JPH05194523A - クロロガリウムフタロシアニンの新規な結晶の製造方法及びその結晶を用いた電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 クロロガリウムフタロシアニンの新規な結晶
の製造方法及びその結晶を含有する電子写真感光体を提
供する。 【構成】 クロロガリウムフタロシアニンを機械的に粉
砕した後、芳香族アルコール溶剤を用いて処理すると、
Ｘ線回折スペクトルにおけるブラッグ角度（２θ±０．
２°）の少なくとも７．４°、１６．６°、２５．５°
及び２８．３°に強い回折ピークを有するクロロガリウ
ムフタロシアニンの新規な結晶が製造される。また、電
子写真感光体は上記クロロガリウムフタロシアニン結晶
を含有する感光層を導電性支持体上に被覆したものであ
る。 【効果】 上記方法により製造されるクロロガリウムフ
タロシアニン結晶は、感光波長域が長波長まで伸びてい
るため、半導体レーザーを利用するプリンター等の光導
電材料として有用である。また、上記結晶を感光層に含
有する電子写真感光体は、高感度で、残留電荷が低く、
帯電性が高く、かつ耐久性に優れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、クロロガリウムフタロ
シアニンの新規な結晶の製造方法及びその結晶よりなる
光導電材料を用いた電子写真感光体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真感光体における感光材料
としては、種々ものもが提案されており、そして、感光
層を電荷発生層と電荷輸送層とに分離した積層型の電子
写真感光体に関しても、電荷発生材料として種々の有機
化合物が提案されている。近年、従来提案された有機光
導電材料の感光波長域を近赤外線の半導体レーザーの波
長(780〜830nm ）にまで伸ばし、レーザープリンター等
のデジタル記録用の感光体として使用することの要求が
高まっており、この観点から、スクエアリリウム化合物
（特開昭４９−１０５５３６号及び同５８−２１４１６
号公報）、トリフェニルアミン系トリスアゾ化合物（特
開昭６１−１５１６５９号公報）、フタロシアニン化合
物（特開昭４８−３４１８９号及び同５７−１４８７４
５号公報）等が、半導体レーザー用の光導電材料として
提案されている。

【０００３】半導体レーザー用感光材料として、有機光
導電材料を使用する場合は、まず、感光波長域が長波長
まで伸びていること、次に、形成される感光体の感度、
耐久性がよいことなどが要求される。前記の有機光導電
材料はこれらの諸条件を十分に満足するものではない。
これらの欠点を克服するために、前記の有機光導電材料
について、結晶型と電子写真特性の関係が検討されてお
り、特にフタロシアニン化合物については多くの報告が
出されている。

【０００４】一般に、フタロシアニン化合物は製造方法
や処理方法の違いにより幾つかの結晶型を示し、この結
晶型の違いはフタロシアニン化合物の光電変換特性に大
きな影響を及ぼすことが知られている。フタロシアニン
化合物の結晶型については、例えば、銅フタロシアニン
についてみると、安定系のβ型以外に、α、ε、π、
ｘ、ρ、γ、δ等の結晶型が知られており、これらの結
晶型は、機械的歪力、硫酸処理、有機溶剤処理、熱処理
等により、相互に移転が可能であることが知られている
（例えば米国特許第２，７７０，６２９号、同第３，１
６０，６３５号、同第３，７０８，２９２号及び同３，
３５７，９８９号明細書）。また、特開昭５０−３８５
４３号公報には、銅フタロシアニンの結晶型の違いと電
子写真特性について、α、β、γ及びε型の比較では、
ε型が最も高い感度を示すことが記載されている。

【０００５】また、クロロガリウムフタロシアニンに関
しては、電子写真学会誌，26(3) ，240(1987) に、特定
のブラッグ角度を有するクロロガリウムフタロシアニン
の結晶型について記載されているが、本発明のものとは
結晶型が異なるものであり、電子写真への応用について
の記載もない。一方、特開昭５９−４４０５３号公報、
信教技報ＣＰＭ８１−６９，３９（１９８１）等には、
電子写真への応用が記載され、また、特開平１−２２１
４５９公報には、特定のブラッグ角度を有するクロロガ
リウムフタロシアニン及びそれを用いた電子写真感光体
が記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たクロロガリウムフタロシアニンに限らず、従来提案さ
れているフタロシアニン化合物は、感光材料として使用
した場合の光感度と耐久性の点が未だ十分満足のいくも
のではなく、また、その製造に際しても、結晶型の変換
操作が複雑であったり、結晶型の制御が難しいなどの問
題があった。

【０００７】本発明は、従来の技術における上記のよう
な問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発
明の目的は、クロロガリウムフタロシアニンの新規な結
晶の製造方法を提供することにある。また、本発明の他
の目的は、光導電材料として高い感度と優れた耐久性を
有するクロロガリウムフタロシアニンの新規な結晶を感
光層に含有する電子写真感光体を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、フタロシ
アニン系光導電材料について鋭意研究した結果、合成に
よって得られる粗クロロガリウムフタロシアニンを機械
的に粉砕した後、結晶の成長を促す溶剤処理に付すと、
同じ結晶型でありながらも溶剤の種類により光導電材料
としての特性が全く異なってくることを見出したもので
あり、上記粗結晶を機械的に粉砕した後に特定の有機溶
剤で処理することによって得られるクロロガリウムフタ
ロシアニンの新規な結晶が、電子写真感光体用光導電材
料として非常に優れた性能を発現することを確認して、
本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、クロ
ロガリウムフタロシアニンを機械的に粉砕した後、芳香
族アルコール類を用いて処理することにより、Ｘ線回折
スペクトルにおけるブラッグ角度（２θ±０．２°）の
少くとも７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．
３°に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシ
アニンの新規な結晶の製造方法にある。本発明は、ま
た、上記クロロガリウムフタロシアニンの新規な結晶を
含有する感光層を導電性支持体上に被覆してなる電子写
真感光体にある。

【０００９】以下、本発明について詳述する。本発明で
用いるクロロガリウムフタロシアニンは、例えばフタロ
ニトリルまたはジイミノイソインドリンと三塩化ガリウ
ムとをα−クロロナフタレン、キノリン等の有機溶媒中
で反応させる公知の方法によって合成することができ
る。

【００１０】上記の方法で得られたクロロガリウムフタ
ロシアニンを機械的に粉砕する手段としては、自動乳
鉢、ニーダー、遊星型ボールミル、振動ボールミル、Ｃ
Ｆミル、ローラーミル等の装置を用いることができる
が、これらに限定されるものではない。また必要に応じ
て、食塩、ぼう硝等、磨砕後容易に除去可能な磨砕助剤
を併用することも可能である。

【００１１】本発明で用いる芳香族アルコール類として
は、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール、α−
フェニルエチルアルコール、ｍ−トリルカルビノール等
があげられる。溶剤処理において、クロロガリウムフタ
ロシアニン結晶と芳香族アルコール類の使用割合には特
に制限はないが、両者の接触効率を考慮すれば１：５〜
１００の範囲が好ましい。また、クロロガリウムフタロ
シアニンと芳香族アルコール類との処理温度は、０℃〜
２００℃、好ましくは２０〜１５０℃の範囲である。処
理温度が高すぎるとフタロシアニンの一部が分解する恐
れがあり、一方、低すぎると結晶転換の進行に長時間を
要し実用的でない。処理時間は処理温度と芳香族アルコ
ール類の使用量によって決まるが、２５℃の場合で１２
〜５０時間が好ましい。処理方法には特に制限がない
が、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナビーズ等
の磨砕メディアと共にボールミル、アトライター、サン
ドミル等を用いる公知の方法で湿式ミルするかまたは撹
拌槽内で混合する方法が好ましい。

【００１２】以上のような処理方法において、前述した
クロロガリウムフタロシアニンが同じ結晶型でありなが
らも、溶剤の種類により光導電材料としての特性が全く
異なってくることについては、溶剤の種類により、不純
物に対する溶解力の差またはクロロガリウムフタロシア
ニン結晶に対する溶解力の差に基づく結晶の成長方向、
成長速度等の相違による結晶表面欠陥が微妙に異るもの
と推測される。そして、特に本発明の芳香族アルコール
類で処理して得られるクロロガリウムフタロシアニン結
晶は、Ｘ線回折スペクトルにおけるブラッグ角（２θ±
０．２°）が７．４°、１６．６°、２５．５°及び２
８．３°に強い回折ピークを有しており、後記の表１か
ら明らかなように、新規な電子写真感光体用光導電材料
として非常に優れた性能を発現する。

【００１３】次に、上記のクロロガリウムフタロシアニ
ン結晶を感光層における光導電材料として使用した電子
写真感光体について説明する。本発明の電子写真感光体
は、感光層が単層構造のものでもあるいは電荷発生層と
電荷輸送層とに機能分離された積層構造のものでもよ
い。感光層が積層構造を有する場合において、電荷発生
層は上記クロロガリウムフタロシアニン結晶及び結着樹
脂から構成される。

【００１４】結着樹脂は広範な樹脂から選択することが
でき、好ましい結着樹脂としては、ポリビニルブチラー
ル、ポリアリレート（ビスフェノールＡとフタル酸の重
縮合体等）、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノ
キシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸
ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、ポリアミ
ド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタン
樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドン等の絶縁性樹脂をあげること
ができる。また、ポリ-N- ビニルカルバゾール、ポリビ
ニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光導電性
ポリマーから選択することもできる。

【００１５】電荷発生層は、上記結着樹脂を有機溶剤に
溶解した溶液にクロロガリウムフタロシアニン結晶を分
散させて塗布液を調製し、それを導電性支持体上に塗布
することによって形成することができる。その場合、使
用するクロロガリウムフタロシアニン結晶と結着樹脂と
の配合比（重量）は、４０：１〜１：１０、好ましくは
１０：１〜１：４である。クロロガリウムフタロシアニ
ン結晶の比率が高すぎる場合には塗布液の安定性が低下
し、一方、低すぎる場合には感度が低下するので、上記
範囲に設定するのが好ましい。

【００１６】使用する溶剤としては、後記の下引層ある
いは電荷輸送層を溶解しないものから選択するのが好ま
しい。具体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノ
ール、イソプロパノール等のアルコール類、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド
等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル等のエーテル類、酢酸メチル、
酢酸エチル等のエステル類、塩化メチレン、クロロホル
ム、四塩化炭素、ジクロロエチレン、トリクロロエチレ
ン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、リグロイン等の鉱
油、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族ハロ
ゲン化炭化水素類などを用いることができる。

【００１７】塗布液の塗布は、浸漬コーティング法、ス
プレーコーティング法、スピナーコーティング法、ビー
ドコーティング法、マイヤーバーコーティング法、ブレ
ードコーティング法、ローラーコーティング法、カーテ
ンコーティング法等のコーティング法を採用することが
できる。また、乾燥は、室温における指触乾燥後、３０
〜２００℃の温度で５分〜２時間の範囲で静止または送
風下で加熱乾燥する方法が好ましい。そして、電荷発生
層の膜厚は、通常０．０５〜５μｍ程度になるように塗
布される。

【００１８】電荷輸送層は電荷輸送材料及び結着樹脂よ
り構成される。電荷輸送材料としては、例えばアントラ
セン、ピレン、フェナントレン等の多環芳香族化合物、
インドール、カルバゾール、イミダゾール等の含窒素複
素環化合物、ピラゾリン化合物、ヒドラゾン化合物、ト
リフェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、
エナミン化合物、スチルベン化合物等、公知のものなら
ばいかなるものでも使用することができる。さらにま
た、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポ
リ−９−ビニルフェニルアントラセン、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルアクリジン、ポリビニルアセナフチレ
ン、ポリグリシジルカルバゾール、ピレン−ホルムアル
デヒド樹脂、エチルカルバゾール−ホルムアルデヒド樹
脂等の光導電性ポリマーがあげられ、これらはそれ自体
で層を形成してもよい。また、結着樹脂としては、前記
した電荷発生層に使用されるものと同様の絶縁性樹脂が
使用できる。

【００１９】電荷輸送層は、上記電荷輸送材料と結着樹
脂及び前記と同様の有機溶剤を用いて塗布液を調製した
後、前記と同様の方法で塗布して形成することができ
る。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重量）は、通
常５：１〜１：５の範囲で設定される。また、電荷輸送
層の膜厚は通常５〜５０μｍ程度に設定される。

【００２０】電子写真感光体が単層構造を有する場合に
おいては、感光層は前記のクロロガリウムフタロシアニ
ン結晶が電荷輸送材料を含む結着樹脂に分散された光導
電性の層よりなり、電荷輸送材料及び結着樹脂は前記と
同様の材料が使用される。その場合、電荷輸送材料と結
着樹脂との配合比（重量）は１：２０〜５：１、クロロ
ガリウムフタロシアニン結晶と電荷輸送材料との配合比
（重量）は１：１０〜１０：１程度に設定するのが好ま
しく、前記と同様にして感光層が形成される。

【００２１】導電性支持体としては、電子写真感光体と
して使用することが公知のものならば、いかなるものも
使用することができる。

【００２２】本発明において、導電性支持体上に下引層
を形成してもよい。下引層は、導電性支持体からの不必
要な電荷の注入を阻止するために有効であり、感光層の
帯電性を高める作用がある。さらに感光層と導電性支持
体との密着性を高める作用もある。下引層を構成する材
料としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリ
ドン、ポリビニルピリジン、セルロースエーテル類、セ
ルロースエステル類、ポリアミド類、ポリウレタン類、
カゼイン、ゼラチン、ポリグルタミン酸、澱粉、スター
チアセテート、アミノ澱粉、ポリアクリル酸、ポリアク
リルアミド、ジルコニウムキレート化合物、ジルコニウ
ムアルコキシド化合物等の有機ジルコニウム化合物、チ
タニルキレート化合物、チタニルアルコキシド化合物等
の有機チタニル化合物、シランカップリング剤等があげ
られる。下引層の膜厚は０．０５〜２μｍ程度に設定す
るのが好ましい。

【００２３】

【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。なお、実施例及び比較例において、「部」は重量
部を意味する。 クロロガリウムフタロシアニンの合成例 １，３−ジイミノイソインドリン３０部及び三塩化ガリ
ウム９．１部をキノリン２３０部中に添加し、２００℃
において３時間反応させた後、生成物を濾過し、アセト
ン、メタノールで洗浄し、次いで、湿ケーキを乾燥して
クロロガリウムフタロシアニン結晶２８部を得た。得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折
図を図１に示す。

【００２４】実施例１ 上記合成例で得られたクロロガリウムフタロシアニン３
０部を遊星型ボールミル（フリッシュ社製：Ｐ−５型）
で２０ｍｍφメノウボール２００部、１０ｍｍφメノウ
ボール１００部と共に２０時間磨砕した。この磨砕した
クロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を
図２に示す。次いで、この結晶２５部を１ｍｍφガラス
ビーズ３００部、ベンジルアルコール４００部と共に室
温で１２時間ボールミリングした後、濾別し、メタノー
ル５００部で洗浄後、得られた湿ケーキを減圧乾燥して
クロロガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結
晶の粒径は約０．０５〜０．１５μｍ程度の極めて均一
な形状の整ったものであった。その粉末Ｘ線回折図を図
３に示す。

【００２５】実施例２ 実施例１と同様の方法で磨砕したクロロガリウムフタロ
シアニン１．０部、ベンジルアルコール３０部を２００
ｍｌ反応フラスコ中で６０℃、１．５時間撹拌した後、
結晶をメタノール５０部で洗浄し、減圧乾燥してクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粒
径は約０．０５〜０．１５μｍ程度の極めて均一な形状
の整ったものであった。その粉末Ｘ線回折図を図４に示
す。

【００２６】実施例３ 実施例１と同様の方法で磨砕したクロロガリウムフタロ
シアニン結晶２０部を１ｍｍφガラスビーズ２５０部、
ｍ−トリルカルビノール３５０部と共に室温で１２時間
ボールミリングした後、濾別し、メタノール５００部で
洗浄後、得られた湿ケーキを減圧乾燥してクロロガリウ
ムフタロシアニン結晶を得た。得られたクロロガリウム
フタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図５に示す。

【００２７】比較例１ 実施例１と同様の方法で磨砕したクロロガリウムフタロ
シアニン結晶０．５部を１ｍｍφガラスビーズ６０部、
クロロベンゼン２０部と共に室温で２４時間ボールミリ
ングした後、濾別し、メタノール５００部で洗浄後、得
られた湿ケーキを減圧乾燥してクロロガリウムフタロシ
アニン結晶を得た。得られたクロロガリウムフタロシア
ニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図６に示す。

【００２８】比較例２ 実施例１と同様の方法で磨砕したクロロガリウムフタロ
シアニン結晶２５部を１ｍｍφガラスビーズ３００部、
ジメチルホルムアミド３００部と共に室温で２４時間ボ
ールミリングした後、濾別し、メタノール５００部で洗
浄後、得られた湿ケーキを減圧乾燥してクロロガリウム
フタロシアニン結晶を得た。得られたクロロガリウムフ
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図７に示す。

【００２９】比較例３ 実施例１と同様の方法で磨砕したクロロガリウムフタロ
シアニン結晶０．５部を１ｍｍφガラスビーズ６０部、
エチレングリコール２０部と共に室温で２０時間ボール
ミリングした後、濾別し、メタノール５００部で洗浄
後、得られた湿ケーキを減圧乾燥してクロロガリウムフ
タロシアニン結晶を得た。得られたクロロガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図８に示す。

【００３０】実施例４〜６ 実施例１〜３でそれぞれ得られたクロロガリウムフタロ
シアニン結晶１部を、ポリビニルブチラール（積水化学
社製：エスレックＢＭ−１）１部及びシクロヘキサノン
１００部と混合し、ガラスビーズと共にペイントシェー
カーで１時間処理して分散させた後、得られた塗布液
を、浸漬コーティング法でアルミニウム基板上に塗布
し、１００℃において５分間加熱乾燥し、膜厚０．２μ
ｍの電荷発生層を形成した。

【００３１】次に、下記構造式

【化１】 で示されるＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス−
（ｍ−トリル）ベンジジン２部と

【００３２】下記構造式

【化２】 で示されるポリ［１，１−ジ−（ｐ−フェニレン）シク
ロヘキサンカーボネート］３部をクロロベンゼン２０部
に溶解し、得られた塗布液を、電荷発生層が形成された
アルミニウム基板上に浸漬コーティング法で塗布し、１
２０℃において１時間加熱乾燥し、膜厚２０μｍの電荷
輸送層を形成した。

【００３３】以上のようにして作製された電子写真感光
体の電子写真特性を下記のようにして測定した。静電複
写紙試験装置（川口電機社製：ＥＰＡ−８１００）を用
いて、常温常湿（２０℃、５０％ＲＨ）の環境下に−６
ＫＶのコロナ放電により感光体を帯電させた後、タング
ステンランプの光を、モノクロメーターを用いて８００
ｎｍの単色光に分光し、感光体表面上で１μＷ／ｃｍ²
になるように調整し、照射した。そして、その表面電位
が初期Ｖ₀ （ボルト）の１／２になるまでの露光量Ｅ
_1/2 （ｅｒｇ／ｃｍ² ）を測定し、その後１０ルックス
のタングステン光を１秒間感光体表面上に照射し、残留
電位Ｖ_R を測定した。さらに、上記の帯電、露光を１０
００回繰り返した後のＶ_O 、Ｅ_1/2 、Ｖ_R を測定した。
その結果を下記の比較例４〜６と併せて後記の表１に示
す。

【００３４】比較例４ 比較例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
を用いた以外は、実施例４と同様の方法で電荷発生層と
電荷輸送層を形成し、作製された電子写真感光体を実施
例４と同様の方法で評価した。

【００３５】比較例５ 比較例２で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
を用いた以外は、実施例４と同様の方法で電荷発生層と
電荷輸送層を形成し、作製された電子写真感光体を実施
例４と同様の方法で評価した。

【００３６】比較例６ 比較例３で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
を用いた以外は、実施例４と同様の方法で電荷発生層と
電荷輸送層を形成し、作製された電子写真感光体を実施
例４と同様の方法で評価した。

【００３７】

【表１】

【００３８】

【発明の効果】本発明は、機械的粉砕後に芳香族アルコ
ール類で処理するという簡便な製造方法でＸ線回折スペ
クトルにおける特定のブラッグ角に強いピークを有する
クロロガリウムフタロシアニンの新規な結晶を得ること
ができ、かつ、得られた結晶は、感光波長域が長波長ま
で伸びているため、半導体レーザーを利用するプリンタ
ー等の電子写真感光体用光導電材料として非常に有用で
ある。また、上記の結晶型を有するクロロガリウムフタ
ロシアニン結晶を用いて作製される本発明の電子写真感
光体は、前記表１から明らかなように、高感度で、残留
電位が低く、帯電性が高く、しかも、複写を繰り返しも
劣化し難いことから、高耐久性感光体として利用するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 合成例で得られたクロロガリウムフタロシア
ニンの粉末Ｘ線回折図を示す。

【図２】 実施例１の磨砕されたクロロガリウムフタロ
シアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【図３】 実施例１で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【図４】 実施例２で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【図５】 実施例３で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【図６】 比較例１で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【図７】 比較例２で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【図８】 比較例３で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今井 彰 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 クロロガリウムフタロシアニンを機械的
   に粉砕した後、芳香族アルコール類を用いて処理するこ
   とを特徴とするＸ線回折スペクトルにおけるブラッグ角
   度（２θ±０．２°）の少くとも７．４°、１６．６
   °、２５．５°及び２８．３°に強い回折ピークを有す
   るクロロガリウムフタロシアニン結晶の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のクロロガリウムフタロ
   シアニン結晶を含有する感光層を導電性支持体上に被覆
   してなることを特徴とする電子写真感光体。