JP2910329B2 - 高耐熱性ガスケットの製造方法 - Google Patents

高耐熱性ガスケットの製造方法

Info

Publication number
JP2910329B2
JP2910329B2 JP3169917A JP16991791A JP2910329B2 JP 2910329 B2 JP2910329 B2 JP 2910329B2 JP 3169917 A JP3169917 A JP 3169917A JP 16991791 A JP16991791 A JP 16991791A JP 2910329 B2 JP2910329 B2 JP 2910329B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
manufacturing
high heat
ceramic
gasket
heat resistant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3169917A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0518467A (ja
Inventor
逸朗 酒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Motors Corp
Original Assignee
Mitsubishi Motors Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Motors Corp filed Critical Mitsubishi Motors Corp
Priority to JP3169917A priority Critical patent/JP2910329B2/ja
Publication of JPH0518467A publication Critical patent/JPH0518467A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2910329B2 publication Critical patent/JP2910329B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Gasket Seals (AREA)
  • Sealing Material Composition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は例えば、セラミックガス
タ−ビンの高温部(1000℃以上)のフランジ部の気密性
を保持するのに適した高耐熱性ガスケットの製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】自動車用エンジンの将来型の一つとし
て、燃料消費率の低下、低公害性、燃料の多様化の利点
を期待して、主要先進国で自動車用ガスタ−ビンが開発
されている。この背景には、十数年前から注目されだし
た新材料であるセラミックスが耐熱性に優れ、従来の耐
熱鋼を上回る優れた特性を保持していることから、セラ
ミックスを使用したセラミックガスタ−ビンが開発され
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】また、熱力学の原理か
ら、サイクル温度を高くすればサイクル熱効率は向上す
ることから、耐熱性の優れたセラミックスの利用により
1000℃以上の高温化を図って燃料消費率の向上を図ろう
としている。
【0004】このような高温の雰囲気中において使用さ
れるセラミックガスタ−ビンのフランジ部の気密性を保
持するために、耐熱鋼をガスケットとして使用すること
が考えられる。
【0005】しかし、この耐熱鋼を冷却する必要がある
ことから装置が大型化するという問題のみならず、耐熱
鋼は弾性を持っていないため、1000℃以上の高温部で使
用されるガスケットとしては十分なシ−ル性を発揮する
ことができないという問題点があった。
【0006】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、その目的は例えばセラミックガスタ−ビンのような
1000℃以上の高温中にさらされる装置のフランジ部の気
密性を保持するのに十分な耐熱性及び弾性を有する高耐
熱性ガスケットの製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項第1項に係わる発
明は化学気相析出法により基板上にセラミック製マイク
ロばねを形成する工程と、上記セラミック製マイクロば
ねをフュ−ジョンボンディングにより重ね合わせる工程
とを具備したことを特徴とする高耐熱性ガスケットの製
造方法である。
【0008】
【作用】請求項第1項において、化学気相析出法により
基板上にセラミック製マイクロばねを形成し、上記セラ
ミック製マイクロばねにSiC の粉末を塗して温度を上げ
てSiC を溶融させることによるフュ−ジョンボンディン
グにより上記セラミック製マイクロばねを重ね合わせて
フェルト状シ−トを形成している。
【0009】
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例に係わ
る高耐熱性ガスケットの製造方法に図1を参照しながら
説明する。図1(a)に示すように、石英製反応管(図
示しない)の中央部にFeのような不純物11を塗布した
グラファイト基板12を吊し、Si2 Cl6 +NH3 +H 2
Arの混合ガス中、1200℃で反応を行う。
【0010】この結果、化学気相析出(CVD)法によ
り、基板12上に図1(b)に示すようなコイル状Si3
N 4 ファイバ−13が成長する。そして、このように成
長したSi3 N 4 ファイバ−13に図1(c)に示すよう
にSiC の粉末14を塗して温度を上げると、SiC が溶融
し、Si3 N 4 ファイバ−13が互いに結合(フュ−ジョ
ンボンディング)され、図1(d)に示すようにフェル
ト状シ−ト15が形成される。
【0011】つまり、このフェルト状シ−ト15内には
無数のセラミック製マイクロばね16が重ね合わされて
構成されている。従って、このフェルト状シ−ト15は
セラミックの高耐熱性及びマイクロばね16の弾性を兼
ね備えている。
【0012】このようにして形成されたフェルト状シ−
ト15をセラミックガスタ−ビンのような1000℃以上の
高温中にさらされる装置のフランジ部の気密性を保持す
るためのガスケットとして使用すれば、該フェルト状シ
−トは十分な耐熱性及び弾性を有するので、気密性を十
分に保持することができる。
【0013】なお、不純物11はNiであっても良い。上
記実施例ではフェルト状シ−トをフランジ部のガスケッ
トに使用したが、加圧高温炉のガスケット等にも使用す
ることができる。
【0014】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、高
温中にさらされる部位の気密性を保持するのに十分な耐
熱性及び弾性を有する高耐熱性ガスケットの製造方法を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係わる高耐熱性ガスケット
の製造方法を示す図。
【符号の説明】
11…不純物、12…グラファイト基板、13…Si3 N
4 ファイバ−、14…粉末、15…フェルト状シ−ト。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 化学気相析出法により基板上にセラミッ
    ク製マイクロばねを形成する工程と、上記セラミック製
    マイクロばねをフュ−ジョンボンディングにより重ね合
    わせる工程とを具備したことを特徴とする高耐熱性ガス
    ケットの製造方法。
JP3169917A 1991-07-10 1991-07-10 高耐熱性ガスケットの製造方法 Expired - Fee Related JP2910329B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3169917A JP2910329B2 (ja) 1991-07-10 1991-07-10 高耐熱性ガスケットの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3169917A JP2910329B2 (ja) 1991-07-10 1991-07-10 高耐熱性ガスケットの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0518467A JPH0518467A (ja) 1993-01-26
JP2910329B2 true JP2910329B2 (ja) 1999-06-23

Family

ID=15895352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3169917A Expired - Fee Related JP2910329B2 (ja) 1991-07-10 1991-07-10 高耐熱性ガスケットの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2910329B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1575449A1 (en) 2002-12-18 2005-09-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. System for removably joining a driven member to a driven member with workpiece

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0269175U (ja) * 1988-11-14 1990-05-25

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0518467A (ja) 1993-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4800977B2 (ja) シリコンワイヤの製造方法
JPH01162326A (ja) β−炭化シリコン層の製造方法
JP2910329B2 (ja) 高耐熱性ガスケットの製造方法
KR980006024A (ko) 더미 웨이퍼
CN105503265B (zh) 一种石墨加热炉内石墨热场表面制备SiC涂层的方法
US4614672A (en) Liquid phase epitaxy (LPE) of silicon carbide
Ohshita Low temperature and selective growth of β‐SiC using the SiH2Cl2/i‐C4H10/HCl/H2 gas system
US4940680A (en) Silicon nitride sintered members
JP2855458B2 (ja) 半導体用処理部材
USH28H (en) Chemical vapor deposition (CVD) of cubic silicon carbide SiC
JPS5838400B2 (ja) 炭化珪素結晶層の製造方法
JPS6115150B2 (ja)
CN115677386B (zh) 一种用于制备半导体材料的石墨部件及其复合涂层和制备方法
JPS63103893A (ja) 6H−SiC基板の製造方法
JPH0578977A (ja) 表面被覆炭素繊維の製造方法
CN115537928A (zh) 一种氮化硅单晶材料及其制备方法
JPS61291484A (ja) 黒鉛るつぼ
JP2002128580A (ja) 高純度SiCコ−トカ−ボン材の製造方法
JPH0340920A (ja) ジルコニア薄膜の製造方法
JP2001262346A (ja) ピンホ−ルを低減したSiC被覆黒鉛部材の製法
JPS5830280B2 (ja) 炭化珪素結晶層の製造方法
JP2735150B2 (ja) 複合半導体基板の製造方法
JPS62216218A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2622609B2 (ja) 半導体製造用sic質セラミックス製品
JPS6350343A (ja) 紡糸用の発熱体

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990309

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees