JPH0519087B2 - - Google Patents
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- JPH0519087B2 JPH0519087B2 JP62204843A JP20484387A JPH0519087B2 JP H0519087 B2 JPH0519087 B2 JP H0519087B2 JP 62204843 A JP62204843 A JP 62204843A JP 20484387 A JP20484387 A JP 20484387A JP H0519087 B2 JPH0519087 B2 JP H0519087B2
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- crystal
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/28—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using weight changes of the crystal or the melt, e.g. flotation methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
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- Y10T117/1072—Seed pulling including details of means providing product movement [e.g., shaft guides, servo means]
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、チヨクラルスキー法(CZ法)によ
り育成され引き上げられる単結晶棒の荷重を、ス
トレインゲージを用いて測定する結晶棒引上荷重
測定装置に関する。
り育成され引き上げられる単結晶棒の荷重を、ス
トレインゲージを用いて測定する結晶棒引上荷重
測定装置に関する。
[従来の技術]
CZ法を用いた単結晶製造装置では、結晶重量
の増分から、結晶棒の融液との界面における断面
積又は直径を求めて、結晶径の自動制御を行つた
り、また、結晶重量から融液面の位置を算出し、
坩堝を上下動させヒータに対する融液面の位置を
制御したりする。
の増分から、結晶棒の融液との界面における断面
積又は直径を求めて、結晶径の自動制御を行つた
り、また、結晶重量から融液面の位置を算出し、
坩堝を上下動させヒータに対する融液面の位置を
制御したりする。
このような制御において、結晶棒引上荷重測定
装置が用いられる。この結晶棒引上荷重測定装置
には、ロードセルを使用したものがある。
装置が用いられる。この結晶棒引上荷重測定装置
には、ロードセルを使用したものがある。
[発明が解決しようとする問題点]
しかし、ワイヤロープにより引き上げられる単
結晶棒の荷重を、電気抵抗線ひずみ計を用いたロ
ードセルで支持して検出すると、検出値に大きな
連続的波状ノイズが含まれ、測定誤差が大きくな
るため実用化できなかつた。このため、従来で
は、ロードセルは、引上棒により単結晶棒を引き
上げる単結晶製造装置にしか用いられなかつた。
電気抵抗線ひずみ計以外のストレインゲージを用
いた場合も同様である。
結晶棒の荷重を、電気抵抗線ひずみ計を用いたロ
ードセルで支持して検出すると、検出値に大きな
連続的波状ノイズが含まれ、測定誤差が大きくな
るため実用化できなかつた。このため、従来で
は、ロードセルは、引上棒により単結晶棒を引き
上げる単結晶製造装置にしか用いられなかつた。
電気抵抗線ひずみ計以外のストレインゲージを用
いた場合も同様である。
この引上棒を用いると、引上棒が上下方向へ数
m移動するので、装置が大型になるという欠点が
ある。
m移動するので、装置が大型になるという欠点が
ある。
本発明の目的は、上記問題点に鑑み、ワイヤロ
ープにより引き上げられる単結晶棒の荷重をスト
レインゲージを用いて精度よく測定することが可
能な結晶棒引上荷重測定装置を提供することにあ
る。
ープにより引き上げられる単結晶棒の荷重をスト
レインゲージを用いて精度よく測定することが可
能な結晶棒引上荷重測定装置を提供することにあ
る。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、モータで回転される巻胴にワイヤロ
ープの基端側が巻回され、該巻胴から引き出され
た該ワイヤロープがガイドプーリーのガイド溝に
巻き掛けられた後垂下し、垂下した該ワイヤロー
プの先端部にホルダが接続され、該ホルダに種結
晶が保持され、チヨクラルスキー法に基づいて該
ワイヤロープを引き上げることにより該種結晶に
連続して育成される単結晶棒の荷重を、該ガイド
プーリーを介しストレインゲージで受けて測定す
る結晶棒引上荷重測定装置であつて、該ガイドプ
ーリーのガイド溝の横断面の一部形状を、該ワイ
ヤロープに外接する円の半円に略等しくしたこと
を特徴としている。
ープの基端側が巻回され、該巻胴から引き出され
た該ワイヤロープがガイドプーリーのガイド溝に
巻き掛けられた後垂下し、垂下した該ワイヤロー
プの先端部にホルダが接続され、該ホルダに種結
晶が保持され、チヨクラルスキー法に基づいて該
ワイヤロープを引き上げることにより該種結晶に
連続して育成される単結晶棒の荷重を、該ガイド
プーリーを介しストレインゲージで受けて測定す
る結晶棒引上荷重測定装置であつて、該ガイドプ
ーリーのガイド溝の横断面の一部形状を、該ワイ
ヤロープに外接する円の半円に略等しくしたこと
を特徴としている。
[実施例]
図面に基づいて本発明の実施例を説明する。第
1図は結晶棒支持回転部の平面図であり、第2図
は第1図の−線一部断面図である。
1図は結晶棒支持回転部の平面図であり、第2図
は第1図の−線一部断面図である。
基板10には、支柱12,14,16が互いに
中心角120゜をなして立設されている。支柱12,
14は同一高さであり、これらの上端面には皿状
の凹部18,19が形成されている。支柱16の
高さは支柱12,14よりも少し低い。支柱16
の上端面にはストレインゲージの一種である電気
抵抗線ひずみ計を用いたロードセル20が固着さ
れており、ロードセル20の上端面は支柱12,
14の上端面と同一高さになつている。このロー
ドセル20の上端面にも、荷重を受ける凹部21
が形成されている。
中心角120゜をなして立設されている。支柱12,
14は同一高さであり、これらの上端面には皿状
の凹部18,19が形成されている。支柱16の
高さは支柱12,14よりも少し低い。支柱16
の上端面にはストレインゲージの一種である電気
抵抗線ひずみ計を用いたロードセル20が固着さ
れており、ロードセル20の上端面は支柱12,
14の上端面と同一高さになつている。このロー
ドセル20の上端面にも、荷重を受ける凹部21
が形成されている。
一方、天板22の下面各角部には、同一形状の
脚24,26,28が立設されており、その各先
端がそれぞれ、凹部18,19,21の中央に載
置されている。
脚24,26,28が立設されており、その各先
端がそれぞれ、凹部18,19,21の中央に載
置されている。
天板22には、一つの頂点と重心とを通る線の
方向を長手方向とする開口30が刳り貫かれてい
る。この開口30の長辺に沿つて、天板22の下
面にブラケツト32,33が突設され、ブラケツ
ト32,33にガイドプーリー34が軸支されて
いる。
方向を長手方向とする開口30が刳り貫かれてい
る。この開口30の長辺に沿つて、天板22の下
面にブラケツト32,33が突設され、ブラケツ
ト32,33にガイドプーリー34が軸支されて
いる。
基板10上には、図示しないモータによつて回
転駆動される巻胴36が固設されている。この巻
胴36の外周面には図示しない螺旋溝が刻設され
ており、この螺旋溝に沿つてワイヤロープ38が
巻回されている。ワイヤロープ38は、巻胴36
から巻き出され、ガイドプーリー34の外周面に
刻設されたガイド溝40に巻き掛けられた後、垂
下され、基板10の中心に固着されたガイドブシ
ユ42に挿通されている。
転駆動される巻胴36が固設されている。この巻
胴36の外周面には図示しない螺旋溝が刻設され
ており、この螺旋溝に沿つてワイヤロープ38が
巻回されている。ワイヤロープ38は、巻胴36
から巻き出され、ガイドプーリー34の外周面に
刻設されたガイド溝40に巻き掛けられた後、垂
下され、基板10の中心に固着されたガイドブシ
ユ42に挿通されている。
このワイヤロープ38の下端には、ホルダ44
を介して種結晶46が保持されており、種結晶4
6が図示しない下方の原料融液に浸けられた後、
引き上げられて結晶棒48が製造される。
を介して種結晶46が保持されており、種結晶4
6が図示しない下方の原料融液に浸けられた後、
引き上げられて結晶棒48が製造される。
巻胴36は、回転駆動されるとともに、周知の
構成によりその軸方向へも駆動され、巻胴36と
ガイドプーリー34との間のワイヤロープ38は
常に鉛直方向になつている。また、結晶育成中に
おいては、基板10は、その中心の回りに回転さ
れ、これによつて、結晶棒48がその軸を中心と
して回転される。
構成によりその軸方向へも駆動され、巻胴36と
ガイドプーリー34との間のワイヤロープ38は
常に鉛直方向になつている。また、結晶育成中に
おいては、基板10は、その中心の回りに回転さ
れ、これによつて、結晶棒48がその軸を中心と
して回転される。
次に、ガイド溝40及びこれに嵌入されるワイ
ヤロープ38について詳説する。
ヤロープ38について詳説する。
第3〜6図において、ワイヤロープ38は4本
のストランドa,b,c,dから構成されてお
り、各スランドa,b,c,dは図示しないN本
のストランドにより構成され、さらに各ストラン
ドは図示しないM本の素線により構成されてい
る。以下、このようなワイヤロープ38を4×N
×Mのワイヤロープと称す。
のストランドa,b,c,dから構成されてお
り、各スランドa,b,c,dは図示しないN本
のストランドにより構成され、さらに各ストラン
ドは図示しないM本の素線により構成されてい
る。以下、このようなワイヤロープ38を4×N
×Mのワイヤロープと称す。
従来では、第5図及び第6図に示す如く、横断
面半円形のガイド溝40Aにワイヤロープ38が
嵌入されていた。ガイド溝40Aの直径Aは、結
晶棒48の回転中に垂下しているワイヤロープ3
8が揺れてガイド溝40Aの縁に当たらないよう
にするため、ワイヤロープ38に外接する外接円
50の直径Dよりも充分大きい。例えば、D=
1.8mmに対し、A=2.4mmであつた。このようなガ
イド溝40Aが刻設されたガイドプーリー34を
用いて、ロードセル20の出力値をチヤート紙に
記録すると、第7図に示すような結果が得られ
た。
面半円形のガイド溝40Aにワイヤロープ38が
嵌入されていた。ガイド溝40Aの直径Aは、結
晶棒48の回転中に垂下しているワイヤロープ3
8が揺れてガイド溝40Aの縁に当たらないよう
にするため、ワイヤロープ38に外接する外接円
50の直径Dよりも充分大きい。例えば、D=
1.8mmに対し、A=2.4mmであつた。このようなガ
イド溝40Aが刻設されたガイドプーリー34を
用いて、ロードセル20の出力値をチヤート紙に
記録すると、第7図に示すような結果が得られ
た。
ところが、第3図及び第4図に示すような形状
のガイド溝40が刻設されたガイドプーリー34
を用いてロードセル20の出力値をチヤート紙に
記録すると、第8図に示すような結果が得られ
た。
のガイド溝40が刻設されたガイドプーリー34
を用いてロードセル20の出力値をチヤート紙に
記録すると、第8図に示すような結果が得られ
た。
ここで、第7〜8図では、4×7×19のワイヤ
ロープ38が用いられた。また、ワイヤロープ3
8の引き上げ速度は1mm/minである。さらに、
第7〜8図では、基板10の回転により生ずる短
周期かつ小振幅のノイズが省略されているが、こ
のノイズはローパスフイルターを通すことにより
電気的に除くことができるので問題はない。
ロープ38が用いられた。また、ワイヤロープ3
8の引き上げ速度は1mm/minである。さらに、
第7〜8図では、基板10の回転により生ずる短
周期かつ小振幅のノイズが省略されているが、こ
のノイズはローパスフイルターを通すことにより
電気的に除くことができるので問題はない。
第7図と第8図を比較すると、ガイド溝40の
横断面形状により連続的波状ノイズの出方が大き
く異なり、ガイド溝40Aよりガイド溝40の方
がノイズが大分小さいことが分かる。
横断面形状により連続的波状ノイズの出方が大き
く異なり、ガイド溝40Aよりガイド溝40の方
がノイズが大分小さいことが分かる。
第3図及び第4図に示すガイド溝40の横断面
形状PQRSTのうち、底部のQRSは半円であり、
その直径は外接円50の直径Dと略同一である。
このため、ワイヤロープ38が、基板10の回転
に伴いこの回転に遅れた後不連続的にその中心C
の回りに急回転しても、中心Cとガイド溝40の
中央底点Rとの間の距離は略一定である。これに
対し、第6図及び第7図に示す場合では、ワイヤ
ロープ38がその中心Cの回りに回転すると、中
心Cと中央点Rの距離が最大Δ変化し、結晶棒4
8が僅かであるが急降下する。
形状PQRSTのうち、底部のQRSは半円であり、
その直径は外接円50の直径Dと略同一である。
このため、ワイヤロープ38が、基板10の回転
に伴いこの回転に遅れた後不連続的にその中心C
の回りに急回転しても、中心Cとガイド溝40の
中央底点Rとの間の距離は略一定である。これに
対し、第6図及び第7図に示す場合では、ワイヤ
ロープ38がその中心Cの回りに回転すると、中
心Cと中央点Rの距離が最大Δ変化し、結晶棒4
8が僅かであるが急降下する。
また、結晶棒48の偏心回転によりワイヤロー
プ38が揺れたり、ワイヤロープ38の回転速度
が乱れりするため、ガイド溝40Aの場合には、
ワイヤロープ38の中心Cがガイド溝40Aの横
断面対称軸(中央底点Rを通る軸)上から一時的
にずれ、その後静止摩擦力に打ち勝つて不連続的
に該対称軸上にに戻つたりする。しかし、ガイド
溝40の場合にはこのようなことがない。
プ38が揺れたり、ワイヤロープ38の回転速度
が乱れりするため、ガイド溝40Aの場合には、
ワイヤロープ38の中心Cがガイド溝40Aの横
断面対称軸(中央底点Rを通る軸)上から一時的
にずれ、その後静止摩擦力に打ち勝つて不連続的
に該対称軸上にに戻つたりする。しかし、ガイド
溝40の場合にはこのようなことがない。
本発明者は、各種実験により、上記Δ及びワイ
ヤロープ38のずれが連続的波状ノイズの原因に
なつていることを発見した。
ヤロープ38のずれが連続的波状ノイズの原因に
なつていることを発見した。
ガイド溝40の側面上部であるPQ及びSTは、
直線QSに垂直な線に対し開口幅が広くなる方向
へθ゜傾斜している。このθの値は、例えば7.5で
ある。また、P,Tより上側はアールがつけられ
ている。したがつて、このアール部分を含めたガ
イド溝40の開口幅は、ガイド溝40Aの開口幅
Aに略等しくなつている。ガイド溝40の深さ
は、角θの値に応じて決定される。
直線QSに垂直な線に対し開口幅が広くなる方向
へθ゜傾斜している。このθの値は、例えば7.5で
ある。また、P,Tより上側はアールがつけられ
ている。したがつて、このアール部分を含めたガ
イド溝40の開口幅は、ガイド溝40Aの開口幅
Aに略等しくなつている。ガイド溝40の深さ
は、角θの値に応じて決定される。
次に、ガイド溝40が刻設されたガイドプーリ
ー34及び19×19×1のワイヤロープ38を用い
てロードセル20の出力値をチヤートに記録した
ところ、第9図に示す如く、連続的波状ノイズが
極めて小さくなつた。
ー34及び19×19×1のワイヤロープ38を用い
てロードセル20の出力値をチヤートに記録した
ところ、第9図に示す如く、連続的波状ノイズが
極めて小さくなつた。
以上のことから、ガイド溝40の一部を外接円
50の半円に略一致させると連続的波状ノイズが
小さくなり、さらにストランドの本数を多くして
ワイヤロープ38の包絡線を円形に近付ける程連
続的波状ノイズが小さくなることがわかる。
50の半円に略一致させると連続的波状ノイズが
小さくなり、さらにストランドの本数を多くして
ワイヤロープ38の包絡線を円形に近付ける程連
続的波状ノイズが小さくなることがわかる。
しかし、上記19×19×1のワイヤロープのよう
にストランドの本数が多いと、結晶棒48を回転
させながら、すなわちワイヤロープを回転させな
ら引き上げるという特珠な使用条件の下では、使
用中にワイヤロープの縒が戻つて円滑な結晶棒4
8の回転が困難になるので、ストランドの本数に
は、ワイヤロープの回転速度及び結晶棒48の最
大重量に応じた限度がある。
にストランドの本数が多いと、結晶棒48を回転
させながら、すなわちワイヤロープを回転させな
ら引き上げるという特珠な使用条件の下では、使
用中にワイヤロープの縒が戻つて円滑な結晶棒4
8の回転が困難になるので、ストランドの本数に
は、ワイヤロープの回転速度及び結晶棒48の最
大重量に応じた限度がある。
なお、上記実施例ではガイドプーリー34を用
いた場合を説明したが、本発明はこれを用いず
に、巻胴36から直接ワイヤロープ38を巻き出
して垂下させてもよい。この場合には、請求の範
囲に記載されたガイド溝は、巻胴36の外周面に
刻設された螺旋溝である。
いた場合を説明したが、本発明はこれを用いず
に、巻胴36から直接ワイヤロープ38を巻き出
して垂下させてもよい。この場合には、請求の範
囲に記載されたガイド溝は、巻胴36の外周面に
刻設された螺旋溝である。
また、上記実施例では天板22を3点で支持し
た場合を説明したが、円筒状の部材により1面で
支持しても、または4点以上で支持してもよい。
しかし、力学的な安定性及び機械的精度上、3点
支持が好ましい。
た場合を説明したが、円筒状の部材により1面で
支持しても、または4点以上で支持してもよい。
しかし、力学的な安定性及び機械的精度上、3点
支持が好ましい。
また、上記実施例では天板22の3点の支持点
の内、1点をロードセルで支持した場合を説明し
たが、多点をロードセルで支持してもよい。この
場合、引き上げ荷重が各々のロードセルに分散さ
れるので、1点の場合よりも測定精度が向上す
る。
の内、1点をロードセルで支持した場合を説明し
たが、多点をロードセルで支持してもよい。この
場合、引き上げ荷重が各々のロードセルに分散さ
れるので、1点の場合よりも測定精度が向上す
る。
さらに、上記実施例ではストレインゲージの一
種である電気抵抗線ひずみ計を用いた場合を説明
したが、本発明は、光学式、電気容量式または磁
歪式等のストレインゲージを用いてもよい。
種である電気抵抗線ひずみ計を用いた場合を説明
したが、本発明は、光学式、電気容量式または磁
歪式等のストレインゲージを用いてもよい。
また、引き上げられる単結晶棒はCZ法により
育成されるものであればよく、本発明はシリコン
半導体製造装置、化合物半導体製造装置のみなら
ず、あらゆる単結晶棒の製造装置に適用すること
ができる。
育成されるものであればよく、本発明はシリコン
半導体製造装置、化合物半導体製造装置のみなら
ず、あらゆる単結晶棒の製造装置に適用すること
ができる。
[発明の効果]
本発明に係る結晶棒引上荷重測定装置では、垂
下するワイヤロープの基端側が巻き掛けられるガ
イドプーリーのガイド溝の横断面の一部形状を、
該ワイヤロープに外接する円の半円に略等しくし
ているので、ワイヤロープの回転角によらずワイ
ヤロープの横断面中心の位置が略一定になり、ワ
イヤロープにより引き上げられる単結晶棒の荷重
を、ストレインゲージを用いて精度よく測定する
ことができるという優れた効果がある。
下するワイヤロープの基端側が巻き掛けられるガ
イドプーリーのガイド溝の横断面の一部形状を、
該ワイヤロープに外接する円の半円に略等しくし
ているので、ワイヤロープの回転角によらずワイ
ヤロープの横断面中心の位置が略一定になり、ワ
イヤロープにより引き上げられる単結晶棒の荷重
を、ストレインゲージを用いて精度よく測定する
ことができるという優れた効果がある。
第1〜4,8及び9図は本発明の実施例に係
り、第1図はロードセルを備えた結晶棒支持回転
部の平面図、第2図は第1図の−線一部断面
図、第3図及び第4図はガイドプーリー34の外
周面に刻設されたワイヤロープ38が嵌入された
ガイド溝40の横断面拡大図、第8図及び第9図
は時間に対するロードセル20の検出値の線図で
ある。第5〜7図は従来例に係り、第5図及び第
6図はガイドプーリー34の外周面に刻設されワ
イヤロープ38が嵌入されたガイド溝40Aの横
断面拡大図、第7図は時間に対するロードセル2
0の検出値の線図である。 20……ロードセル、34……ガイドプーリ
ー、36……巻胴、38……ワイヤロープ、40
……ガイド溝、42……ガイドブシユ、44……
ホルダ、46……種結晶、48……結晶棒、50
……外接円、a〜d……ストランド。
り、第1図はロードセルを備えた結晶棒支持回転
部の平面図、第2図は第1図の−線一部断面
図、第3図及び第4図はガイドプーリー34の外
周面に刻設されたワイヤロープ38が嵌入された
ガイド溝40の横断面拡大図、第8図及び第9図
は時間に対するロードセル20の検出値の線図で
ある。第5〜7図は従来例に係り、第5図及び第
6図はガイドプーリー34の外周面に刻設されワ
イヤロープ38が嵌入されたガイド溝40Aの横
断面拡大図、第7図は時間に対するロードセル2
0の検出値の線図である。 20……ロードセル、34……ガイドプーリ
ー、36……巻胴、38……ワイヤロープ、40
……ガイド溝、42……ガイドブシユ、44……
ホルダ、46……種結晶、48……結晶棒、50
……外接円、a〜d……ストランド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 モータで回転される巻胴にワイヤロープの基
端側が巻回され、該巻胴から引き出された該ワイ
ヤロープがガイドプーリーのガイド溝に巻き掛け
られた後垂下し、垂下した該ワイヤロープの先端
部にホルダが接続され、該ホルダに種結晶が保持
され、チヨクラルスキー法に基づいて該ワイヤロ
ープを引き上げることにより該種結晶に連続して
育成される単結晶棒の荷重を、該ガイドプーリー
を介しストレインゲージで受けて測定する結晶棒
引上荷重測定装置であつて、 該ガイドプーリーのガイド溝の横断面の一部形
状を、該ワイヤロープに外接する円の半円に略等
しくしたことを特徴とする結晶棒引上荷重測定装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62204843A JPS6447914A (en) | 1987-08-18 | 1987-08-18 | Apparatus for measuring crystal-rod lifting load |
| US07/230,777 US4916955A (en) | 1987-08-18 | 1988-08-10 | Crystal ingot lifting load measuring device |
| DE88113104T DE3881606T2 (de) | 1987-08-18 | 1988-08-12 | Vorrichtung zur Messung der Last der Kristallstangenziehung. |
| EP88113104A EP0303977B1 (en) | 1987-08-18 | 1988-08-12 | Crystal ingot lifting load measuring device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62204843A JPS6447914A (en) | 1987-08-18 | 1987-08-18 | Apparatus for measuring crystal-rod lifting load |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6447914A JPS6447914A (en) | 1989-02-22 |
| JPH0519087B2 true JPH0519087B2 (ja) | 1993-03-15 |
Family
ID=16497312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62204843A Granted JPS6447914A (en) | 1987-08-18 | 1987-08-18 | Apparatus for measuring crystal-rod lifting load |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0303977B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6447914A (ja) |
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-
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- 1988-08-12 DE DE88113104T patent/DE3881606T2/de not_active Expired - Fee Related
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