JPH10229232A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
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- JPH10229232A JPH10229232A JP9044757A JP4475797A JPH10229232A JP H10229232 A JPH10229232 A JP H10229232A JP 9044757 A JP9044757 A JP 9044757A JP 4475797 A JP4475797 A JP 4475797A JP H10229232 A JPH10229232 A JP H10229232A
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- Japan
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- transistor
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- transistors
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- Electromagnetism (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】LDのパルス電流波形が変化した場合でも、光
出力波形のスピードを維持するLD駆動回路の提供。 【解決手段】エミッタ電極が共通の差動対トランジスタ
1、差動対トランジスタを駆動するエミッタフォロワー
トランジスタ2、3、LDバイアス電流供給トランジス
タ4、差動対トランジスタの電流源トランジスタ5、A
PC回路12、LD13を備え、差動対トランジスタの
一方のコレクタ電極は、LDバイアス電流供給トランジ
スタのコレクタ電極と共通にLDのカソード電極に接続
され、エミッタフォロワートランジスタ2、3の電流を
それぞれ設定する電流制御トランジスタ6、7を備え、
LDバイアス電流供給トランジスタ4、差動対トランジ
スタの電流源トランジスタ5、電流制御トランジスタ
6、7のベース電極はAPC回路12からの制御電圧出
力と接続される。
出力波形のスピードを維持するLD駆動回路の提供。 【解決手段】エミッタ電極が共通の差動対トランジスタ
1、差動対トランジスタを駆動するエミッタフォロワー
トランジスタ2、3、LDバイアス電流供給トランジス
タ4、差動対トランジスタの電流源トランジスタ5、A
PC回路12、LD13を備え、差動対トランジスタの
一方のコレクタ電極は、LDバイアス電流供給トランジ
スタのコレクタ電極と共通にLDのカソード電極に接続
され、エミッタフォロワートランジスタ2、3の電流を
それぞれ設定する電流制御トランジスタ6、7を備え、
LDバイアス電流供給トランジスタ4、差動対トランジ
スタの電流源トランジスタ5、電流制御トランジスタ
6、7のベース電極はAPC回路12からの制御電圧出
力と接続される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ(L
D;レーザダイオード)の駆動回路に関し、特に光ファ
イバ通信用光送信器に用いて好適とされる、LDを高速
駆動する駆動回路に関する。
D;レーザダイオード)の駆動回路に関し、特に光ファ
イバ通信用光送信器に用いて好適とされる、LDを高速
駆動する駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のLD駆動回路において、APC回
路(自動光出力制御回路)の出力電圧等で、差動対トラ
ンジスタの電流源となるトランジスタを制御して、周囲
温度の変化に応じてLDのパルス駆動電流を調整してい
た。図2は、この従来のLD駆動回路の回路構成の一例
を示す図である。
路(自動光出力制御回路)の出力電圧等で、差動対トラ
ンジスタの電流源となるトランジスタを制御して、周囲
温度の変化に応じてLDのパルス駆動電流を調整してい
た。図2は、この従来のLD駆動回路の回路構成の一例
を示す図である。
【0003】図2を参照すると、この従来のLD駆動回
路は、エミッタ電極を共通接続したトランジスタ対から
なる差動対トランジスタ1と、差動対トランジスタ1の
各ベース電圧を供給するエミッタフォロワー構成のトラ
ンジスタ2、3と、LDにバイアス電流を供給するため
のトランジスタ4と、差動対トランジスタ1の電流源と
なるトランジスタ5と、トランジスタ2、3、4、5の
それぞれに一端が接続され他端が低位側電源に接続され
たエミッタ抵抗10、11、8、9と、APC回路12
と、LD13と、から構成されている。
路は、エミッタ電極を共通接続したトランジスタ対から
なる差動対トランジスタ1と、差動対トランジスタ1の
各ベース電圧を供給するエミッタフォロワー構成のトラ
ンジスタ2、3と、LDにバイアス電流を供給するため
のトランジスタ4と、差動対トランジスタ1の電流源と
なるトランジスタ5と、トランジスタ2、3、4、5の
それぞれに一端が接続され他端が低位側電源に接続され
たエミッタ抵抗10、11、8、9と、APC回路12
と、LD13と、から構成されている。
【0004】差動対トランジスタ1の一方のトランジス
タのコレクタ電極は、LDバイアス電流供給源トランジ
スタ4のコレクタ電極と共通にLD13のカソード電極
に接続されており、電流源トランジスタ5のコレクタ電
極は差動対トランジスタ1の共通エミッタ電極に接続さ
れており、トランジスタ4、5のベース電極は、APC
回路12からの制御電圧出力に接続されている。
タのコレクタ電極は、LDバイアス電流供給源トランジ
スタ4のコレクタ電極と共通にLD13のカソード電極
に接続されており、電流源トランジスタ5のコレクタ電
極は差動対トランジスタ1の共通エミッタ電極に接続さ
れており、トランジスタ4、5のベース電極は、APC
回路12からの制御電圧出力に接続されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】図2に示した従来のL
D駆動回路においては、LD13のパルス駆動電流を増
減すると、LD駆動用の差動対トランジスタ1の帯域が
変化してしまい、その結果、LDのパルス電流波形が変
化し、その結果、周囲温度の変化によって、リンギング
等に代表されるように、光出力波形が変化してしまう、
という問題点があった。
D駆動回路においては、LD13のパルス駆動電流を増
減すると、LD駆動用の差動対トランジスタ1の帯域が
変化してしまい、その結果、LDのパルス電流波形が変
化し、その結果、周囲温度の変化によって、リンギング
等に代表されるように、光出力波形が変化してしまう、
という問題点があった。
【0006】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、LDのパルス電
流波形が変化した場合でも、光出力波形のスピードを維
持することを可能としたLD駆動回路を提供することに
ある。
てなされたものであって、その目的は、LDのパルス電
流波形が変化した場合でも、光出力波形のスピードを維
持することを可能としたLD駆動回路を提供することに
ある。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のLD駆動回路は、半導体レーザに駆動電流
を供給する差動対トランジスタと、レーザダイオードに
バイアス電流を供給するトランジスタと、前記差動対ト
ランジスタを駆動するエミッタフォロワートランジスタ
と、を備え、前記前記半導体レーザを交流的に駆動する
パルス駆動電流がAPC電圧で制御るようにした半導体
レーザの駆動回路において、前記差動対トランジスタを
駆動する前記エミッタフォロワートランジスタに流れる
電流を前記APC電圧で制御することにより、前記差動
対トランジスタのパルス駆動電流が変化し前記差動対ト
ランジスタのスピードが変動した場合でも、前記エミッ
タフォロワートランジスタのスピードが可変し、これに
より前記差動対トランジスタのスピードの変動分を相殺
する、ことを特徴とする。
め、本発明のLD駆動回路は、半導体レーザに駆動電流
を供給する差動対トランジスタと、レーザダイオードに
バイアス電流を供給するトランジスタと、前記差動対ト
ランジスタを駆動するエミッタフォロワートランジスタ
と、を備え、前記前記半導体レーザを交流的に駆動する
パルス駆動電流がAPC電圧で制御るようにした半導体
レーザの駆動回路において、前記差動対トランジスタを
駆動する前記エミッタフォロワートランジスタに流れる
電流を前記APC電圧で制御することにより、前記差動
対トランジスタのパルス駆動電流が変化し前記差動対ト
ランジスタのスピードが変動した場合でも、前記エミッ
タフォロワートランジスタのスピードが可変し、これに
より前記差動対トランジスタのスピードの変動分を相殺
する、ことを特徴とする。
【0008】また、本発明は、エミッタ電極を共通接続
してなる差動対トランジスタと、差動対トランジスタを
駆動する第1、第2のエミッタフォロワートランジスタ
と、レーザダイオードバイアス電流供給トランジスタ
と、前記差動対トランジスタの電流源トランジスタと、
APC回路と、レーザダイオードと、前記差動対トラン
ジスタの一方のコレクタ電極は、レーザダイオードバイ
アス電流供給トランジスタのコレクタ電極と共通に前記
レーザダイオードのカソード電極に接続されてなる半導
体レーザ駆動回路において、前記第1、第2のエミッタ
フォロワートランジスタの電流をそれぞれ設定する第
1、第2の電流制御トランジスタを備え、前記LDバイ
アス電流供給トランジスタと、前記差動対トランジスタ
の電流源トランジスタと、前記第1、第2の電流制御ト
ランジスタのベース電極は前記APC回路からの制御電
圧出力と接続されたことを特徴とする。
してなる差動対トランジスタと、差動対トランジスタを
駆動する第1、第2のエミッタフォロワートランジスタ
と、レーザダイオードバイアス電流供給トランジスタ
と、前記差動対トランジスタの電流源トランジスタと、
APC回路と、レーザダイオードと、前記差動対トラン
ジスタの一方のコレクタ電極は、レーザダイオードバイ
アス電流供給トランジスタのコレクタ電極と共通に前記
レーザダイオードのカソード電極に接続されてなる半導
体レーザ駆動回路において、前記第1、第2のエミッタ
フォロワートランジスタの電流をそれぞれ設定する第
1、第2の電流制御トランジスタを備え、前記LDバイ
アス電流供給トランジスタと、前記差動対トランジスタ
の電流源トランジスタと、前記第1、第2の電流制御ト
ランジスタのベース電極は前記APC回路からの制御電
圧出力と接続されたことを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。本発明のLD駆動回路は、その好ましい実
施の形態において、エミッタ電極を共通接続してなる差
動対トランジスタ(図1の1)と、差動対トランジスタ
を駆動する第1、第2のエミッタフォロワートランジス
タ(図1の2、3)と、LDバイアス電流供給トランジ
スタ(図1の4)と、差動対トランジスタの電流源とな
るトランジスタ(図1の5)と、APC回路(図1の1
2)と、LD(図1の13)と、を備え、差動対トラン
ジスタの一方のコレクタ電極は、レーザダイオードバイ
アス電流供給トランジスタのコレクタ電極と共通にLD
のカソード電極に接続され、第1、第2のエミッタフォ
ロワートランジスタ(図1の2、3)の電流をそれぞれ
設定するためのエミッタフォロワートランジスタに接続
された第1、第2の電流制御トランジスタ(図1の6、
7)を備え、LDバイアス電流供給トランジスタ(図1
の4)と、差動対トランジスタの電流源トランジスタ
(図1の5)と、第1、第2の電流制御トランジスタ
(図1の6、7)のベース電極はAPC回路(図1の1
2)からの制御電圧出力と接続され、APC回路からの
制御電圧出力で、差動対トランジスタを駆動するエミッ
タフォロワートランジスタのエミッタ電流を制御する、
構成とされている。
に説明する。本発明のLD駆動回路は、その好ましい実
施の形態において、エミッタ電極を共通接続してなる差
動対トランジスタ(図1の1)と、差動対トランジスタ
を駆動する第1、第2のエミッタフォロワートランジス
タ(図1の2、3)と、LDバイアス電流供給トランジ
スタ(図1の4)と、差動対トランジスタの電流源とな
るトランジスタ(図1の5)と、APC回路(図1の1
2)と、LD(図1の13)と、を備え、差動対トラン
ジスタの一方のコレクタ電極は、レーザダイオードバイ
アス電流供給トランジスタのコレクタ電極と共通にLD
のカソード電極に接続され、第1、第2のエミッタフォ
ロワートランジスタ(図1の2、3)の電流をそれぞれ
設定するためのエミッタフォロワートランジスタに接続
された第1、第2の電流制御トランジスタ(図1の6、
7)を備え、LDバイアス電流供給トランジスタ(図1
の4)と、差動対トランジスタの電流源トランジスタ
(図1の5)と、第1、第2の電流制御トランジスタ
(図1の6、7)のベース電極はAPC回路(図1の1
2)からの制御電圧出力と接続され、APC回路からの
制御電圧出力で、差動対トランジスタを駆動するエミッ
タフォロワートランジスタのエミッタ電流を制御する、
構成とされている。
【0010】
【実施例】上記した本発明の実施の形態について更に詳
細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。図1は、本発明の一実施例のLD駆
動回路の回路構成を示す図である。
細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。図1は、本発明の一実施例のLD駆
動回路の回路構成を示す図である。
【0011】図1を参照すると、本実施例のLD駆動回
路は、エミッタ電極を共通接続した差動対トランジスタ
1と、差動対トランジスタ1のベース電圧を供給するエ
ミッタフォロワー構成トランジスタ2、3と、LDバイ
アス電流供給トランジスタ4と、差動対トランジスタ1
の電流源となるトランジスタ5と、エミッタフォロワー
構成のトランジスタ2、3に流れる電流を設定するため
のトランジスタ6、7と、トランジスタ4、5、6、7
のそれぞれのエミッタ抵抗8、9、10、11と、AP
C回路12と、LD13と、から、構成されている。
路は、エミッタ電極を共通接続した差動対トランジスタ
1と、差動対トランジスタ1のベース電圧を供給するエ
ミッタフォロワー構成トランジスタ2、3と、LDバイ
アス電流供給トランジスタ4と、差動対トランジスタ1
の電流源となるトランジスタ5と、エミッタフォロワー
構成のトランジスタ2、3に流れる電流を設定するため
のトランジスタ6、7と、トランジスタ4、5、6、7
のそれぞれのエミッタ抵抗8、9、10、11と、AP
C回路12と、LD13と、から、構成されている。
【0012】差動対トランジスタ1の一方のトランジス
タのコレクタ電極は、LDバイアス電流供給源トランジ
スタ4のコレクタ電極と共通に、LD13のカソード電
極に接続されており、電流源トランジスタ5のコレクタ
電極は、差動対トランジスタ1の共通エミッタ電極に接
続されており、差動対トランジスタ1を駆動するエミッ
タフォロワー構成のトランジスタ2、3のエミッタ電極
は、それぞれトランジスタ5、6のコレクタ電極と接続
されており、また、トランジスタ4、5、6、7のエミ
ッタ電極は、それぞれ、エミッタ抵抗8、9、10、1
1を介して、低電位側電源に接続されており、トランジ
スタ4、5、6、7のベース電極は、共通に、APC回
路12からの制御電圧出力と接続されており、APC回
路12からの制御電圧出力で、差動対トランジスタ1を
駆動するエミッタフォロワー構成のトランジスタ2、3
のエミッタ電流を制御している。
タのコレクタ電極は、LDバイアス電流供給源トランジ
スタ4のコレクタ電極と共通に、LD13のカソード電
極に接続されており、電流源トランジスタ5のコレクタ
電極は、差動対トランジスタ1の共通エミッタ電極に接
続されており、差動対トランジスタ1を駆動するエミッ
タフォロワー構成のトランジスタ2、3のエミッタ電極
は、それぞれトランジスタ5、6のコレクタ電極と接続
されており、また、トランジスタ4、5、6、7のエミ
ッタ電極は、それぞれ、エミッタ抵抗8、9、10、1
1を介して、低電位側電源に接続されており、トランジ
スタ4、5、6、7のベース電極は、共通に、APC回
路12からの制御電圧出力と接続されており、APC回
路12からの制御電圧出力で、差動対トランジスタ1を
駆動するエミッタフォロワー構成のトランジスタ2、3
のエミッタ電流を制御している。
【0013】高温の場合、APC回路12からの出力電
圧は高電位となるので、差動対トランジスタ1のパルス
駆動電流は増大し、このため差動対トランジスタ1のス
ピードは低減することになる。
圧は高電位となるので、差動対トランジスタ1のパルス
駆動電流は増大し、このため差動対トランジスタ1のス
ピードは低減することになる。
【0014】しかしながら、本実施例においては、この
場合、APC回路12の出力を共通にベース入力とする
トランジスタ6、7のベース電圧は高くなっているの
で、エミッタ電流は増大し、エミッタフォロワー構成の
トランジスタ2、3のスピードは増大して、差動対トラ
ンジスタ1のスピード低減分と相殺することとなり、高
温でも、光波形のスピードは維持されることとなる。
場合、APC回路12の出力を共通にベース入力とする
トランジスタ6、7のベース電圧は高くなっているの
で、エミッタ電流は増大し、エミッタフォロワー構成の
トランジスタ2、3のスピードは増大して、差動対トラ
ンジスタ1のスピード低減分と相殺することとなり、高
温でも、光波形のスピードは維持されることとなる。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のLD駆動
回路によれば、LDのパルス電流波形が変化した場合で
も、光出力波形のスピードを維持することができる、と
いう効果を奏する。
回路によれば、LDのパルス電流波形が変化した場合で
も、光出力波形のスピードを維持することができる、と
いう効果を奏する。
【図1】本発明の一実施例の回路構成を示す図である。
【図2】従来のLD駆動回路の回路構成の一例を示す図
である。
である。
1 差動対トランジスタ 2 トランジスタ 3 トランジスタ 4 トランジスタ 5 トランジスタ 6 トランジスタ 7 トランジスタ 8 抵抗器 9 抵抗器 10 抵抗器 11 抵抗器 12 APC回路 13 LD
Claims (4)
- 【請求項1】半導体レーザに駆動電流を供給する差動対
トランジスタと、 レーザダイオードにバイアス電流を供給するトランジス
タと、 前記差動対トランジスタを駆動するエミッタフォロワー
トランジスタと、を備え、 前記前記半導体レーザを交流的に駆動するパルス駆動電
流がAPC電圧で制御るようにした半導体レーザの駆動
回路において、 前記差動対トランジスタを駆動する前記エミッタフォロ
ワートランジスタに流れる電流を前記APC電圧で制御
することにより、前記差動対トランジスタのパルス駆動
電流が変化し前記差動対トランジスタのスピードが変動
した場合でも、前記エミッタフォロワートランジスタの
スピードが可変し、これにより前記差動対トランジスタ
のスピードの変動分を相殺する、ことを特徴とする半導
体レーザの駆動回路。 - 【請求項2】前記差動対トランジスタのパルス駆動電流
が増大/減少して前記差動対トランジスタのスピードが
低減/増大した場合に、前記エミッタフォロワートラン
ジスタのスピードが増大/低減し、これにより前記差動
対トランジスタのスピードの低減/増大分を相殺する、
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザの駆動回
路。 - 【請求項3】前記差動対トランジスタを駆動する前記エ
ミッタフォロワートランジスタに電流制御用トランジス
タを接続し、前記電流制御用トランジスタのベース端子
に前記APC電圧を供給する、ことを特徴とする請求項
1記載の半導体レーザの駆動回路。 - 【請求項4】エミッタ電極を共通接続してなる差動対ト
ランジスタと、 前記差動対トランジスタを駆動する第1、第2のエミッ
タフォロワートランジスタと、 レーザダイオードバイアス電流供給トランジスタと、 前記差動対トランジスタの電流源トランジスタと、 APC回路と、 レーザダイオードと、を備え 前記差動対トランジスタの一方のコレクタ電極は、前記
レーザダイオードバイアス電流供給トランジスタのコレ
クタ電極と共通に前記レーザダイオードのカソード電極
に接続されてなる半導体レーザ駆動回路において、 前記第1、第2のエミッタフォロワートランジスタの電
流をそれぞれ設定する第1、第2の電流制御トランジス
タを備え、 前記LDバイアス電流供給トランジスタと、前記差動対
トランジスタの電流源トランジスタと、前記第1、第2
の電流制御トランジスタのベース電極は前記APC回路
からの制御電圧出力と接続されたことを特徴とする半導
体レーザ駆動回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9044757A JP2962263B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 半導体レーザ駆動回路 |
| US09/023,085 US6072816A (en) | 1997-02-13 | 1998-02-13 | Laser-diode drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9044757A JP2962263B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10229232A true JPH10229232A (ja) | 1998-08-25 |
| JP2962263B2 JP2962263B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=12700313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9044757A Expired - Lifetime JP2962263B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6072816A (ja) |
| JP (1) | JP2962263B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6362910B1 (en) | 1998-08-24 | 2002-03-26 | Hitachi, Ltd. | Optical transmitter having temperature compensating function and optical transmission system |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3668612B2 (ja) * | 1998-06-29 | 2005-07-06 | 株式会社東芝 | 光半導体素子駆動回路及び光送受信モジュール |
| WO2002037622A2 (en) | 2000-11-06 | 2002-05-10 | Vitesse Semiconductor Corporation | Method of controlling the turn off characteristics of a vcsel diode |
| JP2005340517A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザモジュール |
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