JPH05195006A - 複合焼結材及びその製造方法 - Google Patents
複合焼結材及びその製造方法Info
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- JPH05195006A JPH05195006A JP4006891A JP689192A JPH05195006A JP H05195006 A JPH05195006 A JP H05195006A JP 4006891 A JP4006891 A JP 4006891A JP 689192 A JP689192 A JP 689192A JP H05195006 A JPH05195006 A JP H05195006A
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Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】低価格で、しかも、周辺部材の汚染を防止する
ことができる複合粉およびこの複合粉を用いた焼結材を
製造する方法を提供する。 【構成】Ｍ１粉末粒子（但し、Ｍ１はＭｏ及びＷの内の
いずれか一種）またはこれらの酸化物表面にＭ２（但
し、Ｍ２はＡｇ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｎｉ等のＭ１より低融点
を有する金属）を被覆層を電解メッキまたは無電解メッ
キの何れかによって形成する。前期複合粉を混合し、所
定形状にプレス成型し、１１００〜１３５０℃の範囲内
で焼結する。
ことができる複合粉およびこの複合粉を用いた焼結材を
製造する方法を提供する。 【構成】Ｍ１粉末粒子（但し、Ｍ１はＭｏ及びＷの内の
いずれか一種）またはこれらの酸化物表面にＭ２（但
し、Ｍ２はＡｇ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｎｉ等のＭ１より低融点
を有する金属）を被覆層を電解メッキまたは無電解メッ
キの何れかによって形成する。前期複合粉を混合し、所
定形状にプレス成型し、１１００〜１３５０℃の範囲内
で焼結する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，複合焼結材とその製造
方法に関し，詳しくは，半導体支持用の電極材料または
半導体素子搭載用基板に用いられる複合焼結材とその製
造方法に関する。
方法に関し，詳しくは，半導体支持用の電極材料または
半導体素子搭載用基板に用いられる複合焼結材とその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体支持用の電極材料あるいは半導体
素子搭載用基板は放熱効果とともに，半導体素子や他の
外囲器材料と熱膨張係数が近似していることが必要とさ
れている。このための材料として，Ｃｕ−Ｗ系複合材或
いはＣｕ−Ｍｏ系複合材料が提案されている。しかし，
最近ＣｕやＡｌと，ＳｉやＷ，Ｍｏの中間レベルの熱膨
張係数を有する材料に対する要望も多くなってきてお
り，しかも段付き等の加工を施すことが要求される傾向
にある。
素子搭載用基板は放熱効果とともに，半導体素子や他の
外囲器材料と熱膨張係数が近似していることが必要とさ
れている。このための材料として，Ｃｕ−Ｗ系複合材或
いはＣｕ−Ｍｏ系複合材料が提案されている。しかし，
最近ＣｕやＡｌと，ＳｉやＷ，Ｍｏの中間レベルの熱膨
張係数を有する材料に対する要望も多くなってきてお
り，しかも段付き等の加工を施すことが要求される傾向
にある。
【０００３】従来は，熱膨張係数が近似した段付加工品
を製造する際，まずＷ又はＭｏの多孔質焼結体を作り，
この焼結体にＣｕを溶融含浸させて所定形状のブロック
を作り（以下，スケルトン法と呼ぶ）そのブロックを研
削加工，切削加工等によって，所定形状に削り出してい
る。
を製造する際，まずＷ又はＭｏの多孔質焼結体を作り，
この焼結体にＣｕを溶融含浸させて所定形状のブロック
を作り（以下，スケルトン法と呼ぶ）そのブロックを研
削加工，切削加工等によって，所定形状に削り出してい
る。
【０００４】もう一つの方法として，ＷやＭｏ粉とＣｕ
粉とを混合して混合粉を作り（以下，粉末混合法と呼
ぶ），それをプレス焼結後，圧延加工を行い，所定の厚
みの板を作り，それより加工を行い，所定の形状を得る
か又は最初から製品形状を考え，混合粉を所定形状でプ
レスし，焼結を行い，焼結品として所定の形状のものを
得る方法も提案されている。
粉とを混合して混合粉を作り（以下，粉末混合法と呼
ぶ），それをプレス焼結後，圧延加工を行い，所定の厚
みの板を作り，それより加工を行い，所定の形状を得る
か又は最初から製品形状を考え，混合粉を所定形状でプ
レスし，焼結を行い，焼結品として所定の形状のものを
得る方法も提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前述の
スケルトン法は，工程数が多く，工程制御も難しい。ま
た，スケルトン法では，ＷやＭｏの焼結体中にＣｕを含
浸させるために，ＷやＭｏの焼結体での気孔率の調整が
難しく，又，表面がＣｕ層で覆われるため，Ｃｕ含有量
のバラツキが大きく均質な状態が得にくく，Ｃｕを含浸
させる際に，Ｃｕが飛散して焼結炉内の周辺部材の汚染
が生じるという欠点がある。更に，スケルトン法で得ら
れる製品は，Ｃｕ含有量にバラツキを生じやすく，均一
な特性が得にくく，所定形状を削り出さなければならな
いのでコスト的に高くなるという欠点を有する。
スケルトン法は，工程数が多く，工程制御も難しい。ま
た，スケルトン法では，ＷやＭｏの焼結体中にＣｕを含
浸させるために，ＷやＭｏの焼結体での気孔率の調整が
難しく，又，表面がＣｕ層で覆われるため，Ｃｕ含有量
のバラツキが大きく均質な状態が得にくく，Ｃｕを含浸
させる際に，Ｃｕが飛散して焼結炉内の周辺部材の汚染
が生じるという欠点がある。更に，スケルトン法で得ら
れる製品は，Ｃｕ含有量にバラツキを生じやすく，均一
な特性が得にくく，所定形状を削り出さなければならな
いのでコスト的に高くなるという欠点を有する。
【０００６】一方，前述の粉末混合法では，焼結品とし
ての所定形状を得ようとすれば，焼結体の密度が上がり
難く，高温で焼結すればＣｕが溶出し形状が崩れてしま
う。
ての所定形状を得ようとすれば，焼結体の密度が上がり
難く，高温で焼結すればＣｕが溶出し形状が崩れてしま
う。
【０００７】また，大きな焼結体を作り，それを圧延加
工して所定の厚みの板を得ようとすれば加工が難しく，
割れ等が発生し，なかなか所定形状のものが得られな
い。
工して所定の厚みの板を得ようとすれば加工が難しく，
割れ等が発生し，なかなか所定形状のものが得られな
い。
【０００８】そこで，本発明の第１の技術的課題は，所
望する形状の焼結製品を低価格で得ることができる焼結
製品の原料である複合粉を提供することにある。
望する形状の焼結製品を低価格で得ることができる焼結
製品の原料である複合粉を提供することにある。
【０００９】本発明の第２の技術的課題は，前記複合粉
を製造する方法を提供することにある。
を製造する方法を提供することにある。
【００１０】更に，本発明の第３の技術的課題は，周辺
部材の汚染を防止することができる複合焼結材の製造方
法を提供することにある。
部材の汚染を防止することができる複合焼結材の製造方
法を提供することにある。
【００１１】更に，本発明の第４の技術的課題は，前記
複合粉を用いた低価格の複合焼結材およびこの複合焼結
材を容易に製造する方法を提供することにある。
複合粉を用いた低価格の複合焼結材およびこの複合焼結
材を容易に製造する方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，Ｍ1 粉
末粒子（但し，Ｍ1 はＭｏ及びＷの内のいずれか一種）
表面にＭ2 被覆層（但し，Ｍ2 はＭ1 より低融点を有す
る金属）を形成した粉末粒子からなることを特徴とする
複合粉が得られる。ここで，本発明の複合粉において，
前記Ｍ1 被覆層は電解メッキ及び無電解メッキのいずれ
か一方の方法によって形成されたメッキ膜とすることが
できる。
末粒子（但し，Ｍ1 はＭｏ及びＷの内のいずれか一種）
表面にＭ2 被覆層（但し，Ｍ2 はＭ1 より低融点を有す
る金属）を形成した粉末粒子からなることを特徴とする
複合粉が得られる。ここで，本発明の複合粉において，
前記Ｍ1 被覆層は電解メッキ及び無電解メッキのいずれ
か一方の方法によって形成されたメッキ膜とすることが
できる。
【００１３】本発明によれば，Ｍ1 又はＭ1 酸化物粉末
粒子（但し，Ｍ1 はＭｏ及びＷの内のいずれか一種）表
面にＭ2 塩類（但し，Ｍ2 はＭ1 よりも低融点を有する
金属）を付着し，還元することでＭ1 −Ｍ2 複合粉を製
造することを特徴とする複合粉の製造方法が得られる。
粒子（但し，Ｍ1 はＭｏ及びＷの内のいずれか一種）表
面にＭ2 塩類（但し，Ｍ2 はＭ1 よりも低融点を有する
金属）を付着し，還元することでＭ1 −Ｍ2 複合粉を製
造することを特徴とする複合粉の製造方法が得られる。
【００１４】また，本発明によれば，Ｍ1 粉末粒子（但
し，Ｍ1 はＭｏ及びＷの内のいずれか一種）表面にＭ2
（但し，Ｍ2 はＭ1 よりも低融点を有する金属）からな
るメッキ膜を形成することを特徴とする複合粉の製造方
法が得られる。
し，Ｍ1 はＭｏ及びＷの内のいずれか一種）表面にＭ2
（但し，Ｍ2 はＭ1 よりも低融点を有する金属）からな
るメッキ膜を形成することを特徴とする複合粉の製造方
法が得られる。
【００１５】更に，本発明によれば，Ｍ1 −Ｍ2 （但
し，Ｍ1 はＭｏ及びＷの内のいずれか一方，Ｍ2 はＭ1
よりも低融点を有する金属）を含む焼結体であって，前
記焼結体は，Ｍ1 粒子が均一に分布していることを特徴
とする複合焼結材が得られる。ここで，本発明の複合焼
結材において，前記焼結体の相対密度は少なくとも９７
％以上であることが好ましい。また，本発明の複合焼結
材において，Ｆｅを含有Ｃｕ量に対し，０．５〜２％含
有することもできる。ここで，本発明において被膜を形
成する金属Ｍ2 としては，Ｃｕ及びＮｉが例示できる
が，その他にもＡｇ，Ｃｏ等も使用できる。また，本発
明において用いられるＭ2 塩類としては，Ｃｕ塩類例え
ば，ＣｕＣｌ2 ，Ｃｕ（ＮＯ3 ）2 ，Ｃｕ−ＳＯ4 等，
及びＮｉ塩類例えば，ＮｉＣｌ2 ，Ｎｉ（ＮＯ3 ）2 ，
ＮｉＳＯ4 等が使用できるがこれらに限定されるもので
はない。
し，Ｍ1 はＭｏ及びＷの内のいずれか一方，Ｍ2 はＭ1
よりも低融点を有する金属）を含む焼結体であって，前
記焼結体は，Ｍ1 粒子が均一に分布していることを特徴
とする複合焼結材が得られる。ここで，本発明の複合焼
結材において，前記焼結体の相対密度は少なくとも９７
％以上であることが好ましい。また，本発明の複合焼結
材において，Ｆｅを含有Ｃｕ量に対し，０．５〜２％含
有することもできる。ここで，本発明において被膜を形
成する金属Ｍ2 としては，Ｃｕ及びＮｉが例示できる
が，その他にもＡｇ，Ｃｏ等も使用できる。また，本発
明において用いられるＭ2 塩類としては，Ｃｕ塩類例え
ば，ＣｕＣｌ2 ，Ｃｕ（ＮＯ3 ）2 ，Ｃｕ−ＳＯ4 等，
及びＮｉ塩類例えば，ＮｉＣｌ2 ，Ｎｉ（ＮＯ3 ）2 ，
ＮｉＳＯ4 等が使用できるがこれらに限定されるもので
はない。
【００１６】更に，本発明によれば，前記複合粉を混合
し，所定矩形形状又はそれに段を施した物等にプレス成
型し，焼結することを特徴とする複合焼結材の製造方法
が得られる。ここで，本発明の複合焼結材の製造方法に
おいて，前記複合粉に，１０μｍ以下の微粒Ｆｅ粉を含
有Ｃｕ量に対し，０．５〜２％添加することが好まし
い。また，前記複合粉を混合した混合粉の焼結温度は１
１００〜１３５０℃の範囲内であることが好ましい。と
いうのは，Ｍ2 金属量によって焼結温度は異なるが，１
１００℃未満の温度であると，焼結が進まず焼結体の密
度を上昇させることができず，一方１３５０℃を越える
温度では，Ｍ2 金属の浸み出しが始まるからである。
し，所定矩形形状又はそれに段を施した物等にプレス成
型し，焼結することを特徴とする複合焼結材の製造方法
が得られる。ここで，本発明の複合焼結材の製造方法に
おいて，前記複合粉に，１０μｍ以下の微粒Ｆｅ粉を含
有Ｃｕ量に対し，０．５〜２％添加することが好まし
い。また，前記複合粉を混合した混合粉の焼結温度は１
１００〜１３５０℃の範囲内であることが好ましい。と
いうのは，Ｍ2 金属量によって焼結温度は異なるが，１
１００℃未満の温度であると，焼結が進まず焼結体の密
度を上昇させることができず，一方１３５０℃を越える
温度では，Ｍ2 金属の浸み出しが始まるからである。
【００１７】
【作用】本発明においては，Ｍ1 粉末粒子（但し，Ｍ1
はＭｏ及びＷの内のいずれか一種）の表面に，Ｍ2 被覆
層（但し，Ｍ2 はＭ1 よりも低融点を有するＡｇ，Ｃ
ｏ，Ｃｕ，Ｎｉ等の金属）を生成させ，Ｍ1 −Ｍ2 の複
合粉を生成し，その複合粉を用い，所定形状にプレス成
型し，焼結し，高密度の所定形状の焼結体を得ている。
この焼結体は，ほぼ真密度まで達しており，表面へのＭ
2 金属の浸み出しもない。
はＭｏ及びＷの内のいずれか一種）の表面に，Ｍ2 被覆
層（但し，Ｍ2 はＭ1 よりも低融点を有するＡｇ，Ｃ
ｏ，Ｃｕ，Ｎｉ等の金属）を生成させ，Ｍ1 −Ｍ2 の複
合粉を生成し，その複合粉を用い，所定形状にプレス成
型し，焼結し，高密度の所定形状の焼結体を得ている。
この焼結体は，ほぼ真密度まで達しており，表面へのＭ
2 金属の浸み出しもない。
【００１８】また，本発明による複合粉を用いて焼結を
行うと，スケルトン法の場合と異なり，Ｍ1 −Ｍ1 の接
触が少なく，スケルトンができにくいため，焼結品をサ
イジングする場合においても，割れの発生が少ない。
行うと，スケルトン法の場合と異なり，Ｍ1 −Ｍ1 の接
触が少なく，スケルトンができにくいため，焼結品をサ
イジングする場合においても，割れの発生が少ない。
【００１９】
【実施例】以下，本発明の実施例について，図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００２０】本発明の実施例に係る複合粉は，Ｍ1 とし
てＭｏ又はＷ粉の表面に，このＭｏ又はＷよりも低融点
を有する金属Ｍ2 被覆層を有する。この実施例では，複
合粉は，Ｍ2 被覆層として，Ｃｕ層を有する。この複合
粉は，Ｃｕ塩類の水溶液中に，Ｍｏ又はＷ粉及びそれら
の酸化物を入れ，攪拌乾燥し，表面にＣｕ塩類を付着さ
せ，これらの粉を水素気流中又は還元雰囲気中で還元
し，Ｍｏ粉又はＷ粉の表面にＣｕ層を形成することによ
り得られる。
てＭｏ又はＷ粉の表面に，このＭｏ又はＷよりも低融点
を有する金属Ｍ2 被覆層を有する。この実施例では，複
合粉は，Ｍ2 被覆層として，Ｃｕ層を有する。この複合
粉は，Ｃｕ塩類の水溶液中に，Ｍｏ又はＷ粉及びそれら
の酸化物を入れ，攪拌乾燥し，表面にＣｕ塩類を付着さ
せ，これらの粉を水素気流中又は還元雰囲気中で還元
し，Ｍｏ粉又はＷ粉の表面にＣｕ層を形成することによ
り得られる。
【００２１】また，複合粉の原料粉として，Ｍｏ又はＷ
粉ではなく，Ｍｏ酸化物又はＷの酸化物も使用できる。
この酸化物を用いた場合は，Ｃｕ層が形成されると同時
に酸化物も還元される。
粉ではなく，Ｍｏ酸化物又はＷの酸化物も使用できる。
この酸化物を用いた場合は，Ｃｕ層が形成されると同時
に酸化物も還元される。
【００２２】このように，Ｍｏ，Ｗ又は，Ｍｏ，Ｗ酸化
物粉末に，Ｃｕ塩類水溶液でドープするため，Ｍｏ，Ｗ
又はＭｏ，Ｗ酸化物粉末粒子の凹部にまでＣｕ塩類水溶
液が十分に行き渡り，Ｍｏ，Ｗ又はＭｏ，Ｗ酸化物粉末
粒子表面に隙間なく付着し，還元後のＭｏ又はＷ粉末粒
子表面にもＣｕ層が一様に形成された複合粉を得ること
ができる。
物粉末に，Ｃｕ塩類水溶液でドープするため，Ｍｏ，Ｗ
又はＭｏ，Ｗ酸化物粉末粒子の凹部にまでＣｕ塩類水溶
液が十分に行き渡り，Ｍｏ，Ｗ又はＭｏ，Ｗ酸化物粉末
粒子表面に隙間なく付着し，還元後のＭｏ又はＷ粉末粒
子表面にもＣｕ層が一様に形成された複合粉を得ること
ができる。
【００２３】このため，この複合粉をプレス成型し，焼
結するとＣｕとＭｏ又はＷとの濡れ性もよく，実質的に
は，Ｃｕ単味の焼結に近似したものになるため，容易に
高密度の焼結体が低温で得られ，それ故焼結時のＣｕの
浸み出しや揮散もない。また，この実施例では，銅粉体
の焼結に略近い状態で焼結できる。
結するとＣｕとＭｏ又はＷとの濡れ性もよく，実質的に
は，Ｃｕ単味の焼結に近似したものになるため，容易に
高密度の焼結体が低温で得られ，それ故焼結時のＣｕの
浸み出しや揮散もない。また，この実施例では，銅粉体
の焼結に略近い状態で焼結できる。
【００２４】更に，得られた焼結体には，少量の残留ポ
アが生じている。このため，複合粉に微粒鉄（Ｆｅ）粉
を少量添加すると，焼結の際にＦｅ粉が焼結体中の残留
ポア内のガス成分（酸素や炭素）と反応して，Ｆｅの酸
化物又は炭化物としてこのガス成分を補促し，ポアを消
滅させるので，得られる焼結体密度を完全緻密化し真密
度まで上昇させる。更に，Ｆｅ粉を複合粉に少量添加す
ると焼結温度をも低下させることができる。また，上記
のようなＣｕ−Ｍｏ複合粉及びＣｕ−Ｗの複合粉は，Ｍ
ｏ又はＷ粉に電解メッキ，無電解メッキのいずれかを行
うことによっても，生成することができる。更に，Ｎｉ
−Ｍｏの複合粉及びＮｉ−Ｗの複合粉についてもＣｕの
代わりにＮｉを用いて，Ｃｕ層を形成する場合と同様に
生成することができる。
アが生じている。このため，複合粉に微粒鉄（Ｆｅ）粉
を少量添加すると，焼結の際にＦｅ粉が焼結体中の残留
ポア内のガス成分（酸素や炭素）と反応して，Ｆｅの酸
化物又は炭化物としてこのガス成分を補促し，ポアを消
滅させるので，得られる焼結体密度を完全緻密化し真密
度まで上昇させる。更に，Ｆｅ粉を複合粉に少量添加す
ると焼結温度をも低下させることができる。また，上記
のようなＣｕ−Ｍｏ複合粉及びＣｕ−Ｗの複合粉は，Ｍ
ｏ又はＷ粉に電解メッキ，無電解メッキのいずれかを行
うことによっても，生成することができる。更に，Ｎｉ
−Ｍｏの複合粉及びＮｉ−Ｗの複合粉についてもＣｕの
代わりにＮｉを用いて，Ｃｕ層を形成する場合と同様に
生成することができる。
【００２５】以下，本発明の実施例に係る複合焼結材の
製造の具体例を示す。
製造の具体例を示す。
【００２６】（具体例１）塩化Ｃｕ溶液でドープし，そ
の後還元して得た２０％Ｃｕ−Ｍｏの複合粉と同様にし
て得た２０％Ｃｕ−Ｗの複合粉と，比較のために同じ重
量比でＣｕ及びＭｏを単に混合した混合粉及び同様のＣ
ｕ及びＷを単に混合した混合粉を２９４ＭＰａで夫々プ
レス成型し，水素雰囲気中の各温度で，２時間焼結した
時の焼結体相対密度の比較を図１に示す。図１におい
て，○は２０％Ｃｕ−Ｍｏ複合粉，●は２０％Ｃｕ−Ｗ
の複合粉，☆は２０％Ｃｕ及び残部Ｍｏからなる混合
粉，★は２０％Ｃｕ及び残部Ｍｏからなる混合粉を夫々
示す。図１から，本発明の複合粉を用いた焼結体は，双
方とも混合粉から形成した焼結体よりも相対密度が向上
していることが判明した。
の後還元して得た２０％Ｃｕ−Ｍｏの複合粉と同様にし
て得た２０％Ｃｕ−Ｗの複合粉と，比較のために同じ重
量比でＣｕ及びＭｏを単に混合した混合粉及び同様のＣ
ｕ及びＷを単に混合した混合粉を２９４ＭＰａで夫々プ
レス成型し，水素雰囲気中の各温度で，２時間焼結した
時の焼結体相対密度の比較を図１に示す。図１におい
て，○は２０％Ｃｕ−Ｍｏ複合粉，●は２０％Ｃｕ−Ｗ
の複合粉，☆は２０％Ｃｕ及び残部Ｍｏからなる混合
粉，★は２０％Ｃｕ及び残部Ｍｏからなる混合粉を夫々
示す。図１から，本発明の複合粉を用いた焼結体は，双
方とも混合粉から形成した焼結体よりも相対密度が向上
していることが判明した。
【００２７】（具体例２）また，具体例１で用いた２０
％Ｃｕ−Ｍｏ，及び２０％Ｃｕ−Ｗの複合粉を所定形状
にプレス成型し，１３００℃で２時間焼結した時の特性
値を表１に示す（ｎ＝５０）。得られた焼結体の相対密
度は９７．５〜９８．５％でＣｕの浸み出しは見られな
かった。
％Ｃｕ−Ｍｏ，及び２０％Ｃｕ−Ｗの複合粉を所定形状
にプレス成型し，１３００℃で２時間焼結した時の特性
値を表１に示す（ｎ＝５０）。得られた焼結体の相対密
度は９７．５〜９８．５％でＣｕの浸み出しは見られな
かった。
【００２８】
【表１】
【００２９】（具体例３）具体例２の複合粉を所定形状
にプレス成型し，焼結温度を変化させて，相対密度を９
０％，９５％，９７％の焼結体を作り，その焼結体にＮ
ｉメッキテストを行った。その結果を表２に示す。
にプレス成型し，焼結温度を変化させて，相対密度を９
０％，９５％，９７％の焼結体を作り，その焼結体にＮ
ｉメッキテストを行った。その結果を表２に示す。
【００３０】
【表２】
【００３１】表２で示すように，相対密度が９７％の焼
結体は，Ｃｕ−Ｍｏ，Ｃｕ−Ｗともにメッキ面が良好で
あったが，その他は不適当であった。
結体は，Ｃｕ−Ｍｏ，Ｃｕ−Ｗともにメッキ面が良好で
あったが，その他は不適当であった。
【００３２】（具体例４）具体例１と同様にして，Ｃｕ
−Ｗの組成を変化させたものと，微粒Ｆｅ（１０μｍ）
を０．２wt% 添加したものとをプレス成型し，焼結し
た。得られた焼結体試料の熱伝導率及び熱膨脹率の測定
結果を表３に示す。
−Ｗの組成を変化させたものと，微粒Ｆｅ（１０μｍ）
を０．２wt% 添加したものとをプレス成型し，焼結し
た。得られた焼結体試料の熱伝導率及び熱膨脹率の測定
結果を表３に示す。
【００３３】
【表３】
【００３４】
【発明の効果】以上，説明したように，本発明の複合粉
では，成形体が低温で焼結できるため，Ｍ2 （但し，Ｍ
2 はＭ1 より低融点を有する金属）の揮散が起こりにく
く，炉内がＭ2 で著しく汚染されたり，飛散したＭ2 が
凝縮して治工具へも付着することによる操炉での支障を
防止することができるとともに，高密度の焼結体の製造
ができ，低コストで，周辺機器の汚染を防止し所望する
形状の焼結体を得ることができる。
では，成形体が低温で焼結できるため，Ｍ2 （但し，Ｍ
2 はＭ1 より低融点を有する金属）の揮散が起こりにく
く，炉内がＭ2 で著しく汚染されたり，飛散したＭ2 が
凝縮して治工具へも付着することによる操炉での支障を
防止することができるとともに，高密度の焼結体の製造
ができ，低コストで，周辺機器の汚染を防止し所望する
形状の焼結体を得ることができる。
【００３５】本発明の複合粉の製造方法では，Ｍ1 又は
Ｍ1 酸化物粉末粒子の表面にＭ2 塩類を隙間無く付着さ
せ，還元処理することにより，任意の組成でＭ1 とＭ2
の密着性の良い複合粉が容易に得られとともに組成比も
容易にコントロールできる。上記した複合粉を用いれ
ば，殆ど後加工なしで，Ｍ1 −Ｍ2 の所定形状で均質な
焼結体が得られ，このために低価格で歩留りの良い複合
焼結材を製造することができる。この複合焼結材は，前
記複合粉によってヒートシンク材料の特性として必要な
熱伝導率，熱膨脹率を容易に調整できる。
Ｍ1 酸化物粉末粒子の表面にＭ2 塩類を隙間無く付着さ
せ，還元処理することにより，任意の組成でＭ1 とＭ2
の密着性の良い複合粉が容易に得られとともに組成比も
容易にコントロールできる。上記した複合粉を用いれ
ば，殆ど後加工なしで，Ｍ1 −Ｍ2 の所定形状で均質な
焼結体が得られ，このために低価格で歩留りの良い複合
焼結材を製造することができる。この複合焼結材は，前
記複合粉によってヒートシンク材料の特性として必要な
熱伝導率，熱膨脹率を容易に調整できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る複合焼結材の焼結体密度
と焼結温度との関係を示す図である。
と焼結温度との関係を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 有川 正 富山県富山市岩瀬古志町２番地 東京タン グステン株式会社富山製作所内
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｍ1 粉末粒子（但し，Ｍ1 はＭｏ及びＷ
の内のいずれか一種）表面にＭ2 被覆層（但し，Ｍ2 は
Ｍ1 より低融点を有する金属）を形成した粉末粒子から
なることを特徴とする複合粉。 - 【請求項２】 Ｍ1 又はＭ1 酸化物粉末粒子（但し，Ｍ
1 はＭｏ及びＷの内のいずれか一種）表面にＭ2 の塩類
（但しＭ2 はＭ1 より低融点を有する金属）を付着し，
還元することでＭ1 −Ｍ2 の複合粉を製造することを特
徴とする複合粉の製造方法。 - 【請求項３】 Ｍ1 粉末粒子（但し，Ｍ1 はＭｏ及びＷ
の内のいずれか一種）の表面にＭ2 （但しＭ2 はＭ1 よ
り低融点を有する金属）からなるメッキ膜を形成するこ
とを特徴とする複合粉の製造方法。 - 【請求項４】 Ｍ1 −Ｍ2 を含む焼結体（但し，Ｍ1 は
Ｍｏ及びＷの内のいずれか一種，Ｍ2 はＭ1 より低融点
を有する金属）であって，前記焼結体は，Ｍ1 粒子が均
一に分布していることを特徴とする複合焼結材。 - 【請求項５】 請求項１記載の複合粉を混合し，プレス
成型し，焼結することを特徴とする複合焼結材の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4006891A JP2559085B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 複合焼結材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4006891A JP2559085B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 複合焼結材及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05195006A true JPH05195006A (ja) | 1993-08-03 |
| JP2559085B2 JP2559085B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=11650856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4006891A Expired - Fee Related JP2559085B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 複合焼結材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2559085B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106148794A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-11-23 | 北京尚华扬电子技术开发有限公司 | 一种掺杂纳米铁粉的铜钨合金及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4825851A (ja) * | 1971-08-12 | 1973-04-04 | ||
| JPS62136501A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | セラミツク用メタライズ粉およびこれを用いたセラミツク用メタライズペ−スト |
| JPS63286537A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Nisshin Steel Co Ltd | 粒子分散型複合材料の製造法 |
-
1992
- 1992-01-17 JP JP4006891A patent/JP2559085B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4825851A (ja) * | 1971-08-12 | 1973-04-04 | ||
| JPS62136501A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | セラミツク用メタライズ粉およびこれを用いたセラミツク用メタライズペ−スト |
| JPS63286537A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Nisshin Steel Co Ltd | 粒子分散型複合材料の製造法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106148794A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-11-23 | 北京尚华扬电子技术开发有限公司 | 一种掺杂纳米铁粉的铜钨合金及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2559085B2 (ja) | 1996-11-27 |
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