JPH0518467A - 高耐熱性ガスケツト及びその製造方法 - Google Patents
高耐熱性ガスケツト及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0518467A JPH0518467A JP16991791A JP16991791A JPH0518467A JP H0518467 A JPH0518467 A JP H0518467A JP 16991791 A JP16991791 A JP 16991791A JP 16991791 A JP16991791 A JP 16991791A JP H0518467 A JPH0518467 A JP H0518467A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gasket
- felt
- heat resistant
- high heat
- resistant gasket
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Gasket Seals (AREA)
- Sealing Material Composition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温中にさらされる部位の気密性を保持する
のに十分な耐熱性及び弾性を有する高耐熱性ガスケット
及びその製造方法を提供すること。 【構成】 化学気相析出法により基板12上にセラミッ
ク製マイクロばね16を形成し、セラミック製マイクロ
ばね16をフュ−ジョンボンディングにより重ね合わせ
てフェルト状シ−ト15を形成するようにしている。
のに十分な耐熱性及び弾性を有する高耐熱性ガスケット
及びその製造方法を提供すること。 【構成】 化学気相析出法により基板12上にセラミッ
ク製マイクロばね16を形成し、セラミック製マイクロ
ばね16をフュ−ジョンボンディングにより重ね合わせ
てフェルト状シ−ト15を形成するようにしている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は例えば、セラミックガス
タ−ビンの高温部(1000℃以上)のフランジ部の気密性
を保持するのに適した高耐熱性ガスケット及びその製造
方法に関する。
タ−ビンの高温部(1000℃以上)のフランジ部の気密性
を保持するのに適した高耐熱性ガスケット及びその製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】自動車用エンジンの将来型の一つとし
て、燃料消費率の低下、低公害性、燃料の多様化の利点
を期待して、主要先進国で自動車用ガスタ−ビンが開発
されている。この背景には、十数年前から注目されだし
た新材料であるセラミックスが耐熱性に優れ、従来の耐
熱鋼を上回る優れた特性を保持していることから、セラ
ミックスを使用したセラミックガスタ−ビンが開発され
ている。
て、燃料消費率の低下、低公害性、燃料の多様化の利点
を期待して、主要先進国で自動車用ガスタ−ビンが開発
されている。この背景には、十数年前から注目されだし
た新材料であるセラミックスが耐熱性に優れ、従来の耐
熱鋼を上回る優れた特性を保持していることから、セラ
ミックスを使用したセラミックガスタ−ビンが開発され
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】また、熱力学の原理か
ら、サイクル温度を高くすればサイクル熱効率は向上す
ることから、耐熱性の優れたセラミックスの利用により
1000℃以上の高温化を図って燃料消費率の向上を図ろう
としている。
ら、サイクル温度を高くすればサイクル熱効率は向上す
ることから、耐熱性の優れたセラミックスの利用により
1000℃以上の高温化を図って燃料消費率の向上を図ろう
としている。
【0004】このような高温の雰囲気中において使用さ
れるセラミックガスタ−ビンのフランジ部の気密性を保
持するために、耐熱鋼をガスケットとして使用すること
が考えられる。
れるセラミックガスタ−ビンのフランジ部の気密性を保
持するために、耐熱鋼をガスケットとして使用すること
が考えられる。
【0005】しかし、この耐熱鋼を冷却する必要がある
ことから装置が大型化するという問題のみならず、耐熱
鋼は弾性を持っていないため、1000℃以上の高温部で使
用されるガスケットとしては十分なシ−ル性を発揮する
ことができないという問題点があった。
ことから装置が大型化するという問題のみならず、耐熱
鋼は弾性を持っていないため、1000℃以上の高温部で使
用されるガスケットとしては十分なシ−ル性を発揮する
ことができないという問題点があった。
【0006】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、その目的は例えばセラミックガスタ−ビンのような
1000℃以上の高温中にさらされる装置のフランジ部の気
密性を保持するのに十分な耐熱性及び弾性を有する高耐
熱性ガスケット及びその製造方法を提供することにあ
る。
で、その目的は例えばセラミックガスタ−ビンのような
1000℃以上の高温中にさらされる装置のフランジ部の気
密性を保持するのに十分な耐熱性及び弾性を有する高耐
熱性ガスケット及びその製造方法を提供することにあ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項第1項に係わる発
明は、セラミック製マイクロばねが重ね合わされてフェ
ルト状シ−トとして構成されたことを特徴とする高耐熱
性ガスケットである。
明は、セラミック製マイクロばねが重ね合わされてフェ
ルト状シ−トとして構成されたことを特徴とする高耐熱
性ガスケットである。
【0008】請求項第2項に係わる発明は化学気相析出
法により基板上にセラミック製マイクロばねを形成する
工程と、上記セラミック製マイクロばねをフュ−ジョン
ボンディングにより重ね合わせる工程とを具備したこと
を特徴とする高耐熱性ガスケットの製造方法である。
法により基板上にセラミック製マイクロばねを形成する
工程と、上記セラミック製マイクロばねをフュ−ジョン
ボンディングにより重ね合わせる工程とを具備したこと
を特徴とする高耐熱性ガスケットの製造方法である。
【0009】
【作用】請求項第1項において、セラミック製マイクロ
ばねが重ね合わされてフェルト状シ−トを構成するガス
ケットを、例えばセラミックガスタ−ビンのような1000
℃以上の高温中にさらされる装置のフランジ部の気密性
の保持に使用する。このような部位にガスケットとして
使用されても、セラミックの高耐熱性及びマイクロばね
の弾性により十分なシ−ル性を発揮することができる。
ばねが重ね合わされてフェルト状シ−トを構成するガス
ケットを、例えばセラミックガスタ−ビンのような1000
℃以上の高温中にさらされる装置のフランジ部の気密性
の保持に使用する。このような部位にガスケットとして
使用されても、セラミックの高耐熱性及びマイクロばね
の弾性により十分なシ−ル性を発揮することができる。
【0010】請求項第2項において、化学気相析出法に
より基板上にセラミック製マイクロばねを形成し、上記
セラミック製マイクロばねにSiC の粉末を塗して温度を
上げてSiC を溶融させることによるフュ−ジョンボンデ
ィングにより上記セラミック製マイクロばねを重ね合わ
せてフェルト状シ−トを形成している。
より基板上にセラミック製マイクロばねを形成し、上記
セラミック製マイクロばねにSiC の粉末を塗して温度を
上げてSiC を溶融させることによるフュ−ジョンボンデ
ィングにより上記セラミック製マイクロばねを重ね合わ
せてフェルト状シ−トを形成している。
【0011】
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例に係わ
る高耐熱性ガスケットの製造方法に図1を参照しながら
説明する。図1(a)に示すように、石英製反応管(図
示しない)の中央部にFeのような不純物11を塗布した
グラファイト基板12を吊し、Si2 Cl6 +NH3 +H 2 +
Arの混合ガス中、1200℃で反応を行う。この結果、化学
気相析出(CVD)法により、基板12上に図1(b)
に示すようなコイル状Si3 N 4 ファイバ−13が成長す
る。
る高耐熱性ガスケットの製造方法に図1を参照しながら
説明する。図1(a)に示すように、石英製反応管(図
示しない)の中央部にFeのような不純物11を塗布した
グラファイト基板12を吊し、Si2 Cl6 +NH3 +H 2 +
Arの混合ガス中、1200℃で反応を行う。この結果、化学
気相析出(CVD)法により、基板12上に図1(b)
に示すようなコイル状Si3 N 4 ファイバ−13が成長す
る。
【0012】そして、このように成長したSi3 N 4 ファ
イバ−13に図1(c)に示すようにSiC の粉末14を
塗して温度を上げると、SiC が溶融し、Si3 N 4 ファイ
バ−13が互いに結合(フュ−ジョンボンディング)さ
れ、図1(d)に示すようにフェルト状シ−ト15が形
成される。
イバ−13に図1(c)に示すようにSiC の粉末14を
塗して温度を上げると、SiC が溶融し、Si3 N 4 ファイ
バ−13が互いに結合(フュ−ジョンボンディング)さ
れ、図1(d)に示すようにフェルト状シ−ト15が形
成される。
【0013】つまり、このフェルト状シ−ト15内には
無数のセラミック製マイクロばね16が重ね合わされて
構成されている。従って、このフェルト状シ−ト15は
セラミックの高耐熱性及びマイクロばね16の弾性を兼
ね備えている。
無数のセラミック製マイクロばね16が重ね合わされて
構成されている。従って、このフェルト状シ−ト15は
セラミックの高耐熱性及びマイクロばね16の弾性を兼
ね備えている。
【0014】このようにして形成されたフェルト状シ−
ト15をセラミックガスタ−ビンのような1000℃以上の
高温中にさらされる装置のフランジ部の気密性を保持す
るためのガスケットとして使用すれば、該フェルト状シ
−トは十分な耐熱性及び弾性を有するので、気密性を十
分に保持することができる。なお、不純物11はNiであ
っても良い。上記実施例ではフェルト状シ−トをフラン
ジ部のガスケットに使用したが、加圧高温炉のガスケッ
ト等にも使用することができる。
ト15をセラミックガスタ−ビンのような1000℃以上の
高温中にさらされる装置のフランジ部の気密性を保持す
るためのガスケットとして使用すれば、該フェルト状シ
−トは十分な耐熱性及び弾性を有するので、気密性を十
分に保持することができる。なお、不純物11はNiであ
っても良い。上記実施例ではフェルト状シ−トをフラン
ジ部のガスケットに使用したが、加圧高温炉のガスケッ
ト等にも使用することができる。
【0015】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、高
温中にさらされる部位の気密性を保持するのに十分な耐
熱性及び弾性を有する高耐熱性ガスケット及びその製造
方法を提供することができる。
温中にさらされる部位の気密性を保持するのに十分な耐
熱性及び弾性を有する高耐熱性ガスケット及びその製造
方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係わる高耐熱性ガスケット
の製造方法を示す図。
の製造方法を示す図。
11…不純物、12…グラファイト基板、13…Si3 N
4 ファイバ−、14…粉末、15…フェルト状シ−ト。
4 ファイバ−、14…粉末、15…フェルト状シ−ト。
Claims (2)
- 【請求項1】 セラミック製マイクロばねが重ね合わさ
れてフェルト状シ−トとして構成されたことを特徴とす
る高耐熱性ガスケット。 - 【請求項2】 化学気相析出法により基板上にセラミッ
ク製マイクロばねを形成する工程と、上記セラミック製
マイクロばねをフュ−ジョンボンディングにより重ね合
わせる工程とを具備したことを特徴とする高耐熱性ガス
ケットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3169917A JP2910329B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 高耐熱性ガスケットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3169917A JP2910329B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 高耐熱性ガスケットの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0518467A true JPH0518467A (ja) | 1993-01-26 |
| JP2910329B2 JP2910329B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=15895352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3169917A Expired - Fee Related JP2910329B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 高耐熱性ガスケットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2910329B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8015648B2 (en) | 2002-12-18 | 2011-09-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | System for removably joining a driven member to a driven member with workpiece |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0269175U (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-25 |
-
1991
- 1991-07-10 JP JP3169917A patent/JP2910329B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0269175U (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-25 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8015648B2 (en) | 2002-12-18 | 2011-09-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | System for removably joining a driven member to a driven member with workpiece |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2910329B2 (ja) | 1999-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wu et al. | Fabrication and testing of bulk micromachined silicon carbide piezoresistive pressure sensors for high temperature applications | |
| CN107675260A (zh) | 一种AlN‑SiC固溶体晶须及其制备方法 | |
| JPH0518467A (ja) | 高耐熱性ガスケツト及びその製造方法 | |
| JPS5838399B2 (ja) | 炭化珪素結晶層の製造方法 | |
| US6924509B2 (en) | Monoatomic and moncrystalline layer of large size, in diamond type carbon, and method for the manufacture of this layer | |
| JPH06263568A (ja) | 炭素系材料の耐酸化性改良法 | |
| US3851471A (en) | Hot-gas engine and method of manufacturing same | |
| JPH0351318A (ja) | 炭化物セラミックス被覆炭素繊維の製造法 | |
| JP2855458B2 (ja) | 半導体用処理部材 | |
| USH28H (en) | Chemical vapor deposition (CVD) of cubic silicon carbide SiC | |
| JPH0692761A (ja) | CVD−SiCコートSi含浸SiC製品およびその製造方法 | |
| JPH0789776A (ja) | 窒化硼素被覆炭素材料の製造法 | |
| JP2500012B2 (ja) | 複合被覆層を有するセラミックス焼結体の製造方法 | |
| CN115677386B (zh) | 一种用于制备半导体材料的石墨部件及其复合涂层和制备方法 | |
| JPS5838400B2 (ja) | 炭化珪素結晶層の製造方法 | |
| JPH0578977A (ja) | 表面被覆炭素繊維の製造方法 | |
| KR100295059B1 (ko) | 반도체 기판 상의 에피택셜층 성장 방법 | |
| JPS63103893A (ja) | 6H−SiC基板の製造方法 | |
| JPS61291484A (ja) | 黒鉛るつぼ | |
| JP2622609B2 (ja) | 半導体製造用sic質セラミックス製品 | |
| JPS63139096A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JPH0364480B2 (ja) | ||
| JP2002128580A (ja) | 高純度SiCコ−トカ−ボン材の製造方法 | |
| CN115537928A (zh) | 一种氮化硅单晶材料及其制备方法 | |
| JPH0421582A (ja) | セラミックス製品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990309 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |