JPH05190949A - レ−ザ−ダイオ−ド駆動回路 - Google Patents

レ−ザ−ダイオ−ド駆動回路

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JPH05190949A
JPH05190949A JP4003798A JP379892A JPH05190949A JP H05190949 A JPH05190949 A JP H05190949A JP 4003798 A JP4003798 A JP 4003798A JP 379892 A JP379892 A JP 379892A JP H05190949 A JPH05190949 A JP H05190949A
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laser diode
series circuit
circuit
switching element
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Haruo Tanaka
治夫 田中
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Rohm Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】簡単な構成によってレ−ザ−ダイオ−ドを常に
一定の電流で駆動できるようにしたレ−ザ−ダイオ−ド
駆動回路を提供する。 【構成】定電流源１と、該定電流源１に接続された第１
スイッチング素子Ｑ１及びレ−ザ−ダイオ−ドＬＤより
なる第１直列回路５と、前記第１直列回路５と共に差動
回路３を成すように接続された第２スイッチング素子Ｑ
２とインピ−ダンス素子より成る第２直列回路６と、を
備え前記第２スイッチング素子のＯＮ、ＯＦＦによって
前記レ−ザ−ダイオ−ドを駆動するようにしたレ−ザ−
ダイオ−ド駆動回路において、前記インピ−ダンス素子
として前記第１スイッチング素子Ｑ１がＯＮしたときの
前記第１直列回路５のインピ−ダンスと第２スイッチン
グ素子Ｑ２がＯＮしたときの第２直列回路６のインピ−
ダンスがほぼ同一の大きさになるような素子ＬＤ２、
Ｄ、Ｒ’を用いた構成としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレ−ザ−ダイオ−ドの駆
動回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４に従来のこの種の駆動回路を示す。
同図において、１は一端が直流電源ライン２に接続され
た定電流源であって、その他端は差動回路３を介して接
地ライン４に接続されている。差動回路３は第１、第２
直列回路５、６より成っている。第１直列回路５はベ−
スに定電圧Ｅが与えられる第１スイッチングトランジス
タＱ１と、そのエミッタ側に接続されたレ−ザ−ダイオ
−ドＬＤよりなる。
【０００３】一方、第２直列回路６はベ−スに駆動パル
スＰが与えられる第２スイッチングトランジスタＱ２
と、そのエミッタに接続された抵抗Ｒとから成る。駆動
パルスＰは極めてパルス幅の狭いパルスである。このパ
ルスＰの期間は第２スイッチングトランジスタＱ２がＯ
Ｎするため第１スイッチングトランジスタＱ１はＯＦＦ
となり、レ−ザ−ダイオ−ドＬＤはＯＮしない。パルス
Ｐの期間以外は第２スイッチングトランジスタＱ２がＯ
ＦＦで、第１スイッチングトランジスタＱ１がＯＮとな
るので、レ−ザ−ダイオ−ドＬＤはＯＮとなり、レ−ザ
−光が発光される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、定電流源１
の応答速度が差動回路３の応答速度より遅い場合はレ−
ザ−ダイオ−ドＬＤの導通時電圧Ｖｏｐと、抵抗Ｒの両
端電圧Ｖとの値が異なると、レ−ザ−ダイオ−ドＬＤに
対する理想的なパルス駆動ができないという問題が生じ
る。即ち、 Ｖ＜Ｖｏｐ のときは、Ｑ２がＯＮの状態で流れる電流Ｉ2は、Ｑ１
がＯＮのとき流れる電流Ｉ1より大きいが、Ｑ２がＯＦ
ＦとなってＱ１がＯＮになったとき、すぐには定電流源
からの出力電流はＩ1にはならず、当初Ｉ2が流れ、徐々
に減少してＩ1となる。
【０００５】逆に、 Ｖ＞Ｖｏｐ の場合は、Ｉ2＜Ｉ1であるが、Ｑ２がＯＦＦとなってＱ
１がＯＮになったときに定電流源の出力電流はＩ2から
徐々に増加してＩ1になる。図５はこれらの場合の様子
を示しており、図中Ｉ2は前者の場合を、またＩ2’は後
者の場合を示している。
【０００６】このように、レ−ザ−ダイオ−ドＬＤに流
れる電流は一定でなく、過渡的に減少又は増加する。従
って、レ−ザ−ダイオ−ドＬＤのＯＮ期間に一定の電流
を流すことができず、理想的なパルス電流波形の形でレ
−ザ−ダイオ−ドを駆動できないという不都合が生じ
る。本発明はこのような点に鑑みなされたものであっ
て、簡単な構成によってレ−ザ−ダイオ−ドを常に一定
の電流で駆動できるようにしたレ−ザ−ダイオ−ド駆動
回路を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明では、定電流源と、該定電流源に接続された第
１スイッチング素子及びレ−ザ−ダイオ−ドよりなる第
１直列回路と、前記第１直列回路と共に差動回路を成す
ように接続された第２スイッチング素子とインピ−ダン
ス素子より成る第２直列回路と、を備え前記第２スイッ
チング素子のＯＮ、ＯＦＦによって前記レ−ザ−ダイオ
−ドを駆動するようにしたレ−ザ−ダイオ−ド駆動回路
において、前記インピ−ダンス素子として前記第１スイ
ッチング素子がＯＮしたときの前記第１直列回路のイン
ピ−ダンスと第２スイッチング素子がＯＮしたときの第
２直列回路のインピ−ダンスがほぼ同一の大きさになる
ような素子を用いた構成としている。
【０００８】
【作用】このような構成によると、第２スイッチング素
子がＯＮしているときに定電流源から流れる電流と、第
１スイッチング素子がＯＮしているときに定電流源から
流れる電流が同値となるので、第２スイッチング素子を
ＯＦＦにして第１スイッチング素子をＯＮしたときにレ
−ザ−ダイオ−ドに流れる電流は一定であり、レ−ザ−
光も一定となる。
【０００９】
【実施例】本発明を実施した図１において、図４の従来
例と同一部分には同一の符号を付して重複説明を省略す
る。同図において、第２スイッチングトランジスタＱ２
のエミッタにはレ−ザ−ダイオ−ドＬＤと同じＩ−Ｖ特
性をもつダミ−のレ−ザ−ダイオ−ドＬＤ２を接続して
いる。ただし、このダミ−のレ−ザ−ダイオ−ドＬＤ２
から発光されるレ−ザ−光は本来のレ−ザ−ダイオ−ド
ＬＤによるレ−ザ−光に影響を与えないように遮蔽等の
手段により処置される。
【００１０】次に、図２はレ−ザ−ダイオ−ドＬＤと同
じようなＩ−Ｖ特性をもつＰＮ接合素子Ｄを接続してい
る。上記図１、図２のようにダミ−のレ−ザ−ダイオ−
ドＬＤ２、ＰＮ接合素子Ｄを用いる際に必要に応じて抵
抗Ｒ’を図３の如く接続してもよい。その場合は、ダミ
−のレ−ザ−ダイオ−ドＬＤ２やＰＮ接合素子ＤのＩ−
Ｖ特性が必ずしもレ−ザ−ダイオ−ドＬＤと完全に対応
していなくてもよい。
【００１１】以上、図１〜図３の各実施例によれば、第
２スイッチングトランジスタＱ２がＯＮしたときに定電
流源から流れる電流と、第１スイッチングトランジスタ
Ｑ１がＯＮしたときに流れる電流が等しいので、第１ス
イッチングトランジスタがＯＦＦからＯＮに転じてレ−
ザ−ダイオ−ドＬＤに流れる電流は常に一定となる。従
って、理想的なパルス電流波形の形でレ−ザ−ダイオ−
ドＬＤを駆動できる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、理
想的なパルス波形でレ−ザ−ダイオ−ドを駆動できると
いう効果があり、極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明を実施したレ−ザ−ダイオ−ド駆動回
路の回路図
【図２】 本発明の他の実施例の回路図
【図３】 本発明の更に他の実施例の回路図
【図４】 従来例の回路図
【図５】 その説明図
【符号の説明】
１ 定電流源 ２ 直流電源ライン ３ 差動回路 ４ 接地ライン ５ 第１直列回路 ６ 第２直列回路 ＬＤ レ−ザ−ダイオ−ド ＬＤ２ ダミ−のレ−ザ−ダイオ−ド Ｄ ＰＮ接合素子

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】定電流源と、該定電流源に接続された第１
    スイッチング素子及びレ−ザ−ダイオ−ドよりなる第１
    直列回路と、前記第１直列回路と共に差動回路を成すよ
    うに接続された第２スイッチング素子とインピ−ダンス
    素子より成る第２直列回路と、を備え前記第２スイッチ
    ング素子のＯＮ、ＯＦＦによって前記レ−ザ−ダイオ−
    ドを駆動するようにしたレ−ザ−ダイオ−ド駆動回路に
    おいて、 前記インピ−ダンス素子として前記第１スイッチング素
    子がＯＮしたときの前記第１直列回路のインピ−ダンス
    と第２スイッチング素子がＯＮしたときの第２直列回路
    のインピ−ダンスがほぼ同一の大きさになるような素子
    を用いたことを特徴とするレ−ザ−ダイオ−ド駆動回
    路。
  2. 【請求項２】前記インピ−ダンス素子は前記レ−ザ−ダ
    イオ−ドと等価な素子であることを特徴とする請求項１
    に記載のレ−ザ−ダイオ−ド駆動回路。
JP4003798A 1992-01-13 1992-01-13 レ−ザ−ダイオ−ド駆動回路 Pending JPH05190949A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1987005244A1 (fr) * 1986-02-28 1987-09-11 Kawasaki Steel Corporation Procede et dispositif pour couper et souder des courroies d'acier
EP0663709A3 (en) * 1994-01-12 1996-03-06 Miles Inc Method and device for controlling a semiconductor laser.
JP2018147993A (ja) * 2017-03-03 2018-09-20 株式会社リコー レーザー駆動回路、レーザー光源およびレーザー加工機
JP2021501476A (ja) * 2017-10-30 2021-01-14 ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングＲｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ Ｇｍｂｈ レーザーパルスの生成装置および方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3231436B2 (ja) * 1992-11-16 2001-11-19 旭光学工業株式会社 レーザ発光装置の光出力切替装置
US5646560A (en) * 1994-09-30 1997-07-08 National Semiconductor Corporation Integrated low-power driver for a high-current laser diode
CA2159842A1 (en) * 1994-12-05 1996-06-06 Joe A. Ortiz Diode drive current source
US5550852A (en) * 1995-02-10 1996-08-27 Opto Power Corporation Laser package with reversed laser diode
US5598040A (en) * 1995-05-31 1997-01-28 Eastman Kodak Company Laser writer having high speed high current laser driver
JP2962263B2 (ja) * 1997-02-13 1999-10-12 日本電気株式会社 半導体レーザ駆動回路
JP3636411B2 (ja) * 1997-03-19 2005-04-06 富士通株式会社 レーザーダイオードの駆動回路および駆動方法
US5966394A (en) * 1997-05-30 1999-10-12 Eastman Kodak Company Laser diode controller
JP3736953B2 (ja) * 1997-10-20 2006-01-18 富士通株式会社 電界吸収型光変調器の駆動回路及び、これを用いた光送信器
EP0924823A1 (en) * 1997-12-17 1999-06-23 Hewlett-Packard Company Driver circuit for a solid state optical emitter device
JP2001034986A (ja) * 1999-07-23 2001-02-09 Sony Corp 光情報処理装置及びレーザーダイオードの駆動方法
JP3959920B2 (ja) * 2000-02-22 2007-08-15 ヤマハ株式会社 レーザダイオード駆動回路
CN100428592C (zh) * 2001-03-05 2008-10-22 富士施乐株式会社 发光元件驱动装置和发光元件驱动系统
JP4123791B2 (ja) * 2001-03-05 2008-07-23 富士ゼロックス株式会社 発光素子駆動装置および発光素子駆動システム
US6728280B1 (en) * 2001-03-12 2004-04-27 Honeywell International Inc. Apparatus and method providing a balancing load to a laser differential drive circuit
JP3947495B2 (ja) * 2003-06-02 2007-07-18 ローム株式会社 モールド型半導体レーザ
JP4477381B2 (ja) * 2004-03-03 2010-06-09 株式会社リコー レーザダイオード駆動回路
US20050276292A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-15 Karl Schrodinger Circuit arrangement for operating a laser diode
US8729870B2 (en) 2008-08-15 2014-05-20 Analog Modules, Inc. Biphase laser diode driver and method
US8207711B2 (en) * 2008-08-15 2012-06-26 Analog Modules, Inc. Biphase laser diode driver and method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4243952A (en) * 1978-10-30 1981-01-06 Rca Corporation Temperature compensated bias circuit for semiconductor lasers
FR2495870A1 (fr) * 1980-12-09 1982-06-11 Thomson Csf Dispositif de protection d'une diode laser
US4924473A (en) * 1989-03-28 1990-05-08 Raynet Corporation Laser diode protection circuit
WO1991000621A1 (fr) * 1989-06-24 1991-01-10 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Circuit de commande de diode electroluminescente

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1987005244A1 (fr) * 1986-02-28 1987-09-11 Kawasaki Steel Corporation Procede et dispositif pour couper et souder des courroies d'acier
EP0663709A3 (en) * 1994-01-12 1996-03-06 Miles Inc Method and device for controlling a semiconductor laser.
JP2018147993A (ja) * 2017-03-03 2018-09-20 株式会社リコー レーザー駆動回路、レーザー光源およびレーザー加工機
JP2021501476A (ja) * 2017-10-30 2021-01-14 ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングＲｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ Ｇｍｂｈ レーザーパルスの生成装置および方法

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