JPH05190973A - 半導体レーザ用サブマウント - Google Patents
半導体レーザ用サブマウントInfo
- Publication number
- JPH05190973A JPH05190973A JP4004321A JP432192A JPH05190973A JP H05190973 A JPH05190973 A JP H05190973A JP 4004321 A JP4004321 A JP 4004321A JP 432192 A JP432192 A JP 432192A JP H05190973 A JPH05190973 A JP H05190973A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor laser
- submount
- solder
- laser chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 サブブマウントの両面にはんだ層を形成して
上側に半導体レーザチップを、下側に金属製放熱板を接
着するのに当たって、そのマウント工程の短縮ならびに
サブマウント上側に金属細線を形成する領域を設ける
点。 【構成】 サブマウントの下側には、バリア層として機
能するＴｉ／Ｐｔ層とＡｕ層を挟んではんだ層を設ける
のに対して、上側には、Ｔｉ／Ｐｔ層とＡｕ層に重ねて
Ｐｔ層とはんだ層を形成する手法を採った。このＰｔ層
により半導体レーザチップをはんだ層により接着する際
のバリアとして動作すると共に、Ｐｔ層の下側に形成す
るＡｕ層の浸蝕を防止して、ここに金属細線を設置する
のに役立たせるである。
上側に半導体レーザチップを、下側に金属製放熱板を接
着するのに当たって、そのマウント工程の短縮ならびに
サブマウント上側に金属細線を形成する領域を設ける
点。 【構成】 サブマウントの下側には、バリア層として機
能するＴｉ／Ｐｔ層とＡｕ層を挟んではんだ層を設ける
のに対して、上側には、Ｔｉ／Ｐｔ層とＡｕ層に重ねて
Ｐｔ層とはんだ層を形成する手法を採った。このＰｔ層
により半導体レーザチップをはんだ層により接着する際
のバリアとして動作すると共に、Ｐｔ層の下側に形成す
るＡｕ層の浸蝕を防止して、ここに金属細線を設置する
のに役立たせるである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、はんだ材の膜厚・組成
の制御性、半導体レーザの信頼性、位置調整の容易性に
優れ、かつ、サブマウントと半導体レーザの連続蒸着及
び、マウント自動化を含めた作業効率を向上する半導体
レーザ用サブマウントに関する。
の制御性、半導体レーザの信頼性、位置調整の容易性に
優れ、かつ、サブマウントと半導体レーザの連続蒸着及
び、マウント自動化を含めた作業効率を向上する半導体
レーザ用サブマウントに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体レーザは、光情報処理や光
通信の分野での実用化が進んでおり、いずれの分野でも
素子の信頼性が極めて重要な要素である。このような半
導体レーザは、電流が数10mA〜数100mA の領域で使用す
るが、発熱量が大きいため通常は金属放熱体をヒートシ
ンクとして用いるのが一般的である。さらに、熱膨脹係
数の差がストレス／歪みなどを発生させ、信頼性に影響
を与えることを避けるために金属放熱体の上には、半導
体基板材料と比較的熱膨脹係数が近い材料をサブマウン
トとして配置し、その上にはんだ材料を介して半導体レ
ーザチップを固着する方法をよく用いる。また、オーミ
ック性、接着強度ならびに信頼性を考慮して半導体レー
ザチップの最上層には、Ａｕ層を形成する。
通信の分野での実用化が進んでおり、いずれの分野でも
素子の信頼性が極めて重要な要素である。このような半
導体レーザは、電流が数10mA〜数100mA の領域で使用す
るが、発熱量が大きいため通常は金属放熱体をヒートシ
ンクとして用いるのが一般的である。さらに、熱膨脹係
数の差がストレス／歪みなどを発生させ、信頼性に影響
を与えることを避けるために金属放熱体の上には、半導
体基板材料と比較的熱膨脹係数が近い材料をサブマウン
トとして配置し、その上にはんだ材料を介して半導体レ
ーザチップを固着する方法をよく用いる。また、オーミ
ック性、接着強度ならびに信頼性を考慮して半導体レー
ザチップの最上層には、Ａｕ層を形成する。
【０００３】本発明に記載する接着とは、いわゆる接着
剤を利用する技術を示すものでなく、比較的薄い金属膜
とはんだ層間または比較的薄い金属膜同士におきる固溶
状態を示すことを付記する。
剤を利用する技術を示すものでなく、比較的薄い金属膜
とはんだ層間または比較的薄い金属膜同士におきる固溶
状態を示すことを付記する。
【０００４】固着部の構造例には、特開平１−１３８７
７７号公報により示されたＳｉ半導体基板両面にＴｉ／
Ｐｔ／はんだから成る技術があり、この中Ｔｉ／Ｐｔ層
はバリア金属層として機能する。
７７号公報により示されたＳｉ半導体基板両面にＴｉ／
Ｐｔ／はんだから成る技術があり、この中Ｔｉ／Ｐｔ層
はバリア金属層として機能する。
【０００５】他の例としては、特公平１−４０５１４号
公報により明らかになった技術がある。即ち、Ｓｉ半導
体基板の両面にＡｕめっきを施し、金属放熱体側のＡｕ
層を10〜20μｍと厚くすることによりＡｕ−Ｓｉ共晶は
んだを形成し、半導体レーザチップ側のＡｕとサブマウ
ント側Ａｕの熱圧着を利用する（特開平１−４０５１４
号公報参照）。
公報により明らかになった技術がある。即ち、Ｓｉ半導
体基板の両面にＡｕめっきを施し、金属放熱体側のＡｕ
層を10〜20μｍと厚くすることによりＡｕ−Ｓｉ共晶は
んだを形成し、半導体レーザチップ側のＡｕとサブマウ
ント側Ａｕの熱圧着を利用する（特開平１−４０５１４
号公報参照）。
【０００６】更に、特開平２−１２８４８６号公報に明
らかにした構造を図３の断面図により説明すると、サブ
マウント１の両面にＴｉ層２／Ｐｔ層３／Ａｕ層４／は
んだ層５を設ける構造が知られている。
らかにした構造を図３の断面図により説明すると、サブ
マウント１の両面にＴｉ層２／Ｐｔ層３／Ａｕ層４／は
んだ層５を設ける構造が知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザチップ、
サブマウント及び金属製放熱体のマウントに際しては、
まず金属製放熱体上にサブマウントを接着してから、サ
ブマウントに半導体レーザチップを接着する。更に電流
を流すためにＡｕ細線をチップ上面及びサブマウント表
面に形成することが必要になる。
サブマウント及び金属製放熱体のマウントに際しては、
まず金属製放熱体上にサブマウントを接着してから、サ
ブマウントに半導体レーザチップを接着する。更に電流
を流すためにＡｕ細線をチップ上面及びサブマウント表
面に形成することが必要になる。
【０００８】特開平１−１３８７７７号公報の明らかに
した技術では、最上面全面にはんだ層が、あるいはこの
はんだ層を部分的に除去してもＰｔ層が露出するため
に、Ａｕ細線を接合することがてきない。
した技術では、最上面全面にはんだ層が、あるいはこの
はんだ層を部分的に除去してもＰｔ層が露出するため
に、Ａｕ細線を接合することがてきない。
【０００９】また、特開平１−４０５１４号公報に示し
た技術は、Ａｕ細線の接合にも支障がなく、その上連続
マウントも可能な構造であるが、サブマウントの半導体
レーザチップ側におけるＡｕ−Ａｕの熱圧着は、一度接
合すると温度を加えても容易に動かすことができない。
従って、半導体レーザチップの接着時の位置調整が極め
て難しくなる。
た技術は、Ａｕ細線の接合にも支障がなく、その上連続
マウントも可能な構造であるが、サブマウントの半導体
レーザチップ側におけるＡｕ−Ａｕの熱圧着は、一度接
合すると温度を加えても容易に動かすことができない。
従って、半導体レーザチップの接着時の位置調整が極め
て難しくなる。
【００１０】更にまた、特開平２−１２８４８６号公報
に明らかにした構造にあっては、サブマウントの両面に
はんだ層を設置するために、サブマウント及び半導体レ
ーザチップ各々の位置調整が容易にできるが、連続マウ
ントをする時に、一方を動かすと他方が動いてしまう可
能性がある。これに加えて、このような難点を防ぐに
は、上下のはんだの材質を即ち接着温度を変える方法も
よく使われる。しかし、Ａｕ層の上のはんだ層があるの
で、はんだ加熱時にＡｕとの反応か起り易く、サブマウ
ント上のＡｕ細線を接着できる領域を浸蝕する恐れがあ
る。
に明らかにした構造にあっては、サブマウントの両面に
はんだ層を設置するために、サブマウント及び半導体レ
ーザチップ各々の位置調整が容易にできるが、連続マウ
ントをする時に、一方を動かすと他方が動いてしまう可
能性がある。これに加えて、このような難点を防ぐに
は、上下のはんだの材質を即ち接着温度を変える方法も
よく使われる。しかし、Ａｕ層の上のはんだ層があるの
で、はんだ加熱時にＡｕとの反応か起り易く、サブマウ
ント上のＡｕ細線を接着できる領域を浸蝕する恐れがあ
る。
【００１１】本発明は、このような事情により成された
もので、特に、サブマウントと半導体レーザチップの連
続接着ならびにマウント自動化を含めた作業能率の向上
を可能にしたものである。
もので、特に、サブマウントと半導体レーザチップの連
続接着ならびにマウント自動化を含めた作業能率の向上
を可能にしたものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】半導体レーザチップを固
着するサブマウント基板と，前記サブマウント基板の他
面に接着する金属製放熱体と，前記サブマウント基板の
金属製放熱体側に以下の順に重ねて連続して形成するＴ
ｉ層、Ｐｔ層、Ａｕ層及びはんだ層と，前記サブマウン
ト基板の半導体レーザチップ側に下記の順に連続して形
成するＴｉ層、Ｐｔ層及びＡｕ層と，前記半導体レーザ
チップ側に形成するＡｕ層に積層するＰｔ層ならびに前
記はんだ層と同成分から成るはんだ層に本発明に係わる
半導体レーザ用サブマウントの特徴がある。
着するサブマウント基板と，前記サブマウント基板の他
面に接着する金属製放熱体と，前記サブマウント基板の
金属製放熱体側に以下の順に重ねて連続して形成するＴ
ｉ層、Ｐｔ層、Ａｕ層及びはんだ層と，前記サブマウン
ト基板の半導体レーザチップ側に下記の順に連続して形
成するＴｉ層、Ｐｔ層及びＡｕ層と，前記半導体レーザ
チップ側に形成するＡｕ層に積層するＰｔ層ならびに前
記はんだ層と同成分から成るはんだ層に本発明に係わる
半導体レーザ用サブマウントの特徴がある。
【００１３】前記サブマウント基板の半導体レーザチッ
プ側に形成するはんだ層の厚さを金属製放熱体側のはん
だ層のそれより大きくする点にも特徴がある。
プ側に形成するはんだ層の厚さを金属製放熱体側のはん
だ層のそれより大きくする点にも特徴がある。
【００１４】
【作用】サブマウントの両面には、はんだ層を形成する
ために、半導体レーザチップやサブマウントの位置調整
が容易に行うことができる。また、半導体レーザチップ
側には、接着用のはんだ層が部分的にあり、その下にバ
リア層として機能するＰｔ層を設置しているために接着
用の加熱時にもＡｕ細線の接着領域を浸蝕しないことに
なる。
ために、半導体レーザチップやサブマウントの位置調整
が容易に行うことができる。また、半導体レーザチップ
側には、接着用のはんだ層が部分的にあり、その下にバ
リア層として機能するＰｔ層を設置しているために接着
用の加熱時にもＡｕ細線の接着領域を浸蝕しないことに
なる。
【００１５】その上、多きな特徴は、金属製放熱体との
接着側だけにＡｕとはんだ層の接触面を採用し、半導体
チップの接着側にあつては、はんだ層の下にバリア層を
設置する。この結果、上下のはんだ層の接着時間に差が
生まれて、位置調整の容易さを維持しながら一方を動か
すと他方が動いてしまう問題点を克服した点にある。更
に上下面共、同一組成のはんだを使用するために一温度
制御となり、連続的な接着工程が可能になる。
接着側だけにＡｕとはんだ層の接触面を採用し、半導体
チップの接着側にあつては、はんだ層の下にバリア層を
設置する。この結果、上下のはんだ層の接着時間に差が
生まれて、位置調整の容易さを維持しながら一方を動か
すと他方が動いてしまう問題点を克服した点にある。更
に上下面共、同一組成のはんだを使用するために一温度
制御となり、連続的な接着工程が可能になる。
【００１６】
【実施例】本発明に係わる実施例を図１及び図２を参照
して説明すると、サブマウント１としては、熱伝導率の
良い厚さ400 μｍの窒化アルミニウムを用いる。サブマ
ウント１の半導体レーザチップ側（紙面サブマウント１
の上側）と逆の金属製放熱体側には、Ｔｉ層２〜１００
０オングストロ−ム、Ｐｔ層３〜１０００オングストロ
−ム、Ａｕ層４a とＡｕ層４b 共に〜５０００オングス
トロ−ムをこの順に夫々形成する。
して説明すると、サブマウント１としては、熱伝導率の
良い厚さ400 μｍの窒化アルミニウムを用いる。サブマ
ウント１の半導体レーザチップ側（紙面サブマウント１
の上側）と逆の金属製放熱体側には、Ｔｉ層２〜１００
０オングストロ−ム、Ｐｔ層３〜１０００オングストロ
−ム、Ａｕ層４a とＡｕ層４b 共に〜５０００オングス
トロ−ムをこの順に夫々形成する。
【００１７】また、半導体レーザチップ８（図２参照）
側のＡｕ層４a 最上層の一部または全面には、厚さ〜２
０００オングストロ−ムのＰｔ層６を重ねて設けてバリ
ヤ金属として機能させ、ここに厚さ〜５．２μｍのＡｕ
Ｓｎはんだ層７（以後ははんだパターニング層と記載す
る）を被覆する。本実施例に使用する半導体レーザチッ
プ８の寸法は、ほぼ４００×３００×１００μｍであ
る。
側のＡｕ層４a 最上層の一部または全面には、厚さ〜２
０００オングストロ−ムのＰｔ層６を重ねて設けてバリ
ヤ金属として機能させ、ここに厚さ〜５．２μｍのＡｕ
Ｓｎはんだ層７（以後ははんだパターニング層と記載す
る）を被覆する。本実施例に使用する半導体レーザチッ
プ８の寸法は、ほぼ４００×３００×１００μｍであ
る。
【００１８】なお、半導体レーザチップ側のＡｕ層４a
は、金属細線の接合領域として働くのに、金属製放熱体
側のＡｕ層４b は、はんだ層の一部として機能する。半
導体レーザチップ側のＡｕ層４a の一部もしくは全面に
Ｐｔ層６を形成するのは、半導体レーザチップを電気的
に浮かせるか否かにより決定する。電気的に浮かせるの
は、半導体レーザチップ及びサブマウント方向に電流を
流すか、それとも厚さ方向の途中から反転させて流すか
にかかっている。
は、金属細線の接合領域として働くのに、金属製放熱体
側のＡｕ層４b は、はんだ層の一部として機能する。半
導体レーザチップ側のＡｕ層４a の一部もしくは全面に
Ｐｔ層６を形成するのは、半導体レーザチップを電気的
に浮かせるか否かにより決定する。電気的に浮かせるの
は、半導体レーザチップ及びサブマウント方向に電流を
流すか、それとも厚さ方向の途中から反転させて流すか
にかかっている。
【００１９】図１や図２のように半導体レーザチップ８
側のＡｕ層４a 最上層の一部にＰｔ層６とＡｕＳｎはん
だ層７を被覆する時は、半導体レーザを含む電子回路用
の部品を、露出するＡｕ層４a 最上層の一部に例えば金
細線を熱圧着手段により設ける。
側のＡｕ層４a 最上層の一部にＰｔ層６とＡｕＳｎはん
だ層７を被覆する時は、半導体レーザを含む電子回路用
の部品を、露出するＡｕ層４a 最上層の一部に例えば金
細線を熱圧着手段により設ける。
【００２０】一方、半導体レーザチップ側に設けるＡｕ
層４b には、ＡｕＳｎはんだ層７を例えば４μｍに形成
して、半導体レーザチップ側のそれより薄くする。即
ち、半田の総量により決定する固化時間は、両層の差が
１．２μｍ程度あれば差が生じて、組立工程で有利にな
る。
層４b には、ＡｕＳｎはんだ層７を例えば４μｍに形成
して、半導体レーザチップ側のそれより薄くする。即
ち、半田の総量により決定する固化時間は、両層の差が
１．２μｍ程度あれば差が生じて、組立工程で有利にな
る。
【００２１】組立工程としては、先ず前記の各層を積み
重ねたサブマウント１を図２に示す金属製放熱板９に金
属製放熱板側（以後金属製放熱板側を下側、半導体レー
ザチップ側を上側と記載する）のＡｕＳｎはんだ層７に
はんだ付けするが、金属製放熱板９を固定する支持台を
約３００℃に予め昇温しておく。この時、ＡｎＳｎはん
だ層７とＡｕ４b 層は、互いに反応してある時間経過す
ると最初の組成と異なるＡｕＳｎ層となりサブマウント
１と金属製放熱板９を強固に接着する。図２のＡｎＳｎ
はんだ層７は、反応後の状態を明らかにしており、Ａｕ
４b 層を省略した。なおはんだ付け時間は、１分程度が
目安であり、このはんだ付け工程に続く上側のＡｕＳｎ
はんだ付けに必要な位置合せに要するに足る時間であ
る。
重ねたサブマウント１を図２に示す金属製放熱板９に金
属製放熱板側（以後金属製放熱板側を下側、半導体レー
ザチップ側を上側と記載する）のＡｕＳｎはんだ層７に
はんだ付けするが、金属製放熱板９を固定する支持台を
約３００℃に予め昇温しておく。この時、ＡｎＳｎはん
だ層７とＡｕ４b 層は、互いに反応してある時間経過す
ると最初の組成と異なるＡｕＳｎ層となりサブマウント
１と金属製放熱板９を強固に接着する。図２のＡｎＳｎ
はんだ層７は、反応後の状態を明らかにしており、Ａｕ
４b 層を省略した。なおはんだ付け時間は、１分程度が
目安であり、このはんだ付け工程に続く上側のＡｕＳｎ
はんだ付けに必要な位置合せに要するに足る時間であ
る。
【００２２】次に例えばいわゆるマウンタに取付けた減
圧機構に連通する矢弦タイプの支持体（図示せず）に、
保持した半導体レーザチップ８は、マウンタの稼働によ
りサブマウント１に設置する溶融ＡｎＳｎはんだ層７に
限り無く接近させ、しかもサブマウント１の外面を基準
として位置合せしてから両者を接触してはんだ付けを行
う。なお、窒素ガスを吹付けることにより冷却する。
圧機構に連通する矢弦タイプの支持体（図示せず）に、
保持した半導体レーザチップ８は、マウンタの稼働によ
りサブマウント１に設置する溶融ＡｎＳｎはんだ層７に
限り無く接近させ、しかもサブマウント１の外面を基準
として位置合せしてから両者を接触してはんだ付けを行
う。なお、窒素ガスを吹付けることにより冷却する。
【００２３】この時、金属製放熱板側のＡｕＳｎはんだ
層７と金属製放熱板９のはんだ付けにより両者が固定状
態となっているために、後のはんだ付けが極めて容易に
進行する。このようなはんだ付け工程は、極めて円滑に
進行するので所要時間も少なく、一温度管理による工程
で連続的に接着することできるので、工程の短縮を図る
ことができる。
層７と金属製放熱板９のはんだ付けにより両者が固定状
態となっているために、後のはんだ付けが極めて容易に
進行する。このようなはんだ付け工程は、極めて円滑に
進行するので所要時間も少なく、一温度管理による工程
で連続的に接着することできるので、工程の短縮を図る
ことができる。
【００２４】上側のＡｕＳｎ半田７層の溶融に際して
は、バリア層であるＰｔ層６の存在によりＡｕ４a 層と
反応せずはんだとしての性質を保つことになり、金細線
を熱圧着するのに適した状態が維持できる。
は、バリア層であるＰｔ層６の存在によりＡｕ４a 層と
反応せずはんだとしての性質を保つことになり、金細線
を熱圧着するのに適した状態が維持できる。
【００２５】本実施例では、サブマウト１の材料として
ＡｌＮを用いたが、ＳｉＣやダイヤモンド、Ｓｉのよう
な熱伝導の良い材料も使用可能であり、ＳｉＣのように
比較的はんだ材料との反応が激しく、長時間放置すると
Ｐｔ層３、６を越えて反応が進むものに対しては、上側
のＡｕＳｎはんだ７の厚さ下側のそれより厚くすること
により同様な効果が得られる。
ＡｌＮを用いたが、ＳｉＣやダイヤモンド、Ｓｉのよう
な熱伝導の良い材料も使用可能であり、ＳｉＣのように
比較的はんだ材料との反応が激しく、長時間放置すると
Ｐｔ層３、６を越えて反応が進むものに対しては、上側
のＡｕＳｎはんだ７の厚さ下側のそれより厚くすること
により同様な効果が得られる。
【００２６】更に、はんだについては、Ａｕと反応し易
い材料ＡｕＧｅ、ＡｕＳｉ＆）及びＩｎＰｂなども十分
適用できる。
い材料ＡｕＧｅ、ＡｕＳｉ＆）及びＩｎＰｂなども十分
適用できる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明によれは、位置調整
が容易で、Ａｕ細線の熱圧着領域が確保しつつ、一温度
制御によるサブマウント−金属製放熱板間、サブマウン
ト−半導体レーザチツプ間の連続接着ができるので、工
程の短縮が得られる。
が容易で、Ａｕ細線の熱圧着領域が確保しつつ、一温度
制御によるサブマウント−金属製放熱板間、サブマウン
ト−半導体レーザチツプ間の連続接着ができるので、工
程の短縮が得られる。
【図１】本発明に係わる半導体レーザ用サブマウントの
一実施例の断面図である。
一実施例の断面図である。
【図２】サブマウントに半導体レーザチップを本発明に
より接着後の要部の断面図である。
より接着後の要部の断面図である。
【図３】従来の半導体レーザチップ用サブマウントの断
面図である。
面図である。
１：サブマウント、 ２：Ｔｉ層、 ３、６：Ｐｔ層、 ４a,４b ：Ａｕ層、 ７：ＡｕＳｎはんだ層、 ８：半導体レーザチップ、 ９：金属製放熱板。
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体レーザチップを接着するサブマウ
ント基板と，前記サブマウント基板の他面に接着する金
属製放熱体と，前記サブマウント基板の金属製放熱体側
に以下の順に重ねて連続して形成するＴｉ層、Ｐｔ層、
Ａｕ層及びはんだ層と，前記サブマウント基板の半導体
レーザチップ側に下記の順に連続して形成するＴｉ層、
Ｐｔ層及びＡｕ層と，前記半導体レーザチップ側に形成
するＡｕ層に積層するＰｔ層ならびに前記はんだ層と同
成分から成るはんだ層を具備することを特徴とする半導
体レーザ用サブマウント - 【請求項２】 前記サブマウント基板の半導体レーザチ
ップ側に形成するはんだ層の厚さを金属製放熱体側のは
んだ層のそれより大きくすることを特徴とする半導体レ
ーザ用サブマウント - 【請求項３】 前記サブマウント基板の半導体レーザチ
ップ側に形成するＡｕ層の一部に積層するＰｔ層ならび
に前記はんだ層と同成分から成るはんだ層を具備するこ
とを特徴とする半導体レーザ用サブマウント
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00432192A JP3190718B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体レーザ用サブマウント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00432192A JP3190718B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体レーザ用サブマウント |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190973A true JPH05190973A (ja) | 1993-07-30 |
| JP3190718B2 JP3190718B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=11581202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00432192A Expired - Fee Related JP3190718B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体レーザ用サブマウント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3190718B2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057401A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-22 | Sony Corp | 半導体レーザおよび半導体装置 |
| WO2003069743A1 (en) * | 2002-02-18 | 2003-08-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Sub-mount and semiconductor device |
| WO2004015756A1 (ja) * | 2002-08-09 | 2004-02-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | サブマウントおよび半導体装置 |
| JP2005311313A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-11-04 | Tokuyama Corp | 素子接合用基板およびその製造方法 |
| JP2006100625A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Tokuyama Corp | ハンダ層付き基板 |
| EP1482544A4 (en) * | 2002-03-06 | 2006-09-27 | Sumitomo Electric Industries | SUB-MOUNTING AND SEMICONDUCTOR EQUIPMENT |
| JP2006313897A (ja) * | 2005-05-07 | 2006-11-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 発光素子パッケージ用サブマウント |
| EP1564803A4 (en) * | 2002-04-30 | 2008-09-03 | Sumitomo Electric Industries | SUB-MOUNTING AND SEMICONDUCTOR ELEMENT |
| US7511232B2 (en) | 2005-04-25 | 2009-03-31 | Hitachi Kyowa Engineering Co., Ltd. | Substrate for mounting electronic part and electronic part |
| JP2010263251A (ja) * | 2010-08-25 | 2010-11-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
| JP5166017B2 (ja) * | 2005-02-07 | 2013-03-21 | 株式会社東芝 | セラミックス配線基板の製造方法、およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US9070387B1 (en) | 2013-08-23 | 2015-06-30 | Western Digital Technologies, Inc. | Integrated heat-assisted magnetic recording head/laser assembly |
| EP2922156A1 (en) | 2014-03-12 | 2015-09-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser light source |
| US9202478B1 (en) | 2015-02-10 | 2015-12-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and structure for soldering a laser submount to a mounting face of a slider |
| US9780523B2 (en) | 2012-03-22 | 2017-10-03 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| CN111937257A (zh) * | 2018-04-03 | 2020-11-13 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP00432192A patent/JP3190718B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057401A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-22 | Sony Corp | 半導体レーザおよび半導体装置 |
| WO2003069743A1 (en) * | 2002-02-18 | 2003-08-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Sub-mount and semiconductor device |
| US7298049B2 (en) | 2002-03-06 | 2007-11-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Submount for mounting semiconductor device |
| EP1482544A4 (en) * | 2002-03-06 | 2006-09-27 | Sumitomo Electric Industries | SUB-MOUNTING AND SEMICONDUCTOR EQUIPMENT |
| KR100957669B1 (ko) * | 2002-03-06 | 2010-05-12 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 서브 마운트 및 반도체 장치 |
| EP1564803A4 (en) * | 2002-04-30 | 2008-09-03 | Sumitomo Electric Industries | SUB-MOUNTING AND SEMICONDUCTOR ELEMENT |
| WO2004015756A1 (ja) * | 2002-08-09 | 2004-02-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | サブマウントおよび半導体装置 |
| US7196356B2 (en) | 2002-08-09 | 2007-03-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Submount and semiconductor device |
| CN100342510C (zh) * | 2002-08-09 | 2007-10-10 | 住友电气工业株式会社 | 副支架和半导体器件 |
| JP2005311313A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-11-04 | Tokuyama Corp | 素子接合用基板およびその製造方法 |
| JP2006100625A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Tokuyama Corp | ハンダ層付き基板 |
| JP5166017B2 (ja) * | 2005-02-07 | 2013-03-21 | 株式会社東芝 | セラミックス配線基板の製造方法、およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| DE102006011232B4 (de) * | 2005-04-25 | 2012-11-08 | Hitachi Kyowa Engineering Co., Ltd. | Substrat zum Montieren eines elektronischen Bauteils sowie elektronisches Bauteil |
| US7511232B2 (en) | 2005-04-25 | 2009-03-31 | Hitachi Kyowa Engineering Co., Ltd. | Substrate for mounting electronic part and electronic part |
| US7842889B2 (en) | 2005-04-25 | 2010-11-30 | Hitachi Kyowa Engineering Co., Ltd. | Substrate for mounting electronic part and electronic part |
| JP2006313897A (ja) * | 2005-05-07 | 2006-11-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 発光素子パッケージ用サブマウント |
| JP2010263251A (ja) * | 2010-08-25 | 2010-11-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
| US9780523B2 (en) | 2012-03-22 | 2017-10-03 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| US9070387B1 (en) | 2013-08-23 | 2015-06-30 | Western Digital Technologies, Inc. | Integrated heat-assisted magnetic recording head/laser assembly |
| EP2922156A1 (en) | 2014-03-12 | 2015-09-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser light source |
| US9450380B2 (en) | 2014-03-12 | 2016-09-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser light source |
| US9202478B1 (en) | 2015-02-10 | 2015-12-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and structure for soldering a laser submount to a mounting face of a slider |
| CN111937257A (zh) * | 2018-04-03 | 2020-11-13 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| CN111937257B (zh) * | 2018-04-03 | 2022-03-04 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| US11411369B2 (en) | 2018-04-03 | 2022-08-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3190718B2 (ja) | 2001-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3190718B2 (ja) | 半導体レーザ用サブマウント | |
| KR100940164B1 (ko) | 서브마운트 및 반도체 장치 | |
| US7518155B2 (en) | Light emitting element mounting member, and semiconductor device using the same | |
| EP0253691B1 (en) | Silicon die bonding process | |
| JP3386963B2 (ja) | レーザダイオードデバイスの製造方法 | |
| EP1542271B1 (en) | Method of preparing a submount for a semiconductor element | |
| CN103077934B (zh) | 部件的接合结构体、部件的接合方法以及封装体 | |
| CN1134056C (zh) | 用于建立芯片-衬底-连接的设备和方法 | |
| JP3126977B2 (ja) | 補強された直接結合銅構造体 | |
| JP2983486B2 (ja) | ろう材料層を有する半導体基体 | |
| JP3346971B2 (ja) | 光半導体素子用サブマウントおよびそのマウント方法 | |
| JP5028217B2 (ja) | 光素子搭載方法 | |
| JP2797958B2 (ja) | 光半導体素子接合構造と接合方法 | |
| JP3912130B2 (ja) | サブマウント | |
| JP3779218B2 (ja) | サブマウントおよび半導体装置 | |
| JPH10144967A (ja) | 冷却用熱電素子モジュール | |
| JPH11204884A (ja) | ハンダ形成方法 | |
| JP4908982B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3036291B2 (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
| JPH0140514B2 (ja) | ||
| JPS61181136A (ja) | ダイボンデイング方法 | |
| JP2006216766A (ja) | セラミックス配線基板とそれを用いた半導体装置 | |
| JPS63164326A (ja) | 半導体装置容器 | |
| JP2002252316A (ja) | 配線基板 | |
| JPS5842285A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090518 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090518 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100518 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |