JPH0519250B2 - - Google Patents
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- JPH0519250B2 JPH0519250B2 JP58030835A JP3083583A JPH0519250B2 JP H0519250 B2 JPH0519250 B2 JP H0519250B2 JP 58030835 A JP58030835 A JP 58030835A JP 3083583 A JP3083583 A JP 3083583A JP H0519250 B2 JPH0519250 B2 JP H0519250B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- shadow mask
- resist film
- hole side
- aperture
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
- H01J9/142—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes of shadow-masks for colour television tubes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はカラー受像管用シヤドウマスクの製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
シヤドウマスク型カラー受像管は多数のビーム
開孔が所定のピツチで配列され蛍光面に近接対向
して配置されたシヤドウマスクを有している。こ
のシヤドウマスクは電子銃からの赤、青及び緑に
対応する３本の電子ビームを一つのビーム開孔近
傍で集中させ蛍光面の赤、青及び緑に対応するよ
うに塗り分けられた蛍光面に正しく対応射突して
カラー影像を再現する、いわゆる色選別機能を有
する重要な部材の一つである。従つてシヤドウマ
スクの開孔形状の歪、開孔と対応蛍光体との配置
歪及びシヤドウマスクと蛍光面の一定の距離（以
降ｑ値と称す）の歪はその許容範囲を越えると何
れも色純度の劣化等の特性上の重大な支障をもた
らすことになる。シヤドウマスクの各ビーム開孔
は一般に斜めに入射する電子ビームの一定の通過
量を確保するために第１図に示すような断面形状
を有している。即ち、シヤドウマスク１の蛍光面
側の開孔２（以降大孔と称す）は電子銃側の開孔
３（以降小孔と称す）の約３倍の面積を有するよ
うに穿設される。このようなシヤドウマスクは以
下の工程を経て製造される。まず第２図ａに示す
ようにシヤドウマスク１用素材の両面に感光剤を
含むレジスト膜４を被着する。次いで対定の開孔
面積に対応するマスクパターンを介してレジスト
膜の所定部を感光させ、現像処理により第２図ｂ
に示すように開孔されるべき大孔２及び小孔１部
分のレジスト膜４を除去し素材面を露出させる。
次いで素材が鉄を主成分とするものであれば第２
塩化鉄を主成分とするエツチング液によりエツチ
ングし第１図に示すような所定の開孔を穿設す
る。その後残余のレジスト膜を除去して得られた
フラツトマスクを成形して完成品となる。ところ
で第１図に示すような開孔形状に於て、最小孔径
の精度制御に最も関与するのは小孔側からのエツ
チングであり、このためには大孔側からのエツチ
ングが制御されていなければならない。また当然
のこと乍ら大孔側のエツチング量は小孔側のエツ
チング量より大でなければならない。このような
条件に対して大孔側のエツチング孔面積は小孔側
のエツチング孔面積の約３倍と大きいため、エツ
チング時の大孔内での新液と疲労した液との交換
効率が良く、エツチング速度及び量が大となり、
一応上記条件は満足される。しかし乍ら大孔側の
エツチング速度と量が大きいためにサイドエツチ
ングも進行し、第２図ｃに示すようなシヤドウマ
スク１素材から浮いたレジスト膜４のひさし部５
も多くなり、之等のひさし部５はエツチング液の
衝撃によつてしばしば剥離又は破壊を生ずる。こ
の結果レジスト膜が破壊された部分はさらにエツ
チングが進行するため孔形状の歪を生じシヤドウ
マスク品位を低下させる。このような傾向は高精
細度カラー受像管用の開孔ピツチ及び径の縮少さ
れたシヤドウマスク程著しく、さらにシヤドウマ
スク素材の板厚が厚くなる程エツチング量も大と
なるため著るしい。
開孔が所定のピツチで配列され蛍光面に近接対向
して配置されたシヤドウマスクを有している。こ
のシヤドウマスクは電子銃からの赤、青及び緑に
対応する３本の電子ビームを一つのビーム開孔近
傍で集中させ蛍光面の赤、青及び緑に対応するよ
うに塗り分けられた蛍光面に正しく対応射突して
カラー影像を再現する、いわゆる色選別機能を有
する重要な部材の一つである。従つてシヤドウマ
スクの開孔形状の歪、開孔と対応蛍光体との配置
歪及びシヤドウマスクと蛍光面の一定の距離（以
降ｑ値と称す）の歪はその許容範囲を越えると何
れも色純度の劣化等の特性上の重大な支障をもた
らすことになる。シヤドウマスクの各ビーム開孔
は一般に斜めに入射する電子ビームの一定の通過
量を確保するために第１図に示すような断面形状
を有している。即ち、シヤドウマスク１の蛍光面
側の開孔２（以降大孔と称す）は電子銃側の開孔
３（以降小孔と称す）の約３倍の面積を有するよ
うに穿設される。このようなシヤドウマスクは以
下の工程を経て製造される。まず第２図ａに示す
ようにシヤドウマスク１用素材の両面に感光剤を
含むレジスト膜４を被着する。次いで対定の開孔
面積に対応するマスクパターンを介してレジスト
膜の所定部を感光させ、現像処理により第２図ｂ
に示すように開孔されるべき大孔２及び小孔１部
分のレジスト膜４を除去し素材面を露出させる。
次いで素材が鉄を主成分とするものであれば第２
塩化鉄を主成分とするエツチング液によりエツチ
ングし第１図に示すような所定の開孔を穿設す
る。その後残余のレジスト膜を除去して得られた
フラツトマスクを成形して完成品となる。ところ
で第１図に示すような開孔形状に於て、最小孔径
の精度制御に最も関与するのは小孔側からのエツ
チングであり、このためには大孔側からのエツチ
ングが制御されていなければならない。また当然
のこと乍ら大孔側のエツチング量は小孔側のエツ
チング量より大でなければならない。このような
条件に対して大孔側のエツチング孔面積は小孔側
のエツチング孔面積の約３倍と大きいため、エツ
チング時の大孔内での新液と疲労した液との交換
効率が良く、エツチング速度及び量が大となり、
一応上記条件は満足される。しかし乍ら大孔側の
エツチング速度と量が大きいためにサイドエツチ
ングも進行し、第２図ｃに示すようなシヤドウマ
スク１素材から浮いたレジスト膜４のひさし部５
も多くなり、之等のひさし部５はエツチング液の
衝撃によつてしばしば剥離又は破壊を生ずる。こ
の結果レジスト膜が破壊された部分はさらにエツ
チングが進行するため孔形状の歪を生じシヤドウ
マスク品位を低下させる。このような傾向は高精
細度カラー受像管用の開孔ピツチ及び径の縮少さ
れたシヤドウマスク程著しく、さらにシヤドウマ
スク素材の板厚が厚くなる程エツチング量も大と
なるため著るしい。
シヤドウマスク型カラー受像管ではそのシステ
ム上、電子ビーム開孔を通過せずシヤドウマスク
に射突する電子ビーム量は約2/3以上もある。こ
の結果シヤドウマスクは加熱膨張し、ｑ値が変化
し色純度の劣化をもたらす。このようなシヤドウ
マスクの加熱膨張によるドーミング現象はシヤド
ウマスクの開孔の穿設された有効面がより曲面で
ある程、即ちより曲率が小さい程電子ビームのラ
ンデイング余裕度が大きくとれるので小さい。し
かし乍らシヤドウマスク有効面の曲率はパネル面
の曲率と相似形状であり、曲率が小さい程視認者
側からは見難くなる。従つて之等の曲率はできる
だけ大きくする傾向にある。
ム上、電子ビーム開孔を通過せずシヤドウマスク
に射突する電子ビーム量は約2/3以上もある。こ
の結果シヤドウマスクは加熱膨張し、ｑ値が変化
し色純度の劣化をもたらす。このようなシヤドウ
マスクの加熱膨張によるドーミング現象はシヤド
ウマスクの開孔の穿設された有効面がより曲面で
ある程、即ちより曲率が小さい程電子ビームのラ
ンデイング余裕度が大きくとれるので小さい。し
かし乍らシヤドウマスク有効面の曲率はパネル面
の曲率と相似形状であり、曲率が小さい程視認者
側からは見難くなる。従つて之等の曲率はできる
だけ大きくする傾向にある。
この結果より生じ易くなるドーミング現象を抑
制する必要がある。このためにシヤドウマスクの
熱輻射を大きくしたり蛍光面の熱吸収を大きくし
て温度上昇を抑える方法も考えられているが、之
等の方法は抑制作用としては小さく適用し得る許
容値も小さいものである。これに対して比較的有
効な手段の一つとしてシヤドウマスクの板厚を厚
くして熱変形を抑制する方法が考えられる。しか
し乍ら板厚を厚くする程開孔穿設時の高精度のエ
ツチングは困難となり、例えば0.15mmの板厚に対
して0.3mmの板厚では約３倍のエツチング時間を
要し前述のレジスト膜ひさし部の破壊による孔形
状の歪も急速に増大する。
制する必要がある。このためにシヤドウマスクの
熱輻射を大きくしたり蛍光面の熱吸収を大きくし
て温度上昇を抑える方法も考えられているが、之
等の方法は抑制作用としては小さく適用し得る許
容値も小さいものである。これに対して比較的有
効な手段の一つとしてシヤドウマスクの板厚を厚
くして熱変形を抑制する方法が考えられる。しか
し乍ら板厚を厚くする程開孔穿設時の高精度のエ
ツチングは困難となり、例えば0.15mmの板厚に対
して0.3mmの板厚では約３倍のエツチング時間を
要し前述のレジスト膜ひさし部の破壊による孔形
状の歪も急速に増大する。
本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、高
精度の開孔穿設を可能とするシヤドウマスクの製
造方法を提供することを目的とする。
精度の開孔穿設を可能とするシヤドウマスクの製
造方法を提供することを目的とする。
本発明はシヤドウマスク用素材の一面のレジス
ト膜を他面のレジスト膜より厚くし大孔側と小孔
側のエツチング速度及び量に対応させることによ
つてレジスト膜の開孔ひさし部の破壊を極力抑制
し、またエツチング前半のレジスト膜に対するエ
ツチング液の衝撃力のエツチング後半の衝撃力よ
り強くしてエツチングすることにより、より高精
度のビーム開孔を穿設するシヤドウマスクの製造
方法である。
ト膜を他面のレジスト膜より厚くし大孔側と小孔
側のエツチング速度及び量に対応させることによ
つてレジスト膜の開孔ひさし部の破壊を極力抑制
し、またエツチング前半のレジスト膜に対するエ
ツチング液の衝撃力のエツチング後半の衝撃力よ
り強くしてエツチングすることにより、より高精
度のビーム開孔を穿設するシヤドウマスクの製造
方法である。
以下に本発明について実施例と共に詳細に説明
する。
する。
シヤドウマスクの開孔形状において最も重要な
部分は小孔部である。即ち通常は小孔部の開孔面
積と最小孔径部分の面積は近似状に形成されてお
り、電子ビームの開孔通過量はこの最小孔径によ
つてほぼ決定される。従つて小孔側の開孔精度は
厳しく、一方大孔側の開孔精度はその許容範囲が
小孔側よりは大である。エツチングに際しては大
孔側のエツチング量は小孔側のエツチング量より
も極めて大きいので当初は大孔側から優先的にエ
ツチングを進行させ最終的に小孔側からのエツチ
ングにより開孔を貫通させることが好ましい。こ
の時大孔側のサイドエツチ量及び穿設形状が大き
なばらつきを有する結果として小孔側からのエツ
チングによる開孔精度もばらつくことになる。エ
ツチング時の開孔ひさし部の破壊を抑制するには
レジスト膜を厚く形成することが有効な手段であ
る。しかし乍らレジスト膜の厚さをあまり増大さ
せるとレジスト膜の露光現象時の解像力が低下
し、結果として開孔精度も低下することになる。
以上の観点か、最もエツチング速度及び量の大き
い大孔側のレジスト膜厚を小孔側の膜厚より相対
的に大きくなるように被着形成し、大孔側の開孔
ひさし部のレジスト膜破壊を抑制し、小孔側はそ
のエツチング速度及び量に見合うだけの開孔ひさ
し部のレジスト膜強度が維持できるように設定す
ればよい。
部分は小孔部である。即ち通常は小孔部の開孔面
積と最小孔径部分の面積は近似状に形成されてお
り、電子ビームの開孔通過量はこの最小孔径によ
つてほぼ決定される。従つて小孔側の開孔精度は
厳しく、一方大孔側の開孔精度はその許容範囲が
小孔側よりは大である。エツチングに際しては大
孔側のエツチング量は小孔側のエツチング量より
も極めて大きいので当初は大孔側から優先的にエ
ツチングを進行させ最終的に小孔側からのエツチ
ングにより開孔を貫通させることが好ましい。こ
の時大孔側のサイドエツチ量及び穿設形状が大き
なばらつきを有する結果として小孔側からのエツ
チングによる開孔精度もばらつくことになる。エ
ツチング時の開孔ひさし部の破壊を抑制するには
レジスト膜を厚く形成することが有効な手段であ
る。しかし乍らレジスト膜の厚さをあまり増大さ
せるとレジスト膜の露光現象時の解像力が低下
し、結果として開孔精度も低下することになる。
以上の観点か、最もエツチング速度及び量の大き
い大孔側のレジスト膜厚を小孔側の膜厚より相対
的に大きくなるように被着形成し、大孔側の開孔
ひさし部のレジスト膜破壊を抑制し、小孔側はそ
のエツチング速度及び量に見合うだけの開孔ひさ
し部のレジスト膜強度が維持できるように設定す
ればよい。
大孔側のレジスト膜は開孔ひさし部の強度と露
光現象時の解像力の許容範囲から5μm〜12μmの
範囲が好ましい。小孔側のレジスト膜は同様の観
点から3μm〜6μmの範囲が好ましい。以上のレジ
スト膜の厚さの範囲内で適用する開孔ピツチと径
及びシヤドウマスク素材の板厚に応じて大孔側の
レジスト膜を小孔側のレジスト膜より相対的に大
となるように選定すればよい。
光現象時の解像力の許容範囲から5μm〜12μmの
範囲が好ましい。小孔側のレジスト膜は同様の観
点から3μm〜6μmの範囲が好ましい。以上のレジ
スト膜の厚さの範囲内で適用する開孔ピツチと径
及びシヤドウマスク素材の板厚に応じて大孔側の
レジスト膜を小孔側のレジスト膜より相対的に大
となるように選定すればよい。
またエツチングに際しては前半の大孔側のエツ
チング進行度に対して後半のエツチング進行度を
相対的に緩やかにすることによつてより高精度の
開孔を得ることができる。即ちエツチング後半は
サイドエツチングを可能な限り抑制し、最終的に
開孔精度を決定する小孔側のエツチングを前半の
エツチングより緩やかとすることによつて好まし
い結果を得ることができる。具体的にはエツチン
グノズルから噴射されるシヤドウマスク用素材へ
のエツチング液の衝撃力を前半は５〜10g／cm2、
後半は2.5〜5.0g／cm2に抑制することによつて好
結果を得た。次に本発明を厚さ0.3mmのシヤドウ
マスクの製造に適用した例について説明する。
チング進行度に対して後半のエツチング進行度を
相対的に緩やかにすることによつてより高精度の
開孔を得ることができる。即ちエツチング後半は
サイドエツチングを可能な限り抑制し、最終的に
開孔精度を決定する小孔側のエツチングを前半の
エツチングより緩やかとすることによつて好まし
い結果を得ることができる。具体的にはエツチン
グノズルから噴射されるシヤドウマスク用素材へ
のエツチング液の衝撃力を前半は５〜10g／cm2、
後半は2.5〜5.0g／cm2に抑制することによつて好
結果を得た。次に本発明を厚さ0.3mmのシヤドウ
マスクの製造に適用した例について説明する。
シヤドウマスク用素材の両面のレジスト膜塗布
形成工程において、牛乳カゼイン酸アルカリ及び
感光剤として重クロム酸アンモニウムを牛乳カゼ
イン酸アルカリに対して約１重量％添加し、比重
約1.04に調整した感光液を第３図に示すクイズ・
コータ方式で塗布する。
形成工程において、牛乳カゼイン酸アルカリ及び
感光剤として重クロム酸アンモニウムを牛乳カゼ
イン酸アルカリに対して約１重量％添加し、比重
約1.04に調整した感光液を第３図に示すクイズ・
コータ方式で塗布する。
シヤドウマスク用素材１を感光液４を通して引
き上げ乍ら両面からローラ７及び８によつてレジ
スト膜の塗布厚を調整する。例えば感光液の液面
に対し最初はローラ７及び８を点線に示すように
対称におき、然る後一方のローラ７中心を液面よ
りh1だけ高く、他方のローラ８中心を液面よりh2
だけ低く設定する。このようにして形成したレジ
スト膜４はローラ７側よりもローラ８側の方が厚
く形成され、塗布後約100℃の雰囲気中で５分間
加熱することによつてレジスト膜４は安定化す
る。例えばh1及びh2共に１mmの場合はレジスト膜
厚は約5μmと約8μmのものが得られた。
き上げ乍ら両面からローラ７及び８によつてレジ
スト膜の塗布厚を調整する。例えば感光液の液面
に対し最初はローラ７及び８を点線に示すように
対称におき、然る後一方のローラ７中心を液面よ
りh1だけ高く、他方のローラ８中心を液面よりh2
だけ低く設定する。このようにして形成したレジ
スト膜４はローラ７側よりもローラ８側の方が厚
く形成され、塗布後約100℃の雰囲気中で５分間
加熱することによつてレジスト膜４は安定化す
る。例えばh1及びh2共に１mmの場合はレジスト膜
厚は約5μmと約8μmのものが得られた。
次に露光工程では所定の焼付ネガパターンを用
いて約１ｍの距離から5kwの水銀ランプで約１分
間露光を行う。さらに現像は約40℃の温純水で圧
力１Kg／cm2のスプレイ方式にて１分間行い、150
℃の雰囲気で２分間乾燥し、さらに200℃の雰囲
気で約1.5バーニングを実施する。以上の工程で
開孔が穿設されるべき対応部分が露出したシヤド
ウマスク用素材が得られる。
いて約１ｍの距離から5kwの水銀ランプで約１分
間露光を行う。さらに現像は約40℃の温純水で圧
力１Kg／cm2のスプレイ方式にて１分間行い、150
℃の雰囲気で２分間乾燥し、さらに200℃の雰囲
気で約1.5バーニングを実施する。以上の工程で
開孔が穿設されるべき対応部分が露出したシヤド
ウマスク用素材が得られる。
次にエツチング工程は、例えば液温約67℃、比
重約1.467に調整された塩化第２鉄溶液をエツチ
ング液としてレジスト膜から約300mmの位置に配
置したノズルから噴出させてエツチングを行う。
重約1.467に調整された塩化第２鉄溶液をエツチ
ング液としてレジスト膜から約300mmの位置に配
置したノズルから噴出させてエツチングを行う。
まずエツチングの前半はスプレイ圧1.5〜2.5
Kg／cm2、レジスト膜への衝撃力が５〜10Kg／cm2の
条件で約６分間エツチングを行なう。この段階で
はまだサイドエツチングによつて生ずるレジスト
膜のひさし部は小さく、且つ開孔は貫通していな
いので大孔側と小孔側の間でエツチング液が吹き
抜けることがないためレジスト膜への衝撃力が５
〜10Kg／cm2と強くてもレジスト膜は十分に安定し
て耐え得る。
Kg／cm2、レジスト膜への衝撃力が５〜10Kg／cm2の
条件で約６分間エツチングを行なう。この段階で
はまだサイドエツチングによつて生ずるレジスト
膜のひさし部は小さく、且つ開孔は貫通していな
いので大孔側と小孔側の間でエツチング液が吹き
抜けることがないためレジスト膜への衝撃力が５
〜10Kg／cm2と強くてもレジスト膜は十分に安定し
て耐え得る。
次にエツチングの後半はスプレイ圧0.5〜1.5
Kg／cm2、レジスト膜への衝撃力が2.5〜５Kg／cm2
の条件で約６分間エツチングを行なう。この段階
ではレジスト膜のひさし部は大きくなり、且つ大
孔と小孔間のエツチング液吹き抜けが発生する
が、大孔側のレジスト膜は小孔側より充分厚く形
成されており、またレジスト膜に対する衝撃力も
エツチング前半よりは十分弱く設定されているの
で、レジスト膜のひさし部が不安定になることは
なく、レジスト膜の破壊を生ずる恐れはない。
Kg／cm2、レジスト膜への衝撃力が2.5〜５Kg／cm2
の条件で約６分間エツチングを行なう。この段階
ではレジスト膜のひさし部は大きくなり、且つ大
孔と小孔間のエツチング液吹き抜けが発生する
が、大孔側のレジスト膜は小孔側より充分厚く形
成されており、またレジスト膜に対する衝撃力も
エツチング前半よりは十分弱く設定されているの
で、レジスト膜のひさし部が不安定になることは
なく、レジスト膜の破壊を生ずる恐れはない。
エツチング終了以降は水洗及び90℃の
NaOH15％溶液で１Kg／cm2の圧力で３分間スプ
レイして残余のレジスト膜を除去し、水洗、乾燥
してフラツトマスクが得られる。
NaOH15％溶液で１Kg／cm2の圧力で３分間スプ
レイして残余のレジスト膜を除去し、水洗、乾燥
してフラツトマスクが得られる。
尚、エツチングは大孔側及び小孔側から順次に
また両面側同時に或は之等両者を適宜組み合わせ
て行なつてもよい。但し片側からのみエツチング
を行なう場合は大孔側と小孔側が貫通していない
限りエツチング液が片側から他側へもれないよう
に吹き抜け防止装置を付加することが好ましい。
また開孔サイズ及びピツチの小さな高精細度カラ
ー受像管用シヤドウマスクを含めて板厚0.1〜0.4
mmのシヤドウマスクに適用することができる。
また両面側同時に或は之等両者を適宜組み合わせ
て行なつてもよい。但し片側からのみエツチング
を行なう場合は大孔側と小孔側が貫通していない
限りエツチング液が片側から他側へもれないよう
に吹き抜け防止装置を付加することが好ましい。
また開孔サイズ及びピツチの小さな高精細度カラ
ー受像管用シヤドウマスクを含めて板厚0.1〜0.4
mmのシヤドウマスクに適用することができる。
以上のように本発明によれば、高精度のビーム
開孔を効率よく穿設することができその工業的価
値は大である。
開孔を効率よく穿設することができその工業的価
値は大である。
第１図はシヤドウマスクの開孔の断面を示す概
略模式図、第２図ａ乃至第２図ｃはシヤドウマス
クの開孔穿設工程を説明するための概略模式図、
第３図はレジスト膜塗布工程を説明するための概
略模式図である。 １……シヤドウマスク用素材、２……大孔、３
……小孔、４……レジスト膜、５……ひさし部。
略模式図、第２図ａ乃至第２図ｃはシヤドウマス
クの開孔穿設工程を説明するための概略模式図、
第３図はレジスト膜塗布工程を説明するための概
略模式図である。 １……シヤドウマスク用素材、２……大孔、３
……小孔、４……レジスト膜、５……ひさし部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シヤドウマスク用素材の両面にレジスト膜を
被着する工程と、前記レジスト膜をマスクパター
ンを介して露光する工程と、前記シヤドウマスク
用素材の被エツチング部分を露出させるように現
像する工程と、前記被エツチング部分をエツチン
グ液によりエツチングする工程とからなるシヤド
ウマスクの製造方法において、前記シヤドウマス
ク用素材の一面のレジスト膜を他面のレジスト膜
より厚く被着することを特徴とするシヤドウマス
クの製造方法。 ２ 前記エツチング工程を前半と後半に分け、前
半のエツチング液の前記シヤドウマスク用素材に
対する衝撃力を後半の衝撃力より強くしたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のシヤドウ
マスクの製造方法。 ３ 前記エツチング工程での前半の衝撃力を５〜
10g／cm2、後半の衝撃力を2.5〜5.0g／cm2の範囲に
制御したことを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載のシヤドウマスクの製造方法。 ４ 前記エツチングを0.1〜0.4mmの厚さの前記シ
ヤドウマスク用素材に対して行なうことを特徴と
する特許請求の範囲第３項記載のシヤドウマスク
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030835A JPS59158051A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | シヤドウマスクの製造方法 |
| US06/583,329 US4565755A (en) | 1983-02-28 | 1984-02-24 | Method of manufacturing shadow mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030835A JPS59158051A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | シヤドウマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59158051A JPS59158051A (ja) | 1984-09-07 |
| JPH0519250B2 true JPH0519250B2 (ja) | 1993-03-16 |
Family
ID=12314752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58030835A Granted JPS59158051A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | シヤドウマスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4565755A (ja) |
| JP (1) | JPS59158051A (ja) |
Families Citing this family (6)
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| US4800840A (en) * | 1986-09-24 | 1989-01-31 | Rockwell International Corporation | Method and apparatus for vapor stream discrimination |
| US4865953A (en) * | 1987-09-28 | 1989-09-12 | Rca Licensing Corp. | Method for making a stencil with a borax-free, low-dichromate, casein photoresist composition |
| US5006432A (en) * | 1987-10-28 | 1991-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a shadow mask |
| JP2670835B2 (ja) * | 1989-02-10 | 1997-10-29 | 日本シイエムケイ株式会社 | 微細パターン形成用エッチング方法とエッチング装置 |
| US5484074A (en) * | 1994-05-03 | 1996-01-16 | Bmc Industries, Inc. | Method for manufacturing a shadow mask |
| KR100796617B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-01-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 마스크 장치와 마스크 장치의 제조방법 및 이를 이용한유기전계발광표시장치의 제조방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3676914A (en) * | 1970-05-01 | 1972-07-18 | Zenith Radio Corp | Manufacture of shadow mask color picture tube |
| US4126510A (en) * | 1977-10-06 | 1978-11-21 | Rca Corporation | Etching a succession of articles from a strip of sheet metal |
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-
1983
- 1983-02-28 JP JP58030835A patent/JPS59158051A/ja active Granted
-
1984
- 1984-02-24 US US06/583,329 patent/US4565755A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59158051A (ja) | 1984-09-07 |
| US4565755A (en) | 1986-01-21 |
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