１２に示す。

【０１２１】なお、磁性薄膜，保護膜の接着性は、テー
プをシャトル走行させたときの粉落ち量によって評価し
た。評価には、８ｍｍＶＴＲ（ソニー社製商品名ＥＶ
Ｓ９００）を使用し、このＶＴＲ上を、カセットに組み
込まれた１時間長のサンプルテープを１００回連続繰り
返し走行させ、その走行後のヘッドの状態を顕微鏡で観
察した。表中、○は、ヘッドにほとんど不純物が付着し
ておらず、問題のないレベルである場合、△は、ヘッド
に若干不純物の付着が見られるものの、実用的には問題
のないレベルである場合、□はヘッドに若干不純物の付
着が見られ、また粉落ちが多く、問題となるレベルであ
る場合を示す。

【０１２２】

【表１２】

【０１２３】表１２を見てわかるように、中間膜の形成
あるいは揮発除去処理のいずれも行わなかったサンプル
テープ１２，サンプルテープ１３は、シャトル粉落ち量
が多く、磁性薄膜の接着性が低い。これに対して、中間
膜の形成や揮発除去処理を行ったサンプルテープ１６〜
サンプルテープ２０はシャトル粉落ち量が抑えられてお
り、磁性薄膜の接着性が良好である。特に、中間膜の形
成と揮発除去処理の両方を行ったサンプルテープ〜サン
プルテープでは、磁性薄膜の接着性が非常に良い。

【０１２４】このことから、磁性塗布層上に中間膜を形
成したり磁性塗布層の残留溶剤や未反応低分子を揮発除
去させておくことは磁性薄膜の接着性を改善する上で有
効であることがわかった。

【０１２５】なお、中間膜を形成する場合、その効果を
十分に得るには厚さが２ｎｍ以上であることが必要であ
るが、厚さを２５ｎｍを越えて厚くしてもそれ以上に効
果を向上させることはできず、むしろスペーシングロス
によって電磁変換特性が劣化するといった不都合が生じ
てしまう。すなわち、中間膜の厚さは２〜２５ｎｍとす
るのが適当である。但し、揮発除去処理を併用するので
あれば、中間膜の厚さが比較的薄くとも、磁性薄膜の接
着性を十分に高めることができる。したがって、これら
の併用は中間膜によるスペーシングロスを抑えるのに有
利である。

【０１２６】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、比較的表面の粗い非磁性支持体上に、磁性塗布
層と磁性薄膜を形成するので、非磁性支持体にかかるコ
ストを低く抑えながら、表面性に優れ、良好な電磁変換
特性が得られる磁気記録媒体が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気テープの一構成例を示す要部概略
断面図である。

【図２】磁性薄膜を形成するための蒸着装置を示す模式
図である。

【図３】保護膜，中間膜を形成するためのスパッタ装置
を示す模式図である。

【図４】保護膜を形成するためのＣＶＤ装置を示す模式
図である。

【符号の説明】

１非磁性支持体２磁性塗布層３磁性薄膜４保護膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】中心線平均粗さＲａが５〜２０ｎｍ、十
点平均粗さＲｚが３０〜４５０ｎｍ、最大高さＲｍａｘ
が３０〜４５０ｎｍである非磁性支持体上に、強磁性粉
末と結合剤とを主体とする磁性塗布層が形成され、この
磁性塗布層上に真空薄膜成膜手段により成膜された磁性
薄膜が形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】磁性塗布層は、中心線平均粗さＲａが１
０ｎｍ以下、十点平均粗さＲｚが８０ｎｍ以下、最大高
さＲｍａｘが１５０ｎｍ以下であることを特徴とする請
求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】磁性塗布層に、研磨剤が強磁性粉末１０
０重量部に対して４重量部以下の添加量で添加されてい
ることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】強磁性粉末の比表面積が４０ｍ²／ｇ以
上であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
体。
【請求項５】磁性薄膜上に、真空薄膜成膜手段により
成膜された保護膜が形成されていることを特徴とする請
求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項６】保護膜の厚さが２〜４０ｎｍであること
を特徴とする請求項５記載の磁気記録媒体。
【請求項７】磁性塗布層と磁性薄膜の間に、真空薄膜
成膜手段により成膜された中間膜が形成されていること
を特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項８】非磁性支持体上に強磁性粉末と結合剤と
を主体とする磁性塗布層を形成し、さらに前記磁性塗布
層上に、真空薄膜成膜手段により磁性薄膜、保護膜を形
成するに際し、磁性塗布層を形成した後、磁性薄膜を形成するのに先行
して、磁性塗布層内の残留溶剤を揮発除去することを特
徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】磁性塗布層内の残留溶剤の揮発除去を、
真空環境下で行うことを特徴とする請求項８記載の磁気
記録媒体の製造方法。