JPH05190311A - 磁石の製造方法および磁石粉末 - Google Patents
磁石の製造方法および磁石粉末Info
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- JPH05190311A JPH05190311A JP4026017A JP2601792A JPH05190311A JP H05190311 A JPH05190311 A JP H05190311A JP 4026017 A JP4026017 A JP 4026017A JP 2601792 A JP2601792 A JP 2601792A JP H05190311 A JPH05190311 A JP H05190311A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 R(Rは希土類元素から選択される1種以上
の元素であり、Smを必須元素として含む)、Nおよび
T(TはFe、またはFeおよびCo)を含有する磁石
を製造する方法であって、母合金を粗粉砕する粗粉砕工
程、窒化処理を施す窒化工程、窒化後に微粉砕して磁石
粒子を得る微粉砕工程、磁石粒子表面に非磁性被覆を施
す被覆工程を有し、微粉砕工程と被覆工程とが、非水系
溶媒中または非酸化雰囲気中において連続して行なわれ
ることを特徴とする。 【効果】 磁石粒子表面における酸化層の生成が防が
れ、かつ磁石粒子表面に非磁性被覆が形成されるため、
保磁力が高く、しかもその経時劣化の小さい磁石粒子が
得られる。
の元素であり、Smを必須元素として含む)、Nおよび
T(TはFe、またはFeおよびCo)を含有する磁石
を製造する方法であって、母合金を粗粉砕する粗粉砕工
程、窒化処理を施す窒化工程、窒化後に微粉砕して磁石
粒子を得る微粉砕工程、磁石粒子表面に非磁性被覆を施
す被覆工程を有し、微粉砕工程と被覆工程とが、非水系
溶媒中または非酸化雰囲気中において連続して行なわれ
ることを特徴とする。 【効果】 磁石粒子表面における酸化層の生成が防が
れ、かつ磁石粒子表面に非磁性被覆が形成されるため、
保磁力が高く、しかもその経時劣化の小さい磁石粒子が
得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、Sm−Fe−N系磁石
を製造する方法に関する。
を製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】高性能希土類磁石としては、Sm−Co
系磁石やNd−Fe−B系磁石が知られているが、近
年、新規な希土類磁石の開発が盛んに行なわれている。
系磁石やNd−Fe−B系磁石が知られているが、近
年、新規な希土類磁石の開発が盛んに行なわれている。
【0003】例えば、Sm2 Fe17とNとの化合物であ
るSm2 Fe17N2.3 付近の組成で、4πIs =15.
4kG、Tc =470℃、HA =14Tの基本物性が得ら
れること、Znをバインダとする金属ボンディッド磁石
として10.5MGOeの(BH)max が得られること、また、
Sm2 Fe17金属間化合物へのNの導入により、キュリ
ー温度が大幅に向上して熱安定性が改良されたことが報
告されている(PaperNo.S1.3 at the Sixth Internatio
nal Symposium on Magnetic Anisotropy andCoercivity
in Rare Earth-Transition Metal Alloys,Pittsburgh,
PA,October 25,1990.(Proceedings Book:Carnegie Mell
on University,Mellon Institute,Pittsburgh,PA 1521
3,USA) )。
るSm2 Fe17N2.3 付近の組成で、4πIs =15.
4kG、Tc =470℃、HA =14Tの基本物性が得ら
れること、Znをバインダとする金属ボンディッド磁石
として10.5MGOeの(BH)max が得られること、また、
Sm2 Fe17金属間化合物へのNの導入により、キュリ
ー温度が大幅に向上して熱安定性が改良されたことが報
告されている(PaperNo.S1.3 at the Sixth Internatio
nal Symposium on Magnetic Anisotropy andCoercivity
in Rare Earth-Transition Metal Alloys,Pittsburgh,
PA,October 25,1990.(Proceedings Book:Carnegie Mell
on University,Mellon Institute,Pittsburgh,PA 1521
3,USA) )。
【0004】この報告では、Sm2 Fe17N2.3 の粉末
をZn粉末と混合してコールドプレスした場合、μ0 H
c =0.2T( iHc =2kG)であるが、さらに磁場プ
レスしてZnの融点付近の温度で熱処理して金属ボンデ
ィッド磁石とした場合、μ0Hc =0.6T( iHc =
6kG)が得られている。
をZn粉末と混合してコールドプレスした場合、μ0 H
c =0.2T( iHc =2kG)であるが、さらに磁場プ
レスしてZnの融点付近の温度で熱処理して金属ボンデ
ィッド磁石とした場合、μ0Hc =0.6T( iHc =
6kG)が得られている。
【0005】上記報告の金属ボンディッド磁石に用いら
れている磁石粒子は、ほぼ単結晶粒子となる程度の粒径
を有し、保磁力発生機構はニュークリエーションタイプ
である。このため、磁気特性が粒子の表面状態の影響を
受け易い。すなわち、粉砕時の機械的衝撃や粒子の酸化
等により磁石粒子表面には微小突起等の欠陥が生じ、磁
化方向と反対側に磁界が印加されたときに前記欠陥が逆
磁区発生の核となって粒内に磁壁が発生するが、ニュー
クリエーションタイプの磁石では結晶粒内に磁壁のピン
ニングサイトがないため容易に磁壁移動が起こるので、
保磁力は低い。上記報告では、金属ボンディッド磁石と
する際に、溶融した高温のバインダに磁石粒子を接触さ
せ、これにより磁石粒子の表面粗さを減少させて磁壁の
発生を抑制し、高い保磁力を得ていると考えられる。
れている磁石粒子は、ほぼ単結晶粒子となる程度の粒径
を有し、保磁力発生機構はニュークリエーションタイプ
である。このため、磁気特性が粒子の表面状態の影響を
受け易い。すなわち、粉砕時の機械的衝撃や粒子の酸化
等により磁石粒子表面には微小突起等の欠陥が生じ、磁
化方向と反対側に磁界が印加されたときに前記欠陥が逆
磁区発生の核となって粒内に磁壁が発生するが、ニュー
クリエーションタイプの磁石では結晶粒内に磁壁のピン
ニングサイトがないため容易に磁壁移動が起こるので、
保磁力は低い。上記報告では、金属ボンディッド磁石と
する際に、溶融した高温のバインダに磁石粒子を接触さ
せ、これにより磁石粒子の表面粗さを減少させて磁壁の
発生を抑制し、高い保磁力を得ていると考えられる。
【0006】しかし、金属ボンディッド磁石は、樹脂バ
インダを用いた樹脂ボンディッド磁石に比べ成形性に劣
り、また、比重が大きいため、適用分野が限定されてし
まう。
インダを用いた樹脂ボンディッド磁石に比べ成形性に劣
り、また、比重が大きいため、適用分野が限定されてし
まう。
【0007】一方、樹脂ボンディッド磁石では、金属ボ
ンディッド磁石に比べ高保磁力が得られにくい。また、
本発明者らは、Sm−Fe−N系磁石粒子を用いた樹脂
ボンディッド磁石が、製造直後は比較的高い保磁力を示
すが経時的に保磁力の劣化が認められ、特に高温環境で
保存した場合に保磁力劣化が著しいことを見いだした。
この保磁力劣化の原因は以下のように考えられる。
ンディッド磁石に比べ高保磁力が得られにくい。また、
本発明者らは、Sm−Fe−N系磁石粒子を用いた樹脂
ボンディッド磁石が、製造直後は比較的高い保磁力を示
すが経時的に保磁力の劣化が認められ、特に高温環境で
保存した場合に保磁力劣化が著しいことを見いだした。
この保磁力劣化の原因は以下のように考えられる。
【0008】Sm−Fe−N系の各種磁石の製造に用い
られる磁石粒子には微量の酸素が含有される。この磁石
粒子は、通常、母合金インゴットを粗粉砕し、次いで窒
化処理を施した後、微粉砕することにより製造される。
磁石粒子中の酸素は、当初から母合金に含まれるものも
あり、各工程において混入するものもある。EP 0 41773
3 A2 には、Sm−Fe−N−H−O系磁石粒子が開示
されており、この磁石粒子には微粉砕工程において3〜
6原子%の酸素が混入する旨が記載されている。そし
て、磁石粒子中において酸素は少なくとも80%が粒子
表面から数百オングストローム以内の領域に存在する旨
が記載されている。
られる磁石粒子には微量の酸素が含有される。この磁石
粒子は、通常、母合金インゴットを粗粉砕し、次いで窒
化処理を施した後、微粉砕することにより製造される。
磁石粒子中の酸素は、当初から母合金に含まれるものも
あり、各工程において混入するものもある。EP 0 41773
3 A2 には、Sm−Fe−N−H−O系磁石粒子が開示
されており、この磁石粒子には微粉砕工程において3〜
6原子%の酸素が混入する旨が記載されている。そし
て、磁石粒子中において酸素は少なくとも80%が粒子
表面から数百オングストローム以内の領域に存在する旨
が記載されている。
【0009】本発明者らが、微粉砕後のSm−Fe−N
系磁石粒子表面をEPMAおよび電子線回折により分析
すると、表面にはSmおよびFeがアモルファス状態で
存在していることがわかった。従って、磁石粒子表面に
はSmおよびFeの数十nm程度の酸化物層がアモルファ
ス状態で存在していると考えられる。磁石粒子を200
℃程度以上に加熱すると、たとえ不活性ガス雰囲気中で
あっても前記酸化物層は結晶化してしまう。具体的に
は、Sm2 O3 とα−Feとに分解していると考えられ
る。また、200℃よりも低い温度であっても、長時間
加熱すると同様な結晶化が生じる。
系磁石粒子表面をEPMAおよび電子線回折により分析
すると、表面にはSmおよびFeがアモルファス状態で
存在していることがわかった。従って、磁石粒子表面に
はSmおよびFeの数十nm程度の酸化物層がアモルファ
ス状態で存在していると考えられる。磁石粒子を200
℃程度以上に加熱すると、たとえ不活性ガス雰囲気中で
あっても前記酸化物層は結晶化してしまう。具体的に
は、Sm2 O3 とα−Feとに分解していると考えられ
る。また、200℃よりも低い温度であっても、長時間
加熱すると同様な結晶化が生じる。
【0010】このような考察から、本発明者らは、磁石
粒子表面のアモルファス状態の酸化物層が逆磁区発生を
抑制しており、磁石粒子が加熱されると前記酸化物層が
結晶化して逆磁区発生防止作用が減少し、保磁力が劣化
するという知見に達した。
粒子表面のアモルファス状態の酸化物層が逆磁区発生を
抑制しており、磁石粒子が加熱されると前記酸化物層が
結晶化して逆磁区発生防止作用が減少し、保磁力が劣化
するという知見に達した。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情からなされたものであり、Sm、FeおよびNを含有
する磁石を製造する際に、磁石粒子表面の酸化を防ぐこ
とにより、保磁力が高く、しかもその安定性が高い磁石
を提供することを目的とする。
情からなされたものであり、Sm、FeおよびNを含有
する磁石を製造する際に、磁石粒子表面の酸化を防ぐこ
とにより、保磁力が高く、しかもその安定性が高い磁石
を提供することを目的とする。
【0012】
【0013】このような目的は、下記(1)〜(7)の
本発明により達成される。 (1) R(ただし、Rは希土類元素から選択される1
種以上の元素であり、Smを必須元素として含む。)を
5〜15原子%、Nを0.5〜25原子%含有し、残部
がT(ただし、TはFe、またはFeおよびCoであ
る。)である磁石を製造する方法であって、RおよびT
を含有する母合金を粗粉砕して合金粒子を得る粗粉砕工
程と、合金粒子に窒化処理を施して窒化粒子を得る窒化
工程と、前記窒化粒子を微粉砕して磁石粒子を得る微粉
砕工程と、前記磁石粒子表面に非磁性被覆を形成する被
覆工程とを有し、前記微粉砕工程と前記被覆工程とが、
非水系溶媒中において連続して行なわれることを特徴と
する磁石の製造方法。
本発明により達成される。 (1) R(ただし、Rは希土類元素から選択される1
種以上の元素であり、Smを必須元素として含む。)を
5〜15原子%、Nを0.5〜25原子%含有し、残部
がT(ただし、TはFe、またはFeおよびCoであ
る。)である磁石を製造する方法であって、RおよびT
を含有する母合金を粗粉砕して合金粒子を得る粗粉砕工
程と、合金粒子に窒化処理を施して窒化粒子を得る窒化
工程と、前記窒化粒子を微粉砕して磁石粒子を得る微粉
砕工程と、前記磁石粒子表面に非磁性被覆を形成する被
覆工程とを有し、前記微粉砕工程と前記被覆工程とが、
非水系溶媒中において連続して行なわれることを特徴と
する磁石の製造方法。
【0014】(2) R(ただし、Rは希土類元素から
選択される1種以上の元素であり、Smを必須元素とし
て含む。)を5〜15原子%、Nを0.5〜25原子%
含有し、残部がT(ただし、TはFe、またはFeおよ
びCoである。)である磁石を製造する方法であって、
RおよびTを含有する母合金を粗粉砕して合金粒子を得
る粗粉砕工程と、合金粒子に窒化処理を施して窒化粒子
を得る窒化工程と、前記窒化粒子を微粉砕して磁石粒子
を得る微粉砕工程と、前記磁石粒子表面に非磁性被覆を
形成する被覆工程とを有し、前記微粉砕工程および前記
被覆工程が、非酸化性雰囲気中または非水系溶媒中にお
いて行なわれ、前記微粉砕工程から前記被覆工程に移行
する際に前記磁石粒子が非酸化性雰囲気中に保持される
ことを特徴とする磁石の製造方法。
選択される1種以上の元素であり、Smを必須元素とし
て含む。)を5〜15原子%、Nを0.5〜25原子%
含有し、残部がT(ただし、TはFe、またはFeおよ
びCoである。)である磁石を製造する方法であって、
RおよびTを含有する母合金を粗粉砕して合金粒子を得
る粗粉砕工程と、合金粒子に窒化処理を施して窒化粒子
を得る窒化工程と、前記窒化粒子を微粉砕して磁石粒子
を得る微粉砕工程と、前記磁石粒子表面に非磁性被覆を
形成する被覆工程とを有し、前記微粉砕工程および前記
被覆工程が、非酸化性雰囲気中または非水系溶媒中にお
いて行なわれ、前記微粉砕工程から前記被覆工程に移行
する際に前記磁石粒子が非酸化性雰囲気中に保持される
ことを特徴とする磁石の製造方法。
【0015】(3) R(ただし、Rは希土類元素から
選択される1種以上の元素であり、Smを必須元素とし
て含む。)を5〜15原子%、Nを0.5〜25原子%
含有し、残部がT(ただし、TはFe、またはFeおよ
びCoである。)である磁石を製造する方法であって、
RおよびTを含有する母合金を粗粉砕して合金粒子を得
る粗粉砕工程と、合金粒子を微粉砕して合金微粒子を得
る微粉砕工程と、前記合金微粒子に窒化処理を施して磁
石粒子を得る窒化工程と、前記磁石粒子表面に非磁性被
覆を形成する被覆工程とを有し、前記微粉砕工程および
前記被覆工程が、非酸化性雰囲気中または非水系溶媒中
において行なわれ、前記微粉砕工程から前記窒化工程に
移行する際に前記合金微粒子が非酸化性雰囲気中に保持
され、かつ、前記窒化工程から前記被覆工程に移行する
際に前記磁石粒子が非酸化性雰囲気中に保持されること
を特徴とする磁石の製造方法。
選択される1種以上の元素であり、Smを必須元素とし
て含む。)を5〜15原子%、Nを0.5〜25原子%
含有し、残部がT(ただし、TはFe、またはFeおよ
びCoである。)である磁石を製造する方法であって、
RおよびTを含有する母合金を粗粉砕して合金粒子を得
る粗粉砕工程と、合金粒子を微粉砕して合金微粒子を得
る微粉砕工程と、前記合金微粒子に窒化処理を施して磁
石粒子を得る窒化工程と、前記磁石粒子表面に非磁性被
覆を形成する被覆工程とを有し、前記微粉砕工程および
前記被覆工程が、非酸化性雰囲気中または非水系溶媒中
において行なわれ、前記微粉砕工程から前記窒化工程に
移行する際に前記合金微粒子が非酸化性雰囲気中に保持
され、かつ、前記窒化工程から前記被覆工程に移行する
際に前記磁石粒子が非酸化性雰囲気中に保持されること
を特徴とする磁石の製造方法。
【0016】(4) 前記非磁性被覆が金属、無機化合
物または有機化合物から構成される上記(1)ないし
(3)のいずれかに記載の磁石の製造方法。
物または有機化合物から構成される上記(1)ないし
(3)のいずれかに記載の磁石の製造方法。
【0017】(5) 非磁性被覆を形成した前記磁石粒
子を樹脂バインダ中に分散して樹脂ボンディッド磁石を
作製する工程を有する上記(1)ないし(4)のいずれ
かに記載の磁石の製造方法。
子を樹脂バインダ中に分散して樹脂ボンディッド磁石を
作製する工程を有する上記(1)ないし(4)のいずれ
かに記載の磁石の製造方法。
【0018】(6) R(ただし、Rは希土類元素から
選択される1種以上の元素であり、Smを必須元素とし
て含む。)を5〜15原子%、Nを0.5〜25原子%
含有し、残部がT(ただし、TはFe、またはFeおよ
びCoである。)であって、金属から構成される非磁性
被覆が表面に形成されており、酸素含有量が6000pp
m 以下である磁石粒子を含むことを特徴とする磁石粉
末。
選択される1種以上の元素であり、Smを必須元素とし
て含む。)を5〜15原子%、Nを0.5〜25原子%
含有し、残部がT(ただし、TはFe、またはFeおよ
びCoである。)であって、金属から構成される非磁性
被覆が表面に形成されており、酸素含有量が6000pp
m 以下である磁石粒子を含むことを特徴とする磁石粉
末。
【0019】(7) R(ただし、Rは希土類元素から
選択される1種以上の元素であり、Smを必須元素とし
て含む。)を5〜15原子%、Nを0.5〜25原子%
含有し、残部がT(ただし、TはFe、またはFeおよ
びCoである。)であって、無機化合物または有機化合
物から構成される非磁性被覆が表面に形成されている磁
石粒子を含むことを特徴とする磁石粉末。
選択される1種以上の元素であり、Smを必須元素とし
て含む。)を5〜15原子%、Nを0.5〜25原子%
含有し、残部がT(ただし、TはFe、またはFeおよ
びCoである。)であって、無機化合物または有機化合
物から構成される非磁性被覆が表面に形成されている磁
石粒子を含むことを特徴とする磁石粉末。
【0020】
【作用】本発明では、微粉砕工程、被覆工程およびこれ
らの工程間において、粒子を非水系溶媒中または非酸化
性雰囲気中に保持するので、磁石粒子表面の酸化が防止
され、アモルファス状態の酸化物層の生成が抑えられ
る。このため、高温にさらされたときの保磁力劣化が抑
えられる。また、逆磁区発生の核となる磁石粒子表面の
欠陥は非磁性被覆により修復されるため、高い保磁力が
得られる。
らの工程間において、粒子を非水系溶媒中または非酸化
性雰囲気中に保持するので、磁石粒子表面の酸化が防止
され、アモルファス状態の酸化物層の生成が抑えられ
る。このため、高温にさらされたときの保磁力劣化が抑
えられる。また、逆磁区発生の核となる磁石粒子表面の
欠陥は非磁性被覆により修復されるため、高い保磁力が
得られる。
【0021】従って、非磁性被覆を有する磁石粒子を樹
脂ボンディッド磁石に適用した場合、金属ボンディッド
磁石と同等の保磁力が得られ、しかも、金属ボンディッ
ド磁石に比べ軽量となり、また、成形の自由度が向上す
る。
脂ボンディッド磁石に適用した場合、金属ボンディッド
磁石と同等の保磁力が得られ、しかも、金属ボンディッ
ド磁石に比べ軽量となり、また、成形の自由度が向上す
る。
【0022】本発明により製造される磁石粒子は、Sm
2 (Fe,Co)17系の合金粒子に窒素(N)を含有さ
せたものである。この磁石粒子はNを含有するためキュ
リー温度が高く、熱安定性に優れる。また、Nを含有す
ることにより高い飽和磁化が得られ、異方性エネルギー
も向上して高い保磁力が得られる。磁気特性の向上は、
Nが結晶格子の特定位置に侵入型の固溶をすることによ
り、Fe原子同士の距離や、Fe原子と希土類金属原子
との距離が最適化されるためであると考えられる。
2 (Fe,Co)17系の合金粒子に窒素(N)を含有さ
せたものである。この磁石粒子はNを含有するためキュ
リー温度が高く、熱安定性に優れる。また、Nを含有す
ることにより高い飽和磁化が得られ、異方性エネルギー
も向上して高い保磁力が得られる。磁気特性の向上は、
Nが結晶格子の特定位置に侵入型の固溶をすることによ
り、Fe原子同士の距離や、Fe原子と希土類金属原子
との距離が最適化されるためであると考えられる。
【0023】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成を詳細に説明
する。
する。
【0024】<磁石組成>本発明により製造される磁石
に含まれる磁石粒子は、R、NおよびTを含有する。
に含まれる磁石粒子は、R、NおよびTを含有する。
【0025】Rは、Sm単独、あるいはSmおよびその
他の希土類元素の1種以上である。Sm以外の希土類元
素としては、例えばY、La、Ce、Pr、Nd、E
u、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
等が挙げられる。Sm以外の希土類元素が多すぎると結
晶磁気異方性が低下するため、Sm以外の希土類元素は
Rの70%以下とすることが好ましい。Rの含有率は、
5〜15原子%、好ましくは7〜14原子%とする。R
の含有率が前記範囲未満であると保磁力 iHc が低下
し、前記範囲を超えると残留磁束密度Br が低下してし
まう。
他の希土類元素の1種以上である。Sm以外の希土類元
素としては、例えばY、La、Ce、Pr、Nd、E
u、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
等が挙げられる。Sm以外の希土類元素が多すぎると結
晶磁気異方性が低下するため、Sm以外の希土類元素は
Rの70%以下とすることが好ましい。Rの含有率は、
5〜15原子%、好ましくは7〜14原子%とする。R
の含有率が前記範囲未満であると保磁力 iHc が低下
し、前記範囲を超えると残留磁束密度Br が低下してし
まう。
【0026】Nの含有率は、0.5〜25原子%、好ま
しくは5〜20原子%とする。本発明では、Nの一部に
換えてCおよび/またはSiを含有する構成としてもよ
い。この場合、Nの含有率は0.5原子%以上であり、
N、CおよびSiの合計含有率は25原子%以下であ
る。Nの含有率が前記範囲未満となると、キュリー温度
の上昇と飽和磁化の向上が不十分であり、N、Cおよび
Siの合計含有率が前記範囲を超えるとBr が低下す
る。Nの一部に換えて含有されるCおよび/またはSi
は、飽和磁化、保磁力およびキュリー温度向上効果を示
す。CおよびSiの合計含有率の下限は特にないが、合
計含有率が0.25原子%以上であれば、前記した効果
は十分に発揮される。
しくは5〜20原子%とする。本発明では、Nの一部に
換えてCおよび/またはSiを含有する構成としてもよ
い。この場合、Nの含有率は0.5原子%以上であり、
N、CおよびSiの合計含有率は25原子%以下であ
る。Nの含有率が前記範囲未満となると、キュリー温度
の上昇と飽和磁化の向上が不十分であり、N、Cおよび
Siの合計含有率が前記範囲を超えるとBr が低下す
る。Nの一部に換えて含有されるCおよび/またはSi
は、飽和磁化、保磁力およびキュリー温度向上効果を示
す。CおよびSiの合計含有率の下限は特にないが、合
計含有率が0.25原子%以上であれば、前記した効果
は十分に発揮される。
【0027】なお、磁石粒子のキュリー温度は組成によ
って異なるが、430〜650℃程度である。
って異なるが、430〜650℃程度である。
【0028】TはFe、またはFeおよびCoであり、
T中のFeの含有率は20原子%以上、特に30原子%
以上であることが好ましい。T中のFeの含有率が前記
範囲未満となるとBr が低下する。なお、T中のFe含
有率の上限は特にないが、80原子%を超えるとBr が
低下する傾向にある。
T中のFeの含有率は20原子%以上、特に30原子%
以上であることが好ましい。T中のFeの含有率が前記
範囲未満となるとBr が低下する。なお、T中のFe含
有率の上限は特にないが、80原子%を超えるとBr が
低下する傾向にある。
【0029】磁石中には、Mn、Ni、Zn等の上記以
外の元素が含有されていてもよい。これらの元素の含有
率は3重量%以下とすることが好ましい。また、B、
O、P、S等の元素が含有されていてもよいが、これら
の元素の含有率は2重量%以下とすることが好ましい。
外の元素が含有されていてもよい。これらの元素の含有
率は3重量%以下とすることが好ましい。また、B、
O、P、S等の元素が含有されていてもよいが、これら
の元素の含有率は2重量%以下とすることが好ましい。
【0030】なお、磁石は、主としてTh2 Zn17型の
菱面体晶系の結晶構造を有する。
菱面体晶系の結晶構造を有する。
【0031】本発明では、後述するように磁石粒子表面
の酸化が防がれるので、磁石粒子自体の酸素含有量が極
めて少なく、6000ppm 以下、さらには4000ppm
以下とすることができる。酸素は微粉砕時に最も混入し
やすく、非磁性被覆形成時には余り混入しないので、非
磁性被覆が金属から構成される場合、あるいは酸素を含
有しない無機化合物や有機化合物から構成される場合に
は、非磁性被覆を除去せずに測定しても、酸素含有量は
上記範囲に収まる。なお、酸素含有量はガス分析法など
により測定できる。一方、非磁性被覆が酸素を構成元素
とする無機化合物や有機化合物から構成される場合、非
磁性被覆を除去して磁石粒子自体の酸素含有量を測定す
ればよい。
の酸化が防がれるので、磁石粒子自体の酸素含有量が極
めて少なく、6000ppm 以下、さらには4000ppm
以下とすることができる。酸素は微粉砕時に最も混入し
やすく、非磁性被覆形成時には余り混入しないので、非
磁性被覆が金属から構成される場合、あるいは酸素を含
有しない無機化合物や有機化合物から構成される場合に
は、非磁性被覆を除去せずに測定しても、酸素含有量は
上記範囲に収まる。なお、酸素含有量はガス分析法など
により測定できる。一方、非磁性被覆が酸素を構成元素
とする無機化合物や有機化合物から構成される場合、非
磁性被覆を除去して磁石粒子自体の酸素含有量を測定す
ればよい。
【0032】なお、磁石粒子には、不可避的に少なくと
も50ppm 、通常、250ppm 程度以上の酸素が含まれ
る。
も50ppm 、通常、250ppm 程度以上の酸素が含まれ
る。
【0033】<非磁性被覆>
【0034】本発明の磁石粉末では、このような磁石粒
子表面に非磁性被覆が形成されている。非磁性被覆は、
磁石粒子表面における逆磁区発生を抑え、高保磁力を実
現する。被覆が磁性を有すると、逆磁区発生防止効果は
著しく低くなる。
子表面に非磁性被覆が形成されている。非磁性被覆は、
磁石粒子表面における逆磁区発生を抑え、高保磁力を実
現する。被覆が磁性を有すると、逆磁区発生防止効果は
著しく低くなる。
【0035】非磁性被覆の構成材質は、磁石粒子表面に
被覆可能であり、かつ磁石粒子表面の欠陥を修復できる
ものであれば特に制限はなく、各種の金属、無機化合
物、有機化合物等から適宜選択すればよい。金属として
は、例えば、Zn、Sn、Cu、In、Pb、Ga、S
b等や、これらを含む合金ないし金属間化合物、無機化
合物としては、前記金属の窒化物、炭化物等、有機化合
物としては、脂肪酸塩等が好ましく、これらのうち特
に、低融点であって、かつ低温でFeと非磁性化合物を
形成する元素が好ましい。
被覆可能であり、かつ磁石粒子表面の欠陥を修復できる
ものであれば特に制限はなく、各種の金属、無機化合
物、有機化合物等から適宜選択すればよい。金属として
は、例えば、Zn、Sn、Cu、In、Pb、Ga、S
b等や、これらを含む合金ないし金属間化合物、無機化
合物としては、前記金属の窒化物、炭化物等、有機化合
物としては、脂肪酸塩等が好ましく、これらのうち特
に、低融点であって、かつ低温でFeと非磁性化合物を
形成する元素が好ましい。
【0036】非磁性被覆は磁石粒子全表面を被覆してい
る連続膜であることが好ましいが、上記した組成を有す
る磁石粒子は結晶磁気異方性エネルギーが大きいため、
非磁性被覆は磁石粒子表面の少なくとも一部、好ましく
は表面の70%以上を覆っていれば十分な保磁力向上効
果が実現する。
る連続膜であることが好ましいが、上記した組成を有す
る磁石粒子は結晶磁気異方性エネルギーが大きいため、
非磁性被覆は磁石粒子表面の少なくとも一部、好ましく
は表面の70%以上を覆っていれば十分な保磁力向上効
果が実現する。
【0037】非磁性被覆の厚さは、保磁力向上のために
は5nm以上、特に10nm以上であることが好ましい。ま
た、非磁性被覆の厚さの上限は特にないが、樹脂ボンデ
ィッド磁石としたときの磁石粒子の充填率を高くし、か
つ樹脂ボンディッド磁石製造時に良好な成形性を得るた
めには、通常、5μm 以下、好ましくは100nm未満、
より好ましくは90nm以下とする。
は5nm以上、特に10nm以上であることが好ましい。ま
た、非磁性被覆の厚さの上限は特にないが、樹脂ボンデ
ィッド磁石としたときの磁石粒子の充填率を高くし、か
つ樹脂ボンディッド磁石製造時に良好な成形性を得るた
めには、通常、5μm 以下、好ましくは100nm未満、
より好ましくは90nm以下とする。
【0038】また、磁石粒子と非磁性被覆の合計に対す
る非磁性被覆の比率は、非磁性被覆の厚さに依存する
が、通常、15体積%以下であることが好ましい。非磁
性被覆の比率が前記範囲を超えると、樹脂ボンディッド
磁石に適用した場合に磁石粒子充填率を高くすることが
困難となり、成形性も低下する。
る非磁性被覆の比率は、非磁性被覆の厚さに依存する
が、通常、15体積%以下であることが好ましい。非磁
性被覆の比率が前記範囲を超えると、樹脂ボンディッド
磁石に適用した場合に磁石粒子充填率を高くすることが
困難となり、成形性も低下する。
【0039】なお、非磁性被覆中に2個以上の磁石粒子
が存在していてもよいが、異方性樹脂ボンディッド磁石
とするために磁場配向を行なう場合には、各磁石粒子が
独立して非磁性被覆を有していることが好ましい。
が存在していてもよいが、異方性樹脂ボンディッド磁石
とするために磁場配向を行なう場合には、各磁石粒子が
独立して非磁性被覆を有していることが好ましい。
【0040】<製造方法>本発明の製造方法は、Rおよ
びTを含有する母合金を粗粉砕して合金粒子を得る粗粉
砕工程と、合金粒子に窒化処理を施して窒化粒子を得る
窒化工程と、前記窒化粒子を微粉砕して磁石粒子を得る
微粉砕工程とを有する。
びTを含有する母合金を粗粉砕して合金粒子を得る粗粉
砕工程と、合金粒子に窒化処理を施して窒化粒子を得る
窒化工程と、前記窒化粒子を微粉砕して磁石粒子を得る
微粉砕工程とを有する。
【0041】合金粒子の製造方法 各原料金属や合金を混合し、次いで混合物を溶解、鋳造
することにより母合金インゴットを製造し、さらに母合
金インゴットを粗粉砕して合金粒子を製造する。母合金
インゴットの組成は、上記組成の磁石が得られるように
適宜選択すればよい。
することにより母合金インゴットを製造し、さらに母合
金インゴットを粗粉砕して合金粒子を製造する。母合金
インゴットの組成は、上記組成の磁石が得られるように
適宜選択すればよい。
【0042】母合金インゴットの結晶粒径は特に限定さ
れず、後述する微粉砕により単結晶粒子が得られるよう
な寸法とすることが好ましい。
れず、後述する微粉砕により単結晶粒子が得られるよう
な寸法とすることが好ましい。
【0043】次に、必要に応じて母合金インゴットに溶
体化処理を施す。溶体化処理は、異相を消してインゴッ
トの均質性を向上させるために施される。溶体化処理の
条件は特に限定されないが、通常、処理温度は900〜
1250℃、特に1000〜1200℃、処理時間は
0.5〜60時間程度とすることが好ましい。なお、溶
体化処理は種々の雰囲気中で行なうことができるが、不
活性ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気、還元性雰囲気、真
空中等で行なうことが好ましい。
体化処理を施す。溶体化処理は、異相を消してインゴッ
トの均質性を向上させるために施される。溶体化処理の
条件は特に限定されないが、通常、処理温度は900〜
1250℃、特に1000〜1200℃、処理時間は
0.5〜60時間程度とすることが好ましい。なお、溶
体化処理は種々の雰囲気中で行なうことができるが、不
活性ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気、還元性雰囲気、真
空中等で行なうことが好ましい。
【0044】次いで、母合金インゴットを粗粉砕して合
金粒子とする。合金粒子の平均粒子径は特に限定されな
いが、十分な耐酸化性を得るためには、合金粒子の平均
粒子径を好ましくは2μm 以上、より好ましくは10μ
m 以上、さらに好ましくは15μm 以上とすることがよ
く、1000μm 程度以下、特に200μm 以下とする
ことが好ましい。
金粒子とする。合金粒子の平均粒子径は特に限定されな
いが、十分な耐酸化性を得るためには、合金粒子の平均
粒子径を好ましくは2μm 以上、より好ましくは10μ
m 以上、さらに好ましくは15μm 以上とすることがよ
く、1000μm 程度以下、特に200μm 以下とする
ことが好ましい。
【0045】粉砕手段は特に限定されず、通常の各種粉
砕機を用いればよいが、非酸化性雰囲気中で粗粉砕を行
なう。
砕機を用いればよいが、非酸化性雰囲気中で粗粉砕を行
なう。
【0046】なお、本発明において平均粒子径とは、篩
別により求められた重量平均粒子径D50を意味する。重
量平均粒子径D50は、径の小さな粒子から重量を加算し
ていって、その合計重量が全粒子の合計重量の50%と
なったときの粒子径である。
別により求められた重量平均粒子径D50を意味する。重
量平均粒子径D50は、径の小さな粒子から重量を加算し
ていって、その合計重量が全粒子の合計重量の50%と
なったときの粒子径である。
【0047】窒化粒子の製造方法 次いで、合金粒子に窒化処理を施してNを固溶させ、窒
化粒子とする。この窒化処理は窒素雰囲気中で合金粒子
に熱処理を施すものであり、これにより合金粒子には窒
素が吸収される。上記したようにNを固溶させるために
は、窒化処理を下記の条件にて行なうことが好ましい。
保持温度は400〜700℃、特に450〜650℃程
度とすることが好ましい。温度保持時間は、0.5〜2
00時間、特に2〜100時間程度とすることが好まし
い。
化粒子とする。この窒化処理は窒素雰囲気中で合金粒子
に熱処理を施すものであり、これにより合金粒子には窒
素が吸収される。上記したようにNを固溶させるために
は、窒化処理を下記の条件にて行なうことが好ましい。
保持温度は400〜700℃、特に450〜650℃程
度とすることが好ましい。温度保持時間は、0.5〜2
00時間、特に2〜100時間程度とすることが好まし
い。
【0048】なお、母合金インゴットに水素を吸蔵させ
て粉砕ないしクラックを生じさせ、さらに合金粒子を大
気にさらすことなく窒化処理工程に供すれば、粒子表面
の酸化膜の発生を抑えることができるので、窒化処理の
際に高い反応性が得られる。
て粉砕ないしクラックを生じさせ、さらに合金粒子を大
気にさらすことなく窒化処理工程に供すれば、粒子表面
の酸化膜の発生を抑えることができるので、窒化処理の
際に高い反応性が得られる。
【0049】また、合金に水素を吸蔵させることによ
り、合金中に微細なガス通路が形成され、続く窒化処理
の際に、このガス通路を通って窒素が合金の深部まで侵
入するため、Nを容易に固溶させることが可能となる。
また、このため、寸法の大きな合金粒子を窒化すること
が可能となり、合金粒子や窒化粒子の耐酸化性を向上さ
せることができる。例えば、表面までの距離が0.25
mm以上、さらには5mm以上である領域が存在するような
合金粒子であっても窒化することが可能となる。ただ
し、均質に窒化するためには、表面からの距離が15mm
を超える部分が存在しないような寸法および形状の合金
粒子を用いることが好ましい。
り、合金中に微細なガス通路が形成され、続く窒化処理
の際に、このガス通路を通って窒素が合金の深部まで侵
入するため、Nを容易に固溶させることが可能となる。
また、このため、寸法の大きな合金粒子を窒化すること
が可能となり、合金粒子や窒化粒子の耐酸化性を向上さ
せることができる。例えば、表面までの距離が0.25
mm以上、さらには5mm以上である領域が存在するような
合金粒子であっても窒化することが可能となる。ただ
し、均質に窒化するためには、表面からの距離が15mm
を超える部分が存在しないような寸法および形状の合金
粒子を用いることが好ましい。
【0050】水素吸蔵処理は、水素ガス雰囲気中で熱処
理することにより合金に水素を吸蔵させるものであり、
このときの熱処理温度は350℃以下、特に100〜3
00℃とすることが好ましく、温度保持時間は0.5〜
24時間、特に1〜10時間とすることが好ましい。ま
た、水素ガスの圧力は、0.1〜10気圧、特に0.5
〜2気圧とすることが好ましい。
理することにより合金に水素を吸蔵させるものであり、
このときの熱処理温度は350℃以下、特に100〜3
00℃とすることが好ましく、温度保持時間は0.5〜
24時間、特に1〜10時間とすることが好ましい。ま
た、水素ガスの圧力は、0.1〜10気圧、特に0.5
〜2気圧とすることが好ましい。
【0051】水素吸蔵の際の雰囲気は、水素ガスだけに
限らず、水素ガスと不活性ガスとの混合雰囲気であって
もよい。この場合の不活性ガスとしては、例えばHeま
たはAr、あるいはこれらの混合ガスが好ましい。
限らず、水素ガスと不活性ガスとの混合雰囲気であって
もよい。この場合の不活性ガスとしては、例えばHeま
たはAr、あるいはこれらの混合ガスが好ましい。
【0052】窒化処理の前に水素吸蔵処理を行なった場
合、窒化処理の際の保持温度を低くすることができ、3
50〜650℃、特に400〜550℃にて窒化が可能
である。ただし、この際の温度は水素吸蔵処理の温度よ
りも高いことが好ましい。
合、窒化処理の際の保持温度を低くすることができ、3
50〜650℃、特に400〜550℃にて窒化が可能
である。ただし、この際の温度は水素吸蔵処理の温度よ
りも高いことが好ましい。
【0053】なお、生産性を高くするために、水素吸蔵
処理後、合金から水素を放出させずに続いて窒化処理を
施すことが好ましい。この場合、合金中の水素は窒化処
理の際の加熱により合金から放出されるので、窒化粒子
中に水素は実質的に含まれない。
処理後、合金から水素を放出させずに続いて窒化処理を
施すことが好ましい。この場合、合金中の水素は窒化処
理の際の加熱により合金から放出されるので、窒化粒子
中に水素は実質的に含まれない。
【0054】ただし、水素吸蔵処理後、合金から水素を
放出させ、次いで窒化処理を施してもよい。この場合、
水素を吸蔵している合金に減圧雰囲気中で熱処理を施す
ことにより、合金から水素を放出させることができる。
この場合の熱処理温度は200〜400℃とすることが
好ましく、温度保持時間は0.5〜2時間とすることが
好ましい。また、圧力は1×10-2Torr以下、特に1×
10-3Torr以下とすることが好ましく、Arガス雰囲気
中で熱処理することが好ましい。
放出させ、次いで窒化処理を施してもよい。この場合、
水素を吸蔵している合金に減圧雰囲気中で熱処理を施す
ことにより、合金から水素を放出させることができる。
この場合の熱処理温度は200〜400℃とすることが
好ましく、温度保持時間は0.5〜2時間とすることが
好ましい。また、圧力は1×10-2Torr以下、特に1×
10-3Torr以下とすることが好ましく、Arガス雰囲気
中で熱処理することが好ましい。
【0055】窒化粒子内の窒素原子分布を均一化するた
めに、Ar雰囲気等の非酸化性雰囲気中で窒化粒子に熱
処理を施すことが好ましい。この熱処理の際の温度は、
合金粒子を窒化処理したときの温度よりも高くすること
が好ましい。具体的には、窒化処理時の温度よりも20
℃以上高く、かつ分解反応が進行しないように700℃
程度以下とすることが好ましい。また、窒素原子分布を
より均一にするためには、表面からの距離が30μm を
超える領域の存在しない窒化粒子を用いることが好まし
い。このような条件で熱処理を施すことにより、表面の
窒素原子濃度と中心の窒素原子濃度の比率が0.80程
度以上である窒化粒子とすることができる。なお、窒化
粒子中の窒素原子分布は、EPMA等により確認するこ
とができる。
めに、Ar雰囲気等の非酸化性雰囲気中で窒化粒子に熱
処理を施すことが好ましい。この熱処理の際の温度は、
合金粒子を窒化処理したときの温度よりも高くすること
が好ましい。具体的には、窒化処理時の温度よりも20
℃以上高く、かつ分解反応が進行しないように700℃
程度以下とすることが好ましい。また、窒素原子分布を
より均一にするためには、表面からの距離が30μm を
超える領域の存在しない窒化粒子を用いることが好まし
い。このような条件で熱処理を施すことにより、表面の
窒素原子濃度と中心の窒素原子濃度の比率が0.80程
度以上である窒化粒子とすることができる。なお、窒化
粒子中の窒素原子分布は、EPMA等により確認するこ
とができる。
【0056】磁石粒子は窒化粒子を粉砕して製造される
ので、窒化粒子の窒素原子分布を均一化することによ
り、窒素含有量の揃った磁石粒子、すなわち、保磁力の
揃った磁石粒子が得られ、その結果、角形比の高い磁石
が実現する。
ので、窒化粒子の窒素原子分布を均一化することによ
り、窒素含有量の揃った磁石粒子、すなわち、保磁力の
揃った磁石粒子が得られ、その結果、角形比の高い磁石
が実現する。
【0057】磁石粒子の製造方法および非磁性被覆の形
成方法 次に、窒化粒子を粉砕して、ほぼ単結晶の磁石粒子と
し、さらに磁石粒子に非磁性被覆を形成する。
成方法 次に、窒化粒子を粉砕して、ほぼ単結晶の磁石粒子と
し、さらに磁石粒子に非磁性被覆を形成する。
【0058】微粉砕により得られる磁石粒子の平均粒子
径は特に限定されず、所望の保磁力が得られるように用
途に応じて適宜決定すればよく、通常は0.5〜50μ
m 程度とすればよい。非磁性被覆を形成すれば必ずしも
単磁区となるような粒子径まで粉砕しなくても必要な保
磁力が得られる。
径は特に限定されず、所望の保磁力が得られるように用
途に応じて適宜決定すればよく、通常は0.5〜50μ
m 程度とすればよい。非磁性被覆を形成すれば必ずしも
単磁区となるような粒子径まで粉砕しなくても必要な保
磁力が得られる。
【0059】本発明では、微粉砕工程と前記被覆工程と
を、非水系溶媒中において連続して行なうか、あるい
は、これらの工程を非酸化性雰囲気中において連続して
行なう。これらのうちでは、非水系溶媒を用いる方法が
簡単であり、しかも十分な効果が得られるため好まし
い。
を、非水系溶媒中において連続して行なうか、あるい
は、これらの工程を非酸化性雰囲気中において連続して
行なう。これらのうちでは、非水系溶媒を用いる方法が
簡単であり、しかも十分な効果が得られるため好まし
い。
【0060】まず、非水系溶媒中において連続して微粉
砕および非磁性被覆形成を行なう方法について説明す
る。
砕および非磁性被覆形成を行なう方法について説明す
る。
【0061】この方法では、めっき法により金属製の非
磁性被覆を形成することができる。また、樹脂等の有機
化合物からなる非磁性被覆も形成可能である。
磁性被覆を形成することができる。また、樹脂等の有機
化合物からなる非磁性被覆も形成可能である。
【0062】めっき法を用いる場合、まず、窒化粒子を
非水系溶媒中で湿式微粉砕し、磁石粒子とする。湿式粉
砕の手段は特に限定されず、ボールミルや振動ミル等の
通常の手段を用いればよい。次いで、磁石粒子を含むス
ラリーを粉砕機から取り出してめっき浴と混合し、めっ
き法により非磁性被覆を形成する。このめっき浴には、
非水系溶媒を用いる。また、湿式微粉砕の際に用いる非
水系溶媒は、前記めっき浴に溶解可能なものを選択す
る。なお、湿式微粉砕の際の溶媒としてめっき浴組成を
用いてもよいが、この場合、通常、めっきに必要な液量
および液性状となるようにめっき浴溶液を補正する。
非水系溶媒中で湿式微粉砕し、磁石粒子とする。湿式粉
砕の手段は特に限定されず、ボールミルや振動ミル等の
通常の手段を用いればよい。次いで、磁石粒子を含むス
ラリーを粉砕機から取り出してめっき浴と混合し、めっ
き法により非磁性被覆を形成する。このめっき浴には、
非水系溶媒を用いる。また、湿式微粉砕の際に用いる非
水系溶媒は、前記めっき浴に溶解可能なものを選択す
る。なお、湿式微粉砕の際の溶媒としてめっき浴組成を
用いてもよいが、この場合、通常、めっきに必要な液量
および液性状となるようにめっき浴溶液を補正する。
【0063】湿式微粉砕の際に磁石粒子が気体と接触す
ることがある場合には、非酸化性雰囲気中で湿式粉砕を
行なうことが好ましい。この場合の非酸化性雰囲気と
は、窒素やAr等の非酸化性ガス雰囲気で、かつ酸素分
圧が10-3Torr以下であることが好ましく、以下の記載
においても同様である。
ることがある場合には、非酸化性雰囲気中で湿式粉砕を
行なうことが好ましい。この場合の非酸化性雰囲気と
は、窒素やAr等の非酸化性ガス雰囲気で、かつ酸素分
圧が10-3Torr以下であることが好ましく、以下の記載
においても同様である。
【0064】めっき法としては、電気めっき、無電解め
っき、置換めっき等の各種方法を用いることができる
が、均一で膜厚の揃った非磁性被覆が容易に形成できる
ことから、電気めっき法を用いることが好ましい。
っき、置換めっき等の各種方法を用いることができる
が、均一で膜厚の揃った非磁性被覆が容易に形成できる
ことから、電気めっき法を用いることが好ましい。
【0065】電気めっき法に用いるめっき浴は、非磁性
被覆構成元素の化合物を非水系溶媒に溶解したものであ
る。前記化合物は特に限定されず、非水系溶媒に溶解可
能な各種化合物、例えば、塩化物、硝化物、炭酸化物等
の各種化合物を用いればよい。
被覆構成元素の化合物を非水系溶媒に溶解したものであ
る。前記化合物は特に限定されず、非水系溶媒に溶解可
能な各種化合物、例えば、塩化物、硝化物、炭酸化物等
の各種化合物を用いればよい。
【0066】めっき浴に用いる非水系溶媒は、非磁性被
覆に用いる材料に応じて、それらの化合物が溶解可能な
有機溶媒等から適宜選択すればよい。具体的には、例え
ば、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、プ
ロピレンカーボネート、アセトニトリル等から選択すれ
ばよい。
覆に用いる材料に応じて、それらの化合物が溶解可能な
有機溶媒等から適宜選択すればよい。具体的には、例え
ば、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、プ
ロピレンカーボネート、アセトニトリル等から選択すれ
ばよい。
【0067】また、微粉砕にも上記非水系溶媒を用いれ
ばよいが、さらに、これらに溶解可能なもの、例えば、
キシレン、アセトン等も用いることができる。
ばよいが、さらに、これらに溶解可能なもの、例えば、
キシレン、アセトン等も用いることができる。
【0068】電気めっきの条件は特に限定されず、電流
密度、めっき浴温度等の各種条件は、形成する非磁性被
覆に応じて適宜設定すればよい。また、電気めっき法に
用いる装置は特に限定されず、例えば、「第9回最新の
粉末冶金技術講座」(平成3年10月22〜23日、東
京理科大学)のテキストの記載に従い、粉末の電気めっ
きに好適な垂直型電気めっき装置や傾斜型電気めっき装
置などを用いればよい。これらは、めっき浴中に攪拌翼
を設けてメッシュ状の陰極上に粉末の懸濁層を形成した
り、メッシュ状の陰極が回転して粉末を攪拌する構成を
有し、粉末を構成する粒子の表面に電気めっき膜を均一
に形成可能な電気めっき装置である。
密度、めっき浴温度等の各種条件は、形成する非磁性被
覆に応じて適宜設定すればよい。また、電気めっき法に
用いる装置は特に限定されず、例えば、「第9回最新の
粉末冶金技術講座」(平成3年10月22〜23日、東
京理科大学)のテキストの記載に従い、粉末の電気めっ
きに好適な垂直型電気めっき装置や傾斜型電気めっき装
置などを用いればよい。これらは、めっき浴中に攪拌翼
を設けてメッシュ状の陰極上に粉末の懸濁層を形成した
り、メッシュ状の陰極が回転して粉末を攪拌する構成を
有し、粉末を構成する粒子の表面に電気めっき膜を均一
に形成可能な電気めっき装置である。
【0069】非水系溶媒中において有機化合物からなる
非磁性被覆を形成する場合、キレート樹脂を用いること
が好ましい。この場合、非水系溶媒にキレート樹脂を溶
解した溶液に磁石粒子を投入し、これをボールミル等の
湿式粉砕機により粉砕する。粉砕後、加熱乾燥すること
により、磁石粒子表面に樹脂被覆が形成される。溶液中
のキレート樹脂は、磁石粒子表面のRやT等に結合する
ため、磁石粒子同士がキレート樹脂を介して結合される
ことは殆どなく、磁場配向の容易な磁石粉末が得られ
る。なお、樹脂を含まない非水系溶媒中で微粉砕して得
られた分散液を、樹脂を溶解した非水系溶媒と混合して
加熱乾燥してもよい。
非磁性被覆を形成する場合、キレート樹脂を用いること
が好ましい。この場合、非水系溶媒にキレート樹脂を溶
解した溶液に磁石粒子を投入し、これをボールミル等の
湿式粉砕機により粉砕する。粉砕後、加熱乾燥すること
により、磁石粒子表面に樹脂被覆が形成される。溶液中
のキレート樹脂は、磁石粒子表面のRやT等に結合する
ため、磁石粒子同士がキレート樹脂を介して結合される
ことは殆どなく、磁場配向の容易な磁石粉末が得られ
る。なお、樹脂を含まない非水系溶媒中で微粉砕して得
られた分散液を、樹脂を溶解した非水系溶媒と混合して
加熱乾燥してもよい。
【0070】この他、エポキシ樹脂等の各種熱硬化性樹
脂により非磁性被覆を形成することもできる。この場
合、乾燥時や硬化時の磁石粒子同士の結合を避けるため
に、流動層などを利用して加熱乾燥および硬化を行なう
ことが好ましい。
脂により非磁性被覆を形成することもできる。この場
合、乾燥時や硬化時の磁石粒子同士の結合を避けるため
に、流動層などを利用して加熱乾燥および硬化を行なう
ことが好ましい。
【0071】次に、微粉砕工程と被覆工程とを非酸化性
雰囲気中において連続して行なう方法について説明す
る。この場合の非酸化性雰囲気は、前述した酸素分圧の
非酸化性ガスで構成することが好ましい。この方法で
は、微粉砕工程を非酸化性雰囲気中において行なった
後、磁石粒子を酸化性雰囲気にさらすことなく非磁性被
覆を形成する。
雰囲気中において連続して行なう方法について説明す
る。この場合の非酸化性雰囲気は、前述した酸素分圧の
非酸化性ガスで構成することが好ましい。この方法で
は、微粉砕工程を非酸化性雰囲気中において行なった
後、磁石粒子を酸化性雰囲気にさらすことなく非磁性被
覆を形成する。
【0072】この場合の微粉砕手段は特に限定されず、
アトライターや、ボールミル、ジェットミルなどにより
乾式の粉砕を行なえばよい。
アトライターや、ボールミル、ジェットミルなどにより
乾式の粉砕を行なえばよい。
【0073】この場合の非磁性被覆形成方法には、気相
成長法を好ましく用いることができる。気相成長法は、
金属や無機化合物の非磁性被覆の形成に好適である。気
相成長法としては、熱CVD、プラズマCVD等のCV
D法や、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング
等のPVD法などから適宜選択すればよい。
成長法を好ましく用いることができる。気相成長法は、
金属や無機化合物の非磁性被覆の形成に好適である。気
相成長法としては、熱CVD、プラズマCVD等のCV
D法や、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング
等のPVD法などから適宜選択すればよい。
【0074】スパッタリング法を用いる場合、前述した
「第9回最新の粉末冶金技術講座」(平成3年10月2
2〜23日、東京理科大学)のテキストに記載されてい
るような粉末スパッタリング装置を用いることが好まし
い。この装置は、内部にターゲットを設けた真空槽内に
粉末を入れ、この真空槽を回転させながらスパッタリン
グを行なうものであり、磁石粒子表面に均一な厚さで非
磁性被覆を形成することができる。
「第9回最新の粉末冶金技術講座」(平成3年10月2
2〜23日、東京理科大学)のテキストに記載されてい
るような粉末スパッタリング装置を用いることが好まし
い。この装置は、内部にターゲットを設けた真空槽内に
粉末を入れ、この真空槽を回転させながらスパッタリン
グを行なうものであり、磁石粒子表面に均一な厚さで非
磁性被覆を形成することができる。
【0075】また、CVD法は、ステップカバレージが
高く、磁石粒子全表面にほぼ均一な厚さの非磁性被覆を
形成することができるので好ましい。熱CVD法を用い
る場合、例えば、加熱した皿状体の上に磁石粒子を載置
し、前記皿状体を振動させたり回転させたりしながら熱
CVDを行なえばよい。
高く、磁石粒子全表面にほぼ均一な厚さの非磁性被覆を
形成することができるので好ましい。熱CVD法を用い
る場合、例えば、加熱した皿状体の上に磁石粒子を載置
し、前記皿状体を振動させたり回転させたりしながら熱
CVDを行なえばよい。
【0076】熱CVDにより非磁性被覆を形成する場
合、原料には非磁性被覆構成元素を含む各種揮発性化合
物を用いればよい。
合、原料には非磁性被覆構成元素を含む各種揮発性化合
物を用いればよい。
【0077】上記した気相成長法の他、機械的エネルギ
ーにより非磁性被覆を形成することもできる。例えば、
非磁性被覆構成元素を含有する非磁性被覆原料粒子と磁
石粒子とを混合し、これらの粒子に機械的エネルギーを
与えて融合させる。このとき、少なくとも磁石粒子の磁
気特性が破壊されないように機械的エネルギーを与え
る。
ーにより非磁性被覆を形成することもできる。例えば、
非磁性被覆構成元素を含有する非磁性被覆原料粒子と磁
石粒子とを混合し、これらの粒子に機械的エネルギーを
与えて融合させる。このとき、少なくとも磁石粒子の磁
気特性が破壊されないように機械的エネルギーを与え
る。
【0078】このように機械的エネルギーを与える方法
としては、被覆条件の制御および作業が容易で、しかも
均質かつ均一な厚さの連続膜を形成でき、膜厚の制御が
容易な点で、メカノフュージョンが好ましい。
としては、被覆条件の制御および作業が容易で、しかも
均質かつ均一な厚さの連続膜を形成でき、膜厚の制御が
容易な点で、メカノフュージョンが好ましい。
【0079】本明細書においてメカノフュージョンと
は、複数の異なる素材粒子間に機械的エネルギー、特に
機械的歪力を加えて、メカノケミカル的な反応を起こさ
せる技術のことである。このような機械的な歪力を印加
する装置としては、例えば、特開昭63−42728号
公報等に記載されているような粉粒体処理装置があり、
具体的には、ホソカワミクロン社製のメカノフュージョ
ンシステムや奈良機械製作所製ハイブリダイゼーション
システムなどが好適である。
は、複数の異なる素材粒子間に機械的エネルギー、特に
機械的歪力を加えて、メカノケミカル的な反応を起こさ
せる技術のことである。このような機械的な歪力を印加
する装置としては、例えば、特開昭63−42728号
公報等に記載されているような粉粒体処理装置があり、
具体的には、ホソカワミクロン社製のメカノフュージョ
ンシステムや奈良機械製作所製ハイブリダイゼーション
システムなどが好適である。
【0080】メカノフュージョン被覆装置の一例を図1
に示す。図1においてメカノフュージョン被覆装置7
は、粉体を入れたケーシング8を高速回転させて粉体層
6をその内周面81に形成すると共に、摩擦片91、か
き取り片95をケーシング8と相対回転させ、ケーシン
グ8の内周面81にて、摩擦片91により粉体層6に圧
縮や摩擦をかけ、同時にかき取り片95により、かき取
りや分散、攪拌を行なうものである。
に示す。図1においてメカノフュージョン被覆装置7
は、粉体を入れたケーシング8を高速回転させて粉体層
6をその内周面81に形成すると共に、摩擦片91、か
き取り片95をケーシング8と相対回転させ、ケーシン
グ8の内周面81にて、摩擦片91により粉体層6に圧
縮や摩擦をかけ、同時にかき取り片95により、かき取
りや分散、攪拌を行なうものである。
【0081】メカノフュージョンの際の各種条件は、非
磁性被覆原料粒子の組成や目的とする非磁性被覆の構成
に応じて適宜設定すればよいが、例えば上記の装置に
て、混合時間は20〜40分程度、ケーシング8の回転
数は800〜2000rpm 程度、温度は15〜70℃程
度とし、その他の条件は通常のものとすればよい。ま
た、非磁性被覆原料粒子の平均粒子径は、0.5〜10
μm 程度とすることが好ましい。
磁性被覆原料粒子の組成や目的とする非磁性被覆の構成
に応じて適宜設定すればよいが、例えば上記の装置に
て、混合時間は20〜40分程度、ケーシング8の回転
数は800〜2000rpm 程度、温度は15〜70℃程
度とし、その他の条件は通常のものとすればよい。ま
た、非磁性被覆原料粒子の平均粒子径は、0.5〜10
μm 程度とすることが好ましい。
【0082】このようなメカノフュージョンにおいて各
種条件を適宜選択することにより、非磁性被覆形成と共
に混在部を形成することが可能である。
種条件を適宜選択することにより、非磁性被覆形成と共
に混在部を形成することが可能である。
【0083】なお、上記した各方法により非磁性被覆を
形成した場合、磁石粒子が凝集することがあるが、樹脂
ボンディッド磁石に適用する場合には必要に応じて解砕
すればよく、非磁性被覆中に複数の磁石粒子が存在して
いてもよい。
形成した場合、磁石粒子が凝集することがあるが、樹脂
ボンディッド磁石に適用する場合には必要に応じて解砕
すればよく、非磁性被覆中に複数の磁石粒子が存在して
いてもよい。
【0084】以上に挙げた方法のように磁石粒子に直接
非磁性被覆を形成する方法の他、非磁性金属のバインダ
中に磁石粒子が分散されている金属ボンディッド磁石を
粉砕する方法を用いても、非磁性被覆を有する磁石粒子
を製造することができる。この場合、バインダが非磁性
被覆となる。
非磁性被覆を形成する方法の他、非磁性金属のバインダ
中に磁石粒子が分散されている金属ボンディッド磁石を
粉砕する方法を用いても、非磁性被覆を有する磁石粒子
を製造することができる。この場合、バインダが非磁性
被覆となる。
【0085】粉砕される金属ボンディッド磁石の製造方
法に特に制限はない。例えば、磁石粒子からなる磁石粉
末とバインダ粒子からなるバインダの粉末とを混合して
成形した後、熱処理すれば、磁石粒子をバインダにより
結合することができ、金属ボンディッド磁石が得られ
る。
法に特に制限はない。例えば、磁石粒子からなる磁石粉
末とバインダ粒子からなるバインダの粉末とを混合して
成形した後、熱処理すれば、磁石粒子をバインダにより
結合することができ、金属ボンディッド磁石が得られ
る。
【0086】この方法を用いる場合、550℃以下、好
ましくは500℃以下で磁石粒子を結合可能なバインダ
を用いる。また、バインダの粉末の平均粒子径は特に限
定されないが、磁石粉末と均一に混合するためには、
0.5〜30μm 程度とすることが好ましい。混合手段
にも特に制限はなく、例えば、ライカイ機などを用いれ
ばよい。
ましくは500℃以下で磁石粒子を結合可能なバインダ
を用いる。また、バインダの粉末の平均粒子径は特に限
定されないが、磁石粉末と均一に混合するためには、
0.5〜30μm 程度とすることが好ましい。混合手段
にも特に制限はなく、例えば、ライカイ機などを用いれ
ばよい。
【0087】磁石粉末とバインダの粉末との混合物中に
おけるバインダの粉末の含有率は特に限定されないが、
バインダの粉末の含有率が低過ぎると成形性が悪くなっ
て粉砕したときに均一な非磁性被覆が得られにくくな
り、含有率が高すぎると粉砕したときに非磁性被覆が厚
くなりすぎるので、通常、2〜25体積%とすることが
好ましい。成形手段は特に限定されないが、通常、コン
プレッション成形を行なう。成形時の圧力に特に制限は
ないが、通常、0.2〜16t/cm2 程度である。
おけるバインダの粉末の含有率は特に限定されないが、
バインダの粉末の含有率が低過ぎると成形性が悪くなっ
て粉砕したときに均一な非磁性被覆が得られにくくな
り、含有率が高すぎると粉砕したときに非磁性被覆が厚
くなりすぎるので、通常、2〜25体積%とすることが
好ましい。成形手段は特に限定されないが、通常、コン
プレッション成形を行なう。成形時の圧力に特に制限は
ないが、通常、0.2〜16t/cm2 程度である。
【0088】なお、このような場合、金属ボンディッド
磁石を粉砕して用いるため、金属ボンディッド磁石に異
方性を付与する必要はないが、非磁性被覆中に複数の磁
石粒子を含む粉砕粉が得られる場合は、これら複数の磁
石粒子の磁化容易軸方向が配向していることが好まし
い。このように配向させるには、上記した成形を磁場中
で行なえばよい。
磁石を粉砕して用いるため、金属ボンディッド磁石に異
方性を付与する必要はないが、非磁性被覆中に複数の磁
石粒子を含む粉砕粉が得られる場合は、これら複数の磁
石粒子の磁化容易軸方向が配向していることが好まし
い。このように配向させるには、上記した成形を磁場中
で行なえばよい。
【0089】バインダにより磁石粒子を結合するための
熱処理温度は、550℃以下、好ましくは500℃以下
とする。熱処理温度が550℃を超えると磁石粉末が分
解してNが放出される速度が速くなり、磁気特性が低下
する。熱処理温度は550℃以下であれば特に制限はな
く、必要な粘度が得られるようにバインダの融点に応じ
て適宜選択すればよいが、150℃未満で溶融するバイ
ンダを用いた場合、実用的に十分な熱安定性が得られな
い。また、熱処理の際の温度保持時間は、10分〜5時
間程度することが好ましい。熱処理手段は特に限定され
ないが、加圧しながら加熱する手段が好ましく、例え
ば、ホットプレスやプラズマ活性化焼結(PAS)等が
好ましい。
熱処理温度は、550℃以下、好ましくは500℃以下
とする。熱処理温度が550℃を超えると磁石粉末が分
解してNが放出される速度が速くなり、磁気特性が低下
する。熱処理温度は550℃以下であれば特に制限はな
く、必要な粘度が得られるようにバインダの融点に応じ
て適宜選択すればよいが、150℃未満で溶融するバイ
ンダを用いた場合、実用的に十分な熱安定性が得られな
い。また、熱処理の際の温度保持時間は、10分〜5時
間程度することが好ましい。熱処理手段は特に限定され
ないが、加圧しながら加熱する手段が好ましく、例え
ば、ホットプレスやプラズマ活性化焼結(PAS)等が
好ましい。
【0090】なお、バインダにより磁石粒子を結合する
際にホットプレス等の加圧加熱手段を用いる場合、熱処
理温度がバインダの融点以下であっても、すなわちバイ
ンダが溶融状態になっていなくても、金属ボンディッド
磁石を形成することが可能である。
際にホットプレス等の加圧加熱手段を用いる場合、熱処
理温度がバインダの融点以下であっても、すなわちバイ
ンダが溶融状態になっていなくても、金属ボンディッド
磁石を形成することが可能である。
【0091】熱処理後、冷却する。なお、磁場中で冷却
すれば、上記した磁場中成形による異方性化を良好に保
つことができる。
すれば、上記した磁場中成形による異方性化を良好に保
つことができる。
【0092】金属ボンディッド磁石を製造する際には、
鋳造法により成形を行なってもよい。鋳造法を用いる場
合、溶湯状のバインダ中に磁石粉末が分散された流動体
を鋳造により成形する。前記流動体を作製する方法に特
に制限はない。例えば、バインダを溶融して溶湯状と
し、この中に磁石粉末を投入して攪拌混合する方法を用
いてもよく、あるいは、バインダの粉末と磁石粉末とを
混合した後、加熱してバインダを溶融する方法を用いて
もよい。
鋳造法により成形を行なってもよい。鋳造法を用いる場
合、溶湯状のバインダ中に磁石粉末が分散された流動体
を鋳造により成形する。前記流動体を作製する方法に特
に制限はない。例えば、バインダを溶融して溶湯状と
し、この中に磁石粉末を投入して攪拌混合する方法を用
いてもよく、あるいは、バインダの粉末と磁石粉末とを
混合した後、加熱してバインダを溶融する方法を用いて
もよい。
【0093】磁石粉末を溶湯状バインダ中に投入する方
法を用いる場合、磁石粉末とバインダとを攪拌混合する
手段に特に制限はなく、例えば、バインダと反応しない
材質(ステンレス等)のインペラにより攪拌する方法な
どを用いることができる。
法を用いる場合、磁石粉末とバインダとを攪拌混合する
手段に特に制限はなく、例えば、バインダと反応しない
材質(ステンレス等)のインペラにより攪拌する方法な
どを用いることができる。
【0094】流動体中のバインダの含有率は特に限定さ
れないが、バインダの含有率が低過ぎると成形性が悪く
なって粉砕したときに均一な非磁性被覆が得られにくく
なり、含有率が高すぎると粉砕したときに非磁性被覆が
厚くなりすぎるので、通常、バインダの含有率を10〜
40体積%とすることが好ましい。
れないが、バインダの含有率が低過ぎると成形性が悪く
なって粉砕したときに均一な非磁性被覆が得られにくく
なり、含有率が高すぎると粉砕したときに非磁性被覆が
厚くなりすぎるので、通常、バインダの含有率を10〜
40体積%とすることが好ましい。
【0095】また、上記流動体を作製後、必要に応じて
バインダの一部を除去してもよい。磁石粉末をバインダ
中に均一に分散するためには一定量以上のバインダが必
要とされるが、板状などの比較的単純な形状の金属ボン
ディッド磁石を製造する場合、成形時に高い流動性は必
要とされないため、バインダ量は少なくてもよい。樹脂
ボンディッド磁石製造に用いる場合には、金属ボンディ
ッド磁石の形状は単純な塊状や板状であってよいため、
十分な量のバインダを用いて分散した後、バインダの一
部を除去しても成形可能であり、これにより非磁性被覆
の厚さを薄くできる。非磁性被覆の厚さを薄くできれ
ば、樹脂ボンディッド磁石を形成する際に磁石粒子の充
填率を高くすることができ、しかも成形性は低下しな
い。バインダの一部を除去する方法としては、例えば濾
過や遠心分離などが好ましく、また、減圧下で加熱して
バインダを蒸発させる方法を用いてもよい。
バインダの一部を除去してもよい。磁石粉末をバインダ
中に均一に分散するためには一定量以上のバインダが必
要とされるが、板状などの比較的単純な形状の金属ボン
ディッド磁石を製造する場合、成形時に高い流動性は必
要とされないため、バインダ量は少なくてもよい。樹脂
ボンディッド磁石製造に用いる場合には、金属ボンディ
ッド磁石の形状は単純な塊状や板状であってよいため、
十分な量のバインダを用いて分散した後、バインダの一
部を除去しても成形可能であり、これにより非磁性被覆
の厚さを薄くできる。非磁性被覆の厚さを薄くできれ
ば、樹脂ボンディッド磁石を形成する際に磁石粒子の充
填率を高くすることができ、しかも成形性は低下しな
い。バインダの一部を除去する方法としては、例えば濾
過や遠心分離などが好ましく、また、減圧下で加熱して
バインダを蒸発させる方法を用いてもよい。
【0096】溶湯状バインダと磁石粉末からなる流動体
は、鋳型中において冷却されて凝固するが、バインダの
凝固する温度が磁石粉末のキュリー温度以下である場
合、磁場中で凝固させれば磁石粒子の磁化容易軸を配向
させることができ、異方性金属ボンディッド磁石を得る
ことができるので、上記したように非磁性被覆中に複数
の磁石粒子が含有される場合に磁気特性の向上が可能で
ある。
は、鋳型中において冷却されて凝固するが、バインダの
凝固する温度が磁石粉末のキュリー温度以下である場
合、磁場中で凝固させれば磁石粒子の磁化容易軸を配向
させることができ、異方性金属ボンディッド磁石を得る
ことができるので、上記したように非磁性被覆中に複数
の磁石粒子が含有される場合に磁気特性の向上が可能で
ある。
【0097】分散および鋳造する際の流動体の温度は、
550℃以下、好ましくは500℃以下とする。この限
定の理由は、上記したようにNの放出を抑えるためであ
る。流動体の温度は550℃以下であれば特に制限はな
く、鋳造に必要とされる粘度が得られるようにバインダ
の融点に応じて適宜選択すればよいが、150℃未満で
溶融するバインダを用いた場合、実用的に十分な熱安定
性が得られない。
550℃以下、好ましくは500℃以下とする。この限
定の理由は、上記したようにNの放出を抑えるためであ
る。流動体の温度は550℃以下であれば特に制限はな
く、鋳造に必要とされる粘度が得られるようにバインダ
の融点に応じて適宜選択すればよいが、150℃未満で
溶融するバインダを用いた場合、実用的に十分な熱安定
性が得られない。
【0098】これらの方法により製造された金属ボンデ
ィッド磁石を粉砕する方法に特に制限はなく、例えば、
ディスクミルやアトライター等により粉砕すればよい。
粉砕により、非磁性金属のバインダを非磁性被覆として
有する磁石粒子が得られる。なお、非磁性被覆中に1個
の磁石粒子が含まれるように粉砕することが好ましい
が、前述したように複数の磁石粒子が含まれていてもよ
い。
ィッド磁石を粉砕する方法に特に制限はなく、例えば、
ディスクミルやアトライター等により粉砕すればよい。
粉砕により、非磁性金属のバインダを非磁性被覆として
有する磁石粒子が得られる。なお、非磁性被覆中に1個
の磁石粒子が含まれるように粉砕することが好ましい
が、前述したように複数の磁石粒子が含まれていてもよ
い。
【0099】本発明では、非磁性被覆形成後、必要に応
じて非磁性被覆の一部を除去してもよい。非磁性被覆は
磁石粒子の酸化を防止し、また、磁石粒子の表面欠陥を
修復する作用をもてばよいので、これらに必要とされる
厚さを超える領域の非磁性被覆を除去すれば、保磁力向
上効果を維持したままでさらに磁気特性を向上させるこ
とが可能となる。特に、上記した非磁性被覆形成方法の
うち、金属ボンディッド磁石を粉砕する方法を用いる場
合、非磁性被覆が厚くなり易いので、この方法は有効で
ある。
じて非磁性被覆の一部を除去してもよい。非磁性被覆は
磁石粒子の酸化を防止し、また、磁石粒子の表面欠陥を
修復する作用をもてばよいので、これらに必要とされる
厚さを超える領域の非磁性被覆を除去すれば、保磁力向
上効果を維持したままでさらに磁気特性を向上させるこ
とが可能となる。特に、上記した非磁性被覆形成方法の
うち、金属ボンディッド磁石を粉砕する方法を用いる場
合、非磁性被覆が厚くなり易いので、この方法は有効で
ある。
【0100】非磁性被覆の一部を除去する方法は特に限
定されないが、非磁性被覆を有する磁石粒子をアルカリ
性溶液や酸性溶液により洗浄する方法が好ましい。
定されないが、非磁性被覆を有する磁石粒子をアルカリ
性溶液や酸性溶液により洗浄する方法が好ましい。
【0101】なお、微粉砕工程および被覆工程のいずれ
か一方を非酸化性雰囲気中において他方を非水系溶媒中
において行なってもよい。この場合、微粉砕工程から被
覆工程に移行する際に磁石粒子を非酸化性雰囲気中に保
持し、磁石粒子表面の酸化を防止する。また、微粉砕工
程を非水系溶媒中で行ない、被覆工程に移行するまでの
間、磁石粒子を非酸化性雰囲気中に保持し、次いで、非
水系溶媒中で被覆工程を行なってもよい。
か一方を非酸化性雰囲気中において他方を非水系溶媒中
において行なってもよい。この場合、微粉砕工程から被
覆工程に移行する際に磁石粒子を非酸化性雰囲気中に保
持し、磁石粒子表面の酸化を防止する。また、微粉砕工
程を非水系溶媒中で行ない、被覆工程に移行するまでの
間、磁石粒子を非酸化性雰囲気中に保持し、次いで、非
水系溶媒中で被覆工程を行なってもよい。
【0102】以上では粗粉砕工程→窒化工程→微粉砕工
程→被覆工程の順で行なう場合について説明したが、微
粉砕工程と被覆工程とを非水系溶媒中で連続して行なう
場合以外には、粗粉砕工程→微粉砕工程→窒化工程→被
覆工程の順で行なってもよい。この場合、粗粉砕工程に
より得た合金粒子を微粉砕工程により合金微粒子とし、
この合金微粒子を窒化工程により窒化し、磁石粒子を製
造する。そして、微粉砕工程と被覆工程とは、非酸化性
雰囲気中または非水系溶媒中で行なう。各工程をこのよ
うな順序で行なう場合、微粉砕工程から窒化工程に移行
する際に合金微粒子を非酸化性雰囲気中に保持し、か
つ、窒化工程から被覆工程に移行する際に磁石粒子を非
酸化性雰囲気中に保持する。
程→被覆工程の順で行なう場合について説明したが、微
粉砕工程と被覆工程とを非水系溶媒中で連続して行なう
場合以外には、粗粉砕工程→微粉砕工程→窒化工程→被
覆工程の順で行なってもよい。この場合、粗粉砕工程に
より得た合金粒子を微粉砕工程により合金微粒子とし、
この合金微粒子を窒化工程により窒化し、磁石粒子を製
造する。そして、微粉砕工程と被覆工程とは、非酸化性
雰囲気中または非水系溶媒中で行なう。各工程をこのよ
うな順序で行なう場合、微粉砕工程から窒化工程に移行
する際に合金微粒子を非酸化性雰囲気中に保持し、か
つ、窒化工程から被覆工程に移行する際に磁石粒子を非
酸化性雰囲気中に保持する。
【0103】樹脂ボンディッド磁石の製造方法 上記のようにして製造された非磁性被覆を有する磁石粒
子は、通常、樹脂バインダ中に分散されて樹脂ボンディ
ッド磁石とされる。
子は、通常、樹脂バインダ中に分散されて樹脂ボンディ
ッド磁石とされる。
【0104】樹脂ボンディッド磁石の製造は、通常の方
法に従って行なえばよい。すなわち、非磁性被覆を有す
る磁石粒子と樹脂バインダとを混合後、成形し、必要に
応じて熱処理を施す。
法に従って行なえばよい。すなわち、非磁性被覆を有す
る磁石粒子と樹脂バインダとを混合後、成形し、必要に
応じて熱処理を施す。
【0105】成形方法に特に制限はなく、コンプレッシ
ョン成形を用いるコンプレッションボンディッド磁石お
よびインジェクション成形を用いるインジェクションボ
ンディッド磁石のいずれであってもよい。
ョン成形を用いるコンプレッションボンディッド磁石お
よびインジェクション成形を用いるインジェクションボ
ンディッド磁石のいずれであってもよい。
【0106】用いるバインダに特に制限はなく、公知の
樹脂ボンディッド磁石に利用される各種樹脂を用いれば
よい。例えば、コンプレッションボンディッド磁石の場
合は各種硬化剤を用いたエポキシ樹脂等の各種熱硬化性
樹脂を、また、インジェクションボンディッド磁石の場
合はポリアミド樹脂等の各種熱可塑性樹脂を用いればよ
い。なお、混合時のバインダの状態には特に制限はな
い。
樹脂ボンディッド磁石に利用される各種樹脂を用いれば
よい。例えば、コンプレッションボンディッド磁石の場
合は各種硬化剤を用いたエポキシ樹脂等の各種熱硬化性
樹脂を、また、インジェクションボンディッド磁石の場
合はポリアミド樹脂等の各種熱可塑性樹脂を用いればよ
い。なお、混合時のバインダの状態には特に制限はな
い。
【0107】磁石粒子とバインダとの混合方法に特に制
限はなく、水平回転円筒型混合機、正立方体型混合機、
縦形二重円錐型混合機、V型混合機、鋤板混合機、らせ
ん混合機、リボン混合機、衝撃回転混合機等のいずれを
用いてもよい。コンプレッション成形あるいはインジェ
クション成形の条件に特に制限はなく、公知の条件から
適当に選択すればよい。
限はなく、水平回転円筒型混合機、正立方体型混合機、
縦形二重円錐型混合機、V型混合機、鋤板混合機、らせ
ん混合機、リボン混合機、衝撃回転混合機等のいずれを
用いてもよい。コンプレッション成形あるいはインジェ
クション成形の条件に特に制限はなく、公知の条件から
適当に選択すればよい。
【0108】なお、樹脂ボンディッド磁石には、上記し
た磁石粒子およびバインダに加え、必要に応じて潤滑
剤、カップリング剤、可塑剤、酸化防止剤等が含有され
ていてもよい。
た磁石粒子およびバインダに加え、必要に応じて潤滑
剤、カップリング剤、可塑剤、酸化防止剤等が含有され
ていてもよい。
【0109】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げる。
【0110】[実施例1] <合金粒子の製造>まず、高周波誘導加熱により、原子
比組成が10.9Sm−89.1Feである母合金イン
ゴットを作製した。この母合金インゴットはTh2 Zn
17型の菱面体晶構造の結晶粒を有し、平均結晶粒径は約
300μm であった。なお、結晶構造はX線回折法によ
り確認した。
比組成が10.9Sm−89.1Feである母合金イン
ゴットを作製した。この母合金インゴットはTh2 Zn
17型の菱面体晶構造の結晶粒を有し、平均結晶粒径は約
300μm であった。なお、結晶構造はX線回折法によ
り確認した。
【0111】次に、母合金インゴットに溶体化処理を施
した。溶体化処理は、Arガス雰囲気中にて1150℃
で16時間行なった。
した。溶体化処理は、Arガス雰囲気中にて1150℃
で16時間行なった。
【0112】溶体化処理後、母合金インゴットを平均粒
子径20μm まで粉砕し、合金粒子とした。
子径20μm まで粉砕し、合金粒子とした。
【0113】<窒化粒子の製造>次に、合金粒子に窒化
処理を施し、窒化粒子を製造した。窒化粒子の窒素含有
量は14原子%であった。窒化処理は、N2 ガス雰囲気
中にて450℃で10時間熱処理することにより行なっ
た。
処理を施し、窒化粒子を製造した。窒化粒子の窒素含有
量は14原子%であった。窒化処理は、N2 ガス雰囲気
中にて450℃で10時間熱処理することにより行なっ
た。
【0114】<磁石粒子の製造>次に、以下に示す各方
法により、窒化粒子を微粉砕して磁石粒子とし、さらに
磁石粒子表面に非磁性被覆を形成した。
法により、窒化粒子を微粉砕して磁石粒子とし、さらに
磁石粒子表面に非磁性被覆を形成した。
【0115】非水系溶媒中における微粉砕および非磁性
被覆形成 まず、窒化粒子をキシレンおよびジメチルホルムアミド
と混合して分散液を調製し、この分散液をボールミルに
入れ、平均粒子径4μm まで粉砕した。ボールミルの容
器中には窒素ガスを充填し、容器を密閉した。容器中の
酸素分圧は10-4Torr以下とした。次いで、分散液をボ
ールミルから取り出してめっき浴と混合し、前述した傾
斜型電気めっき装置を用いて電気めっき法により非磁性
被覆を形成した。めっき浴には、CuCl2 のジメチル
ホルムアミド溶液を用いた。上記分散液混合後のCuC
l2 の濃度は、0.15mol/l であった。めっき浴温度
は30℃、電流密度は0.5 A/dm2とした。
被覆形成 まず、窒化粒子をキシレンおよびジメチルホルムアミド
と混合して分散液を調製し、この分散液をボールミルに
入れ、平均粒子径4μm まで粉砕した。ボールミルの容
器中には窒素ガスを充填し、容器を密閉した。容器中の
酸素分圧は10-4Torr以下とした。次いで、分散液をボ
ールミルから取り出してめっき浴と混合し、前述した傾
斜型電気めっき装置を用いて電気めっき法により非磁性
被覆を形成した。めっき浴には、CuCl2 のジメチル
ホルムアミド溶液を用いた。上記分散液混合後のCuC
l2 の濃度は、0.15mol/l であった。めっき浴温度
は30℃、電流密度は0.5 A/dm2とした。
【0116】このようにして形成されたCu被覆は平均
厚さ20nmであり、磁石粒子の全表面を覆っていた。こ
の磁石粒子からなる粉末をサンプルNo. 1とした。
厚さ20nmであり、磁石粒子の全表面を覆っていた。こ
の磁石粒子からなる粉末をサンプルNo. 1とした。
【0117】また、めっき浴にCrCl3 のアセトニト
リル溶液(混合後の濃度は0.1mol/l )を用い、その
他は上記と同様にして、磁石粒子表面に平均厚さ20nm
のCr被覆を形成した。この磁石粒子からなる磁石粉末
をサンプルNo. 2とした。
リル溶液(混合後の濃度は0.1mol/l )を用い、その
他は上記と同様にして、磁石粒子表面に平均厚さ20nm
のCr被覆を形成した。この磁石粒子からなる磁石粉末
をサンプルNo. 2とした。
【0118】非酸化性雰囲気中における微粉砕および非
磁性被覆形成 上記窒化粒子を酸素分圧10-5Torr以下の窒素ガス雰囲
気中で、ジェットミルにより平均粒子径3μm まで微粉
砕して磁石粒子とした。そして、前記雰囲気を保持した
まま、内部にスパッタターゲットを設けた真空槽内に磁
石粒子を入れ、真空槽内を10-9Torr以下まで排気し
た。次いで、Arガスを導入して真空槽内を10-2Torr
とし、真空槽を回転させながらスパッタを行なった。タ
ーゲットにはInを用いた。このようにして形成された
In被覆は平均厚さ10nmであり、磁石粒子の全表面を
覆っていた。この磁石粒子からなる粉末をサンプルNo.
3とした。
磁性被覆形成 上記窒化粒子を酸素分圧10-5Torr以下の窒素ガス雰囲
気中で、ジェットミルにより平均粒子径3μm まで微粉
砕して磁石粒子とした。そして、前記雰囲気を保持した
まま、内部にスパッタターゲットを設けた真空槽内に磁
石粒子を入れ、真空槽内を10-9Torr以下まで排気し
た。次いで、Arガスを導入して真空槽内を10-2Torr
とし、真空槽を回転させながらスパッタを行なった。タ
ーゲットにはInを用いた。このようにして形成された
In被覆は平均厚さ10nmであり、磁石粒子の全表面を
覆っていた。この磁石粒子からなる粉末をサンプルNo.
3とした。
【0119】比較のために、上記窒化粒子を、酸素分圧
10-2Torrの窒素ガス雰囲気中で平均粒子径3μm まで
粉砕して、磁石粒子を製造した。この磁石粒子からなる
磁石粉末をサンプルNo. 4とした。このサンプルNo. 4
を、オージェ分光分析したところ、磁石粒子表面から1
0〜20nmの深さまでの酸素強度が磁石粒子中央付近の
酸素強度の10倍以上高かった。
10-2Torrの窒素ガス雰囲気中で平均粒子径3μm まで
粉砕して、磁石粒子を製造した。この磁石粒子からなる
磁石粉末をサンプルNo. 4とした。このサンプルNo. 4
を、オージェ分光分析したところ、磁石粒子表面から1
0〜20nmの深さまでの酸素強度が磁石粒子中央付近の
酸素強度の10倍以上高かった。
【0120】これらのサンプルの保磁力 iHc および飽
和磁化4πIs をVSMにより測定した。また、これら
のサンプルの酸素含有量をガス分析により測定した。こ
れらは、サンプル製造直後と、200℃の空気中に1時
間放置した後に測定した。結果を下記表1に示す。
和磁化4πIs をVSMにより測定した。また、これら
のサンプルの酸素含有量をガス分析により測定した。こ
れらは、サンプル製造直後と、200℃の空気中に1時
間放置した後に測定した。結果を下記表1に示す。
【0121】
【表1】
【0122】表1に示される結果から、本発明の効果が
明らかである。
明らかである。
【0123】[実施例2] <樹脂ボンディッド磁石の製造>実施例1で製造した各
磁石粉末サンプルを用いて樹脂ボンディッド磁石を作製
した。
磁石粉末サンプルを用いて樹脂ボンディッド磁石を作製
した。
【0124】まず、エポキシ樹脂の粉末を有機溶剤に溶
解し、さらに磁石粒子を前記有機溶剤中に投入して攪拌
し、スラリーとした。このスラリーを、スプレードライ
ヤーにより乾燥させ、磁石粒子をエポキシ樹脂で被覆し
た。具体的には、8kgf/cm2の圧力で噴射されている窒
素ガス中に前記スラリーを吐出し、前記スラリー1kgに
対し50m3/10minの流量の窒素ガスで乾燥させた。
解し、さらに磁石粒子を前記有機溶剤中に投入して攪拌
し、スラリーとした。このスラリーを、スプレードライ
ヤーにより乾燥させ、磁石粒子をエポキシ樹脂で被覆し
た。具体的には、8kgf/cm2の圧力で噴射されている窒
素ガス中に前記スラリーを吐出し、前記スラリー1kgに
対し50m3/10minの流量の窒素ガスで乾燥させた。
【0125】次いで、磁石粒子をコンプレッション成形
し、さらに熱硬化を行なって、樹脂ボンディッド磁石を
得た。
し、さらに熱硬化を行なって、樹脂ボンディッド磁石を
得た。
【0126】これらの樹脂ボンディッド磁石について保
磁力の測定を行なったところ、用いた磁石粒子に応じた
保磁力を示した。
磁力の測定を行なったところ、用いた磁石粒子に応じた
保磁力を示した。
【0127】
【発明の効果】本発明では、磁石粒子表面における酸化
層の生成を防ぎ、かつ磁石粒子表面に非磁性被覆を形成
するため、保磁力が高く、しかもその経時劣化の小さい
磁石粒子が実現する。
層の生成を防ぎ、かつ磁石粒子表面に非磁性被覆を形成
するため、保磁力が高く、しかもその経時劣化の小さい
磁石粒子が実現する。
【図1】磁石粒子表面に非磁性被覆を形成する際に用い
るメカノフュージョンによる被覆装置の1例を示す断面
図である。
るメカノフュージョンによる被覆装置の1例を示す断面
図である。
6 粉体層 7 メカノフュージョン被覆装置 8 ケーシング 91 摩擦片 95 かき取り片
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01F 41/02 G 8019−5E // C23C 8/26 7516−4K
Claims (7)
- 【請求項1】 R(ただし、Rは希土類元素から選択さ
れる1種以上の元素であり、Smを必須元素として含
む。)を5〜15原子%、Nを0.5〜25原子%含有
し、残部がT(ただし、TはFe、またはFeおよびC
oである。)である磁石を製造する方法であって、 RおよびTを含有する母合金を粗粉砕して合金粒子を得
る粗粉砕工程と、合金粒子に窒化処理を施して窒化粒子
を得る窒化工程と、前記窒化粒子を微粉砕して磁石粒子
を得る微粉砕工程と、前記磁石粒子表面に非磁性被覆を
形成する被覆工程とを有し、 前記微粉砕工程と前記被覆工程とが、非水系溶媒中にお
いて連続して行なわれることを特徴とする磁石の製造方
法。 - 【請求項2】 R(ただし、Rは希土類元素から選択さ
れる1種以上の元素であり、Smを必須元素として含
む。)を5〜15原子%、Nを0.5〜25原子%含有
し、残部がT(ただし、TはFe、またはFeおよびC
oである。)である磁石を製造する方法であって、 RおよびTを含有する母合金を粗粉砕して合金粒子を得
る粗粉砕工程と、合金粒子に窒化処理を施して窒化粒子
を得る窒化工程と、前記窒化粒子を微粉砕して磁石粒子
を得る微粉砕工程と、前記磁石粒子表面に非磁性被覆を
形成する被覆工程とを有し、 前記微粉砕工程および前記被覆工程が、非酸化性雰囲気
中または非水系溶媒中において行なわれ、前記微粉砕工
程から前記被覆工程に移行する際に前記磁石粒子が非酸
化性雰囲気中に保持されることを特徴とする磁石の製造
方法。 - 【請求項3】 R(ただし、Rは希土類元素から選択さ
れる1種以上の元素であり、Smを必須元素として含
む。)を5〜15原子%、Nを0.5〜25原子%含有
し、残部がT(ただし、TはFe、またはFeおよびC
oである。)である磁石を製造する方法であって、 RおよびTを含有する母合金を粗粉砕して合金粒子を得
る粗粉砕工程と、合金粒子を微粉砕して合金微粒子を得
る微粉砕工程と、前記合金微粒子に窒化処理を施して磁
石粒子を得る窒化工程と、前記磁石粒子表面に非磁性被
覆を形成する被覆工程とを有し、 前記微粉砕工程および前記被覆工程が、非酸化性雰囲気
中または非水系溶媒中において行なわれ、前記微粉砕工
程から前記窒化工程に移行する際に前記合金微粒子が非
酸化性雰囲気中に保持され、かつ、前記窒化工程から前
記被覆工程に移行する際に前記磁石粒子が非酸化性雰囲
気中に保持されることを特徴とする磁石の製造方法。 - 【請求項4】 前記非磁性被覆が金属、無機化合物また
は有機化合物から構成される請求項1ないし3のいずれ
かに記載の磁石の製造方法。 - 【請求項5】 非磁性被覆を形成した前記磁石粒子を樹
脂バインダ中に分散して樹脂ボンディッド磁石を作製す
る工程を有する請求項1ないし4のいずれかに記載の磁
石の製造方法。 - 【請求項6】 R(ただし、Rは希土類元素から選択さ
れる1種以上の元素であり、Smを必須元素として含
む。)を5〜15原子%、Nを0.5〜25原子%含有
し、残部がT(ただし、TはFe、またはFeおよびC
oである。)であって、金属から構成される非磁性被覆
が表面に形成されており、酸素含有量が6000ppm 以
下である磁石粒子を含むことを特徴とする磁石粉末。 - 【請求項7】 R(ただし、Rは希土類元素から選択さ
れる1種以上の元素であり、Smを必須元素として含
む。)を5〜15原子%、Nを0.5〜25原子%含有
し、残部がT(ただし、TはFe、またはFeおよびC
oである。)であって、無機化合物または有機化合物か
ら構成される非磁性被覆が表面に形成されている磁石粒
子を含むことを特徴とする磁石粉末。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4026017A JPH05190311A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 磁石の製造方法および磁石粉末 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4026017A JPH05190311A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 磁石の製造方法および磁石粉末 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190311A true JPH05190311A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=12181930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4026017A Withdrawn JPH05190311A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 磁石の製造方法および磁石粉末 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190311A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06220507A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-09 | Mazda Motor Corp | 希土類−鉄−窒化物系永久磁石材料の製造方法 |
| JPH09190909A (ja) * | 1995-11-10 | 1997-07-22 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | R−t−n系永久磁石粉末および異方性ボンド磁石の製造方法 |
| JPH09237729A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | Ndボンド磁石の製造方法 |
| JP2001006959A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-12 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 希土類・鉄・窒素系永久磁石の製造方法 |
| JP2001230110A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Seiko Instruments Inc | 希土類磁石の製造方法 |
| EP1197975A1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-04-17 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Method of producing corrosion resistant magnet powder, and product produced by the same method |
| JP2002289443A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Nec Tokin Corp | インダクタ部品 |
| JP2002313647A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-25 | Nec Tokin Corp | インダクタ部品 |
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| JP2003007552A (ja) * | 2000-11-29 | 2003-01-10 | Nec Tokin Corp | 磁気バイアス用磁石を有する磁気コア及びそれを用いたインダクタンス部品 |
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| WO2018221512A1 (ja) * | 2017-05-30 | 2018-12-06 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | サマリウム-鉄-窒素磁石粉末及びその製造方法 |
| CN110168674A (zh) * | 2017-03-10 | 2019-08-23 | 国立研究开发法人产业技术综合研究所 | 含有Sm-Fe-N系晶粒的磁体粉末和由该磁体粉末制造的烧结磁体以及它们的制造方法 |
-
1992
- 1992-01-17 JP JP4026017A patent/JPH05190311A/ja not_active Withdrawn
Cited By (26)
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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