JPH05190467A - エピタキシャルウェハの製作方法 - Google Patents
エピタキシャルウェハの製作方法Info
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- JPH05190467A JPH05190467A JP2051892A JP2051892A JPH05190467A JP H05190467 A JPH05190467 A JP H05190467A JP 2051892 A JP2051892 A JP 2051892A JP 2051892 A JP2051892 A JP 2051892A JP H05190467 A JPH05190467 A JP H05190467A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source gas
- epitaxial wafer
- tmas
- tmga
- carbon
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- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 略７６０ｔｏｒｒで、高濃度の炭素Ｃを添加
した３−５族化合物半導体層を有機金属気相成長法によ
りエピタキシャル成長させるエピタキシャルウェハの製
作方法を提供する。 【構成】 ３−５族化合物半導体基板上に、炭素Ｃを不
純物として高濃度（１０19ｃｍ-3以上）に添加したＧａ
Ａｓ（あるいはＡｌＧａＡｓ）層を、有機金属気相成長
法によりエピタキシャル成長させるエピタキシャルウェ
ハの製作方法において、成長圧力を略７６０ｔｏｒｒと
するために、ＴＭＧａとＴＭＡｓ（あるいはＴＭＧａ、
ＴＭＡｌおよびＴＭＡｓ）を原料ガスとし、原料ガスの
供給比と基板温度を適切に設定する。
した３−５族化合物半導体層を有機金属気相成長法によ
りエピタキシャル成長させるエピタキシャルウェハの製
作方法を提供する。 【構成】 ３−５族化合物半導体基板上に、炭素Ｃを不
純物として高濃度（１０19ｃｍ-3以上）に添加したＧａ
Ａｓ（あるいはＡｌＧａＡｓ）層を、有機金属気相成長
法によりエピタキシャル成長させるエピタキシャルウェ
ハの製作方法において、成長圧力を略７６０ｔｏｒｒと
するために、ＴＭＧａとＴＭＡｓ（あるいはＴＭＧａ、
ＴＭＡｌおよびＴＭＡｓ）を原料ガスとし、原料ガスの
供給比と基板温度を適切に設定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ヘテロバイポーラトラ
ンジスタなどの高速デバイスに用いるエピタキシャルウ
ェハの製作方法に関する。
ンジスタなどの高速デバイスに用いるエピタキシャルウ
ェハの製作方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、ヘテロバイポーラトランジスタ（Ｈ
ＢＴ：Heterojunction Bipolar Transistor)の製作に用
いるエピタキシャルウェーハは、例えば図３に示すよう
な構造をしている。図中、１はＧａＡｓ基板、２は厚さ
０．３μｍのノンドープＧａＡｓからなるバッファ層、
３は厚さ０．５μｍのＳｉドープＧａＡｓ（電子濃度ｎ
＞３×１０18ｃｍ-3）からなる電極形成層、４は厚さ
０．４μｍのＳｉドープＧａＡｓ（ｎ＝３×１０16ｃｍ
-3）からなるコレクタ層、５は厚さ０．１μｍのＣドー
プＧａＡｓ（ホール濃度ｐ＝４×１０19ｃｍ-3）からな
るベース層、６は厚さ０．２μｍのＳｉドープＡｌＧａ
Ａｓ（ｎ＝３×１０17〜３×１０18ｃｍ-3）からなるエ
ミッタ層、７は厚さ０．１μｍのＳｉドープＧａＡｓ
（ｎ＞３×１０18ｃｍ-3）からなる電極形成層である。
このようなエピタキシャルウェーハは、ＭＯＶＰＥ（Me
tal Organic Vapor Phase Epitaxy)法あるいはＭＯＭＢ
Ｅ（Metal Oraganic Molecular Beam Epitaxy)法で製作
される。従来、ベース層のｐ型不純物としては、Ｚｎ、
Ｂｅなどが用いられていたが、このようなベース層を有
するＨＢＴはトランジスタ特性に経時変化を生ずるとい
う問題があった。そこで、上述のように、ｐ型不純物と
してカーボンを１０19ｃｍ-3程度ベース層にドーピング
すると、ＨＢＴのトランジスタ特性の経時変化を防ぐこ
とができるという事実が注目されている。ところで、Ｍ
ＯＭＢＥ法よりも工業的に優れているＭＯＶＰＥ法でｐ
型不純物としてカーボンを含むＧａＡｓあるいはＡｌＧ
ａＡｓからなるベース層をエピタキシャル成長させる場
合、その成長過程は次の通りである。即ち、Ｇａ、Ａｌ
の原料ガスとしてトリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ3 ）
3 、以下ＴＭＧａと称す）、トリメチルアルミニウム
（Ａｌ（ＣＨ3 ）3 、以下ＴＭＡｌと称す）を、Ａｓの
原料ガスとしてアルシン（ＡｓＨ3 ）を用いる。基板に
は、ＴＭＧａ、ＴＭＡｌが分離してＧａ−ＣＨ3 または
Ａｌ−ＣＨ3 の形で付着する。このメチル基（−Ｃ
Ｈ3 ）がアルシンの分解過程で生成される水素ラジカル
と衝突すると、メタンＣＨ4 となり安定するが、衝突し
なければ、ＧａＡｓあるいはＡｌＧａＡｓ中にカーボン
として取り込まれる。従って、高濃度のカーボンを添加
したＧａＡｓあるいはＡｌＧａＡｓ層を形成するために
は、メチル基と水素ラジカルが衝突しない条件で成長さ
せることが必要である。この条件としては、次の４条件
があげられる。即ち、 １）ＡｓＨ3 の分解を抑制するため、反応炉内を減圧状
態にする。 ２）ＡｓＨ3 の分解を抑制するため、成長温度を下げ
る。 ３）５族の原料ガス供給量を３族の原料ガス供給量に対
して相対的に小さくする。 ４）ＡｓＨ3 をＴＭＡｓなどの水素ラジカルを生成しな
いものに代える。 従来、第１の条件を主に考慮して、カーボンを１０19ｃ
ｍ-3台まで添加したＧａＡｓあるいはＡｌＧａＡｓ層の
成長を行っていた。
ＢＴ：Heterojunction Bipolar Transistor)の製作に用
いるエピタキシャルウェーハは、例えば図３に示すよう
な構造をしている。図中、１はＧａＡｓ基板、２は厚さ
０．３μｍのノンドープＧａＡｓからなるバッファ層、
３は厚さ０．５μｍのＳｉドープＧａＡｓ（電子濃度ｎ
＞３×１０18ｃｍ-3）からなる電極形成層、４は厚さ
０．４μｍのＳｉドープＧａＡｓ（ｎ＝３×１０16ｃｍ
-3）からなるコレクタ層、５は厚さ０．１μｍのＣドー
プＧａＡｓ（ホール濃度ｐ＝４×１０19ｃｍ-3）からな
るベース層、６は厚さ０．２μｍのＳｉドープＡｌＧａ
Ａｓ（ｎ＝３×１０17〜３×１０18ｃｍ-3）からなるエ
ミッタ層、７は厚さ０．１μｍのＳｉドープＧａＡｓ
（ｎ＞３×１０18ｃｍ-3）からなる電極形成層である。
このようなエピタキシャルウェーハは、ＭＯＶＰＥ（Me
tal Organic Vapor Phase Epitaxy)法あるいはＭＯＭＢ
Ｅ（Metal Oraganic Molecular Beam Epitaxy)法で製作
される。従来、ベース層のｐ型不純物としては、Ｚｎ、
Ｂｅなどが用いられていたが、このようなベース層を有
するＨＢＴはトランジスタ特性に経時変化を生ずるとい
う問題があった。そこで、上述のように、ｐ型不純物と
してカーボンを１０19ｃｍ-3程度ベース層にドーピング
すると、ＨＢＴのトランジスタ特性の経時変化を防ぐこ
とができるという事実が注目されている。ところで、Ｍ
ＯＭＢＥ法よりも工業的に優れているＭＯＶＰＥ法でｐ
型不純物としてカーボンを含むＧａＡｓあるいはＡｌＧ
ａＡｓからなるベース層をエピタキシャル成長させる場
合、その成長過程は次の通りである。即ち、Ｇａ、Ａｌ
の原料ガスとしてトリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ3 ）
3 、以下ＴＭＧａと称す）、トリメチルアルミニウム
（Ａｌ（ＣＨ3 ）3 、以下ＴＭＡｌと称す）を、Ａｓの
原料ガスとしてアルシン（ＡｓＨ3 ）を用いる。基板に
は、ＴＭＧａ、ＴＭＡｌが分離してＧａ−ＣＨ3 または
Ａｌ−ＣＨ3 の形で付着する。このメチル基（−Ｃ
Ｈ3 ）がアルシンの分解過程で生成される水素ラジカル
と衝突すると、メタンＣＨ4 となり安定するが、衝突し
なければ、ＧａＡｓあるいはＡｌＧａＡｓ中にカーボン
として取り込まれる。従って、高濃度のカーボンを添加
したＧａＡｓあるいはＡｌＧａＡｓ層を形成するために
は、メチル基と水素ラジカルが衝突しない条件で成長さ
せることが必要である。この条件としては、次の４条件
があげられる。即ち、 １）ＡｓＨ3 の分解を抑制するため、反応炉内を減圧状
態にする。 ２）ＡｓＨ3 の分解を抑制するため、成長温度を下げ
る。 ３）５族の原料ガス供給量を３族の原料ガス供給量に対
して相対的に小さくする。 ４）ＡｓＨ3 をＴＭＡｓなどの水素ラジカルを生成しな
いものに代える。 従来、第１の条件を主に考慮して、カーボンを１０19ｃ
ｍ-3台まで添加したＧａＡｓあるいはＡｌＧａＡｓ層の
成長を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように、反応炉内を減圧状態にしながら成長を行う方法
では次のような問題があった。即ち、 １）ＭＯＶＰＥ装置に圧力コントロール機構を設ける必
要があり、装置が高価になる。 ２）排気ポンプのメンテナンスが必要になり、装置の稼
働率が低下する。
ように、反応炉内を減圧状態にしながら成長を行う方法
では次のような問題があった。即ち、 １）ＭＯＶＰＥ装置に圧力コントロール機構を設ける必
要があり、装置が高価になる。 ２）排気ポンプのメンテナンスが必要になり、装置の稼
働率が低下する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決したエピタキシャルウェハの製作方法を提供するもの
で、３−５族化合物半導体基板上に、炭素Ｃを不純物と
して１０19ｃｍ-3以上に添加したＧａＡｓを、有機金属
気相成長法によりエピタキシャル成長させるエピタキシ
ャルウェハの製作方法において、トリメチルガリウム
（Ｇａ（ＣＨ3 ）3 、以下ＴＭＧａと称す）とトリメチ
ルヒ素（Ａｓ（ＣＨ3 ）3 、以下ＴＭＡｓと称す）を原
料ガスとし、原料ガスの供給比ＴＭＡｓ／ＴＭＧａを３
以下とし、基板温度を４５０℃以上、５５０℃以下と
し、成長圧力を大気圧力と同等に設定することを第１発
明とし、３−５族化合物半導体基板上に、炭素Ｃを不純
物として１０19ｃｍ-3以上に添加したＡｌＧａＡｓを、
有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させるエ
ピタキシャルウェハの製作方法において、ＴＭＧａ、ト
リメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3 ）3 、以下ＴＭＡ
ｌと称す）およびＴＭＡｓを原料ガスとし、原料ガスの
供給比ＴＭＡｓ／（ＴＭＧａ＋ＴＭＡｌ）を３以下と
し、基板温度を４５０℃以上、５５０℃以下とし、成長
圧力を大気圧力と同等に設定することを第２発明とする
ものである。ここで、原料供給比はモル比を意味し、成
長圧力は原料ガス全体の反応炉内の圧力を意味してい
る。
決したエピタキシャルウェハの製作方法を提供するもの
で、３−５族化合物半導体基板上に、炭素Ｃを不純物と
して１０19ｃｍ-3以上に添加したＧａＡｓを、有機金属
気相成長法によりエピタキシャル成長させるエピタキシ
ャルウェハの製作方法において、トリメチルガリウム
（Ｇａ（ＣＨ3 ）3 、以下ＴＭＧａと称す）とトリメチ
ルヒ素（Ａｓ（ＣＨ3 ）3 、以下ＴＭＡｓと称す）を原
料ガスとし、原料ガスの供給比ＴＭＡｓ／ＴＭＧａを３
以下とし、基板温度を４５０℃以上、５５０℃以下と
し、成長圧力を大気圧力と同等に設定することを第１発
明とし、３−５族化合物半導体基板上に、炭素Ｃを不純
物として１０19ｃｍ-3以上に添加したＡｌＧａＡｓを、
有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させるエ
ピタキシャルウェハの製作方法において、ＴＭＧａ、ト
リメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3 ）3 、以下ＴＭＡ
ｌと称す）およびＴＭＡｓを原料ガスとし、原料ガスの
供給比ＴＭＡｓ／（ＴＭＧａ＋ＴＭＡｌ）を３以下と
し、基板温度を４５０℃以上、５５０℃以下とし、成長
圧力を大気圧力と同等に設定することを第２発明とする
ものである。ここで、原料供給比はモル比を意味し、成
長圧力は原料ガス全体の反応炉内の圧力を意味してい
る。
【０００５】
【作用】本発明は、成長圧力を略７６０ｔｏｒｒ（大気
圧力と同等の圧力）として、高濃度（１０19ｃｍ-3以
上）の炭素Ｃを不純物としてＧａＡｓおよびＡｌＧａＡ
ｓに添加する条件を求めたもので、実験から得られた新
しい知見に基づくものである。上述の原料ガスを用い、
原料ガスの供給比、基板温度および成長圧力を変えて実
験を行ったところ、以下のような結果を得た。即ち、 １）原料ガスの供給比（ＴＭＡｓ／ＴＭＧａおよびＴＭ
Ａｓ／（ＴＭＧａ＋ＴＭＡｌ））を３以下にし、基板温
度を４５０℃以上、５５０℃以下とすると、高濃度（１
０19ｃｍ-3以上）の炭素Ｃを不純物として添加すること
ができた。 ２）上記原料ガスの供給比が３を越えると、ホール濃度
が急激に低下する。 ３）基板温度が５５０℃を越えると、ホール濃度が１０
19ｃｍ-3より小さくなり、使用不可能になる。また、基
板温度が４５０℃よりも低くなると、成長速度が小さく
なり、実用性がなくなる。従って、本発明によれば、成
長圧力を略７６０ｔｏｒｒに設定できるので、ＭＯＶＰ
Ｅ装置に圧力コントロール機構を設ける必要がなくな
り、排気ポンプのメンテナンスも不要になる。
圧力と同等の圧力）として、高濃度（１０19ｃｍ-3以
上）の炭素Ｃを不純物としてＧａＡｓおよびＡｌＧａＡ
ｓに添加する条件を求めたもので、実験から得られた新
しい知見に基づくものである。上述の原料ガスを用い、
原料ガスの供給比、基板温度および成長圧力を変えて実
験を行ったところ、以下のような結果を得た。即ち、 １）原料ガスの供給比（ＴＭＡｓ／ＴＭＧａおよびＴＭ
Ａｓ／（ＴＭＧａ＋ＴＭＡｌ））を３以下にし、基板温
度を４５０℃以上、５５０℃以下とすると、高濃度（１
０19ｃｍ-3以上）の炭素Ｃを不純物として添加すること
ができた。 ２）上記原料ガスの供給比が３を越えると、ホール濃度
が急激に低下する。 ３）基板温度が５５０℃を越えると、ホール濃度が１０
19ｃｍ-3より小さくなり、使用不可能になる。また、基
板温度が４５０℃よりも低くなると、成長速度が小さく
なり、実用性がなくなる。従って、本発明によれば、成
長圧力を略７６０ｔｏｒｒに設定できるので、ＭＯＶＰ
Ｅ装置に圧力コントロール機構を設ける必要がなくな
り、排気ポンプのメンテナンスも不要になる。
【０００６】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明
する。 実施例１．ＴＭＧａ−ＴＭＡｓ系およびＴＭＧａ−Ａｓ
Ｈ3 系の２種類の原料ガス系で、成長圧力を略７６０ｔ
ｏｒｒとし、基板温度、原料ガス供給比を変えて、Ｇａ
Ａｓ基板上にＧａＡｓ層を成長させ、その炭素Ｃ添加
量、即ちキャリア濃度を Vander Pauw 法で測定した。
その結果を図１に示す。図１から以下のことが判る。即
ち、 １）ＴＭＧａ−ＡｓＨ3 系の原料ガスでは、キャリア濃
度は１０18ｃｍ-3台と小さいのに対して、ＴＭＧａ−Ｔ
ＭＡｓ系の原料ガスでは、キャリア濃度は４×１０19ｃ
ｍ-3となり、実用上必要なレベルに達している。 ２）原料ガスの供給比（ＴＭＡｓ／ＴＭＧａ）を３以下
にすると、キャリア濃度は原料ガスの供給比に殆ど依存
せず、基板温度の上昇に伴い減少する。このことより、
原料ガスの供給比をこの範囲で一定にすれば、基板温度
によりキャリア濃度を制御できることが判る。なお、こ
の原料ガス供給比が３を越えると、キャリア濃度は急激
に低下した。 ３）基板温度が５５０℃を越えると、キャリア濃度は１
０19ｃｍ-3以下になり、実用上使用不可能である。ま
た、図２に示すように、基板温度が５５０℃以下の温度
領域は、成長速度が基板温度の低下とともに遅くなる反
応律速の温度領域であり、５５０℃を越える温度領域
は、原料ガスの供給で反応速度がきまる供給律速の温度
領域である。この図２から判るように、基板温度が４５
０℃よりも低くなると、成長速度が５５０℃のときの１
／１０程度になり、実用にならない。上述の条件でキャ
リア濃度を変え、図３に示したＨＢＴ用エピタキシャル
ウェハを製作し、これらのエピタキシャルウェハを用い
てＨＢＴを製作した。ベース層のキャリア濃度を２×１
０19ｃｍ-3、４×１０19ｃｍ-3としたときの電流利得β
は、それぞれ１２０、５０という良好な値であり、結晶
性も良好であった。 実施例２．ＴＭＧａ−ＴＭＡｌ−ＴＭＡｓ系の原料ガス
系で、基板温度、原料ガス供給比、成長圧力を変えてＡ
ｌX Ｇａ1-X Ａｓ層を成長させ、その炭素Ｃ添加量、即
ちキャリア濃度を実施例１と同様に測定した。その結果
を表１に示す。表１から判るように、この原料ガス系に
おいても、原料ガスの供給比ＴＭＡｓ／（ＴＭＧａ＋Ｔ
ＭＡｌ）を３以下とし、基板温度を４５０℃以上、５５
０℃以下とし、成長圧力を略７６０ｔｏｒｒにすること
により、４×１０19ｃｍ-3以上の炭素Ｃ添加量を有する
ＡｌＧａＡｓ層を成長させることができた。
する。 実施例１．ＴＭＧａ−ＴＭＡｓ系およびＴＭＧａ−Ａｓ
Ｈ3 系の２種類の原料ガス系で、成長圧力を略７６０ｔ
ｏｒｒとし、基板温度、原料ガス供給比を変えて、Ｇａ
Ａｓ基板上にＧａＡｓ層を成長させ、その炭素Ｃ添加
量、即ちキャリア濃度を Vander Pauw 法で測定した。
その結果を図１に示す。図１から以下のことが判る。即
ち、 １）ＴＭＧａ−ＡｓＨ3 系の原料ガスでは、キャリア濃
度は１０18ｃｍ-3台と小さいのに対して、ＴＭＧａ−Ｔ
ＭＡｓ系の原料ガスでは、キャリア濃度は４×１０19ｃ
ｍ-3となり、実用上必要なレベルに達している。 ２）原料ガスの供給比（ＴＭＡｓ／ＴＭＧａ）を３以下
にすると、キャリア濃度は原料ガスの供給比に殆ど依存
せず、基板温度の上昇に伴い減少する。このことより、
原料ガスの供給比をこの範囲で一定にすれば、基板温度
によりキャリア濃度を制御できることが判る。なお、こ
の原料ガス供給比が３を越えると、キャリア濃度は急激
に低下した。 ３）基板温度が５５０℃を越えると、キャリア濃度は１
０19ｃｍ-3以下になり、実用上使用不可能である。ま
た、図２に示すように、基板温度が５５０℃以下の温度
領域は、成長速度が基板温度の低下とともに遅くなる反
応律速の温度領域であり、５５０℃を越える温度領域
は、原料ガスの供給で反応速度がきまる供給律速の温度
領域である。この図２から判るように、基板温度が４５
０℃よりも低くなると、成長速度が５５０℃のときの１
／１０程度になり、実用にならない。上述の条件でキャ
リア濃度を変え、図３に示したＨＢＴ用エピタキシャル
ウェハを製作し、これらのエピタキシャルウェハを用い
てＨＢＴを製作した。ベース層のキャリア濃度を２×１
０19ｃｍ-3、４×１０19ｃｍ-3としたときの電流利得β
は、それぞれ１２０、５０という良好な値であり、結晶
性も良好であった。 実施例２．ＴＭＧａ−ＴＭＡｌ−ＴＭＡｓ系の原料ガス
系で、基板温度、原料ガス供給比、成長圧力を変えてＡ
ｌX Ｇａ1-X Ａｓ層を成長させ、その炭素Ｃ添加量、即
ちキャリア濃度を実施例１と同様に測定した。その結果
を表１に示す。表１から判るように、この原料ガス系に
おいても、原料ガスの供給比ＴＭＡｓ／（ＴＭＧａ＋Ｔ
ＭＡｌ）を３以下とし、基板温度を４５０℃以上、５５
０℃以下とし、成長圧力を略７６０ｔｏｒｒにすること
により、４×１０19ｃｍ-3以上の炭素Ｃ添加量を有する
ＡｌＧａＡｓ層を成長させることができた。
【０００７】
【表１】
【０００８】なお、上記実施例より、反応律速の温度範
囲（５５０℃以下）で成長させると、キャリア濃度が高
くなることがわかる。従って、他の３−５族化合物半導
体においても、反応律速の温度範囲で成長させると、キ
ャリア濃度を高くすることができると考えられる。
囲（５５０℃以下）で成長させると、キャリア濃度が高
くなることがわかる。従って、他の３−５族化合物半導
体においても、反応律速の温度範囲で成長させると、キ
ャリア濃度を高くすることができると考えられる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、３
−５族化合物半導体基板上に、炭素Ｃを不純物として高
濃度（１０19ｃｍ-3以上）に添加したＧａＡｓ（あるい
はＡｌＧａＡｓ）を、有機金属気相成長法によりエピタ
キシャル成長させるエピタキシャルウェハの製作方法に
おいて、ＴＭＧａとＴＭＡｓ（あるいはＴＭＧａ、ＴＭ
ＡｌおよびＴＭＡｓ）を原料ガスとし、原料ガスの供給
比と基板温度を適切に設定することにより、成長圧力を
略７６０ｔｏｒｒとすることができるため、ＭＯＶＰＥ
装置に圧力コントロール機構を設ける必要がなくなり、
また、排気ポンプのメンテナンスも不要になり、装置の
費用が低減されるとともに、装置稼働率が向上するとい
う優れた効果がある。
−５族化合物半導体基板上に、炭素Ｃを不純物として高
濃度（１０19ｃｍ-3以上）に添加したＧａＡｓ（あるい
はＡｌＧａＡｓ）を、有機金属気相成長法によりエピタ
キシャル成長させるエピタキシャルウェハの製作方法に
おいて、ＴＭＧａとＴＭＡｓ（あるいはＴＭＧａ、ＴＭ
ＡｌおよびＴＭＡｓ）を原料ガスとし、原料ガスの供給
比と基板温度を適切に設定することにより、成長圧力を
略７６０ｔｏｒｒとすることができるため、ＭＯＶＰＥ
装置に圧力コントロール機構を設ける必要がなくなり、
また、排気ポンプのメンテナンスも不要になり、装置の
費用が低減されるとともに、装置稼働率が向上するとい
う優れた効果がある。
【図１】本発明に係るエピタキシャルウェハの製作方法
により製作されたＧａＡｓ層の基板温度とキャリア濃度
の関係を示す図である。
により製作されたＧａＡｓ層の基板温度とキャリア濃度
の関係を示す図である。
【図２】本発明に係るエピタキシャルウェハの製作方法
により製作されたＧａＡｓ層の基板温度と成長速度の関
係を示す図である。
により製作されたＧａＡｓ層の基板温度と成長速度の関
係を示す図である。
【図３】ＨＢＴ用エピタキシャルウェハの断面図であ
る。
る。
１ 基板 ２ バッファ層 ３ 電極形成層 ４ コレクタ層 ５ ベース層 ６ エミッタ層 ７ 電極形成層
Claims (2)
- 【請求項１】 ３−５族化合物半導体基板上に、炭素Ｃ
を不純物として１０19ｃｍ-3以上に添加したＧａＡｓ
を、有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させ
るエピタキシャルウェハの製作方法において、トリメチ
ルガリウム（Ｇａ（ＣＨ3 ）3 、以下ＴＭＧａと称す）
とトリメチルヒ素（Ａｓ（ＣＨ3 ）3 、以下ＴＭＡｓと
称す）を原料ガスとし、原料ガスの供給比ＴＭＡｓ／Ｔ
ＭＧａを３以下とし、基板温度を４５０℃以上、５５０
℃以下とし、成長圧力を大気圧力と同等に設定すること
を特徴とするエピタキシャルウェハの製作方法。 - 【請求項２】 ３−５族化合物半導体基板上に、炭素Ｃ
を不純物として１０19ｃｍ-3以上に添加したＡｌＧａＡ
ｓを、有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長さ
せるエピタキシャルウェハの製作方法において、ＴＭＧ
ａ、トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3 ）3 、以下
ＴＭＡｌと称す）およびＴＭＡｓを原料ガスとし、原料
ガスの供給比ＴＭＡｓ／（ＴＭＧａ＋ＴＭＡｌ）を３以
下とし、基板温度を４５０℃以上、５５０℃以下とし、
成長圧力を大気圧力と同等に設定することを特徴とする
エピタキシャルウェハの製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2051892A JPH05190467A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | エピタキシャルウェハの製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2051892A JPH05190467A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | エピタキシャルウェハの製作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190467A true JPH05190467A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=12029384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2051892A Pending JPH05190467A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | エピタキシャルウェハの製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190467A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6096617A (en) * | 1995-11-14 | 2000-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a carbon-doped compound semiconductor layer |
-
1992
- 1992-01-09 JP JP2051892A patent/JPH05190467A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6096617A (en) * | 1995-11-14 | 2000-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a carbon-doped compound semiconductor layer |
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