JPH05190475A - シリコン酸化膜成長装置 - Google Patents
シリコン酸化膜成長装置Info
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- JPH05190475A JPH05190475A JP4019549A JP1954992A JPH05190475A JP H05190475 A JPH05190475 A JP H05190475A JP 4019549 A JP4019549 A JP 4019549A JP 1954992 A JP1954992 A JP 1954992A JP H05190475 A JPH05190475 A JP H05190475A
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- JP
- Japan
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- silicon oxide
- oxide film
- wafer
- processing
- semiconductor wafer
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0404—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Weting (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 液相成長法による選択酸化膜成長装置におい
て、レジストや配線との選択性を向上し、パ−ティクル
の発生を抑制するシリコン酸化膜成長装置を提供するこ
と。 【構成】 フエイスダウン方式による枚葉式成膜処理槽
１を具備し、該処理槽１及び送水管１３の内面をテフロ
ン加工処理してパ−ティクルの発生を減少させ、更に、
一定時間成膜処理を行い、同じくパ−ティクルの付着を
防止し、加えて、処理槽１とスピンエッチ部１６との間
のウエハ搬送を自動的に行うウエハ搬送ロボット１５を
備えた装置。 【効果】 パ−ティクルの発生を減少させ、処理液の寿
命を約２倍に延ばすことができ、また、フォトレジスト
パタ−ン又は金属配線パタ−ン上に付着あるいは成長す
るシリコン酸化物をほぼ完全に取り除くことができる。
て、レジストや配線との選択性を向上し、パ−ティクル
の発生を抑制するシリコン酸化膜成長装置を提供するこ
と。 【構成】 フエイスダウン方式による枚葉式成膜処理槽
１を具備し、該処理槽１及び送水管１３の内面をテフロ
ン加工処理してパ−ティクルの発生を減少させ、更に、
一定時間成膜処理を行い、同じくパ−ティクルの付着を
防止し、加えて、処理槽１とスピンエッチ部１６との間
のウエハ搬送を自動的に行うウエハ搬送ロボット１５を
備えた装置。 【効果】 パ−ティクルの発生を減少させ、処理液の寿
命を約２倍に延ばすことができ、また、フォトレジスト
パタ−ン又は金属配線パタ−ン上に付着あるいは成長す
るシリコン酸化物をほぼ完全に取り除くことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン酸化膜成長装
置に関し、特に、半導体ウエハの絶縁膜形成のためのシ
リコン酸化膜成長装置に関する。
置に関し、特に、半導体ウエハの絶縁膜形成のためのシ
リコン酸化膜成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のシリコン酸化膜成長装置は、その
要部として、図２（従来装置の要部断面図）に示すよう
に、処理槽１が半導体ウエハ５を処理液に浸漬するため
の浸漬部１９、浸漬部１９に流れ込む処理液の流れを整
えるため浸漬部１９に連なって設けられた整流部３及び
浸漬部１９から流れ出た処理液を調整するために浸漬部
１９に連なって設けられた処理液調整部４から構成され
ている。
要部として、図２（従来装置の要部断面図）に示すよう
に、処理槽１が半導体ウエハ５を処理液に浸漬するため
の浸漬部１９、浸漬部１９に流れ込む処理液の流れを整
えるため浸漬部１９に連なって設けられた整流部３及び
浸漬部１９から流れ出た処理液を調整するために浸漬部
１９に連なって設けられた処理液調整部４から構成され
ている。
【０００３】そして、従来の装置は、浸漬部１９と整流
部３との境界に設けられた整流板６、処理液調整部４中
の処理液を整流部３へ送るための送水管２０、送水管２
０の途中に設けられた送水ポンプ１１及び処理液ろ過フ
イルタ１２、処理液調整部４に設けられたホウ酸水溶液
を処理液に添加するための処理液調整装置２１を有して
いる。更に、処理槽１は、この処理槽１中の処理液の温
度を一定に保つため、恒温槽８中に設けられており（例
えば実開昭60−168574号公報、実開昭63−102738号公報
参照）、また、処理液を調整するため、ホウ酸水溶液の
添加にかえてアルミ板を処理液調整部４に浸すことも提
案されている（例えば特開平3−21043号公報参照）。
部３との境界に設けられた整流板６、処理液調整部４中
の処理液を整流部３へ送るための送水管２０、送水管２
０の途中に設けられた送水ポンプ１１及び処理液ろ過フ
イルタ１２、処理液調整部４に設けられたホウ酸水溶液
を処理液に添加するための処理液調整装置２１を有して
いる。更に、処理槽１は、この処理槽１中の処理液の温
度を一定に保つため、恒温槽８中に設けられており（例
えば実開昭60−168574号公報、実開昭63−102738号公報
参照）、また、処理液を調整するため、ホウ酸水溶液の
添加にかえてアルミ板を処理液調整部４に浸すことも提
案されている（例えば特開平3−21043号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、シリコン酸
化膜成長装置は、シリコン酸化膜上に所望形状のフォト
レジスト膜パタ−ン又は金属配線パタ−ンを形成した半
導体ウエハ表面のシリコン酸化膜の部分だけに選択的に
シリコン酸化物を析出成長させることを目的としてい
る。しかしながら、従来のシリコン酸化膜成長装置で
は、半導体ウエハ全体を処理液中に浸漬する方式を採用
しているため、半導体ウエハ裏面にも処理液が接触す
る。そして、半導体ウエハ裏面には、金属屑やフォトレ
ジスト屑等が付着しており、これらが処理液に混入する
と処理液の寿命を低下させるという問題点が存在してい
る。
化膜成長装置は、シリコン酸化膜上に所望形状のフォト
レジスト膜パタ−ン又は金属配線パタ−ンを形成した半
導体ウエハ表面のシリコン酸化膜の部分だけに選択的に
シリコン酸化物を析出成長させることを目的としてい
る。しかしながら、従来のシリコン酸化膜成長装置で
は、半導体ウエハ全体を処理液中に浸漬する方式を採用
しているため、半導体ウエハ裏面にも処理液が接触す
る。そして、半導体ウエハ裏面には、金属屑やフォトレ
ジスト屑等が付着しており、これらが処理液に混入する
と処理液の寿命を低下させるという問題点が存在してい
る。
【０００５】また、半導体ウエハ裏面は平滑でないた
め、裏面に成長したシリコン酸化膜の一部が剥がれて処
理液中に浮遊し、パ−ティクルとなるという問題も有す
る。更に、従来のシリコン酸化膜成長装置では、処理槽
及び処理液配管にアクリルや塩化ビニルを用いている
が、これらの物質表面に処理液中からシリコン酸化物が
析出しやすいため、パ−ティクルが発生し、処理液寿命
が低下するという問題があった。
め、裏面に成長したシリコン酸化膜の一部が剥がれて処
理液中に浮遊し、パ−ティクルとなるという問題も有す
る。更に、従来のシリコン酸化膜成長装置では、処理槽
及び処理液配管にアクリルや塩化ビニルを用いている
が、これらの物質表面に処理液中からシリコン酸化物が
析出しやすいため、パ−ティクルが発生し、処理液寿命
が低下するという問題があった。
【０００６】その上、従来のシリコン酸化膜成長装置で
は、１つの処理槽中に複数枚の半導体ウエハを浸漬して
シリコン酸化膜を成長する方式を採用しているが、近年
生産量が増大している極少量・多品種生産においては、
極少数の半導体ウエハによって、シリコン酸化膜成長装
置全体を専有してしまうため、生産性が非常に悪いとい
う欠点も有している。この欠点は、液相成長によるシリ
コン酸化膜成長に数時間という長い時間を要するという
現状では非常に大きな問題となっている。
は、１つの処理槽中に複数枚の半導体ウエハを浸漬して
シリコン酸化膜を成長する方式を採用しているが、近年
生産量が増大している極少量・多品種生産においては、
極少数の半導体ウエハによって、シリコン酸化膜成長装
置全体を専有してしまうため、生産性が非常に悪いとい
う欠点も有している。この欠点は、液相成長によるシリ
コン酸化膜成長に数時間という長い時間を要するという
現状では非常に大きな問題となっている。
【０００７】この他にも、従来のシリコン酸化膜成長装
置では、半導体ウエハ表面のシリコン酸化膜上だけに選
択的にシリコン酸化膜を成長させるという選択性にも問
題があった。本発明者等の実験によると、浸漬部での半
導体ウエハ表面のシリコン酸化膜の成長速度は、処理液
35℃の場合で約1000オングストロ−ム／時間である。こ
の場合、フォトレジストパタ−ン上には、直径約1000オ
ングストロ−ムのパ−ティクルが5万〜10万個／ｍｍ2も
付着していた。その後さらにシリコン酸化膜成長を続け
ると、このパ−ティクルを核としてシリコン酸化膜が成
長するため、最終的には、除去不可能なシリコン酸化膜
がフォトレジストや金属配線上に付着し、所望パタ−ン
が形成できないという問題点も有している。
置では、半導体ウエハ表面のシリコン酸化膜上だけに選
択的にシリコン酸化膜を成長させるという選択性にも問
題があった。本発明者等の実験によると、浸漬部での半
導体ウエハ表面のシリコン酸化膜の成長速度は、処理液
35℃の場合で約1000オングストロ−ム／時間である。こ
の場合、フォトレジストパタ−ン上には、直径約1000オ
ングストロ−ムのパ−ティクルが5万〜10万個／ｍｍ2も
付着していた。その後さらにシリコン酸化膜成長を続け
ると、このパ−ティクルを核としてシリコン酸化膜が成
長するため、最終的には、除去不可能なシリコン酸化膜
がフォトレジストや金属配線上に付着し、所望パタ−ン
が形成できないという問題点も有している。
【０００８】そこで、本発明は、上記欠点、問題点を解
消するシリコン酸化膜成長装置を提供することを目的と
し、特に、液相成長法による選択酸化膜成長装置におい
て、レジストや配線との選択性を向上し、パ−ティクル
の発生を抑制するシリコン酸化膜成長装置を提供するこ
とを目的とする。
消するシリコン酸化膜成長装置を提供することを目的と
し、特に、液相成長法による選択酸化膜成長装置におい
て、レジストや配線との選択性を向上し、パ−ティクル
の発生を抑制するシリコン酸化膜成長装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そして、本発明は、(1)
所望形状のフォトレジストパタ−ン又は金属配線パタ−
ンを有する半導体ウエハ表面のシリコン酸化膜上のみに
液相成長法を用いてシリコン酸化膜を選択的に成膜する
シリコン酸化膜成長装置において、複数の枚葉成膜処理
槽と少なくとも１つの枚葉後処理ユニットとウエハ搬送
ロボットとを有するという特徴と、(2) 前記成膜処理槽
の上端に半導体ウエハ表面を下方に向けて支持し、該成
膜処理槽の下部から導入された処理液がウエハ表面のみ
に接液するフエイスダウン方式を採用するという特徴
と、(3) 該成膜処理槽及び処理液配管がテフロン製ない
しはその内面がテフロン処理されているという特徴と、
(4) 処理液がシリカを過飽和に溶解させた珪弗化水素酸
であるという特徴と、(5) 前記後処理ユニットが半導体
ウエハを回転させながら弗化水素系水溶液を該半導体ウ
エハ表面に噴出させるスピン処理機能を有するという特
徴と、(6) 前記ウエハ搬送ロボットは半導体ウエハを反
転する機能を有するという特徴と、(7) 前記成膜処理槽
でのシリコン酸化膜成長と前記後処理ユニットでのスピ
ン処理とを各々指定時間ずつ自動的にくり返す機能を有
するという特徴と、を有しているシリコン酸化膜成長装
置であり、これによって、前記目的を達成したものであ
る。
所望形状のフォトレジストパタ−ン又は金属配線パタ−
ンを有する半導体ウエハ表面のシリコン酸化膜上のみに
液相成長法を用いてシリコン酸化膜を選択的に成膜する
シリコン酸化膜成長装置において、複数の枚葉成膜処理
槽と少なくとも１つの枚葉後処理ユニットとウエハ搬送
ロボットとを有するという特徴と、(2) 前記成膜処理槽
の上端に半導体ウエハ表面を下方に向けて支持し、該成
膜処理槽の下部から導入された処理液がウエハ表面のみ
に接液するフエイスダウン方式を採用するという特徴
と、(3) 該成膜処理槽及び処理液配管がテフロン製ない
しはその内面がテフロン処理されているという特徴と、
(4) 処理液がシリカを過飽和に溶解させた珪弗化水素酸
であるという特徴と、(5) 前記後処理ユニットが半導体
ウエハを回転させながら弗化水素系水溶液を該半導体ウ
エハ表面に噴出させるスピン処理機能を有するという特
徴と、(6) 前記ウエハ搬送ロボットは半導体ウエハを反
転する機能を有するという特徴と、(7) 前記成膜処理槽
でのシリコン酸化膜成長と前記後処理ユニットでのスピ
ン処理とを各々指定時間ずつ自動的にくり返す機能を有
するという特徴と、を有しているシリコン酸化膜成長装
置であり、これによって、前記目的を達成したものであ
る。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例を図１に基づいて詳細
に説明する。図１は、本発明の一実施例であるシリコン
酸化膜成長装置の概略図であって、この装置における処
理槽１は、接液部２、整流部３及び処理液調整部４から
成っている。
に説明する。図１は、本発明の一実施例であるシリコン
酸化膜成長装置の概略図であって、この装置における処
理槽１は、接液部２、整流部３及び処理液調整部４から
成っている。
【００１１】接液部２では、表が下になるように支持し
た半導体ウエハ５の表面のみが処理液に接するようにな
っている。整流部３は、整液部２と整流板６を介して連
なっており、これによって処理液の流れを整えることが
できる。処理液調整部４には、アルミニウム板７が入っ
ており、処理液が常にシリカの過飽和状態を保てるよう
になっている。
た半導体ウエハ５の表面のみが処理液に接するようにな
っている。整流部３は、整液部２と整流板６を介して連
なっており、これによって処理液の流れを整えることが
できる。処理液調整部４には、アルミニウム板７が入っ
ており、処理液が常にシリカの過飽和状態を保てるよう
になっている。
【００１２】また、処理槽１は、処理温度を一定に保つ
ため、恒温槽８に入っている。恒温槽８中の水は、ヒ−
タ−９で加温し、スタ−ラ−１０で攪拌して水温を一定
に保つように構成する。そして、処理液は、ポンプ１１
により循環するよう構成されており、フィルタ１２を通
って処理液調整部４に入り、整流部３から整流板６を通
って接液部２に入り、半導体ウエハ５の表面に接液す
る。半導体ウエハ５に接液した処理液は、接液部２から
溢出し、送水管１３を通って再びポンプ１１で送り出さ
れる。
ため、恒温槽８に入っている。恒温槽８中の水は、ヒ−
タ−９で加温し、スタ−ラ−１０で攪拌して水温を一定
に保つように構成する。そして、処理液は、ポンプ１１
により循環するよう構成されており、フィルタ１２を通
って処理液調整部４に入り、整流部３から整流板６を通
って接液部２に入り、半導体ウエハ５の表面に接液す
る。半導体ウエハ５に接液した処理液は、接液部２から
溢出し、送水管１３を通って再びポンプ１１で送り出さ
れる。
【００１３】半導体ウエハ５は、接液部２で約１時間シ
リコン酸化膜成長させた後、ウエハ反転ユニット１４で
処理液から上げる。そして、このウエハ５を反転させた
後、ウエハ搬送ロボット１５でスピンエッチ部１６へ運
ぶ。このスピンエツチ部１６では、半導体ウエハ５の表
面に弗化水素系のエッチング液をエッチング液ノズル１
７から噴出して約10秒間エッチングを行う。
リコン酸化膜成長させた後、ウエハ反転ユニット１４で
処理液から上げる。そして、このウエハ５を反転させた
後、ウエハ搬送ロボット１５でスピンエッチ部１６へ運
ぶ。このスピンエツチ部１６では、半導体ウエハ５の表
面に弗化水素系のエッチング液をエッチング液ノズル１
７から噴出して約10秒間エッチングを行う。
【００１４】その後、ウエハを毎分3000回転程度で回転
させながら、純水ノズル１８から10ｋｇ／ｃｍ2程度の
圧力で噴射して約10秒間洗浄した後、毎分5000回転程度
に回転数を上げ、半導体ウエハ５を乾燥させる。次に、
ウエハ搬送ロボツト１５でスピンエッチ部１６からウエ
ハ反転ユニット１４へ半導体ウエハ５を戻し、再度接液
部２でシリコン酸化膜成長を行う。
させながら、純水ノズル１８から10ｋｇ／ｃｍ2程度の
圧力で噴射して約10秒間洗浄した後、毎分5000回転程度
に回転数を上げ、半導体ウエハ５を乾燥させる。次に、
ウエハ搬送ロボツト１５でスピンエッチ部１６からウエ
ハ反転ユニット１４へ半導体ウエハ５を戻し、再度接液
部２でシリコン酸化膜成長を行う。
【００１５】このように接液部２でのシリコン酸化膜成
長とスピンエツチ部１６でのパ−ティクル除去を数回く
り返しながらシリコン酸化膜を成長させることにより、
フォトレジストや金属配線上へのパ−ティクルの付着及
びシリコン酸化膜の成長をほぼ完全に抑制することがで
き、選択性の非常にすぐれたシリコン酸化膜成長を行う
ことができる。これは、フォトレジストや金属配線上の
パ−ティクルは、付着後、１時間程度以内であれば、上
記処理によりほぼ完全に除去可能であるという本発明者
等の実験結果に基づくものである。
長とスピンエツチ部１６でのパ−ティクル除去を数回く
り返しながらシリコン酸化膜を成長させることにより、
フォトレジストや金属配線上へのパ−ティクルの付着及
びシリコン酸化膜の成長をほぼ完全に抑制することがで
き、選択性の非常にすぐれたシリコン酸化膜成長を行う
ことができる。これは、フォトレジストや金属配線上の
パ−ティクルは、付着後、１時間程度以内であれば、上
記処理によりほぼ完全に除去可能であるという本発明者
等の実験結果に基づくものである。
【００１６】当然のことながら、金属配線を用いる場合
は、弗化水素系エツチング液に耐性を有する配線材料を
選択しなければならない。例えば、Ａｕなどの貴金属や
Ｗなどの高融点金属であることが望ましい。また、本発
明者等は、装置を構成する材料自体にも検討を加えた結
果、「内面を滑面処理したテフロン加工が最もパ−ティ
クルを発生させない」という知見も得ており、このた
め、上記実施例装置における処理槽１や送水管１３等
は、その内面をテフロン加工処理したものを使用する
が、これらをテフロン製とすることもできる。
は、弗化水素系エツチング液に耐性を有する配線材料を
選択しなければならない。例えば、Ａｕなどの貴金属や
Ｗなどの高融点金属であることが望ましい。また、本発
明者等は、装置を構成する材料自体にも検討を加えた結
果、「内面を滑面処理したテフロン加工が最もパ−ティ
クルを発生させない」という知見も得ており、このた
め、上記実施例装置における処理槽１や送水管１３等
は、その内面をテフロン加工処理したものを使用する
が、これらをテフロン製とすることもできる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、所望形状
のフォトレジストパタ−ン又は金属配線パタ−ンを有す
る半導体ウエハ表面のシリコン酸化膜上のみに液相成長
法を用いてシリコン酸化膜を選択的に成膜するシリコン
酸化膜成長装置において、枚葉式の成膜処理槽を採用
し、また、フエイスダウン方式によりウエハ裏面を処理
液に触れないようにし、更に、処理槽及び処理液配管を
テフロン製又はテフロン加工処理したものを用いること
により、パ−ティクルの発生を減少させ、処理液の寿命
を約２倍に延ばすことができる効果を有する。
のフォトレジストパタ−ン又は金属配線パタ−ンを有す
る半導体ウエハ表面のシリコン酸化膜上のみに液相成長
法を用いてシリコン酸化膜を選択的に成膜するシリコン
酸化膜成長装置において、枚葉式の成膜処理槽を採用
し、また、フエイスダウン方式によりウエハ裏面を処理
液に触れないようにし、更に、処理槽及び処理液配管を
テフロン製又はテフロン加工処理したものを用いること
により、パ−ティクルの発生を減少させ、処理液の寿命
を約２倍に延ばすことができる効果を有する。
【００１８】また、本発明のシリコン酸化膜成長装置
は、成膜処理とスピンエッチ処理とを交互に自動的に行
える機能を持たせたことにより、フォトレジストパタ−
ン又は金属配線パタ−ン上に付着あるいは成長するシリ
コン酸化物をほぼ完全に取り除くことができる効果が生
ずる。そして、本発明者等の実験によれば、約1000オン
グストロ−ムの成膜で、従来フォトレジスト上に5万〜1
0万個／ｍｍ2のパ−ティクルが発生していたが、本発明
の装置では、数個 ／ｍｍ2にまでパ−ティクルを減らす
ことができた。
は、成膜処理とスピンエッチ処理とを交互に自動的に行
える機能を持たせたことにより、フォトレジストパタ−
ン又は金属配線パタ−ン上に付着あるいは成長するシリ
コン酸化物をほぼ完全に取り除くことができる効果が生
ずる。そして、本発明者等の実験によれば、約1000オン
グストロ−ムの成膜で、従来フォトレジスト上に5万〜1
0万個／ｍｍ2のパ−ティクルが発生していたが、本発明
の装置では、数個 ／ｍｍ2にまでパ−ティクルを減らす
ことができた。
【図１】本発明の一実施例であるシリコン酸化膜成長装
置の要部断面図である。
置の要部断面図である。
【図２】従来のシリコン酸化膜成長装置の要部断面図で
ある。
ある。
１ 処理槽 ２ 接液部 ３ 整流部 ４ 処理液調整部 ５ 半導体ウエハ ６ 整流板 ７ アルミニウム板 ８ 恒温槽 ９ ヒ−タ− １０ スタ−ラ− １１ ポンプ １２ フィルタ １３ 送水管 １４ ウエハ反転ユニット １５ ウエハ搬送ロボット １６ スピンエッチ部 １７ エツチング液ノズル １８ 純水ノズル １９ 浸漬部 ２０ 送水管 ２１ 処理液調整装置
Claims (7)
- 【請求項１】 所望形状のフォトレジストパタ−ン又は
金属配線パタ−ンを有する半導体ウエハ表面のシリコン
酸化膜上のみに液相成長法を用いてシリコン酸化膜を選
択的に成膜するシリコン酸化膜成長装置において、複数
の枚葉成膜処理槽と少なくとも１つの枚葉後処理ユニッ
トとウエハ搬送ロボットとを有することを特徴とするシ
リコン酸化膜成長装置。 - 【請求項２】 前記成膜処理槽の上端に半導体ウエハ表
面を下方に向けて支持し、該成膜処理槽の下部から導入
された処理液がウエハ表面のみに接液するフエイスダウ
ン方式を有することを特徴とする請求項１記載のシリコ
ン酸化膜成長装置。 - 【請求項３】 前記成膜処理槽及び処理液配管がテフロ
ン製ないしはその内面がテフロン処理されていることを
特徴とする請求項１記載のシリコン酸化膜成長装置。 - 【請求項４】 処理液がシリカを過飽和に溶解させた珪
弗化水素酸であることを特徴とする請求項１記載のシリ
コン酸化膜成長装置。 - 【請求項５】 前記後処理ユニットが半導体ウエハを回
転させながら弗化水素系水溶液を該半導体ウエハ表面に
噴出させるスピン処理機能を有することを特徴とする請
求項１記載のシリコン酸化膜成長装置。 - 【請求項６】 前記ウエハ搬送ロボットは半導体ウエハ
を反転する機能を有することを特徴とする請求項１記載
のシリコン酸化膜成長装置。 - 【請求項７】 前記成膜処理槽でのシリコン酸化膜成長
と前記後処理ユニットでのスピン処理とを各々指定時間
ずつ自動的にくり返す機能を有することを特徴とする請
求項１記載のシリコン酸化膜成長装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4019549A JPH05190475A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | シリコン酸化膜成長装置 |
| US08/000,488 US5376176A (en) | 1992-01-08 | 1993-01-05 | Silicon oxide film growing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4019549A JPH05190475A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | シリコン酸化膜成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190475A true JPH05190475A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=12002400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4019549A Pending JPH05190475A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | シリコン酸化膜成長装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5376176A (ja) |
| JP (1) | JPH05190475A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007214266A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 液状樹脂被覆装置およびレーザー加工装置 |
Families Citing this family (27)
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