JPH05196568A - 鍍金検査装置 - Google Patents
鍍金検査装置Info
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- JPH05196568A JPH05196568A JP4026194A JP2619492A JPH05196568A JP H05196568 A JPH05196568 A JP H05196568A JP 4026194 A JP4026194 A JP 4026194A JP 2619492 A JP2619492 A JP 2619492A JP H05196568 A JPH05196568 A JP H05196568A
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 15
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、高精度の部品を必要とせず、コス
トダウンが図れることを目的とする。 【構成】 本発明の鍍金検査装置は、受光手段に地金の
反射率と鍍金の反射率の間に所定の差を有する波長の反
射光を受光させる構成を有する。
トダウンが図れることを目的とする。 【構成】 本発明の鍍金検査装置は、受光手段に地金の
反射率と鍍金の反射率の間に所定の差を有する波長の反
射光を受光させる構成を有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は鍍金の位置又は面積を計
測して検査する鍍金検査装置に係り、特に、銅および銅
合金から成る被検査物を検査する装置の改良に関する。
測して検査する鍍金検査装置に係り、特に、銅および銅
合金から成る被検査物を検査する装置の改良に関する。
【0002】
【背景技術】鍍金の検査を自動化する場合に画像処理装
置を使用しようとした場合、次のような方法で行うこと
ができる。まず図5を参照しながら説明する。ハロゲン
電球光源101からコンデンサレンズ102により集光
され、光ファイバ103により導かれた光は、同軸落射
照明装置104に内蔵されたハーフミラー105により
反射されて、被測定物106を照明する。被測定物10
6は銅に銀を鍍金したものである。被測定物106によ
り反射された光線は、顕微鏡のレンズ群107により屈
折され適当な倍率でビデオカメラ108の受光面に結像
する。その後ビデオカメラから出力された画像信号10
9は、画像処理装置114に入ると、制御回路113の
制御によりアナログ−デジタル(A/D)変換器110
によりA/D変換されてメモリ回路111に蓄えられた
後に信号処理回路112に入力される。信号処理回路1
12は、入力データの輝度から鍍金された部分を抽出
し、鍍金の位置情報,欠陥の検出等を行う。
置を使用しようとした場合、次のような方法で行うこと
ができる。まず図5を参照しながら説明する。ハロゲン
電球光源101からコンデンサレンズ102により集光
され、光ファイバ103により導かれた光は、同軸落射
照明装置104に内蔵されたハーフミラー105により
反射されて、被測定物106を照明する。被測定物10
6は銅に銀を鍍金したものである。被測定物106によ
り反射された光線は、顕微鏡のレンズ群107により屈
折され適当な倍率でビデオカメラ108の受光面に結像
する。その後ビデオカメラから出力された画像信号10
9は、画像処理装置114に入ると、制御回路113の
制御によりアナログ−デジタル(A/D)変換器110
によりA/D変換されてメモリ回路111に蓄えられた
後に信号処理回路112に入力される。信号処理回路1
12は、入力データの輝度から鍍金された部分を抽出
し、鍍金の位置情報,欠陥の検出等を行う。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような装置を用いた場合には、銅の地の部分と鍍金され
た部分の反射率の差が少ないため、その少ない差を見分
ける高精度のA/D変換器が必要となる。その結果、装
置のコストアップを招く。
ような装置を用いた場合には、銅の地の部分と鍍金され
た部分の反射率の差が少ないため、その少ない差を見分
ける高精度のA/D変換器が必要となる。その結果、装
置のコストアップを招く。
【0004】従って、本発明の目的は高精度の部品を必
要とせず、コストダウンが可能な鍍金検査装置を提供す
ることである。
要とせず、コストダウンが可能な鍍金検査装置を提供す
ることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は高精度の部品を
使用しないでコストダウンを図ったとしても所定の判定
結果が得られるようにするため、地金に地金の色と相違
した色の鍍金を施された試料を照射する照射手段と、前
記試料の反射光を受光する受光手段と、前記受光手段の
受光光像に基づいて前記鍍金の位置,或いは面積を判定
する判定手段を備え、前記受光手段は前記地金の反射率
と前記鍍金の反射率の間に所定の差を有する波長の反射
光を受光する鍍金検査装置を提供するものであり、試料
が銅,或いは銅合金に銀,錫,或いは白色金属の鍍金が
施されている場合は、前記照射手段は400nmから4
50nmの波長の光を透過するフィルタを通して前記試
料を照射しても良く、また、458nm,或いは477
nmの波長の光を出射するアルゴンイオンレーザーによ
って前記試料を出射しても良い。一方、照射手段に通常
の照射手段を用いる場合には、前記受光手段は400n
mから450nmの波長の光を透過するフィルタを通し
て前記試料の反射光を受光する構成で良い。
使用しないでコストダウンを図ったとしても所定の判定
結果が得られるようにするため、地金に地金の色と相違
した色の鍍金を施された試料を照射する照射手段と、前
記試料の反射光を受光する受光手段と、前記受光手段の
受光光像に基づいて前記鍍金の位置,或いは面積を判定
する判定手段を備え、前記受光手段は前記地金の反射率
と前記鍍金の反射率の間に所定の差を有する波長の反射
光を受光する鍍金検査装置を提供するものであり、試料
が銅,或いは銅合金に銀,錫,或いは白色金属の鍍金が
施されている場合は、前記照射手段は400nmから4
50nmの波長の光を透過するフィルタを通して前記試
料を照射しても良く、また、458nm,或いは477
nmの波長の光を出射するアルゴンイオンレーザーによ
って前記試料を出射しても良い。一方、照射手段に通常
の照射手段を用いる場合には、前記受光手段は400n
mから450nmの波長の光を透過するフィルタを通し
て前記試料の反射光を受光する構成で良い。
【0006】
【作用】地金の反射率と鍍金の反射率の間に所定の差を
有する波長の反射光、例えば、400nmから450n
mの波長の反射光像に基づく信号が信号処理回路で処理
される。400nmから450nmの波長の光の銅に対
する反射率は銀に対する反射率よりも5dBから11d
B低く、反射光の受光信号のレベルに判別容易な差をも
たらす。この差により信号処理回路の設計に裕度が生
じ、高い精度の判定結果を得ることができる。
有する波長の反射光、例えば、400nmから450n
mの波長の反射光像に基づく信号が信号処理回路で処理
される。400nmから450nmの波長の光の銅に対
する反射率は銀に対する反射率よりも5dBから11d
B低く、反射光の受光信号のレベルに判別容易な差をも
たらす。この差により信号処理回路の設計に裕度が生
じ、高い精度の判定結果を得ることができる。
【0007】
【実施例1】本発明の第1の実施例を図1を参照しなが
ら詳細に説明する。ハロゲン電球光源101からコンデ
ンサレンズ102により集光され、光ファイバ103に
より導かれた光は、同軸落射照明装置104の入光部に
設置された400nmから450nm付近の光を透過す
るフィルタ201を透過し、青色みがかった光となって
同軸落射照明装置104に入射する。前記照明光は、同
軸落射照明装置104に内蔵されたハーフミラー105
により反射されて、被測定物106を照明する。被測定
物106は銅に銀を鍍金したものである。被測定物10
6により反射された光線は、顕微鏡のレンズ群107に
より適当な倍率でビデオカメラ108の受光面に結像す
る。ビデオカメラ108から出力された画像信号109
は、画像処理装置114に入ると、制御回路113の制
御によりアナログ−デジタル(A/D)変換器110に
よりA/D変換されてメモリ回路111に蓄えられた後
に信号処理回路112に入力される。信号処理回路11
2は、入力データの輝度から鍍金された部分を抽出し、
鍍金の位置情報或いは欠陥の検出等を行う。
ら詳細に説明する。ハロゲン電球光源101からコンデ
ンサレンズ102により集光され、光ファイバ103に
より導かれた光は、同軸落射照明装置104の入光部に
設置された400nmから450nm付近の光を透過す
るフィルタ201を透過し、青色みがかった光となって
同軸落射照明装置104に入射する。前記照明光は、同
軸落射照明装置104に内蔵されたハーフミラー105
により反射されて、被測定物106を照明する。被測定
物106は銅に銀を鍍金したものである。被測定物10
6により反射された光線は、顕微鏡のレンズ群107に
より適当な倍率でビデオカメラ108の受光面に結像す
る。ビデオカメラ108から出力された画像信号109
は、画像処理装置114に入ると、制御回路113の制
御によりアナログ−デジタル(A/D)変換器110に
よりA/D変換されてメモリ回路111に蓄えられた後
に信号処理回路112に入力される。信号処理回路11
2は、入力データの輝度から鍍金された部分を抽出し、
鍍金の位置情報或いは欠陥の検出等を行う。
【0008】図2はA/D変換器110における銅の反
射光のスペクトラム図,及び銀の反射光のスペクトラム
図である。銀に比較して、銅の反射率は450nm付近
では約5dB低く、400nm付近では約11dB低い
ことが判るので、この400nmから450nm付近の
光を透過するフィルタ201を同軸落射照明装置104
の入光部に配置している。銅の部分で反射された光線は
暗く、鍍金された部分からの反射光は明るいというよう
にコントラストが強いため、従来と同じA/Dコンバー
タ用いたとしても、電圧レベルの差が大きくなり、その
ために容易に鍍金の部分を判別できるような画像データ
が得られる。
射光のスペクトラム図,及び銀の反射光のスペクトラム
図である。銀に比較して、銅の反射率は450nm付近
では約5dB低く、400nm付近では約11dB低い
ことが判るので、この400nmから450nm付近の
光を透過するフィルタ201を同軸落射照明装置104
の入光部に配置している。銅の部分で反射された光線は
暗く、鍍金された部分からの反射光は明るいというよう
にコントラストが強いため、従来と同じA/Dコンバー
タ用いたとしても、電圧レベルの差が大きくなり、その
ために容易に鍍金の部分を判別できるような画像データ
が得られる。
【0009】
【実施例2】本発明の第2の実施例を図3を参照しなが
ら説明する。ハロゲン電球光源101からコンデンサレ
ンズ102により集光され、光ファイバ103により導
かれた光は、同軸落射照明装置104に内蔵されたハー
フミラー105により反射されて被測定物106を照明
する。被測定物106により反射された光線は、前記光
学フィルタと同等な特性をもつ青色透過フィルタ301
を通過した後に顕微鏡のレンズ群107により適当な倍
率でビデオカメラ108の受光面に結像する。以後は、
第1の実施例と全く同様の操作を行うので詳細について
は省略する。
ら説明する。ハロゲン電球光源101からコンデンサレ
ンズ102により集光され、光ファイバ103により導
かれた光は、同軸落射照明装置104に内蔵されたハー
フミラー105により反射されて被測定物106を照明
する。被測定物106により反射された光線は、前記光
学フィルタと同等な特性をもつ青色透過フィルタ301
を通過した後に顕微鏡のレンズ群107により適当な倍
率でビデオカメラ108の受光面に結像する。以後は、
第1の実施例と全く同様の操作を行うので詳細について
は省略する。
【0010】第2の実施例では、反射光から波長の長い
赤の成分を取り除くために、ビデオカメラ108に入射
する反射光成分は、第1の実施例と全く同様に青色光線
のみとなる。そのため、第1の実施例と全く同等の効果
を得ることができる。
赤の成分を取り除くために、ビデオカメラ108に入射
する反射光成分は、第1の実施例と全く同様に青色光線
のみとなる。そのため、第1の実施例と全く同等の効果
を得ることができる。
【0011】
【実施例3】本発明の第3の実施例を図4を参照しなが
ら説明する。アルゴンイオンレーザー401から発生し
た458又は477nmの光線をビームエキスパンダ4
02により光束を広げた後に、同軸落射照明装置104
に入射し、被測定物106を照明する。この後、本発明
の第1の実施例と全く同様の操作を行うので詳細ついて
は省略する。
ら説明する。アルゴンイオンレーザー401から発生し
た458又は477nmの光線をビームエキスパンダ4
02により光束を広げた後に、同軸落射照明装置104
に入射し、被測定物106を照明する。この後、本発明
の第1の実施例と全く同様の操作を行うので詳細ついて
は省略する。
【発明の効果】以上説明したように、本発明の鍍金検査
装置によると、地金と鍍金との間で所定の反射率の差を
有する波長の光を使用するため、地金と鍍金の部分のコ
ントラストを高めることができる。そのため、鍍金部分
の認識が確実になり、高精度のA/D変換器を使わずに
装置を構成できるので、安価に高精度の装置を構成する
ことができる。
装置によると、地金と鍍金との間で所定の反射率の差を
有する波長の光を使用するため、地金と鍍金の部分のコ
ントラストを高めることができる。そのため、鍍金部分
の認識が確実になり、高精度のA/D変換器を使わずに
装置を構成できるので、安価に高精度の装置を構成する
ことができる。
【図1】本発明の鍍金検査装置の第1の実施例を示す説
明図。
明図。
【図2】銅と銀の反射光のスペクトラム特性の測定結果
を表すグラフ。
を表すグラフ。
【図3】本発明の第2の実施例を示す説明図。
【図4】本発明の第3の実施例を示す説明図。
【図5】従来の鍍金検査装置を示す説明図。
101 ハロゲン電球光源 102 コ
ンデンサレンズ 103 光ファイバ 104 同
軸落射照明装置 105 ハーフミラー 106 被
測定物 107 顕微鏡のレンズ群 108 ビ
デオカメラ 109 画像信号 110 アナログ−デジタル(A/D)変換器 111 メモリ回路 112 信
号処理回路 113 制御回路 114 画
像処理装置 201 フィルタ 301 フ
ィルタ 401 アルゴンレーザー装置 402 ビ
ームエキスパンダ
ンデンサレンズ 103 光ファイバ 104 同
軸落射照明装置 105 ハーフミラー 106 被
測定物 107 顕微鏡のレンズ群 108 ビ
デオカメラ 109 画像信号 110 アナログ−デジタル(A/D)変換器 111 メモリ回路 112 信
号処理回路 113 制御回路 114 画
像処理装置 201 フィルタ 301 フ
ィルタ 401 アルゴンレーザー装置 402 ビ
ームエキスパンダ
Claims (4)
- 【請求項1】 地金に地金の色と相違した色の鍍金を施
された試料を照射する照射手段と、 前記試料の反射光を受光する受光手段と、 前記受光手段の受光光像に基づいて前記鍍金の位置,或
いは面積を判定する判定手段を備え、 前記受光手段は前記地金の反射率と前記鍍金の反射率の
間に所定の差を有する波長の反射光を受光することを特
徴とする鍍金検査装置。 - 【請求項2】 前記照射手段は、400nmから450
nmの波長の光を透過するフィルタを通して前記試料を
照射し、 前記試料は、銅,或いは銅合金に銀,錫,或いは白色金
属の鍍金が施されている構成の請求項1の鍍金検査装
置。 - 【請求項3】 前記照射手段は、458nm,或いは4
77nmの波長の光を出射するアルゴンイオンレーザー
によって前記試料を照射し、 前記試料は、銅,或いは銅合金に銀,錫,或いは白色金
属の鍍金が施されている構成の請求項1の鍍金検査装
置。 - 【請求項4】 前記受光手段は、400nmから450
nmの波長の光を透過するフィルタを通して前記試料の
反射光を受光し、 前記試料は、銅,或いは銅合金に銀,錫,或いは白色金
属の鍍金が施されている構成の請求項1の鍍金検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4026194A JPH05196568A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 鍍金検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4026194A JPH05196568A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 鍍金検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05196568A true JPH05196568A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=12186684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4026194A Pending JPH05196568A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 鍍金検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05196568A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002098648A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Ibiden Co Ltd | 画像処理検査方法及び画像処理検査装置 |
| WO2001088592A3 (en) * | 2000-05-15 | 2002-08-15 | Orbotech Ltd | Microscope inspection system |
| JPWO2004040281A1 (ja) * | 2002-10-30 | 2006-03-02 | 凸版印刷株式会社 | 配線パターンの検査装置、検査方法、検出装置および検出方法 |
| JP2008101926A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Toppan Printing Co Ltd | 金属パターンを有する基板の検査方法及び検査装置 |
| JP2009204311A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Toppan Printing Co Ltd | 金属基板表面の検査方法及び検査装置 |
| JP2010145353A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 外観検査装置 |
| JP2010145347A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 外観検査装置 |
| JP2012112688A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Seiko Epson Corp | 検査装置 |
-
1992
- 1992-01-17 JP JP4026194A patent/JPH05196568A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001088592A3 (en) * | 2000-05-15 | 2002-08-15 | Orbotech Ltd | Microscope inspection system |
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