JPS5842285A - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5842285A JPS5842285A JP56140620A JP14062081A JPS5842285A JP S5842285 A JPS5842285 A JP S5842285A JP 56140620 A JP56140620 A JP 56140620A JP 14062081 A JP14062081 A JP 14062081A JP S5842285 A JPS5842285 A JP S5842285A
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- JP
- Japan
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- gold
- metal
- semiconductor laser
- metal layer
- laser device
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/20—Arrangements for cooling
- H10W40/25—Arrangements for cooling characterised by their materials
- H10W40/255—Arrangements for cooling characterised by their materials having a laminate or multilayered structure, e.g. direct bond copper [DBC] ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体レーザ装置の製造方法に係り、特に半
導体レーザダイオード素子の金属放熱体ブロックヘマウ
ントする方法に関するものである。
導体レーザダイオード素子の金属放熱体ブロックヘマウ
ントする方法に関するものである。
第１図および第２図は従来の方法の一例を示す側面図で
、（１）は半導体レーザダイオード素子、（２）はマウ
ント後の応力１１衝材となるシリコンサブマウント、（
３）は放熱体となる金属ブロック、（４）はレーザダイ
オード素子（１）の裏面に形成され表面に金が露出した
メタライズ層、（５）はシリコンサブマウント（２）の
表裏両面に形成された金の層、（６）は金属ブロック（
３）の一方の面にメッキされた金の層である０ 金属ブロック（３）の金の層（６）の上にシリコンサブ
マウント（２１を載せ、さらにその上にレーザダイオー
ド素子（１）をメタライズ層（４）側を下にして載せる
。
、（１）は半導体レーザダイオード素子、（２）はマウ
ント後の応力１１衝材となるシリコンサブマウント、（
３）は放熱体となる金属ブロック、（４）はレーザダイ
オード素子（１）の裏面に形成され表面に金が露出した
メタライズ層、（５）はシリコンサブマウント（２）の
表裏両面に形成された金の層、（６）は金属ブロック（
３）の一方の面にメッキされた金の層である０ 金属ブロック（３）の金の層（６）の上にシリコンサブ
マウント（２１を載せ、さらにその上にレーザダイオー
ド素子（１）をメタライズ層（４）側を下にして載せる
。
次に、レーザダイオード素子［１の上に、それに加わる
力のために欠陥が生じて特性が劣化しない程度の軽い重
りを載せ、これらを金−シリコンの共晶温度（３７０℃
）以上の温度に保持する。これによって、シリコンサブ
マウント（２）上の金（６）はシリコンサブマウント（
２）自体と共晶反応を引き起こし、金・シリコン合金が
できる。このシリコンサブマウント（２）の表面側にで
きた金・シリコン合金はさらにレーザダイオード素子（
１）のメタライズ層（４）の表面に露出した金と反応す
る。また、シリコンサブマウント（２Ｉの裏面側にでき
た金・シリコン合金は金属ブロック（３）の金の層（６
）と反応する。一定時間これらの反応を進行させたのち
、温度を共晶温度以下に下げ、重りを取除くと、第２図
に示したように、レーザダイ万一ドｆ１）とシリコンサ
ブマウント（２）との間及びシリコンサブマウント（２
）と金属ブロック（３）とが金・シリコン合金半田材（
））によって接着さねた半導体レーザ装置を得ることが
できる０ しかし、上記従来の製造方法には次のよう外問題点があ
った。すなわち、一般に金・シリコン合金は酸化され易
く、表面にすぐに酸化膜が発生する。シリコンサブマウ
ント（２１０表面上の金の層（６）は共晶温度に達する
と、シリコンサブマウント（２）自体のシリコンと反応
して全書シリコン合金ができるが、その反応中にすでに
酸化膜が発生する。
力のために欠陥が生じて特性が劣化しない程度の軽い重
りを載せ、これらを金−シリコンの共晶温度（３７０℃
）以上の温度に保持する。これによって、シリコンサブ
マウント（２）上の金（６）はシリコンサブマウント（
２）自体と共晶反応を引き起こし、金・シリコン合金が
できる。このシリコンサブマウント（２）の表面側にで
きた金・シリコン合金はさらにレーザダイオード素子（
１）のメタライズ層（４）の表面に露出した金と反応す
る。また、シリコンサブマウント（２Ｉの裏面側にでき
た金・シリコン合金は金属ブロック（３）の金の層（６
）と反応する。一定時間これらの反応を進行させたのち
、温度を共晶温度以下に下げ、重りを取除くと、第２図
に示したように、レーザダイ万一ドｆ１）とシリコンサ
ブマウント（２）との間及びシリコンサブマウント（２
）と金属ブロック（３）とが金・シリコン合金半田材（
））によって接着さねた半導体レーザ装置を得ることが
できる０ しかし、上記従来の製造方法には次のよう外問題点があ
った。すなわち、一般に金・シリコン合金は酸化され易
く、表面にすぐに酸化膜が発生する。シリコンサブマウ
ント（２１０表面上の金の層（６）は共晶温度に達する
と、シリコンサブマウント（２）自体のシリコンと反応
して全書シリコン合金ができるが、その反応中にすでに
酸化膜が発生する。
この酸化膜は金・シリコン合金とレーザダイオード素子
（１）のメタライズ層（４）表面の金との反応を妨げる
。この結果、レーザダイオード素子＋１１とシリコンサ
ブマウント（２１との接着が不十分となり、部分的にし
か接着されていないような状態になる。
（１）のメタライズ層（４）表面の金との反応を妨げる
。この結果、レーザダイオード素子＋１１とシリコンサ
ブマウント（２１との接着が不十分となり、部分的にし
か接着されていないような状態になる。
同様に１シリコンサブマウント（２）裏面上の金の層（
５）がシリコンサブマウント（２）自体のシリコンと反
応してできる金・シリコン合金も表面に発生する酸化膜
のために金属ブロック（３）の表面の金の層（６）との
反応が阻害され、金属プロン７り（３）との接着も不充
分なものとなる。この結果として、レーザダイオード素
子（１１から放熱体を形成する金属ブロック（３）への
熱抵抗は大きくなり、しかもそのｄらっきも大きい。
５）がシリコンサブマウント（２）自体のシリコンと反
応してできる金・シリコン合金も表面に発生する酸化膜
のために金属ブロック（３）の表面の金の層（６）との
反応が阻害され、金属プロン７り（３）との接着も不充
分なものとなる。この結果として、レーザダイオード素
子（１１から放熱体を形成する金属ブロック（３）への
熱抵抗は大きくなり、しかもそのｄらっきも大きい。
この接着不良をなくするＫは、共晶温度以上の温度に保
って金・シリコン合金ができた段階で、レーザダイオー
ド素子（１１のメタライズ層（４１の面とシリコンサブ
マウント（２）の表面とをこすりあわせることによって
、金・シリコン合金表面に発生した酸化膜を破って、金
・シリコン合金とレーザダイオード素子Ｔｌ＋のメタラ
イズ層（４）に露出した金との反応を促すといった方法
がとられている。シリコンサブマウント（２）の裏面と
金属ブロック（３）の表面の金の層（６１との間につい
ても同様の方法がとられている。しかしながら、このよ
うな、こすりあわせるという工程は非常に作業効率が慾
＜、また、適当な力で実施しないと、ややもすればレー
ザダイオード素子に損傷を与え、特性を劣化させてしま
うという問題点があった。
って金・シリコン合金ができた段階で、レーザダイオー
ド素子（１１のメタライズ層（４１の面とシリコンサブ
マウント（２）の表面とをこすりあわせることによって
、金・シリコン合金表面に発生した酸化膜を破って、金
・シリコン合金とレーザダイオード素子Ｔｌ＋のメタラ
イズ層（４）に露出した金との反応を促すといった方法
がとられている。シリコンサブマウント（２）の裏面と
金属ブロック（３）の表面の金の層（６１との間につい
ても同様の方法がとられている。しかしながら、このよ
うな、こすりあわせるという工程は非常に作業効率が慾
＜、また、適当な力で実施しないと、ややもすればレー
ザダイオード素子に損傷を与え、特性を劣化させてしま
うという問題点があった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、シ
リコンサブマウントの表面のろう材金属層の構成に工夫
を加えることによって、均一な接着が得られ、熱抵抗が
小さく、信頼性にすぐれた半導体レーザ装置を得る製造
方法を提供することを目的としている。
リコンサブマウントの表面のろう材金属層の構成に工夫
を加えることによって、均一な接着が得られ、熱抵抗が
小さく、信頼性にすぐれた半導体レーザ装置を得る製造
方法を提供することを目的としている。
第３図および第４図はこの発明の一実施例を説明するた
めの側面図で、第１図および第２図の従来例と同一符号
は同等部分を示し、その説明は省略する。この実施例で
は、シリコンサブマウント（２）の表裏両面にタングス
テンを含む金属からなる第１の金属層（８）、金からな
る第２の金属層（９）、ゲルマニウムからなる第３の金
Ｍ層（Ｉｎ・、お・よび金からなる第４の金属層（川が
形成されている。さて、金輌ブロック（３）の金の層（
６）側を上にして、その上ＶＣ上述のシリコンサブマウ
ント（２１を載せ、なお、その上にレーザダイオード素
子（１）をメタライズ層（４）側を下にして載せ、さら
にその上に軽い重りを載せ、これらを金とゲルマニウム
との共晶温度（３５６℃）以上の温度に保持する。これ
によってシリコンサブマウント（２）の表裏両面に形成
されたそれぞれの第３の金属層（ゲルマニウム） （ｌ
ｏｔと第２の金属層（金）（９）とが反応して金・ゲル
マニウム合金がで断る。この金・ゲルマニウム合金はタ
ングステンを含む第１の金属層（８）Ｋ接着する。一方
、第３の金属層（ゲルマニウム） １１０１は第４の金
属層（金）（Ｉｌｌとも反応して金・ゲルマニウム合金
を形成する。シリコンサブマウントｃ２）の表面側にで
きた金・ゲルマニウム合金は半導体レーザダイオード（
１）に形成されたメタライズ層（４）に露出している金
とも反応する。同様に、シリコンサブマウント（２）の
裏面＠にできた金・ゲルマニウム合金は金属ブロック（
３）の上面の金の層（６）とも反応する。一定時間反応
を進行させたのち、温度を金−ゲルマニウムの共晶温度
以下に下け、重りを取除くと、＃Ｉ４図に示すように、
レーザダイオード素子ｉｌ＋と両面に第１の金属層（タ
ングステンを含む）（８）が形成されたシリコンサーブ
マウント（２）と金属ブロック（３）とのそれぞれの相
互間が金Φゲルマニウム合金半田材（＋２１によって接
着された半導体レーザ装置が得られる。
めの側面図で、第１図および第２図の従来例と同一符号
は同等部分を示し、その説明は省略する。この実施例で
は、シリコンサブマウント（２）の表裏両面にタングス
テンを含む金属からなる第１の金属層（８）、金からな
る第２の金属層（９）、ゲルマニウムからなる第３の金
Ｍ層（Ｉｎ・、お・よび金からなる第４の金属層（川が
形成されている。さて、金輌ブロック（３）の金の層（
６）側を上にして、その上ＶＣ上述のシリコンサブマウ
ント（２１を載せ、なお、その上にレーザダイオード素
子（１）をメタライズ層（４）側を下にして載せ、さら
にその上に軽い重りを載せ、これらを金とゲルマニウム
との共晶温度（３５６℃）以上の温度に保持する。これ
によってシリコンサブマウント（２）の表裏両面に形成
されたそれぞれの第３の金属層（ゲルマニウム） （ｌ
ｏｔと第２の金属層（金）（９）とが反応して金・ゲル
マニウム合金がで断る。この金・ゲルマニウム合金はタ
ングステンを含む第１の金属層（８）Ｋ接着する。一方
、第３の金属層（ゲルマニウム） １１０１は第４の金
属層（金）（Ｉｌｌとも反応して金・ゲルマニウム合金
を形成する。シリコンサブマウントｃ２）の表面側にで
きた金・ゲルマニウム合金は半導体レーザダイオード（
１）に形成されたメタライズ層（４）に露出している金
とも反応する。同様に、シリコンサブマウント（２）の
裏面＠にできた金・ゲルマニウム合金は金属ブロック（
３）の上面の金の層（６）とも反応する。一定時間反応
を進行させたのち、温度を金−ゲルマニウムの共晶温度
以下に下け、重りを取除くと、＃Ｉ４図に示すように、
レーザダイオード素子ｉｌ＋と両面に第１の金属層（タ
ングステンを含む）（８）が形成されたシリコンサーブ
マウント（２）と金属ブロック（３）とのそれぞれの相
互間が金Φゲルマニウム合金半田材（＋２１によって接
着された半導体レーザ装置が得られる。
次に、タングステンを含む金属からなる第１の金属７＠
＃（８＋の効′果を説明する。もし、この第１の金楕層
（８）がなければ、金・ゲルマニウム合金が直接シリコ
ンサブマウント（２）のシリコン表面に触れることにな
るが、両者のなじみが悪くレーザダイオード素子（１）
とシリコンサブマウント１２）と金属ブロックとのそれ
ぞれの相互間の接着強度が低くなる。
＃（８＋の効′果を説明する。もし、この第１の金楕層
（８）がなければ、金・ゲルマニウム合金が直接シリコ
ンサブマウント（２）のシリコン表面に触れることにな
るが、両者のなじみが悪くレーザダイオード素子（１）
とシリコンサブマウント１２）と金属ブロックとのそれ
ぞれの相互間の接着強度が低くなる。
そこで、タングステンを含む金属のような金・ゲルマニ
ウム合金と々じみのよい第３の金属層（８）をシリコン
サブマウント（２）の両面最外側に形成しておく訳であ
る。
ウム合金と々じみのよい第３の金属層（８）をシリコン
サブマウント（２）の両面最外側に形成しておく訳であ
る。
そして、接着ろう材として金・ゲルマニウム合金を用い
るようにしたが、金−ゲルマニウム共晶温度社会−シリ
コン共晶温度より低いこと、更に、金・ゲルマニウム合
金は、従来の方法における金・シリコン合金に比して酸
化が少なく、従って、金・ゲルマニウム合金とレーザダ
イオード素子＋１１の金の層（４）および金属ブロック
（３）の上面の金の層（６）のそれぞれとの間の反応を
さまたげることは殆Ａ７どない。
るようにしたが、金−ゲルマニウム共晶温度社会−シリ
コン共晶温度より低いこと、更に、金・ゲルマニウム合
金は、従来の方法における金・シリコン合金に比して酸
化が少なく、従って、金・ゲルマニウム合金とレーザダ
イオード素子＋１１の金の層（４）および金属ブロック
（３）の上面の金の層（６）のそれぞれとの間の反応を
さまたげることは殆Ａ７どない。
上記実施例で灯、第３の金属層としてゲルマニウムを用
い、金・ゲルマニウム合金を接着ろう材として用いるよ
うにしたが、金との共晶温度で酸化性のはけしくない金
との合金を形成するような金属、例えはアンチモンまた
はスズを用いてもよい。また、第１の金楔層としてタン
グステンを含む金属を用いたが、上記接着ろう材となる
金合金とのなじみのよい金属であれ汀よく、例えば、モ
リブデンまたはタンタルを含む金枳を用いてもよ″
。 ・ｌオ剃ｌジ更に、
上記箒中台骨吻の方法では、金からなる第２の金Ｆ４１
金とともに接着ろう材合金を形成すべき金属からなる第
３の金Ｒ層および金からなる第４の金和Ｍを、それぞれ
独立にシリコンサブマウント表裏両面の第１の金属層上
に順次形成したが、あらかじめ第２．第３および第４の
金属層の合金である接着ろう材合金をつくった後、その
合金層を上記第１の金属層の上へ形成するようＫしても
よい。
い、金・ゲルマニウム合金を接着ろう材として用いるよ
うにしたが、金との共晶温度で酸化性のはけしくない金
との合金を形成するような金属、例えはアンチモンまた
はスズを用いてもよい。また、第１の金楔層としてタン
グステンを含む金属を用いたが、上記接着ろう材となる
金合金とのなじみのよい金属であれ汀よく、例えば、モ
リブデンまたはタンタルを含む金枳を用いてもよ″
。 ・ｌオ剃ｌジ更に、
上記箒中台骨吻の方法では、金からなる第２の金Ｆ４１
金とともに接着ろう材合金を形成すべき金属からなる第
３の金Ｒ層および金からなる第４の金和Ｍを、それぞれ
独立にシリコンサブマウント表裏両面の第１の金属層上
に順次形成したが、あらかじめ第２．第３および第４の
金属層の合金である接着ろう材合金をつくった後、その
合金層を上記第１の金属層の上へ形成するようＫしても
よい。
以上詳述したように、この発明になる半導体レーザ装置
の製造方法ではレーザダイオード素子とシリコンサブマ
ウントと放熱用金撫部材とを順次接着するのに、大気中
合金時の表面酸化が少ないように選ばれた金合金ろう材
を用い、しかもこの金合金ろう材となじみのよい金属層
をシリコンサブマウント本体のシリコン板の両面との間
にそれぞれ挿入したので、接着は確実となり、熱抵抗は
小さくなり、４ＮｉＩＩ性にすぐれた半導体レーザ装置
が得られる。
の製造方法ではレーザダイオード素子とシリコンサブマ
ウントと放熱用金撫部材とを順次接着するのに、大気中
合金時の表面酸化が少ないように選ばれた金合金ろう材
を用い、しかもこの金合金ろう材となじみのよい金属層
をシリコンサブマウント本体のシリコン板の両面との間
にそれぞれ挿入したので、接着は確実となり、熱抵抗は
小さくなり、４ＮｉＩＩ性にすぐれた半導体レーザ装置
が得られる。
第１図および第２図は従来の製造方法を説明するための
側面図、第３図および第４図はこの発明の一実施例を説
明するための側面図である。 図において、１１）は半導体レーザダイオード素子、（
２１はシリコンサブマウント、ｔａｃＦｉ放熱用金属プ
ロ（８）は第１の金属層、（９）は第２の金属層、（圃
ｉｉ第３０金輛層、（川は第４の金属層、（１２１は金
合金ろう材である。 なお、図中同一符号は同一部分または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −（外１名）第１図
第２図 第３図 第４図 手続補正書（１尭） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭 ５６−１４０１！１０
号２、発明の名称 半導体レーザ装置の製造方法３
、補正をする者 ５、 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の― ６、 補正の内容 明細書をつぎのとおり訂正する。
側面図、第３図および第４図はこの発明の一実施例を説
明するための側面図である。 図において、１１）は半導体レーザダイオード素子、（
２１はシリコンサブマウント、ｔａｃＦｉ放熱用金属プ
ロ（８）は第１の金属層、（９）は第２の金属層、（圃
ｉｉ第３０金輛層、（川は第４の金属層、（１２１は金
合金ろう材である。 なお、図中同一符号は同一部分または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −（外１名）第１図
第２図 第３図 第４図 手続補正書（１尭） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭 ５６−１４０１！１０
号２、発明の名称 半導体レーザ装置の製造方法３
、補正をする者 ５、 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の― ６、 補正の内容 明細書をつぎのとおり訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｌｌ 半導体レーザダイオード素子をシリコンサブ
マウントを挾んで放熱体にそれぞれの間を金合金ろう材
で接着して半導体レーザ装置を製造するに際して、上面
に金の層が形成され上記放熱体を構成する金属部材、シ
リコン板からなりζ両表面にいずれも上記金合金ろう材
となじみのよい金属からなる金属層および大気中合金時
の表面酸化が少ないように選ばれた上記金合金ろう材の
組成成分を有する金属層が順次形成されたシリコンサブ
・ マウント、並びに下面に金の露出したメタライズ層
が形成された半導体レーザダイオード素子を順次重ねて
置き、上記金合金ろう材の共晶温度以上の温度に昇温し
て、上記半導体レーザダイオード素子と上記シリコンサ
ブマウントと上記金属部材とを接着することを特徴とす
る半導体レーザ装置の製造方法。 （２） シリコンサブマウントはその両表面にいずれ
も金合金ろう材となじみのよい金属からなる金属層およ
び上記金合金ろう材層が順次形成されたものを用いるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レー
ザ装置の製造方法。 （３） シリコンサブマウントはその両表面にいずれ
も金合金ろう材となじみのよい金属からなる第１の金蝿
層、金からなる第２の金属層、金とともに上記金合金ろ
う材の組成を構成する金属から表る第３の金属層、およ
び金からなる第４の金属層が順次形成されたものを用い
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
レーザ装置の製造方法。 （４）金合金ろう材が金・ゲルマニウム合金であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいず
れかに記載の半導体レーザ装置の製造方法。 （６）金合金ろう材が金・アンチモン合金であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれ
かに記載の半導体レーザ装置の與造方法。 （７） 金合金ろう材となじみのよい金属としてタン
グステンを含む金属￥男いることを特徴とする特許請求
の範囲第１項ないし８ｇ６項のいずれかに記載の半導体
レーザ装置の製造方法。 （８） 金合金ろう材となじみのよい金属としてモリ
ブデンを含む金属を用いることを特徴とする特許請求の
範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の半導体レー
ザ装置の製造方法。 （９）金合金ろう材となじみのよい金属としてタンタル
を含む金Ｂ４を用いることを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第６項のいずれかに記載の半導体レーザ装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56140620A JPS5842285A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56140620A JPS5842285A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842285A true JPS5842285A (ja) | 1983-03-11 |
Family
ID=15272938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56140620A Pending JPS5842285A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842285A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5016083A (en) * | 1990-01-12 | 1991-05-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Submount for semiconductor laser device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS543659U (ja) * | 1977-06-10 | 1979-01-11 | ||
| JPS5411690A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-27 | Nec Corp | Semiconductor laser unit |
| JPS5419829U (ja) * | 1977-07-12 | 1979-02-08 | ||
| JPS5575282A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-06 | Fujitsu Ltd | Manufacturing method of semiconductor laser device |
-
1981
- 1981-09-07 JP JP56140620A patent/JPS5842285A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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