JPH05190853A - 表示装置 - Google Patents
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- JPH05190853A JPH05190853A JP502392A JP502392A JPH05190853A JP H05190853 A JPH05190853 A JP H05190853A JP 502392 A JP502392 A JP 502392A JP 502392 A JP502392 A JP 502392A JP H05190853 A JPH05190853 A JP H05190853A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 駆動用ドライバー回路のチャネル層でのキ
ャリアの移動度が高く、かつ表示部のＴＦＴ特性のバラ
ツキの少ない表示装置を提供する。 【構成】 表示部の薄膜トランジスタのチャネル層２
ｃの結晶粒径が、駆動用ドライバー回路用の薄膜トラン
ジスタのチャネル層２ａ、２ｂの結晶粒径より小さいこ
とを特徴とする。チャネル層２ａ、２ｂは、非晶質シリ
コンを低温で長時間熱処理することにより多結晶シリコ
ン層とするため、多結晶シリコンを堆積させたチャネル
層２ｃより結晶粒径が大きくなる。 【効果】 駆動用ドライバー回路用の薄膜トランジスタ
のチャネル層の結晶粒径が大きいため、キャリアの移動
度が高くなり、高速表示することができる。また表示部
のトランジスタのチャネル層の結晶粒径がチャネル層の
大きさに比べて小さいためトランジスタ特性にバラツキ
がなく、良好な画質を得ることができる。
ャリアの移動度が高く、かつ表示部のＴＦＴ特性のバラ
ツキの少ない表示装置を提供する。 【構成】 表示部の薄膜トランジスタのチャネル層２
ｃの結晶粒径が、駆動用ドライバー回路用の薄膜トラン
ジスタのチャネル層２ａ、２ｂの結晶粒径より小さいこ
とを特徴とする。チャネル層２ａ、２ｂは、非晶質シリ
コンを低温で長時間熱処理することにより多結晶シリコ
ン層とするため、多結晶シリコンを堆積させたチャネル
層２ｃより結晶粒径が大きくなる。 【効果】 駆動用ドライバー回路用の薄膜トランジスタ
のチャネル層の結晶粒径が大きいため、キャリアの移動
度が高くなり、高速表示することができる。また表示部
のトランジスタのチャネル層の結晶粒径がチャネル層の
大きさに比べて小さいためトランジスタ特性にバラツキ
がなく、良好な画質を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）を有する表示部と表示部を駆動するためのドライ
バー回路を同一基板上に内蔵するドライバーモノリシッ
ク型表示装置に関する。
ＦＴ）を有する表示部と表示部を駆動するためのドライ
バー回路を同一基板上に内蔵するドライバーモノリシッ
ク型表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、表示装置にはドライバーモノ
リシック型のＴＦＴ基板が用いられている。ドライバー
モノリシック型ＴＦＴ基板の一例を図６に示す。ドライ
バーモノリシック型ＴＦＴ基板２０上では、絵素電極２
１およびＴＦＴ２２等を有する表示部２３と、この表示
部２３を駆動するための駆動用ドライバー回路２４ａ、
２４ｂとが形成されている。駆動用ドライバー回路２４
ａ、２４ｂは、表示部２３を駆動するためのＴＦＴ（図
示せず）を有している。通常、駆動用ドライバー回路２
４ａ、２４ｂ内のＴＦＴには、表示部２３のＴＦＴ２２
と同じ構成のものが用いられている。
リシック型のＴＦＴ基板が用いられている。ドライバー
モノリシック型ＴＦＴ基板の一例を図６に示す。ドライ
バーモノリシック型ＴＦＴ基板２０上では、絵素電極２
１およびＴＦＴ２２等を有する表示部２３と、この表示
部２３を駆動するための駆動用ドライバー回路２４ａ、
２４ｂとが形成されている。駆動用ドライバー回路２４
ａ、２４ｂは、表示部２３を駆動するためのＴＦＴ（図
示せず）を有している。通常、駆動用ドライバー回路２
４ａ、２４ｂ内のＴＦＴには、表示部２３のＴＦＴ２２
と同じ構成のものが用いられている。
【０００３】このような表示部２３のＴＦＴおよび駆動
用ドライバー回路２４ａ、２４ｂのＴＦＴは例えば、図
７に示す構成を有している。絶縁性基板３１上に形成さ
れた多結晶シリコン層等の半導体層３２ａ、３２ｂ、３
２ｃの一部に、チャネル層３９ａ、３９ｂ、３９ｃと高
不純物濃度領域（Ｎ+領域またはＰ+領域）４０ａ、４０
ｂ、４０ｃとが形成されている。チャネル層３９ａ、３
９ｂ、３９ｃの上方にはゲート絶縁膜３４を挟んでゲー
ト電極３５ａ、３５ｂ、３５ｃが設けられている。ゲー
ト電極３５ａ、３５ｂ、３５ｃおよびゲート絶縁膜３４
上には層間絶縁膜３６が形成されている。ゲート絶縁膜
３４および層間絶縁膜３６を貫いてコンタクトホール３
７ａ、３７ｂ、３７ｃがそれぞれ高濃度不純物領域４０
ａ、４０ｂ、４０ｃ上に形成されている。高濃度不純物
領域４０ａ、４０ｂ、４０ｃと電極３８ａ、３８ｂ、３
８ｃとがそれぞれコンタクトホール３７ａ、３７ｂ、３
７ｃを介して電気的に接続されている。
用ドライバー回路２４ａ、２４ｂのＴＦＴは例えば、図
７に示す構成を有している。絶縁性基板３１上に形成さ
れた多結晶シリコン層等の半導体層３２ａ、３２ｂ、３
２ｃの一部に、チャネル層３９ａ、３９ｂ、３９ｃと高
不純物濃度領域（Ｎ+領域またはＰ+領域）４０ａ、４０
ｂ、４０ｃとが形成されている。チャネル層３９ａ、３
９ｂ、３９ｃの上方にはゲート絶縁膜３４を挟んでゲー
ト電極３５ａ、３５ｂ、３５ｃが設けられている。ゲー
ト電極３５ａ、３５ｂ、３５ｃおよびゲート絶縁膜３４
上には層間絶縁膜３６が形成されている。ゲート絶縁膜
３４および層間絶縁膜３６を貫いてコンタクトホール３
７ａ、３７ｂ、３７ｃがそれぞれ高濃度不純物領域４０
ａ、４０ｂ、４０ｃ上に形成されている。高濃度不純物
領域４０ａ、４０ｂ、４０ｃと電極３８ａ、３８ｂ、３
８ｃとがそれぞれコンタクトホール３７ａ、３７ｂ、３
７ｃを介して電気的に接続されている。
【０００４】駆動用ドライバー回路２４ａ、２４ｂ内の
ＴＦＴには、表示の高速化に対応する必要性から、チャ
ネル層３９ａ、３９ｂのキャリアの移動度が高いことが
要求されている。キャリアの移動度の高いチャネル層３
９ａ、３９ｂを得るためには、チャネル層３９ａ、３９
ｂの結晶粒径を大きくし、粒界による電気抵抗を小さく
することが必要である。例えば、半導体層３２ａ、３２
ｂが多結晶シリコン層の場合、１μｍを超える結晶粒径
が必要となる。
ＴＦＴには、表示の高速化に対応する必要性から、チャ
ネル層３９ａ、３９ｂのキャリアの移動度が高いことが
要求されている。キャリアの移動度の高いチャネル層３
９ａ、３９ｂを得るためには、チャネル層３９ａ、３９
ｂの結晶粒径を大きくし、粒界による電気抵抗を小さく
することが必要である。例えば、半導体層３２ａ、３２
ｂが多結晶シリコン層の場合、１μｍを超える結晶粒径
が必要となる。
【０００５】また、駆動用ドライバー回路２４ａ、２４
ｂ内のＴＦＴは、電流駆動能力が要求されるため、比較
的大きなサイズのＴＦＴが用いられ、一方、表示部２３
のＴＦＴは、開口率の向上を図るため、より小さいサイ
ズのＴＦＴが要求されている。
ｂ内のＴＦＴは、電流駆動能力が要求されるため、比較
的大きなサイズのＴＦＴが用いられ、一方、表示部２３
のＴＦＴは、開口率の向上を図るため、より小さいサイ
ズのＴＦＴが要求されている。
【０００６】
【発明を解決するための課題】駆動用ドライバー回路２
４ａ、２４ｂ内のＴＦＴのチャネル層３９ａ、３９ｂの
結晶粒径が１μｍ程度になると、表示部２３のＴＦＴの
チャネル層３９ｃの結晶粒径も１μｍ程度になり、チャ
ネル層３９ｃの大きさと同程度になるため、サイズの小
さいＴＦＴの特性にバラツキ生じる。従って、チャネル
層の結晶粒径と大きさが同程度であるＴＦＴは、表示部
のＴＦＴとして用いるには不適当である。
４ａ、２４ｂ内のＴＦＴのチャネル層３９ａ、３９ｂの
結晶粒径が１μｍ程度になると、表示部２３のＴＦＴの
チャネル層３９ｃの結晶粒径も１μｍ程度になり、チャ
ネル層３９ｃの大きさと同程度になるため、サイズの小
さいＴＦＴの特性にバラツキ生じる。従って、チャネル
層の結晶粒径と大きさが同程度であるＴＦＴは、表示部
のＴＦＴとして用いるには不適当である。
【０００７】本発明は上記の点を解決しようとするもの
で、その目的は、駆動用ドライバー回路のチャネル層で
のキャリアの移動度が高く、かつ表示部のＴＦＴ特性の
バラツキの少ない表示装置を提供することにある。
で、その目的は、駆動用ドライバー回路のチャネル層で
のキャリアの移動度が高く、かつ表示部のＴＦＴ特性の
バラツキの少ない表示装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、第
一薄膜トランジスタを有する表示部および該表示部を駆
動するための第二薄膜トランジスタを有する駆動用ドラ
イバー回路が同一基板上に形成されている表示装置であ
って、該第一薄膜トランジスタのチャネル層の結晶粒径
が該第二薄膜トランジスタのチャネル層の結晶粒径より
小さいことを特徴とし、そのことにより上記課題を達成
することができる。
一薄膜トランジスタを有する表示部および該表示部を駆
動するための第二薄膜トランジスタを有する駆動用ドラ
イバー回路が同一基板上に形成されている表示装置であ
って、該第一薄膜トランジスタのチャネル層の結晶粒径
が該第二薄膜トランジスタのチャネル層の結晶粒径より
小さいことを特徴とし、そのことにより上記課題を達成
することができる。
【０００９】次に本発明を実施例に基づいて説明する。
半導体層が多結晶シリコンからなる場合を例に挙げ、図
１〜５に基づいて説明する。
半導体層が多結晶シリコンからなる場合を例に挙げ、図
１〜５に基づいて説明する。
【００１０】まず、石英またはガラス等からなる絶縁性
基板１上に、減圧ＣＶＤ法により、シリコンを１００ｎ
ｍ堆積した。堆積条件は、堆積ガスとして、Ｓｉ2Ｈ
6（流量１００ｓｃｃｍ）とＮ2（流量４００ｓｃｃｍ）
の混合ガスを用い、その圧力を５０Ｐａ、堆積温度を４
７０℃とした。本実施例では、堆積温度を４７０℃とし
たため、堆積されたシリコン層は、非晶質シリコン層と
なった。
基板１上に、減圧ＣＶＤ法により、シリコンを１００ｎ
ｍ堆積した。堆積条件は、堆積ガスとして、Ｓｉ2Ｈ
6（流量１００ｓｃｃｍ）とＮ2（流量４００ｓｃｃｍ）
の混合ガスを用い、その圧力を５０Ｐａ、堆積温度を４
７０℃とした。本実施例では、堆積温度を４７０℃とし
たため、堆積されたシリコン層は、非晶質シリコン層と
なった。
【００１１】次に、この非晶質シリコン層に対して、Ｎ
2雰囲気中で６００℃、２４時間の熱処理をすることに
より非晶質シリコン層を多結晶化し、多結晶シリコン層
を得た。
2雰囲気中で６００℃、２４時間の熱処理をすることに
より非晶質シリコン層を多結晶化し、多結晶シリコン層
を得た。
【００１２】上記多結晶シリコン層のうち、駆動用ドラ
イバー回路のＴＦＴの一部となる部分（２ａ、２ｂ）の
み残し、通常の方法により、多結晶シリコン層の他の部
分をエッチングで除去した（図１）。
イバー回路のＴＦＴの一部となる部分（２ａ、２ｂ）の
み残し、通常の方法により、多結晶シリコン層の他の部
分をエッチングで除去した（図１）。
【００１３】次に、この基板面全体に、ＣＶＤ法によ
り、ＳiＯ2を１００ｎｍ堆積して絶縁層３を形成した
後、減圧ＣＶＤ法により、この基板面全体に、多結晶シ
リコンを１００ｎｍ堆積した（図２）。堆積条件は、堆
積ガスとして、ＳｉＨ4（流量１００ｓｃｃｍ）とＮ
2（流量４００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用い、その圧力
を５０Ｐａ、堆積温度を６２０℃とした（図２）。
り、ＳiＯ2を１００ｎｍ堆積して絶縁層３を形成した
後、減圧ＣＶＤ法により、この基板面全体に、多結晶シ
リコンを１００ｎｍ堆積した（図２）。堆積条件は、堆
積ガスとして、ＳｉＨ4（流量１００ｓｃｃｍ）とＮ
2（流量４００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用い、その圧力
を５０Ｐａ、堆積温度を６２０℃とした（図２）。
【００１４】次に、表示部のＴＦＴの一部なる部分２ｃ
のみを残し、多結晶シリコン層を通常の方法によりエッ
チングにより除去した（図３）。この時、駆動用ドライ
バー回路部の多結晶シリコン層２ａ、２ｂは、ＳiＯ2の
絶縁層３で保護されているため、エッチングされない。
のみを残し、多結晶シリコン層を通常の方法によりエッ
チングにより除去した（図３）。この時、駆動用ドライ
バー回路部の多結晶シリコン層２ａ、２ｂは、ＳiＯ2の
絶縁層３で保護されているため、エッチングされない。
【００１５】駆動用ドライバー回路部のＴＦＴの多結晶
シリコン層２ａ、２ｂの結晶粒径は１μｍを超える大き
さであるのに対し、表示部のＴＦＴの多結晶シリコン層
２ｃの結晶粒径は１００ｎｍ以下と充分小さい。これ
は、多結晶シリコン２ｃをＳｉＨ4を原料ガスとして比
較的高温で堆積し、一方、多結晶シリコン２ａ、２ｂを
Ｓｉ2Ｈ6を原料ガスとして堆積した非晶質シリコン層の
低温長時間熱処理により得たためである。
シリコン層２ａ、２ｂの結晶粒径は１μｍを超える大き
さであるのに対し、表示部のＴＦＴの多結晶シリコン層
２ｃの結晶粒径は１００ｎｍ以下と充分小さい。これ
は、多結晶シリコン２ｃをＳｉＨ4を原料ガスとして比
較的高温で堆積し、一方、多結晶シリコン２ａ、２ｂを
Ｓｉ2Ｈ6を原料ガスとして堆積した非晶質シリコン層の
低温長時間熱処理により得たためである。
【００１６】次に、駆動用ドライバー回路部の多結晶シ
リコン層２ａ、２ｂ上の絶縁層３を除去した（図４）。
以下、通常の方法に従って表示装置を製造した。即ち、
まず、この基板全体にＳiＯ2を堆積させてゲート絶縁膜
４を形成し後、多結晶シリコン層２ａ、２ｂ、２ｃ上の
ゲート絶縁膜４上にスパッタリングによりゲート電極５
ａ、５ｂ、５ｃを形成した。次いで、この基板全体上に
ＳiＯ2を堆積させて層間絶縁膜６を形成した。この層間
絶縁膜６の所定の位置にコンタクトホール７ａ、７ｂ、
７ｃを形成した後、このコンタクトホール７ａ、７ｂ、
７ｃより多結晶シリコン層２ａ、２ｂ、２ｃに高濃度
（１０〜１０atom／cm2）の不純物（ＢＦ3、ＰＨ3等）
をイオン注入することにより、Ｎ+型またはＰ+型の高濃
度不純物領域１０ａ、１０ｂ、１０ｃを形成した。最後
に、コンタクトホール７ａ、７ｂ、７ｃ部分にスパッタ
リングにより電極８ａ、８ｂ、８ｃを形成する。以上の
方法により、図５に示すような表示装置を製造すること
ができる。
リコン層２ａ、２ｂ上の絶縁層３を除去した（図４）。
以下、通常の方法に従って表示装置を製造した。即ち、
まず、この基板全体にＳiＯ2を堆積させてゲート絶縁膜
４を形成し後、多結晶シリコン層２ａ、２ｂ、２ｃ上の
ゲート絶縁膜４上にスパッタリングによりゲート電極５
ａ、５ｂ、５ｃを形成した。次いで、この基板全体上に
ＳiＯ2を堆積させて層間絶縁膜６を形成した。この層間
絶縁膜６の所定の位置にコンタクトホール７ａ、７ｂ、
７ｃを形成した後、このコンタクトホール７ａ、７ｂ、
７ｃより多結晶シリコン層２ａ、２ｂ、２ｃに高濃度
（１０〜１０atom／cm2）の不純物（ＢＦ3、ＰＨ3等）
をイオン注入することにより、Ｎ+型またはＰ+型の高濃
度不純物領域１０ａ、１０ｂ、１０ｃを形成した。最後
に、コンタクトホール７ａ、７ｂ、７ｃ部分にスパッタ
リングにより電極８ａ、８ｂ、８ｃを形成する。以上の
方法により、図５に示すような表示装置を製造すること
ができる。
【００１７】上記の製造工程において、上記非晶質シリ
コン層は、表示部のＴＦＴの多結晶シリコン層２ｃの堆
積条件と同様の条件により、減圧ＣＶＤ法で１００ｎｍ
の多結晶シリコンを絶縁性基板１上に堆積した後、Ｓi
イオンを、加速エネルギー６０ｋｅＶ、ドーズ量１×１
０15ｃｍ-2の条件でこの多結晶シリコン層に注入し、多
結晶シリコン層を非晶質化することにより、形成するこ
ともできる。
コン層は、表示部のＴＦＴの多結晶シリコン層２ｃの堆
積条件と同様の条件により、減圧ＣＶＤ法で１００ｎｍ
の多結晶シリコンを絶縁性基板１上に堆積した後、Ｓi
イオンを、加速エネルギー６０ｋｅＶ、ドーズ量１×１
０15ｃｍ-2の条件でこの多結晶シリコン層に注入し、多
結晶シリコン層を非晶質化することにより、形成するこ
ともできる。
【００１８】また、先に、表示部のＴＦＴの多結晶シリ
コン層２ｃを形成した後、駆動用ドライバー回路のＴＦ
Ｔの多結晶シリコン層２ａ、２ｂを形成してもよい。
コン層２ｃを形成した後、駆動用ドライバー回路のＴＦ
Ｔの多結晶シリコン層２ａ、２ｂを形成してもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
表示装置によれば、駆動用ドライバー回路用の薄膜トラ
ンジスタのチャネル層の結晶粒径が大きいため、キャリ
アの移動度が高くなり、高速表示することができる。ま
た表示部のトランジスタのチャネル層の結晶粒径がこの
チャネル層の大きさに比べて小さいため、トランジスタ
特性にバラツキがなく、良好な画質を得ることができ
る。
表示装置によれば、駆動用ドライバー回路用の薄膜トラ
ンジスタのチャネル層の結晶粒径が大きいため、キャリ
アの移動度が高くなり、高速表示することができる。ま
た表示部のトランジスタのチャネル層の結晶粒径がこの
チャネル層の大きさに比べて小さいため、トランジスタ
特性にバラツキがなく、良好な画質を得ることができ
る。
【図１】本発明の表示装置の製造工程を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の表示装置の製造工程を示す断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の表示装置の製造工程を示す断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の表示装置の製造工程を示す断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の表示装置の一例を示す断面図である。
【図６】ドライバーモノリシック型ＴＦＴ基板の一例を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図７】従来の表示装置の一例を示す断面図である。
１ 絶縁性基板 ２ａ、２ｂ、２ｃ 多結晶シリコン層 ３ 絶縁層 ４ ゲート絶縁膜 ５ａ、５ｂ、５ｃ ゲート電極 ６ 層間絶縁膜 ７ａ、７ｂ、７ｃ コンタクトホール ８ａ、８ｂ、８ｃ 電極 ９ａ、９ｂ、９ｃ チャネル層 １０ａ、１０ｂ、１０ｃ 高濃度不純物領域 ２０ ドライバーモノリシック型ＴＦＴ基板 ２１ 絵素電極 ２２ ＴＦＴ ２３ 表示部 ２４ 駆動用ドライバー回路 ３１ 絶縁性基板 ３２ａ、３２ｂ、３２ｃ 半導体層 ３４ ゲート絶縁膜 ３５ａ、３５ｂ、３５ｃ ゲート電極 ３６ 層間絶縁膜 ３７ａ、３７ｂ、３７ｃ コンタクトホール ３８ａ、３８ｂ、３８ｃ 電極 ３９ａ、３９ｂ、３９ｃ チャネル層 ４０ａ、４０ｂ、４０ｃ 高濃度不純物領域
Claims (1)
- 【請求項１】第一薄膜トランジスタを有する表示部およ
び該表示部を駆動するための第二薄膜トランジスタを有
するドライバー回路が同一基板上に形成されている表示
装置であって、該第一薄膜トランジスタのチャネル層の
結晶粒径が該第二薄膜トランジスタのチャネル層の結晶
粒径より小さいことを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP502392A JP2904984B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP502392A JP2904984B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190853A true JPH05190853A (ja) | 1993-07-30 |
| JP2904984B2 JP2904984B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=11599911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP502392A Expired - Fee Related JP2904984B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2904984B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6288412B1 (en) | 1994-01-26 | 2001-09-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Thin film transistors for display devices having two polysilicon active layers of different thicknesses |
| US7385223B2 (en) * | 2003-04-24 | 2008-06-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Flat panel display with thin film transistor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0572556A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Seiko Epson Corp | アクテイブマトリクス基板およびアクテイブマトリクス基板の製造方法 |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP502392A patent/JP2904984B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0572556A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Seiko Epson Corp | アクテイブマトリクス基板およびアクテイブマトリクス基板の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6288412B1 (en) | 1994-01-26 | 2001-09-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Thin film transistors for display devices having two polysilicon active layers of different thicknesses |
| US7385223B2 (en) * | 2003-04-24 | 2008-06-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Flat panel display with thin film transistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2904984B2 (ja) | 1999-06-14 |
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