JPH0519089B2 - - Google Patents
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- JPH0519089B2 JPH0519089B2 JP28627387A JP28627387A JPH0519089B2 JP H0519089 B2 JPH0519089 B2 JP H0519089B2 JP 28627387 A JP28627387 A JP 28627387A JP 28627387 A JP28627387 A JP 28627387A JP H0519089 B2 JPH0519089 B2 JP H0519089B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vibrating
- epitaxial layer
- vibrating beam
- silicon
- strain sensor
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、基板に形成された振動梁の測定圧力
などに対応した歪みを周波数信号として検出する
振動形歪センサに係り、特に初期張力が加えられ
た振動梁を持つ振動形歪センサに関する。
などに対応した歪みを周波数信号として検出する
振動形歪センサに係り、特に初期張力が加えられ
た振動梁を持つ振動形歪センサに関する。
〈従来の技術〉
弦振動を用いた振動形歪センサは、例えば特開
昭54−56880号「振動線装置」に開示されている。
昭54−56880号「振動線装置」に開示されている。
ここに開示されているのは、差圧をダイアフラ
ムで受けて振動線に加わる張力の変化から差圧を
検出する場合に、この振動線に初期張力を与える
ために振動線を取り囲む一対の平坦で相互接続さ
れたワツシヤ状のゼロばねを用いて振動線を引張
る構成を取り、さらに張力の温度による変化を防
ぐ為に材料の膨脹係数の差を利用している。
ムで受けて振動線に加わる張力の変化から差圧を
検出する場合に、この振動線に初期張力を与える
ために振動線を取り囲む一対の平坦で相互接続さ
れたワツシヤ状のゼロばねを用いて振動線を引張
る構成を取り、さらに張力の温度による変化を防
ぐ為に材料の膨脹係数の差を利用している。
また、半導体を用いた振動形歪センサは、例え
ば特願昭59−42632号「圧力センサ」に開示され
ている。
ば特願昭59−42632号「圧力センサ」に開示され
ている。
この振動形歪センサについて、第７図から第９
図を用いてその概要を説明する。
図を用いてその概要を説明する。
第７図はこの従来の振動形歪センサのカバーを
とつた構成を示す斜視図、第８図は第９図におけ
るＸ−Ｘ断面におけるカバーをつけた断面図、第
７図は一部を省略した平面図である。
とつた構成を示す斜視図、第８図は第９図におけ
るＸ−Ｘ断面におけるカバーをつけた断面図、第
７図は一部を省略した平面図である。
これ等の図において、１は円筒状のシリコン基
板であり、２はこのシリコン基板１の中央を掘つ
て薄肉部を形成して測定圧力Pmを受ける受圧部
とした受圧ダイアフラムであり、例えばシリコン
基板１をエツチングして作られる。
板であり、２はこのシリコン基板１の中央を掘つ
て薄肉部を形成して測定圧力Pmを受ける受圧部
とした受圧ダイアフラムであり、例えばシリコン
基板１をエツチングして作られる。
３，４は受圧ダイアフラム２の上に形成され、
両端がシリコン基板１に固定された振動梁であ
り、振動梁３は受圧ダイアフラム２のほぼ中央部
に、振動梁４は受圧ダイアフラム２の周辺部にそ
れぞれ位置している。
両端がシリコン基板１に固定された振動梁であ
り、振動梁３は受圧ダイアフラム２のほぼ中央部
に、振動梁４は受圧ダイアフラム２の周辺部にそ
れぞれ位置している。
これ等の振動梁３，４は、具体的には例えばｎ
形シリコン基板１の上に第１のP+形エピタキシ
ヤル層を形成し、その中央部を切込んで電気的に
左右を分離し、この上にｎ形エピタキシヤル層を
形成した後、さらにP+形エピタキシヤル層を形
成してこの上を酸化膜SiO2で保護する。そして
振動梁３の下部の空洞部５はこのｎ形エピタキシ
ヤル層をアンダーエツチングで形成する。
形シリコン基板１の上に第１のP+形エピタキシ
ヤル層を形成し、その中央部を切込んで電気的に
左右を分離し、この上にｎ形エピタキシヤル層を
形成した後、さらにP+形エピタキシヤル層を形
成してこの上を酸化膜SiO2で保護する。そして
振動梁３の下部の空洞部５はこのｎ形エピタキシ
ヤル層をアンダーエツチングで形成する。
このようにして形成された振動梁３は、例えば
長さをｌ、厚さをｈ、幅をｄとすれば、ｌ＝
10μm、ｈ＝1μm、ｄ＝5μmの程度の大きさであ
る。
長さをｌ、厚さをｈ、幅をｄとすれば、ｌ＝
10μm、ｈ＝1μm、ｄ＝5μmの程度の大きさであ
る。
受圧ダイアフラム２の上に形成された振動梁３
の周囲は、例えばシリコンのカバー６を受圧ダイ
アフラム２に陽極接合などで接合して覆い、この
内部空間７を真空状態に保持する。なお、図示し
ていないが振動梁４側も同じ様に形成する。
の周囲は、例えばシリコンのカバー６を受圧ダイ
アフラム２に陽極接合などで接合して覆い、この
内部空間７を真空状態に保持する。なお、図示し
ていないが振動梁４側も同じ様に形成する。
この振動梁３、カバー６、空洞部５、内部空間
７などで振動形トランスデユーサの検出部Ｄを形
成している。
７などで振動形トランスデユーサの検出部Ｄを形
成している。
以上の構成において、第２のP+形エピタキシ
ヤル層である振動梁３，４に対して第１の左右の
P+形エピタキシヤル層の間に発振回路を接続し
て発振を起こさせると、振動梁３，４はその固有
振動数で自励発振を起こす。
ヤル層である振動梁３，４に対して第１の左右の
P+形エピタキシヤル層の間に発振回路を接続し
て発振を起こさせると、振動梁３，４はその固有
振動数で自励発振を起こす。
この場合、カバー６の内部空間７が真空状態に
され振動梁３が真空の中に保持されるので、共振
の鋭さを示すＱ値が大きくなり、共振周波数の検
出が容易となる。
され振動梁３が真空の中に保持されるので、共振
の鋭さを示すＱ値が大きくなり、共振周波数の検
出が容易となる。
第８図に示すように測定圧力Pmが受圧ダイア
フラム２に印加されると振動梁３は引張応力、振
動梁４は圧縮応力を受ける。
フラム２に印加されると振動梁３は引張応力、振
動梁４は圧縮応力を受ける。
したがつて、振動梁３と４の固有振動数は測定
圧力に対して差動的に変化し、これ等の差を演算
することによつて、２倍の感度で測定圧力Pmを
知ることができる。
圧力に対して差動的に変化し、これ等の差を演算
することによつて、２倍の感度で測定圧力Pmを
知ることができる。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、この様な従来の振動形歪センサ
は、前者の機械式の振動形歪センサでは複雑な張
力印加の構造をとりさらに張力の安定度を保持す
るために多くの要素を制御しなければならず、後
者の半導体式の振動形歪センサでは前者の機械式
の振動形歪センサに比べてその構成が簡単になつ
ているが初期張力を保持するために格別の対策は
講じられていないので、圧力に対する感度がバラ
ツクという欠点がある。また、圧縮歪みに対して
は座屈を生じる欠点がある。
は、前者の機械式の振動形歪センサでは複雑な張
力印加の構造をとりさらに張力の安定度を保持す
るために多くの要素を制御しなければならず、後
者の半導体式の振動形歪センサでは前者の機械式
の振動形歪センサに比べてその構成が簡単になつ
ているが初期張力を保持するために格別の対策は
講じられていないので、圧力に対する感度がバラ
ツクという欠点がある。また、圧縮歪みに対して
は座屈を生じる欠点がある。
〈問題点を解決するための手段〉
この発明は、以上の問題点を解決するため、両
端が半導体の基板に固定された半導体の振動梁の
共振周波数を測定することによりこの振動梁の両
端に加えられた歪みを測定する振動形歪センサに
おいて、この基板を構成する主な原子の共有結合
半径と異なる共有結合半径を持つ他の原子をこの
基板に混入させ振動梁に初期張力を与えるように
したものである。
端が半導体の基板に固定された半導体の振動梁の
共振周波数を測定することによりこの振動梁の両
端に加えられた歪みを測定する振動形歪センサに
おいて、この基板を構成する主な原子の共有結合
半径と異なる共有結合半径を持つ他の原子をこの
基板に混入させ振動梁に初期張力を与えるように
したものである。
〈作用〉
基板を構成する主な原子の共有結合半径と異な
る共有結合半径を持つ他の原子をこの基板に混入
させて基板に両端が接合された振動梁に初期張力
を与え、所定の感度を維持する。
る共有結合半径を持つ他の原子をこの基板に混入
させて基板に両端が接合された振動梁に初期張力
を与え、所定の感度を維持する。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例について図面に基づいて
説明する。第１図は本発明の１実施例を示す構成
図であり、第１図イはその縦断面図、第１図ロは
イにおけるＹ−Ｙ断面を示す横断面図である。
説明する。第１図は本発明の１実施例を示す構成
図であり、第１図イはその縦断面図、第１図ロは
イにおけるＹ−Ｙ断面を示す横断面図である。
８はシリコン基板であり、断面が矩形状のシリ
コンの振動梁９はこのシリコン基板８の両端に固
定され、この両端を除いてシリコン基板８とは所
定の間隔を保持して固定されている。このシリコ
ン基板８は、振動梁９に混入された所定の共有結
合半径を持つ原子に対して小さい共有結合半径を
持つ他の原子を混入させて振動梁９に初期張力が
与えられている。
コンの振動梁９はこのシリコン基板８の両端に固
定され、この両端を除いてシリコン基板８とは所
定の間隔を保持して固定されている。このシリコ
ン基板８は、振動梁９に混入された所定の共有結
合半径を持つ原子に対して小さい共有結合半径を
持つ他の原子を混入させて振動梁９に初期張力が
与えられている。
この振動梁９の上はシリコンのシエル１０で覆
われて中空室１１が形成され、この中は真空に保
持されている。
われて中空室１１が形成され、この中は真空に保
持されている。
シリコン基板の底部には永久磁石１２が固定さ
れ振動梁９に直流磁束φを印加し、振動梁９の振
動が電気的に検出できるようになつている。
れ振動梁９に直流磁束φを印加し、振動梁９の振
動が電気的に検出できるようになつている。
第２図は第１図における振動形歪センサの要部
を拡大して示す製造工程の説明図である。
を拡大して示す製造工程の説明図である。
１３はホウ素Ｂの濃度が1017cm-3の程度のＰ形
のシリコンの保持基板である。
のシリコンの保持基板である。
まづ、この上に1020cm-3のホウ素と５×1020cm
-3以上のゲルマニウム（Ge）をドープしたP+形
のシリコンのエピタキシヤル層を第１エピタキシ
ヤル層１４として形成する。
-3以上のゲルマニウム（Ge）をドープしたP+形
のシリコンのエピタキシヤル層を第１エピタキシ
ヤル層１４として形成する。
次に、この第１エピタキシヤル層１４に上にさ
らにリン（Ｐ）を1018cm-3ドープしたＮ形のシリ
コンのエピタキシヤル層を第２エピタキシヤル層
１５として形成する。
らにリン（Ｐ）を1018cm-3ドープしたＮ形のシリ
コンのエピタキシヤル層を第２エピタキシヤル層
１５として形成する。
第３に、この第２エピタキシヤル層１５の上に
長方形状に不純物拡散、イオン注入、選択エピタ
キシヤルなどによつて1020cm-3のホウ素をドープ
したP+形の振動梁９となる梁領域１６を形成す
る。
長方形状に不純物拡散、イオン注入、選択エピタ
キシヤルなどによつて1020cm-3のホウ素をドープ
したP+形の振動梁９となる梁領域１６を形成す
る。
第４に、この梁領域１６の周辺部をエツチング
する際のマスクとして熱硬化膜（SiO2）１７を
形成し、その後フオトリソによつて窓１８を開け
る。
する際のマスクとして熱硬化膜（SiO2）１７を
形成し、その後フオトリソによつて窓１８を開け
る。
以上のようにして第２図イに示すエツチング前
の中間工程を終る。
の中間工程を終る。
次に、第２図ロに示すエツチング工程に進む。
第２図イに示す中間工程で得た半製品をアルカリ
液の中に浸してエツチングすると、ホウ素の濃度
が1020cm-3の梁領域１６とP+の第１エピタキシヤ
ル層１４（底面）はアルカリ液でエツチングされ
ないので、振動梁９は図示のような矩形状の両端
を除いて周囲と離間して形成される。
第２図イに示す中間工程で得た半製品をアルカリ
液の中に浸してエツチングすると、ホウ素の濃度
が1020cm-3の梁領域１６とP+の第１エピタキシヤ
ル層１４（底面）はアルカリ液でエツチングされ
ないので、振動梁９は図示のような矩形状の両端
を除いて周囲と離間して形成される。
さらに、保持基板１３の部分は裏側からエツチ
ングすると除去され、第１エピタキシヤル層１４
と第２エピタキシヤル層１５の厚さを加えた厚さ
を持つシリコン基板８を得ることができる。
ングすると除去され、第１エピタキシヤル層１４
と第２エピタキシヤル層１５の厚さを加えた厚さ
を持つシリコン基板８を得ることができる。
このシリコン基板８は永久磁石１２を除去して
別の位置に設けることによつて差圧などを検出す
るダイヤフラムとして用いることもできる。
別の位置に設けることによつて差圧などを検出す
るダイヤフラムとして用いることもできる。
振動梁９には振動形歪センサに例えば測定圧力
Pmが印加されたときに振動梁９が座屈を引き起
こさないように初期張力を付与しておく必要があ
るが、以上の構成により振動梁９に初期張力が付
与される点について次に説明する。
Pmが印加されたときに振動梁９が座屈を引き起
こさないように初期張力を付与しておく必要があ
るが、以上の構成により振動梁９に初期張力が付
与される点について次に説明する。
第３図は各種の不純物の共有結合半径Riとシ
リコンの共有結合半径Rsiに対する各種の不純物
の共有結合半径Ri／Rsiの関係を現している。第
４図は不純物の濃度に対する格子定数の変化を示
している。これ等の図からシリコン（Si）の共有
結合半径1.17Åに対してリン（Ｐ）は1.10Å、ホ
ウ素（Ｂ）は0.88Åとシリコンよりも小さく、ゲ
ルマニウム（Ge）は1.22Åとシリコンよりも大
きいことが判る。
リコンの共有結合半径Rsiに対する各種の不純物
の共有結合半径Ri／Rsiの関係を現している。第
４図は不純物の濃度に対する格子定数の変化を示
している。これ等の図からシリコン（Si）の共有
結合半径1.17Åに対してリン（Ｐ）は1.10Å、ホ
ウ素（Ｂ）は0.88Åとシリコンよりも小さく、ゲ
ルマニウム（Ge）は1.22Åとシリコンよりも大
きいことが判る。
従つて、これ等のドーパントとシリコンの共有
結半径の濃度に対する加重平均をとると、その部
分の共有結合半径が算出され、この値の異なる２
つの層が接触することによつて歪みが生じること
になる。例えば、ホウ素或いはリンがシリコンの
中に注入されるとこの部分は縮むが、その縮みの
程度は、第４図から例えばホウ素が1020cm-3の濃
度の場合の格子定数の変化は２×10-3Åであり、
一方シリコンの格子定数は5.431Åであるので約
４×10-4（＝２×10-3／5.431）の縮みとなる。４
×10-4以上の縮みを与えるには、注入量に比例し
てホウ素を注入すれば良い。
結半径の濃度に対する加重平均をとると、その部
分の共有結合半径が算出され、この値の異なる２
つの層が接触することによつて歪みが生じること
になる。例えば、ホウ素或いはリンがシリコンの
中に注入されるとこの部分は縮むが、その縮みの
程度は、第４図から例えばホウ素が1020cm-3の濃
度の場合の格子定数の変化は２×10-3Åであり、
一方シリコンの格子定数は5.431Åであるので約
４×10-4（＝２×10-3／5.431）の縮みとなる。４
×10-4以上の縮みを与えるには、注入量に比例し
てホウ素を注入すれば良い。
以上の点を考慮すれば、梁領域１６にはホウ素
が1020cm-3ドーピングされているので、格子は非
常に縮んでいる。一方、第２エピタキシヤル層１
５はリンが1018cm-3程度ドーピングされているの
で、梁領域１６より縮み方が小さく、このため梁
領域１６に引張り歪みを生じさせている。しか
し、第２エピタキシヤル層１５はP+である第１
エピタキシヤル層１４の上に形成されたエピタキ
シヤル層なので、第１エピタキシヤル層１４の影
響を受ける。もし、第１エピタキシヤル層１４が
ホウ素のみでドープされた層であれば、この層の
格子は梁領域１６と同様に縮み、従つて第２エピ
タキシヤル層１５も圧縮され梁領域１６に十分な
張力が生じなくなる。このため、P+である第１
エピタキシヤル層１４にシリコンよりも共有結合
半径の大きいゲルマニウムを同時にドープして格
子を拡げて張力が緩和されないようにする。
が1020cm-3ドーピングされているので、格子は非
常に縮んでいる。一方、第２エピタキシヤル層１
５はリンが1018cm-3程度ドーピングされているの
で、梁領域１６より縮み方が小さく、このため梁
領域１６に引張り歪みを生じさせている。しか
し、第２エピタキシヤル層１５はP+である第１
エピタキシヤル層１４の上に形成されたエピタキ
シヤル層なので、第１エピタキシヤル層１４の影
響を受ける。もし、第１エピタキシヤル層１４が
ホウ素のみでドープされた層であれば、この層の
格子は梁領域１６と同様に縮み、従つて第２エピ
タキシヤル層１５も圧縮され梁領域１６に十分な
張力が生じなくなる。このため、P+である第１
エピタキシヤル層１４にシリコンよりも共有結合
半径の大きいゲルマニウムを同時にドープして格
子を拡げて張力が緩和されないようにする。
さらに、ゲルマニウムの濃度を上げたり、第２
エピタキシヤル層１５にもゲルマニウムを混入す
れば張力をより大きくすることができる。
エピタキシヤル層１５にもゲルマニウムを混入す
れば張力をより大きくすることができる。
以上のようにして振動梁９に任意の初期張力を
与えることができる。
与えることができる。
第５図は第１図に示す振動形歪センサを励振す
る励振回路と組み合わせた構成を示す全体構成図
である。
る励振回路と組み合わせた構成を示す全体構成図
である。
１９は測定圧力を検出する第１図に示す振動形
歪センサであり、２０は振動形歪センサ１９を励
振してその共振周波数の変化を取り出す励振回路
である。
歪センサであり、２０は振動形歪センサ１９を励
振してその共振周波数の変化を取り出す励振回路
である。
振動形歪センサ１９の振動梁９の両端からはリ
ード線l1，l2が端子T1，T2にそれぞれ引き出され
ている。
ード線l1，l2が端子T1，T2にそれぞれ引き出され
ている。
励振部２０は、中点タツプ付きのトランス２
１、増幅器２２、および比較抵抗２３などで構成
されている。端子T1，T2を介して接続された振
動梁９と比較抵抗２３との直列回路にはトランス
２１の２次巻線n2の電圧が印加されている。
１、増幅器２２、および比較抵抗２３などで構成
されている。端子T1，T2を介して接続された振
動梁９と比較抵抗２３との直列回路にはトランス
２１の２次巻線n2の電圧が印加されている。
さらに、振動梁９及び比較抵抗２３の接続点と
トランス２１の１次巻線n1との間には増幅器２２
が接続されて正帰還がかけられ、その出力端から
端子T3を介して発振周波数を検出する。
トランス２１の１次巻線n1との間には増幅器２２
が接続されて正帰還がかけられ、その出力端から
端子T3を介して発振周波数を検出する。
振動梁９には永久磁石１２から直流磁界φが印
加されているので、第６図に示すように振動梁９
に交流電流ｉが流れると振動梁９に電磁力が働き
振動する。この振動は、中空室１１が真空状態に
保持されているので振動梁９のＱが数百〜数万の
値と高く、共振すると大きな振幅となる。従つ
て、増幅器２２を介してトランス２１に正帰還を
かけると系は振動梁９の歪みにより異なる固有振
動数で自励発振をする。
加されているので、第６図に示すように振動梁９
に交流電流ｉが流れると振動梁９に電磁力が働き
振動する。この振動は、中空室１１が真空状態に
保持されているので振動梁９のＱが数百〜数万の
値と高く、共振すると大きな振幅となる。従つ
て、増幅器２２を介してトランス２１に正帰還を
かけると系は振動梁９の歪みにより異なる固有振
動数で自励発振をする。
シリコン基板８などの周囲から印加される測定
圧力Pmによりシリコン基板８を構成するシリコ
ンSiに固有の体積圧縮率で決定される圧縮歪によ
り振動梁９の軸方向の張力が変化して共振周波数
が変化するので、この発振周波数の変化から
測定圧力Pmを知ることができる。
圧力Pmによりシリコン基板８を構成するシリコ
ンSiに固有の体積圧縮率で決定される圧縮歪によ
り振動梁９の軸方向の張力が変化して共振周波数
が変化するので、この発振周波数の変化から
測定圧力Pmを知ることができる。
以上は、主として振動形歪センサの外側から測
定圧力を加えて振動梁が縮むことにより生じる発
振周波数の相違から歪みを検出する構成として説
明したが、これに限ることはなく例えばダイヤフ
ラムを持つ差圧／圧力センサ、加速度センサなど
に用いることもできる。
定圧力を加えて振動梁が縮むことにより生じる発
振周波数の相違から歪みを検出する構成として説
明したが、これに限ることはなく例えばダイヤフ
ラムを持つ差圧／圧力センサ、加速度センサなど
に用いることもできる。
また、注入する原子はホウ素、リン、ゲルマニ
ウムを例として説明したが、これに限られること
はない。
ウムを例として説明したが、これに限られること
はない。
さらに、振動梁或いはこれを固定する基板の材
質はシリコンに限られることはなく、例えば
GaxIn（1−ｘ）GaAsの振動梁を形成しても張力
が発生する。
質はシリコンに限られることはなく、例えば
GaxIn（1−ｘ）GaAsの振動梁を形成しても張力
が発生する。
〈発明の効果〉
以上、実施例と共に具体的に説明したように本
発明によれば、不純物を制御するだけで任意の大
きさでしかも安定に初期張力を加えることができ
る。
発明によれば、不純物を制御するだけで任意の大
きさでしかも安定に初期張力を加えることができ
る。
第１図は本発明の１実施例の構成を示す構成
図、第２図は第１図に示す振動形歪センサを製造
する工程を説明する説明図、第３図は各種の不純
物の共有結合半径とシリコンの共有結合半径に対
する各種の不純物の共有結合半径の比を示す特性
図、第４図は不純物の濃度に対する格子定数の変
化を示す特性図、第５図は第１図に示す振動形歪
センサを励振する励振回路を示すブロツク図、第
６図は第５図に示す励振状態を説明する説明図、
第７図は従来の振動形圧力センサの構成を示す射
視図、第８図は第７図におけるＸ−Ｘ断面でカバ
ーをつけた断面図、第９図は第８図で一部を省略
して示した平面図である。 １，８…シリコン基板、２…受圧ダイアフラ
ム、３，４，９…振動梁、１１…中空室、１２…
永久磁石、１３…保持基板、１４…第１エピタキ
シヤル層、１５…第２エピタキシヤル層、１６…
梁領域、１９…振動形歪センサ、２０…励振回
路。
図、第２図は第１図に示す振動形歪センサを製造
する工程を説明する説明図、第３図は各種の不純
物の共有結合半径とシリコンの共有結合半径に対
する各種の不純物の共有結合半径の比を示す特性
図、第４図は不純物の濃度に対する格子定数の変
化を示す特性図、第５図は第１図に示す振動形歪
センサを励振する励振回路を示すブロツク図、第
６図は第５図に示す励振状態を説明する説明図、
第７図は従来の振動形圧力センサの構成を示す射
視図、第８図は第７図におけるＸ−Ｘ断面でカバ
ーをつけた断面図、第９図は第８図で一部を省略
して示した平面図である。 １，８…シリコン基板、２…受圧ダイアフラ
ム、３，４，９…振動梁、１１…中空室、１２…
永久磁石、１３…保持基板、１４…第１エピタキ
シヤル層、１５…第２エピタキシヤル層、１６…
梁領域、１９…振動形歪センサ、２０…励振回
路。
Claims (1)
- １ 両端が半導体の基板に固定された半導体の振
動梁の共振周波数を測定することによりこの振動
梁の両端に加えられた歪みを測定する振動形歪セ
ンサにおいて、前記基板を構成する主な原子の共
有結合半径と異なる共有結合半径を持つ他の原子
を前記基板に混入させ前記振動梁に初期張力を与
えることを特徴とする振動形歪センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28627387A JPH01127928A (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 振動形歪センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28627387A JPH01127928A (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 振動形歪センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01127928A JPH01127928A (ja) | 1989-05-19 |
| JPH0519089B2 true JPH0519089B2 (ja) | 1993-03-15 |
Family
ID=17702230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28627387A Granted JPH01127928A (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 振動形歪センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01127928A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4839514B2 (ja) * | 2000-02-21 | 2011-12-21 | 株式会社デンソー | 燃料電池システム |
| CN102374915B (zh) * | 2010-08-06 | 2013-05-22 | 中国科学院电子学研究所 | 一种电磁驱动谐振式微结构压力传感器封装方法 |
| JP5429696B2 (ja) * | 2011-12-02 | 2014-02-26 | 横河電機株式会社 | 振動式トランスデューサの製造方法 |
-
1987
- 1987-11-12 JP JP28627387A patent/JPH01127928A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01127928A (ja) | 1989-05-19 |
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