JPH05190284A - 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH05190284A JPH05190284A JP4002106A JP210692A JPH05190284A JP H05190284 A JPH05190284 A JP H05190284A JP 4002106 A JP4002106 A JP 4002106A JP 210692 A JP210692 A JP 210692A JP H05190284 A JPH05190284 A JP H05190284A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】発光層中の電子濃度を外部からの注入に依存せ
ずに増加させ、発光開始電圧の低下、発光輝度の向上を
達成した薄膜エレクトロルミネッセンス素子を提供する
ことを目的とする。 【構成】発光層５と、前記発光層５の両面または片面に
設けられた誘電体層３ａ、３ｂとを具備した薄膜エレク
トロルミネッセンス素子において、前記発光層５と誘電
体層３ａ、３ｂの間に二次電子放出機能を有する薄層４
ａ、４ｂを介在させたことを特徴としている。
ずに増加させ、発光開始電圧の低下、発光輝度の向上を
達成した薄膜エレクトロルミネッセンス素子を提供する
ことを目的とする。 【構成】発光層５と、前記発光層５の両面または片面に
設けられた誘電体層３ａ、３ｂとを具備した薄膜エレク
トロルミネッセンス素子において、前記発光層５と誘電
体層３ａ、３ｂの間に二次電子放出機能を有する薄層４
ａ、４ｂを介在させたことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜エレクトロルミネ
ッセンス素子（ＴＦＥＬ素子）に関する。
ッセンス素子（ＴＦＥＬ素子）に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＦＥＬ素子としては、発光層の両面に
誘電体層を設けた、いわゆる二重絶縁型ＴＦＥＬ素子が
知られている。かかる二重絶縁型ＴＦＥＬ素子の発光機
構を以下に説明する。
誘電体層を設けた、いわゆる二重絶縁型ＴＦＥＬ素子が
知られている。かかる二重絶縁型ＴＦＥＬ素子の発光機
構を以下に説明する。
【０００３】ＴＦＥＬ素子の膜面に対し、垂直方向に交
流電圧を印加する。この電圧を上げて、前記誘電体層間
に１０6 Ｖ／ｃｍ前後の電界を発生させると、前記発光
層と誘電体層の界面準位に存在する電子がプール・フレ
ンケル過程やトンネル過程により前記発光層の伝導帯に
注入される。注入された電子は、前記電界によって加速
され、ホットエレクトロンとなり発光層中の発光中心イ
オンに衝突する。発光中心イオンは、前記ホットエレク
トロンのエネルギーを得て励起される。そして、前記発
光中心イオンの電子が励起準位から基底準位に緩和され
る時に発光がなされる。ホットエレククトロンは、その
エネルギーを次第に失い、反対側の発光層と誘電体層の
界面にトラップされる。そして、電界が反転すると、前
述したのと同様な過程を経て発光中心イオンが励起され
て発光がなされる。ところで、前記ＴＦＥＬ素子の発光
輝度（Ｂ）は次式で見積もられる。 Ｂ＝４ηｆＣ1 （Ｖａ−Ｖｔ）Ｖｚ
流電圧を印加する。この電圧を上げて、前記誘電体層間
に１０6 Ｖ／ｃｍ前後の電界を発生させると、前記発光
層と誘電体層の界面準位に存在する電子がプール・フレ
ンケル過程やトンネル過程により前記発光層の伝導帯に
注入される。注入された電子は、前記電界によって加速
され、ホットエレクトロンとなり発光層中の発光中心イ
オンに衝突する。発光中心イオンは、前記ホットエレク
トロンのエネルギーを得て励起される。そして、前記発
光中心イオンの電子が励起準位から基底準位に緩和され
る時に発光がなされる。ホットエレククトロンは、その
エネルギーを次第に失い、反対側の発光層と誘電体層の
界面にトラップされる。そして、電界が反転すると、前
述したのと同様な過程を経て発光中心イオンが励起され
て発光がなされる。ところで、前記ＴＦＥＬ素子の発光
輝度（Ｂ）は次式で見積もられる。 Ｂ＝４ηｆＣ1 （Ｖａ−Ｖｔ）Ｖｚ
【０００４】ここで、ηは発光効率（１ｍ／Ｗ）、ｆは
駆動周波数、Ｃ1 は誘電体層の静電容量、ＶａはＴＦＥ
Ｌ素子に印加される交流電圧、Ｖｔは発光開始電圧、Ｖ
ｚは発光層に加わる電圧である。
駆動周波数、Ｃ1 は誘電体層の静電容量、ＶａはＴＦＥ
Ｌ素子に印加される交流電圧、Ｖｔは発光開始電圧、Ｖ
ｚは発光層に加わる電圧である。
【０００５】前記式において、ＴＦＥＬ素子の構成材料
と各膜厚および駆動条件を一定とした場合、Ｂに対する
主な要因はηとＶｔとなる。前記発光過程での界面準位
は一定ではなく、ある広がりを有する。かかる状態は、
ＴＦＥＬ素子の各薄膜が単結晶でないことと相俟って成
膜条件で決定される膜質によって大きく変化する。しか
も、前記各界面準位に存在する電子濃度も変化する。こ
のため、ＴＦＥＬ素子の材料、構造を一定にしても前記
Ｖｔは変動する。また、ηは主に電子に対する発光中心
の衝突断面積が作用要因であるため、発光中心イオンの
濃度を固定した場合、前記作用要因は電子濃度となり、
結局界面準位に存在する電子の濃度となる。また、実際
に行われている成膜方法では発光層の中に多くの不純物
原子や格子欠陥が存在し、これらは電子の捕獲準位とな
る。
と各膜厚および駆動条件を一定とした場合、Ｂに対する
主な要因はηとＶｔとなる。前記発光過程での界面準位
は一定ではなく、ある広がりを有する。かかる状態は、
ＴＦＥＬ素子の各薄膜が単結晶でないことと相俟って成
膜条件で決定される膜質によって大きく変化する。しか
も、前記各界面準位に存在する電子濃度も変化する。こ
のため、ＴＦＥＬ素子の材料、構造を一定にしても前記
Ｖｔは変動する。また、ηは主に電子に対する発光中心
の衝突断面積が作用要因であるため、発光中心イオンの
濃度を固定した場合、前記作用要因は電子濃度となり、
結局界面準位に存在する電子の濃度となる。また、実際
に行われている成膜方法では発光層の中に多くの不純物
原子や格子欠陥が存在し、これらは電子の捕獲準位とな
る。
【０００６】上述したＴＦＥＬ素子の構造から、ＴＦＥ
Ｌ素子の動作状態で外部からの電子の注入がないため、
発光層中の電子濃度は前記捕獲準位に電子がトラップさ
れて次第に減少していく。その結果、ＴＦＥＬ素子の輝
度は経時的に低下するという問題がある。
Ｌ素子の動作状態で外部からの電子の注入がないため、
発光層中の電子濃度は前記捕獲準位に電子がトラップさ
れて次第に減少していく。その結果、ＴＦＥＬ素子の輝
度は経時的に低下するという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の二重絶縁型ＴＦ
ＥＬ素子の発行層中の電子濃度が経時的に変化したり、
発光領域が異なると、その電子濃度も変化する。このた
め、発光輝度の経時変化や発光開始電圧のバラツキを生
じる。
ＥＬ素子の発行層中の電子濃度が経時的に変化したり、
発光領域が異なると、その電子濃度も変化する。このた
め、発光輝度の経時変化や発光開始電圧のバラツキを生
じる。
【０００８】本発明は、従来構造におけるこれらの問題
を解決するのみならず、発光層中の電子濃度を外部から
の注入に依存せずに増加させ、発光輝度を向上させるこ
とが可能なＴＦＥＬ素子を提供しようとするものであ
る。
を解決するのみならず、発光層中の電子濃度を外部から
の注入に依存せずに増加させ、発光輝度を向上させるこ
とが可能なＴＦＥＬ素子を提供しようとするものであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、発光層と、前
記発光層の両面または片面に設けられた誘電体層とを具
備したＴＦＥＬ素子において、前記発光層と誘電体層の
間に二次電子放出機能を有する薄膜層を介在させたこと
を特徴とするＴＦＥＬ素子である。以下、本発明のＴＦ
ＥＬ素子を図１を参照して詳細に説明する。
記発光層の両面または片面に設けられた誘電体層とを具
備したＴＦＥＬ素子において、前記発光層と誘電体層の
間に二次電子放出機能を有する薄膜層を介在させたこと
を特徴とするＴＦＥＬ素子である。以下、本発明のＴＦ
ＥＬ素子を図１を参照して詳細に説明する。
【００１０】透明基板１上には、一方の電極２ａが設け
られている。一方の誘電体層３ａは、前記電極２ａ上に
形成されている。一方の二次電子放出機能を有する薄膜
層（二次電子放出層）４ａは、前記誘電体層３ａ上に形
成されている。発光層５は、前記二次電子放出層４ａ上
に形成されている。他方の二次電子放出層４ｂは、前記
発光層５上に形成されている。他方の誘電体層３ｂは、
前記他方の二次電子放出層４ｂを含む前記一方の誘電体
層３ａ上に形成されている。他方の電極２ｂは、前記他
方の誘電体層３ｂ上に形成されている。図示しない電源
は、前記電極２ａ、２ｂに接続されている。前記透明基
板１は、例えばガラスにより形成される。
られている。一方の誘電体層３ａは、前記電極２ａ上に
形成されている。一方の二次電子放出機能を有する薄膜
層（二次電子放出層）４ａは、前記誘電体層３ａ上に形
成されている。発光層５は、前記二次電子放出層４ａ上
に形成されている。他方の二次電子放出層４ｂは、前記
発光層５上に形成されている。他方の誘電体層３ｂは、
前記他方の二次電子放出層４ｂを含む前記一方の誘電体
層３ａ上に形成されている。他方の電極２ｂは、前記他
方の誘電体層３ｂ上に形成されている。図示しない電源
は、前記電極２ａ、２ｂに接続されている。前記透明基
板１は、例えばガラスにより形成される。
【００１１】前記電極２ａ、２ｂの中で、前記透明基板
１側に配置される一方の電極２ａは例えばＩＴＯなどの
透明導電材料により形成される。他方の電極２ｂは、例
えばＡｌ、Ｃｕなどの通常の導電材料により形成され
る。
１側に配置される一方の電極２ａは例えばＩＴＯなどの
透明導電材料により形成される。他方の電極２ｂは、例
えばＡｌ、Ｃｕなどの通常の導電材料により形成され
る。
【００１２】前記誘電体層３ａ、３ｂは、例えばＴａ2
Ｏ5 、Ｙ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＡｌＯ
Ｎ、ＳｉＯＮ、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｎｂ2
Ｏ5、ＳｎＯ2 、ＢａＴｉＯ3 、ＰｂＴｉＯ3 、ＨｆＯ
2 の単独またはそれらの複合材料により形成される。な
お、誘電体層は前記発光層５の上下の両側に必ずしも配
置する必要がなく、前記発光層５の一方の側にみに配置
してもよい。この場合、前記誘電体層と前記発光層の間
のみに前記二次電子放出層が介在され、２つの電極のい
ずれか一方の電極は前記発光層表面に直接配置される構
造となる。
Ｏ5 、Ｙ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＡｌＯ
Ｎ、ＳｉＯＮ、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｎｂ2
Ｏ5、ＳｎＯ2 、ＢａＴｉＯ3 、ＰｂＴｉＯ3 、ＨｆＯ
2 の単独またはそれらの複合材料により形成される。な
お、誘電体層は前記発光層５の上下の両側に必ずしも配
置する必要がなく、前記発光層５の一方の側にみに配置
してもよい。この場合、前記誘電体層と前記発光層の間
のみに前記二次電子放出層が介在され、２つの電極のい
ずれか一方の電極は前記発光層表面に直接配置される構
造となる。
【００１３】前記二次電子放出層４ａ、４ｂは、二次電
子放出比が４〜８程度の材料から形成されることが好ま
しく、特に化学的安定性、成膜の容易性等を考慮する
と、例えばＭｇＦ、ＭｇＯ、ＳｒＯ、ＳｒＦ2 、ＭｇＯ
−ＳｒＯ、ＢａＦ2 等から形成されることが好ましい。
前記二次電子放出層４ａ、４ｂの厚さは、３００ｎｍ以
下にすることが好ましい。この理由は、３００ｎｍを越
えると交流電圧を印加した時の前記発光層５に加わる電
界を低下させる恐れがある。前記二次電子放出層４ａ、
４ｂのより好ましい厚さは、１０〜７０ｎｍの範囲であ
る。
子放出比が４〜８程度の材料から形成されることが好ま
しく、特に化学的安定性、成膜の容易性等を考慮する
と、例えばＭｇＦ、ＭｇＯ、ＳｒＯ、ＳｒＦ2 、ＭｇＯ
−ＳｒＯ、ＢａＦ2 等から形成されることが好ましい。
前記二次電子放出層４ａ、４ｂの厚さは、３００ｎｍ以
下にすることが好ましい。この理由は、３００ｎｍを越
えると交流電圧を印加した時の前記発光層５に加わる電
界を低下させる恐れがある。前記二次電子放出層４ａ、
４ｂのより好ましい厚さは、１０〜７０ｎｍの範囲であ
る。
【００１４】前記発光層５は、母体としてＺｎＳ、Ｚｎ
Ｓｅ、ＳｒＳ、ＣａＳ等が用いられ、発光中心としては
ＭｎまたはＴｍ、Ｓｍ、Ｃｅなどのランタニド元素が用
いられる。
Ｓｅ、ＳｒＳ、ＣａＳ等が用いられ、発光中心としては
ＭｎまたはＴｍ、Ｓｍ、Ｃｅなどのランタニド元素が用
いられる。
【００１５】
【作用】本発明によれば、発光層と、前記発光層の両面
または片面に設けられた誘電体層とを具備したＴＦＥＬ
素子において、前記発光層と誘電体層の間に二次電子放
出層を介在させたことによって、発光層中の電子濃度を
外部からの注入に依存せずに増加させ、発光輝度の向上
等を達成したＴＦＥＬ素子を得ることができる。
または片面に設けられた誘電体層とを具備したＴＦＥＬ
素子において、前記発光層と誘電体層の間に二次電子放
出層を介在させたことによって、発光層中の電子濃度を
外部からの注入に依存せずに増加させ、発光輝度の向上
等を達成したＴＦＥＬ素子を得ることができる。
【００１６】すなわち、ＴＦＥＬ素子の膜面に対し、垂
直方向に交流電圧を印加し、その電圧を上げて前記誘電
体層間の発光層に１０6 Ｖ／ｃｍ前後の高電界を加える
と、例えばＺｎＳ、ＳｒＳ、ＣａＳを母材とする発光層
中の電子エネルギー分布は数ｅＶの電子が最も多いが、
中には数十または数百ｅＶのエネルギーを有する電子も
存在する。これらの電子が前記誘電体層と前記発光層の
間に介在させた二次電子放出層に衝突すると、その二次
電子放出層の表面は二次電子を放出する作用を有するよ
うになる。ただし、高エネルギーの電子が衝突する側は
プラス電位であるため、実際には二次電子は放出されな
い。しかるに、前記二次電子放出層中の電子は前記高エ
ネルギーの衝突によって励起された状態になる。そし
て、極性が反転すると前記とは反対の電界が生成され、
この励起状態にある電子が発光層中に放出される。した
がって、発光層中の電子濃度は界面準位から注入された
電子と前記二次電子が合算されるため、二次電子放出層
が存在しない場合に比べてより高くなる。
直方向に交流電圧を印加し、その電圧を上げて前記誘電
体層間の発光層に１０6 Ｖ／ｃｍ前後の高電界を加える
と、例えばＺｎＳ、ＳｒＳ、ＣａＳを母材とする発光層
中の電子エネルギー分布は数ｅＶの電子が最も多いが、
中には数十または数百ｅＶのエネルギーを有する電子も
存在する。これらの電子が前記誘電体層と前記発光層の
間に介在させた二次電子放出層に衝突すると、その二次
電子放出層の表面は二次電子を放出する作用を有するよ
うになる。ただし、高エネルギーの電子が衝突する側は
プラス電位であるため、実際には二次電子は放出されな
い。しかるに、前記二次電子放出層中の電子は前記高エ
ネルギーの衝突によって励起された状態になる。そし
て、極性が反転すると前記とは反対の電界が生成され、
この励起状態にある電子が発光層中に放出される。した
がって、発光層中の電子濃度は界面準位から注入された
電子と前記二次電子が合算されるため、二次電子放出層
が存在しない場合に比べてより高くなる。
【００１７】このように本発明のＴＦＥＬ素子において
は、素子の外部回路から電子を注入することなく、発光
層中の電子濃度を上げることができる。このことは、発
光開始電圧を下げること、輝度の経時的低下を抑制する
こと、さらに輝度を向上させることに有効に働く。
は、素子の外部回路から電子を注入することなく、発光
層中の電子濃度を上げることができる。このことは、発
光開始電圧を下げること、輝度の経時的低下を抑制する
こと、さらに輝度を向上させることに有効に働く。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を前述した図１を参照
して詳細に説明する。 実施例１
して詳細に説明する。 実施例１
【００１９】図１において、透明基板１はガラスからな
り、一方の電極（透明電極）２ａは厚さ１７０ｎｍのＩ
ＴＯからなる。厚さ４００〜５００ｎｍのＴａ2 Ｏ5 か
らなる誘電体層３ａは、前記透明電極２ａ上に形成さ
れ、厚さ３０〜４０ｎｍのＭｇＯからなる二次電子放出
層４ａは前記誘電体層３ａ上には形成されている。厚さ
６００〜７００ｎｍのＺｎＳ：Ｍｎからなる発光層５
は、前記二次電子放出層４ａに形成されている。厚さ３
０〜４０ｎｍのＭｇＯからなる二次電子放出層４ｂは、
前記発光層５上に形成されている。厚さ４００〜５００
ｎｍのＴａ2 Ｏ5 からなる誘電体層３ｂは、前記二次電
子放出層４ｂ上に形成されている。Ａｌからなる電極２
ｂは、前記誘電体層３ｂ上に形成されている。 比較例１ 二次電子放出層を発光層とこの上下に配置した誘電体層
の間に介在させない以外、実施例１と同様な構造のＴＦ
ＥＬ素子を作製した。
り、一方の電極（透明電極）２ａは厚さ１７０ｎｍのＩ
ＴＯからなる。厚さ４００〜５００ｎｍのＴａ2 Ｏ5 か
らなる誘電体層３ａは、前記透明電極２ａ上に形成さ
れ、厚さ３０〜４０ｎｍのＭｇＯからなる二次電子放出
層４ａは前記誘電体層３ａ上には形成されている。厚さ
６００〜７００ｎｍのＺｎＳ：Ｍｎからなる発光層５
は、前記二次電子放出層４ａに形成されている。厚さ３
０〜４０ｎｍのＭｇＯからなる二次電子放出層４ｂは、
前記発光層５上に形成されている。厚さ４００〜５００
ｎｍのＴａ2 Ｏ5 からなる誘電体層３ｂは、前記二次電
子放出層４ｂ上に形成されている。Ａｌからなる電極２
ｂは、前記誘電体層３ｂ上に形成されている。 比較例１ 二次電子放出層を発光層とこの上下に配置した誘電体層
の間に介在させない以外、実施例１と同様な構造のＴＦ
ＥＬ素子を作製した。
【００２０】本実施例１および比較例１のＴＦＥＬ素子
の透明電極２ａとＡｌ電極２ｂの間に周波数１ｋＨｚの
交流電圧を印加し、輝度−電圧特性を調べた。その結果
を図２に示す。図２から明らかなように実施例１のＴＦ
ＥＬ素子は、二次電子放出層のない比較例１のＴＦＥＬ
素子に比べて発光開始電圧が５５Ｖ低く、かつ飽和輝度
が６０％向上することがわかる。
の透明電極２ａとＡｌ電極２ｂの間に周波数１ｋＨｚの
交流電圧を印加し、輝度−電圧特性を調べた。その結果
を図２に示す。図２から明らかなように実施例１のＴＦ
ＥＬ素子は、二次電子放出層のない比較例１のＴＦＥＬ
素子に比べて発光開始電圧が５５Ｖ低く、かつ飽和輝度
が６０％向上することがわかる。
【００２１】また、本実施例１および比較例１のＴＦＥ
Ｌ素子の透明電極２ａとＡｌ電極２ｂの間に周波数１ｋ
Ｈｚの交流電圧を印加し、初期輝度８５０ｎｔの発光状
態を１時間維持した後の発光開始電圧の変化を測定し
た。その結果、二次電子放出層のない比較例１のＴＦＥ
Ｌ素子では、初期の発光開始電圧が１４５Ｖであった
が、１時間後の発光開始電圧は１９５Ｖに上昇した。こ
れに対し、二次電子放出層を有する実施例１のＴＦＥＬ
素子では初期の発光開始電圧が９５Ｖ、１時間後の発光
開始電圧は１００Ｖであった。したがって、発光開始電
圧の上昇率は比較例１のＴＦＥＬ素子が３４％であるの
に対し、実施例１のＴＦＥＬ素子は僅か５％に止まって
いることがわかる。
Ｌ素子の透明電極２ａとＡｌ電極２ｂの間に周波数１ｋ
Ｈｚの交流電圧を印加し、初期輝度８５０ｎｔの発光状
態を１時間維持した後の発光開始電圧の変化を測定し
た。その結果、二次電子放出層のない比較例１のＴＦＥ
Ｌ素子では、初期の発光開始電圧が１４５Ｖであった
が、１時間後の発光開始電圧は１９５Ｖに上昇した。こ
れに対し、二次電子放出層を有する実施例１のＴＦＥＬ
素子では初期の発光開始電圧が９５Ｖ、１時間後の発光
開始電圧は１００Ｖであった。したがって、発光開始電
圧の上昇率は比較例１のＴＦＥＬ素子が３４％であるの
に対し、実施例１のＴＦＥＬ素子は僅か５％に止まって
いることがわかる。
【００２２】さらに、実施例１および比較例１のＴＦＥ
Ｌ素子について初期輝度を１００として、その低下率を
経時的な調べたところ、図３に示す結果が得られた。１
０時間後の低下率は、二次電子放出層のない比較例１の
ＴＦＥＬ素子が４８％低下しているのに対し、二次電子
放出層を有する実施例１のＴＦＥＬ素子は８％に止まっ
ていることがわかる。 実施例２ ＢａＦ2 からなる二次電子放出層を用いた以外、実施例
１と同様なＴＦＥＬ素子を作製した。
Ｌ素子について初期輝度を１００として、その低下率を
経時的な調べたところ、図３に示す結果が得られた。１
０時間後の低下率は、二次電子放出層のない比較例１の
ＴＦＥＬ素子が４８％低下しているのに対し、二次電子
放出層を有する実施例１のＴＦＥＬ素子は８％に止まっ
ていることがわかる。 実施例２ ＢａＦ2 からなる二次電子放出層を用いた以外、実施例
１と同様なＴＦＥＬ素子を作製した。
【００２３】実施例２および前述した比較例１のＴＦＥ
Ｌ素子について、実施例１と同様な方法により輝度−電
圧特性、発光開始電圧の上昇率および１０時間後の輝度
低下率を調べた。その結果、実施例２のＴＦＥＬ素子は
発光開始電圧が比較例１のＴＦＥＬ素子に比べて３０Ｖ
低く、発光開始電圧の上昇率では１２％となり、そして
１０時間後の輝度低下率は１８％となった。 実施例３ 発光層をＺｎＳ：Ｔｂ、誘電体層をＳｉＯＮ、二次電子
放出層をＭｇＯで形成した以外、実施例１と同様な構造
のＴＦＥＬ素子を作製した。 比較例２
Ｌ素子について、実施例１と同様な方法により輝度−電
圧特性、発光開始電圧の上昇率および１０時間後の輝度
低下率を調べた。その結果、実施例２のＴＦＥＬ素子は
発光開始電圧が比較例１のＴＦＥＬ素子に比べて３０Ｖ
低く、発光開始電圧の上昇率では１２％となり、そして
１０時間後の輝度低下率は１８％となった。 実施例３ 発光層をＺｎＳ：Ｔｂ、誘電体層をＳｉＯＮ、二次電子
放出層をＭｇＯで形成した以外、実施例１と同様な構造
のＴＦＥＬ素子を作製した。 比較例２
【００２４】発光層をＺｎＳ：Ｔｂ、誘電体層をＳｉＯ
Ｎで形成し、二次電子放出層を前記を発光層と誘電体層
の間に介在させない以外、実施例１と同様な構造のＴＦ
ＥＬ素子を作製した。
Ｎで形成し、二次電子放出層を前記を発光層と誘電体層
の間に介在させない以外、実施例１と同様な構造のＴＦ
ＥＬ素子を作製した。
【００２５】本実施例３および比較例２のＴＦＥＬ素子
の透明電極とＡｌ電極の間に周波数１ｋＨｚの交流電圧
を印加し、輝度−電圧特性を調べた。その結果を下記表
１に示す。 表１ 実施例３ 比較例２ 発光開始電圧 １００ｖ １６０Ｖ 飽和輝度 ２８００ｎｔ １８００ｎｔ また、実施例３のＴＦＥＬ素子は発光開始電圧と輝度の
経時変化が実施例１と同様な結果となり、二次電子放出
層の効果が明瞭に認められた。
の透明電極とＡｌ電極の間に周波数１ｋＨｚの交流電圧
を印加し、輝度−電圧特性を調べた。その結果を下記表
１に示す。 表１ 実施例３ 比較例２ 発光開始電圧 １００ｖ １６０Ｖ 飽和輝度 ２８００ｎｔ １８００ｎｔ また、実施例３のＴＦＥＬ素子は発光開始電圧と輝度の
経時変化が実施例１と同様な結果となり、二次電子放出
層の効果が明瞭に認められた。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したごとく、本発明に係わるＴ
ＦＥＬ素子によれば発光層と誘電体層の間に二次電子を
放出する機能を有する薄層を介在させることによって発
光開始電圧を低くすることができ、かつ発光開始電圧の
経時的上昇および発光輝度の経時的低下を抑制でき、さ
らに発光輝度を向上でき等顕著な効果を奏する。
ＦＥＬ素子によれば発光層と誘電体層の間に二次電子を
放出する機能を有する薄層を介在させることによって発
光開始電圧を低くすることができ、かつ発光開始電圧の
経時的上昇および発光輝度の経時的低下を抑制でき、さ
らに発光輝度を向上でき等顕著な効果を奏する。
【図１】本発明の実施例１におけるＴＦＥＬ素子を示す
断面図。
断面図。
【図２】実施例１および比較例１のＴＦＥＬ素子におけ
る輝度−電圧特性を示す線図。
る輝度−電圧特性を示す線図。
【図３】実施例１および比較例１のＴＦＥＬ素子におけ
る発光輝度の経時的変化を示す線図。
る発光輝度の経時的変化を示す線図。
１…透明基板、２ａ、２ｂ…電極、３ａ、３ｂ…誘電体
層、４ａ、４ｂ…二次電子放出層、５…発光層。
層、４ａ、４ｂ…二次電子放出層、５…発光層。
Claims (1)
- 【請求項１】 発光層と、前記発光層の両面または片面
に設けられた誘電体層とを具備した薄膜エレクトロルミ
ネッセンス素子において、 前記発光層と誘電体層の間に二次電子放出機能を有する
薄膜層を介在させたことを特徴とする薄膜エレクトロル
ミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4002106A JPH05190284A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4002106A JPH05190284A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190284A true JPH05190284A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11520099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4002106A Pending JPH05190284A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190284A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001223073A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-08-17 | Tdk Corp | 複合基板およびこれを用いたｅｌ素子 |
| US7445946B2 (en) | 2002-04-30 | 2008-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a light emitting device |
| US7723721B2 (en) | 2001-11-09 | 2010-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having TFT |
-
1992
- 1992-01-09 JP JP4002106A patent/JPH05190284A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001223073A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-08-17 | Tdk Corp | 複合基板およびこれを用いたｅｌ素子 |
| US9905624B2 (en) | 2001-11-09 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US11063102B2 (en) | 2001-11-09 | 2021-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7723721B2 (en) | 2001-11-09 | 2010-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having TFT |
| US8324618B2 (en) | 2001-11-09 | 2012-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US10680049B2 (en) | 2001-11-09 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US10461140B2 (en) | 2001-11-09 | 2019-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US9054199B2 (en) | 2001-11-09 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US9577016B2 (en) | 2001-11-09 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8101439B2 (en) | 2002-04-30 | 2012-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a light emitting device |
| US9006757B2 (en) | 2002-04-30 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a light emitting device |
| US8502241B2 (en) | 2002-04-30 | 2013-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a light emitting device |
| US7445946B2 (en) | 2002-04-30 | 2008-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a light emitting device |
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