JPH05189833A - 光情報記録方法および記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 交換結合交互多層膜を用いたオーバーライト
可能な光磁気記録媒体に対して、高密度記録を可能に
し、なおかつ半導体レーザの寿命を向上させる。 【構成】 十分な出射パワーを有する波長８００ｎｍ付
近の第１の光ビームで記録し、出射パワーは低いが集光
ビームを絞れる波長６８０ｎｍ付近の第２の光ビームで
再生することにより、高密度記録を実現する光情報記録
再生装置において、情報を書き換える際に、第２の光ビ
ームで書き換える前のデータを読み取り、それと書き換
えるデータとの関係から、光照射パワー，記録パルス幅
を設定する。 【効果】 プリデータの消し残りなしにオーバーライト
でき、しかも良好な記録特性が得られ、高密度記録が実
現できる。さらに、レーザの寿命が伸びるという効果が
ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、交換結合交互多層膜を
用いたオーバーライト可能な光磁気記録媒体に対して、
高密度記録を可能とした記録方法および記録再生装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光磁気ディスク装置は、ガラスあるいは
ポリカーボネイトなどからなる透明なディスク状の基板
上に、ＴｂＦｅＣｏ薄膜などの垂直磁化膜からなる光磁
気記録膜を形成し、光ヘッドを介して集光レンズで集束
させた光スポットを透明基板を通して光磁気記録膜に照
射すると同時に、バイアス磁界発生コイルにより光磁気
記録膜に垂直方向にバイアス磁界を印加することによ
り、光スポット照射部分に光磁気記録膜の磁化の方向を
データとして記録する新しいファイル装置であり、大容
量，書き換え可能，ディスク可換性などに大きな特徴が
ある。

【０００３】しかし、一般に行われている光パワー変調
記録方式の場合、情報を書き換える際に、一度消去バイ
アス磁界−Ｈｅを印加しながら、集束させたレーザビー
ムを照射して、照射領域をキュリー温度以上に上げた
後、光磁気記録膜が冷却される過程において、消去バイ
アス磁界の方向に、磁化の方向を一様に揃える消去動作
を行ってから、さらに消去バイアス磁界とは反対方向の
記録バイアス磁界Ｈｗを印加して、レーザビームをオン
・オフすることで、磁化の方向として情報の記録を行っ
ている。

【０００４】したがって、この方式ではオーバーライト
ができないために、記録時に転送速度が実効的に低下し
ている。これに対して、オーバーライトが可能となれ
ば、記録，再生とも同一の転送速度で実行できるので、
データ転送速度が向上し、より広範囲な分野に適用可能
となる。

【０００５】そこで、オーバーライトを可能にするため
に、これまでいくつかの方法が提案されている。その中
の一つの方法として、佐藤正聡らによる「多層光磁気記
録媒体を用いた単一ビームオーバーライト方式」第３４
回応用物理学関係連合講演会予稿集Ｎｏ．２８ｐ−ＺＬ
−３，第７２１頁（１９８７）に記述されている交換結
合多層膜を用いた光パワー変調方式が知られている。こ
の方式に関して図３および図４を用いて説明する。

【０００６】図３は交換結合多層膜の記録過程を示す原
理図である。

【０００７】図３において、光磁気記録媒体３２の移動
方向は、矢印３１で示すように右から左に進行してい
く。光磁気記録媒体３２は、メモリ層３３と補助層３４
から構成されている。図３でメモリ層３３および補助層
３４に書かれている矢印は、それぞれ磁化の方向を示し
ている。上向きの磁化を“１”レベルの記録状態、下向
きの磁化を“０”レベルの記録状態とする。３５は初期
化用磁気回路、３６はバイアス磁界印加用磁気回路であ
り、矢印３９，４０はそれぞれの磁界の方向を示してい
る。３７は集光レンズで、図示しないレーザからの光ス
ポット３８を光磁気記録媒体３２上に集光する。

【０００８】次に情報を記録する動作について説明す
る。

【０００９】図３（ａ）において、まず、協力な磁界強
度を発生する初期化用磁気回路３５で補助層３４の磁化
を一定方向に揃える初期化を行う。次に、記録用光スポ
ット３８を“０”と“１”のレベルに対応して変調し、
補助層３４の磁化、またはバイアス磁界印加用磁気回路
３６による磁界の作用で情報を書き込む。

【００１０】たとえば、“１”レベルの記録を行う場合
は、図３（ｂ）に示すように、レーザから発光するパワ
ーをハイレベルにして、集光レンズ３７によって集光さ
れた光スポット３８によりメモリ層３３および補助層３
４の２層ともキュリー温度以上に上昇せしめ、冷却過程
においてバイアス磁界印加用磁気回路３６による磁界作
用により、補助層３４およびメモリ層３３の２層とも上
向きの磁化になるようにする。

【００１１】一方、“０”レベルの記録を行う場合は、
図３（ｃ）に示すように、レーザから発光するパワーを
ローレベルにして、集光レンズ３７によって集光された
光スポット３８により、メモリ層３３のみをキュリー温
度以上に上昇させ、冷却過程で補助層３４の磁化とのス
ピン相互作用により下向きの磁化を誘導して記録する。

【００１２】以上のような過程により、単一ビームによ
るオーバーライトが可能となる。

【００１３】図４には、単一ビームによる情報のオーバ
ーライトを行う方法を示す。書き換えるデータＣに対し
て、変調波形Ｆのように、高いパワーレベルの記録パワ
ーＰｗと低いパワーレベルの消去パワーＰｅ（Ｐｗ＞Ｐ
ｅ）の二値の光パワーに変調させて光磁気記録膜に照射
することにより、情報のオーバーライトが行われてい
る。

【００１４】図５に、従来の光情報記録再生装置の一例
の構成図を示す。光情報記録再生装置は、光磁気ディス
ク１、この光ディスク１を回転させるスピンドルモータ
２、光ディスク１にレーザ光を集光し、情報を記録消去
したり、信号を読み取るための光ヘッド３、光ヘッド３
を所定の位置に制御するポジショナ４、半導体レーザ２
５の出射パワーの変調を行うための半導体レーザ駆動部
６、および再生信号制御部７から構成される。

【００１５】半導体レーザ駆動部６は、符号器１７，駆
動回路１８から構成されていて、記録データが符号器１
７によりコード信号Ｃに変換され、駆動回路１８によっ
て半導体レーザ２５が変調される。

【００１６】光ヘッド３は、半導体レーザ２５、コリメ
ータレンズ９、ビームスプリッタ１０、１／４波長板１
１、対物レンズ１２、アクチュエータ１３、光検出器１
４から構成されている。

【００１７】半導体レーザ２５からのレーザ光がコリメ
ータレンズ９により平行光となり、ビームスプリッタ１
０，１／４波長板１１を透過し、対物レンズ１２によっ
て光磁気ディスク１上に集光される。この光ヘッド３か
らの集束光は、光磁気ディスク１上の所定の位置に集光
されるように、光ヘッド３によって検出したフォーカス
およびトラッキング誤差信号（図示せず）をもとに、ア
クチュエータ１３およびポジショナ４によって位置決め
される。光磁気ディスク１からの反射光は、対物レンズ
１２，１／４波長板１１を経て、ビームスプリッタ１０
により反射され、光検出器１４で受光される。

【００１８】再生信号制御部７は、プリアンプ２２，復
調器２４から構成されていて、光検出器１４で光電変換
された再生信号は、プリアンプ２２で増幅され、復調器
２４によりデータの再生が行われる。

【００１９】ここで、次世代の光ディスクの要求仕様と
しては、オーバーライトも重要な項目であるが、それ以
上に高密度大容量化が重要な課題となっている。高密度
化を図るためには、情報を読み出す光スポットを微小化
する必要がある。大きいスポットを用いてもある程度小
さいピットを記録することはできる。しかし、大きいス
ポットでは、再生波形干渉があるために小さいピットを
読み取ることが困難である。これに対して、光スポット
径φは、（１）式のように、光源の波長λに比例し、対
物レンズのＮＡに反比例する。 φ＝ｋ・λ／ＮＡ （ｋ：ｃｏｎｓｔ） （１） したがって、高密度化のためには、情報を読み出す光の
波長を短くしたり、対物レンズのＮＡを大きくしたりす
る方法が考えられる。ここで、ＮＡを大きくする方法
は、面振れなどに対する条件が厳しくなり、実際的では
ない。そこで、再生光の波長を短くすることが考えられ
る。装置の小型低価格化から半導体レーザを対象にする
と、現在一般に光ディスクに使われている８００ｎｍ付
近の半導体レーザに対しては、記録に十分な出射パワー
が得られるが、６７０ｎｍ付近の短波長半導体レーザ
は、現在のところ、出射パワーが１０ｍＷ以下と記録に
十分な出射パワーは得られていない。

【００２０】そこで、データの記録消去には、十分な出
射パワーの得られる波長８００ｎｍ付近の半導体レーザ
による光スポットを用い、一方データの再生には、光ス
ポット径を小さくできる６７０ｎｍ付近の可視半導体レ
ーザによる光スポットを用いる方法がある。これによ
り、短波長化した分だけ高密度記録再生が可能となる。

【００２１】さらに記録に際しては、図６に示すよう
に、記録データＣに対して、１ピットセル内のＤＵＴＹ
と記録パワーを調整することで、最適な記録が行えるパ
ルストレイン記録補償方式が行われている。たとえば、
１／７ＮＲＺＩ変調では、１Ｔｐから４Ｔｐまで７種類
の記録パルス幅を持つので、１Ｔｐで２個、１．５Ｔｐ
で３個、・・・、４Ｔｐで８個のパルス数で記録を行う
方式である。この記録補償方式により、従来行っていた
記録方式と比較して、ジッタ量が減少し、位相マージン
が向上し、高記録密度が実現できる。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】上記の交換結合交互多
層膜を用いた光磁気記録媒体に対しては、情報を書き換
える際に、高いレベルの記録パワーＰｗと中間のレベル
の消去パワーＰｅからなる３値レベルの光変調を行うこ
とにより、オーバーライトが可能となっている。しか
し、記録パワーＰｗとの２値レベルで記録を行っている
従来のオーバーライトのできない光磁気記録媒体と比較
すると、Ｃ／Ｎ比が低く、分解能も悪く、高密度化が困
難であるという問題点があった。

【００２３】また、パルストレイン記録補償を行うと、
記録パワーを従来よりも多く必要とするために、半導体
レーザの寿命が短くなるという問題点があった。

【００２４】本発明の目的は、高記録密度を実現するた
めに用いている再生用の短波長光ビームを用いて、情報
を書き換える直前に、書き換える前のデータを読み出
し、書き換える前の状態と書き換えるデータをもとに、
光照射パワー、記録パルス幅を設定することにより、プ
リデータの消し残りがなく、良好な記録特性が得られ、
さらに半導体レーザの負担を軽減して寿命を伸ばすこと
のできる光情報記録方法および記録再生装置を提供する
ことにある。

【００２５】

【課題を解決するための手段】本発明は、交換結合交互
多層膜によるオーバーライト可能な光磁気記録媒体に、
光ビームの照射によって信号をオーバーライトする記録
方法であって、書き換える前の状態と書き換えるデータ
との関係から、光照射パワー，記録パルス幅を設定する
ことを特徴とする。

【００２６】また本発明は、交換結合交互多層膜による
オーバーライト可能な光磁気記録媒体に、光ビームの照
射によって信号をオーバーライトする記録再生装置にお
いて、前記交換結合交互多層膜面上に情報の記録消去を
行うための記録に十分な出射パワーを有する第１の半導
体レーザによる第１のビームと、前記交換結合交互多層
膜面上の情報の再生を行うための出射パワーは低いが集
光ビームを絞ることのできる第２の半導体レーザによる
第２のビームと、前記２波長の光源による２つの光ビー
ムを前記交換結合交互多層膜面上に情報を記録，消去，
再生するために前記交換結合交互多層膜面上に導き、ま
た前記交換結合交互多層膜面からの反射光を取り込んで
処理するための光学系と、前記２つの光ビームが前記交
換結合交互多層膜面上の所定の位置に照射されるように
光学系を移動させるポジショナと、前記第２の光ビーム
で前記交換結合交互多層膜から読み取った情報から、ク
ロックを生成するクロック生成部と、前記第２の光ビー
ムで読み取った情報を再生データに復調する再生信号制
御部と、前記第２の光ビームで読み取った再生データと
書き換えるデータとのタイミングを一致させるタイミン
グ調整部と、前記再生した書き換える前の状態と書き換
えるデータとの関係から、光照射パワー，記録パルス幅
を設定するパワー設定部と、前記パワー設定部により設
定された電流値をもとに、前記第１の半導体レーザを駆
動する半導体レーザ駆動部とから構成されることを特徴
とする。

【００２７】

【作用】交換結合交互多層膜によるオーバーライト可能
な光磁気記録媒体は、従来のオーバーライトできない光
磁気記録媒体のように、一度プリデータを消去してか
ら、中間のレベルの消去パワーＰｅを印加しないで、記
録パワーＰｗと再生パワーＰｒの２値による記録を行う
ことにより、消去パワーＰｅを含めた３値で記録する場
合と比較して、Ｃ／Ｎ比が高く、分解能も高く、ジッタ
も減少することを確認している。

【００２８】たとえば、図７および図８は、ある交換結
合交互多層膜を用いた光磁気記録媒体に対して、３値記
録でオーバーライトした場合と、一度プリデータを消去
してから２値記録で記録したときのＣ／Ｎ比および信号
振幅の記録周波数依存性を評価した結果を示している。

【００２９】これらの評価結果から、書き換える前の状
態と書き換えるデータとが等しい場合には、光パワーを
照射せず、異なる場合のみ必要な光パワーを照射する方
がＣ／Ｎ比も高く、分解能も高くなっていることがわか
る。さらに、このようにすることにより、半導体レーザ
の照射時間を減少させることができる。

【００３０】そこで、再生データからクロックを生成
し、１ピットセル毎に、書き換える前の状態と書き換え
るデータとの関係から光照射パワーあるいは記録パルス
幅を設定することにより、従来の３値レベルでオーバー
ライトを行うよりも、プリデータの消し残りなしに、良
好な特性が得られる。

【００３１】本発明の光情報記録方法および記録再生装
置によれば、交換結合交互多層膜にデータをオーバーラ
イトする際に、プリデータの消し残りなしに、良好な記
録再生特性が得られ、高記録密度を実現することが可能
となる。さらに、レーザ照射時間が減少するので、レー
ザ寿命の向上が可能となる。

【００３２】

【実施例】以下、図面を参照することによって本発明の
実施例について詳細に説明する。

【００３３】図１は、本発明に係わる交換結合交互多層
膜を用いたオーバーライト可能な光磁気記録媒体の記録
方法の一実施例を示す概念図である。

【００３４】図１において、Ａは書き換える前のピット
であり、磁化状態が上向きの部分を斜線で示している。
再生したデータから、クロックＧが生成される。このク
ロックによって、１ピットセル毎に書き換える前のデー
タＢが得られる。Ｃは記録するコードデータであり、記
録データ信号から符号器によって作られる。Ｄは実際に
光磁気記録媒体に照射される光出射パワーであり、１ピ
ットセル毎に書き換える前のデータと書き換えるデータ
とを比較して、その関係から出射パワー、記録パルス幅
が決められている。この光パワーの照射により、書き換
え後のピットＥが得られオーバーライトが実現する。

【００３５】ここで、出射パワーＤは次のように決めら
れる。あるピットセルにおける書き換える前の状態と書
き換えるデータとの関係からそのピットセルにおける光
照射パワーの関係は、表１に示すようになる。

【００３６】

【表１】

【００３７】つまり、書き換える前の状態と書き換える
データが等しい場合は、光照射パワーをゼロにすること
により、書き換える前の状態が維持される。また、書き
換える前の磁化状態が下向きで、書き換えるデータが上
向きの場合は、記録パワーＰｗ１をピットセルに対して
ある適当なＤＵＴＹ比のパルス幅で加えることにより、
磁化状態が上向きになる。さらに、書き換える前の磁化
状態が上向きで、書き換えるデータが下向きの場合は、
消去パワーＰｅ１を加えることにより、補助層の方向に
ならって磁化状態が下向きとなる。以上のように、プリ
データの消し残りなしにオーバーライトを実現すること
ができる。

【００３８】本実施例のように、オーバーライト可能な
交換結合交互多層膜を用いた光磁気記録媒体に対して、
書き換える前のデータを読み出し、書き換える前の状態
と書き換えるデータとの関係から、光照射パワー，記録
パルス幅を設定することにより、従来の３値レベルでオ
ーバーライトを行うよりも、プリデータの消し残りなし
に、良好な特性が得られ、高密度記録が実現できる。さ
らに、レーザ照射時間が減少するので、レーザの寿命を
伸ばすことが可能となる。

【００３９】図２は、本発明に係わる交換結合交互多層
膜を用いたオーバーライト可能な光磁気記録媒体の記録
再生装置の一実施例を示す構成図である。

【００４０】この記録再生装置は、光磁気ディスク１、
光磁気ディスク１を回転させるスピンドルモータ２、光
磁気ディスク１にレーザ光を集光し、情報を記録消去し
たり、信号を読み取るための光ヘッド３、光ヘッド３を
所定の位置に制御するポジショナ４、半導体レーザアレ
イ５の出射パワーの変調を行うための半導体レーザ駆動
部６、再生信号制御部７、バイアス磁界印加用磁気回路
８から構成される。

【００４１】光ヘッド３は、半導体レーザアレイ５、コ
リメータレンズ９、ビームスプリッタ１０、１／４波長
板１１、対物レンズ１２、アクチュエータ１３、光検出
器１４から構成されている。半導体レーザアレイ５は、
波長８００ｎｍ付近の高出力の半導体レーザ１５と波長
６８０ｎｍ付近の低出力の半導体レーザ１６との２ビー
ムの構成となっている。

【００４２】半導体レーザ駆動部６は、符号器１７、駆
動回路１８，１９、パワー設定部２０、タイミング調整
部２１から構成されている。駆動回路１９によって、波
長６８０ｎｍ付近の低出力半導体レーザ１６が、情報の
再生に適したパワーに一定に保持される。

【００４３】半導体レーザアレイ５からの２つのレーザ
ビームがコリメータレンズ９により平行光となり、ビー
ムスプリッタ１０、１／４波長板１１を透過し、対物レ
ンズ１２によって光磁気ディスク１上に集光される。こ
の光ヘッド３からの集束光は、光磁気ディスク１上の所
定の位置に集光されるように、光ヘッド３によって検出
したフォーカスおよびトラッキング誤差信号（図示せ
ず）を元に、アクチュエータ１３およびポジショナ４に
よって位置決めされる。そして、波長６８０ｎｍ付近の
低出力半導体レーザ１６の集光ビームが波長８００ｎｍ
付近の高出力半導体レーザ１５の集光ビームに対して、
同一トラック上で光磁気ディスク１の回転方向の前側に
なるように配置する。

【００４４】波長６８０ｎｍ付近の低出力半導体レーザ
１６の集光ビームの光磁気ディスク１からの反射光は、
対物レンズ１２，１／４波長板１１を経て、ビームスプ
リッタ１０により反射され、光検出器１４で受光され
る。波長６８０ｎｍ付近のビームの集光スポット径は、
波長分だけ小さくなるので、小さいピットを再生するこ
とが可能となり、高密度化が可能となる。

【００４５】再生信号制御部７は、プリアンプ２２，Ｐ
ＬＯ２３，復調器２４から構成されていて、光検出器１
４で光電変換された再生信号は、プリアンプ２２で増幅
され、ＰＬＯ２３でクロックが生成され、そのクロック
をもとに、復調器２４によりデータの再生が行われる。

【００４６】ここで、光磁気ディスク１上の情報を書き
換える際のパワー設定部２０の一例を図９を用いて説明
する。

【００４７】図９のパワー設定部では、ＰＡＬなどのロ
ジック回路９１、２つの電流設定部９２，９３、２つの
スイッチ９４，９５により構成されている。

【００４８】ここで、半導体レーザは、閾値と呼ばれる
ある一定値以上の電流に対しては、レーザ発光領域にな
り、出力パワーが電流値に比例して増加する。そこで、
印加する電流に対して、出射パワーを一意に決めること
ができる。電流設定部９２，９３は、光磁気ディスク１
上の出射パワーとして、それぞれ図１に示すＰｗ１，Ｐ
ｅ１となるような波長８００ｎｍ付近の高出力半導体レ
ーザ１５を駆動する電流Ｉｗ１，Ｉｅ１が設定されてい
る。

【００４９】このような２種類の電流設定部を選択する
方法を以下に説明する。

【００５０】上記のように、光磁気ディスク１上に記録
されているピットＡから書き換える前のデータＢが得ら
れ、書き換える前の状態を知ることができる。また、新
たに書き換える記録データが符号器１７によりコード信
号Ｃに変換される。

【００５１】ここで、２つの光ビームの光磁気ディスク
１上でのスポット間隔は２０μｍ程度である。したがっ
て、たとえば５．２５インチの光ディスクで、現状程度
の仕様であれば、２つの光ビームの時間的なずれは２ｍ
ｓ程度である。回路での遅れを考慮して、読み取った書
き換える前のデータの光磁気ディスク１上の位置と、書
き換えるデータの光磁気ディスク１上の位置とを、ディ
レイラインなどからなるタイミング調整部２１によって
合わせる。調整量は線速によって異なるので、光ヘッド
の位置などから線速を求め、可変のディレイラインなど
により、調整量を調節する構成になっている。

【００５２】この様に得られた書き換える前のデータＢ
と書き換えるデータＣとの組合せから、ＰＡＬなどのロ
ジック回路９１を通して２種類の中から該当する電流設
定部を選び出す。

【００５３】たとえば、書き換える前のデータＢ、およ
び書き換えるデータＣに対して、それぞれ磁化が上向き
の部分をＨ、下向きの部分をＬに対応させる。ピットセ
ル毎に書き換える前の状態と書き換えるデータとを比較
して、書き換える前の状態と書き換えるデータとが等し
い場合、ロジック回路９１によって、どちらのスイッチ
も選択せず、光照射パワーはゼロとなる。また、書き換
える前の状態が下向きの磁化Ｌで、書き換えるデータが
上向きの磁化Ｈに対応している場合、ロジック回路９１
によって、スイッチ９４だけをアクティブ状態にする信
号を出力し、電流設定部９２の電流Ｉｗ１が設定され、
照射パワーがＰｗ１となる。この電流Ｉｗ１は、ピット
セルに対してある適当なＤＵＴＹ比で印加されるように
なっている。さらに、書き換える前の状態が上向きの磁
化Ｈで、書き換えるデータが下向きの磁化Ｌの場合は、
スイッチ９５だけをアクティブ状態にする信号を出力
し、電流設定部９３の電流Ｉｅ１が設定され、照射パワ
ーがＰｅ１となる。

【００５４】以上のように、ピットセル毎の書き換える
前のデータＢと書き換えるデータＣとの関係をもとに、
２種類の中から駆動電流を選び出し、この電流設定値を
もとに駆動回路１８によって、波長８００ｎｍ付近の高
出力半導体レーザ１５を図１のＤに示すように、変調す
る構成になっている。

【００５５】もう一つの実施例として、波長８００ｎｍ
付近の高出力半導体レーザと波長６８０ｎｍ付近の低出
力半導体レーザの２つの半導体レーザを用いて光学系を
組んで同様に行う方法がある。

【００５６】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の光情
報記録方法および記録再生装置によれば、オーバーライ
ト可能な交換結合交互多層膜を用いた光磁気記録媒体に
対して、書き換える前のデータを読み出し、書き換える
前の状態と書き換えるデータとの関係から、光照射パワ
ー，記録パルス幅を設定することにより、従来の３値レ
ベルでオーバーライトを行うよりも、プリデータの消し
残りなしに、良好な特性が得られ、高密度記録が実現で
きるという効果がある。さらに、レーザ照射時間が減少
するので、レーザの寿命が伸びるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる光情報記録方法の一実施例を示
す概念図である。

【図２】本発明に係わる光情報記録再生装置の一実施例
を示す構成図である。

【図３】交換結合交互多層膜を用いた光変調オーバーラ
イトを説明する原理図である。

【図４】交換結合交互多層膜を用いた光変調オーバーラ
イトの従来の記録方法を示す図である。

【図５】従来の光情報記録再生装置の構成図である。

【図６】パルストレイン記録補償方式の原理を示す図で
ある。

【図７】３値記録の場合と２値記録の場合のＣ／Ｎ比の
記録周波数特性の一例を示すグラフである。

【図８】３値記録の場合と２値記録の場合の信号振幅の
記録周波数特性の一例を示すグラフである。

【図９】本発明に係わる光情報記録再生装置のパワー設
定部の一実施例を示す概念図である。

【符号の説明】

１ 光磁気ディスク ２ スピンドルモータ ３ 光ヘッド ４ ポジショナ ５ 半導体レーザアレイ ６ 半導体レーザ駆動部 ７ 再生信号制御部 ８ バイアス磁界印加用磁気回路 ９ コリメータレンズ １０ ビームスプリッタ １１ １／４波長板 １２ 対物レンズ １３ アクチュエータ １４ 光検出器 １５ 波長８００ｎｍ付近の高出力半導体レーザ １６ 波長６８０ｎｍ付近の低出力半導体レーザ １７ 符号器 １８，１９ 駆動回路 ２０ パワー設定部 ２１ タイミング調整部 ２２ プリアンプ ２３ ＰＬＯ ２４ 復調器 ３１ 媒体進行方向 ３２ 光磁気記録媒体 ３３ メモリ層 ３４ 補助層 ３５ 初期化用磁気回路 ３６ バイアス磁界印加用磁気回路 ３７ 集光レンズ ３８ 光スポット ３９，４０ 矢印 ９１ ロジック回路 ９２，９３ 電流設定部 ９４，９５ スイッチ Ａ 書き換え前のピット Ｂ 書き換え前のデータ Ｃ 記録データ Ｄ 光変調波形 Ｅ 書き換え後のピット Ｆ 変調波形 Ｇ クロック

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】交換結合交互多層膜によるオーバーライト
   可能な光磁気記録媒体に、光ビームの照射によって信号
   をオーバーライトする記録方法であって、 書き換える前の状態と書き換えるデータとの関係から、
   光照射パワー，記録パルス幅を設定することを特徴とす
   る光情報記録方法。
2. 【請求項２】交換結合交互多層膜によるオーバーライト
   可能な光磁気記録媒体に、光ビームの照射によって信号
   をオーバーライトする記録再生装置において、 前記交換結合交互多層膜面上に情報の記録消去を行うた
   めの記録に十分な出射パワーを有する第１の半導体レー
   ザによる第１のビームと、 前記交換結合交互多層膜面上の情報の再生を行うための
   出射パワーは低いが集光ビームを絞ることのできる第２
   の半導体レーザによる第２のビームと、 前記２波長の光源による２つの光ビームを前記交換結合
   交互多層膜面上に情報を記録，消去，再生するために前
   記交換結合交互多層膜面上に導き、また前記交換結合交
   互多層膜面からの反射光を取り込んで処理するための光
   学系と、 前記２つの光ビームが前記交換結合交互多層膜面上の所
   定の位置に照射されるように光学系を移動させるポジシ
   ョナと、 前記第２の光ビームで前記交換結合交互多層膜から読み
   取った情報から、クロックを生成するクロック生成部
   と、 前記第２の光ビームで読み取った情報を再生データに復
   調する再生信号制御部と、 前記第２の光ビームで読み取った再生データと書き換え
   るデータとのタイミングを一致させるタイミング調整部
   と、 前記再生した書き換える前の状態と書き換えるデータと
   の関係から、光照射パワー，記録パルス幅を設定するパ
   ワー設定部と、 前記パワー設定部により設定された電流値をもとに、前
   記第１の半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動部と
   から構成されることを特徴とする光情報記録再生装置。