JPH05196639A - プローブ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】被検査体とプローブ針との衝突を確実に防止す
ることができるプローブ装置 【構成】プローブカードホルダー２２に設けられた記憶
素子から読み取ったプローブ針４７の高さ情報によって
プローブ針の高さを認識し、半導体ウエハを最初に第１
の距離を高速で、次に第２の距離を低速でプローブ針に
接近させるように駆動して電極パッドをプローブ針にコ
ンタクトポイントで接触させる、次に前記最初のウエハ
でのコンタクトポイントの高さを検知し、このコンタク
トポイント高さ情報にもとずいて、前記次のウエハを前
記第１の距離よりも長い第２の距離で高速でプローブ針
に接近させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスのよう
な被検査体の電気的特性を測定するプローブ装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】周知の如く、半導体デバイスは、半導体
ウエハ上に精密写真転写技術等を用いて多数形成され、
この後、各半導体デバイス毎にウエハは切断される。こ
のような半導体デバイスの製造工程では、従来からプロ
ーブ装置を用いて、半完成品の半導体デバイスの電気的
な特性の試験判定を、半導体ウエハの状態で行い、この
試験測定の結果良品と判定されたもののみをパッケージ
ング等の後工程に送り、生産性の向上を図ることが行わ
れている。

【０００３】上記プローブ装置は、Ｘ−Ｙ−Ｚ−θ方向
に移動可能に構成されたウエハ保持台を備えており、こ
のウエハ保持台上には、半導体デバイスの電極バッドに
対応した多数のプローブ針を備えたプローブカードが固
定される。そして、ウエハ保持台上に半導体ウエハを設
置し、ウエハ保持台を駆動して半導体デバイスの電極に
プローブ針を接触させ、このプローブ針を介してテスタ
により試験測定を行うよう構成されている。

【０００４】このようなプローブ装置では、プローブカ
ードによってプローブ針先端の高さが異なる。このた
め、測定開始前にウエハ保持台上の半導体ウエハを非常
に低速で上昇させ、プローブ針先端が半導体ウエハに接
触した位置（コンタクトポイント）を検出することによ
って、プローブ針先端の高さを認識することが行われて
いる。しかしながら、このようなプローブ針先端の高さ
認識工程において、ウエハ保持台をホームポジション
（最下位置）から低速で上昇させると、接触位置の検出
に非常に多くの時間を必要とする。このため、通常プロ
ーブ針先端が存在しないある高さまで半導体ウエハを高
速で上昇させ、この後、半導体ウエハを低速で上昇させ
るよう構成されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】近年半導体デバイスは
高集積化される傾向にあり、半導体デバイスの電極パッ
ドも狭ピッチ化および多数化される傾向にある。このた
め、図１（ａ）に示すように、プローブ針１を斜めに配
置したプローブカード２に代って、図１（ｂ）に示すよ
うに、プローブ針１ａをほぼ垂直に配置したプローブカ
ード２ａの開発が進められており、実用化されつつあ
る。ところが、このようなプローブ針１ａをほぼ垂直に
配置したプローブカード２ａでは、これをプローブ装置
に固定した場合、従来のプローブカード２に較べてプロ
ーブ針先端の高さが大幅に、例えば数センチ程度低い位
置にある（図中ｈで示す）。このため、前述したプロー
ブ針先端の高さ認識工程において、半導体ウエハ等を保
持するウエハ保持台３の上昇量を少なく設定する必要が
あるが、この設定を間違えると、プローブ針先端の高さ
を認識する際に、半導体ウエハ等の被検査体とプローブ
針とが衝突を起こし、半導体ウエハもしくはプローブカ
ードを破損する可能性があった。

【０００６】本発明の目的は、被検査体とプローブ針と
の衝突を確実に防止することができ、被検査体およびプ
ローブカード等の破損を防止することのできるプローブ
装置を提供しようとするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の一態様に係わる
プローブ装置は、プローブ針並びにこのプローブ針の高
さ情報を有する記憶素子とを有するプローブカード手段
と、このプローブカード手段の下方に被検査体を支持
し、この被検出体を垂直方向に移動可能な手段と、前記
プローブカード手段の記憶素子から読み取った情報によ
って前記プローブカード手段のプローブ針の高さを認識
し、前記支持手段を被検査体とプローブ針先端の距離を
制御して接近させるように駆動することにより、被検査
体とプローブ針とをコンタクトさせる手段とを具備す
る。

【０００８】本発明の他の態様に係わるプローブ装置
は、プローブ針並びにこのプローブ針の高さ情報を有す
る記憶手段とを有するプローブカード手段と、このプロ
ーブカード手段の下方に、複数の電極パッドを備えた少
くとも１つの半導体素子を有するウエハを支持し、この
ウエハを垂直方向に移動可能な手段と、前記プローブカ
ード手段の記憶素子から読み取った情報によって前記プ
ローブカード手段のプローブ針の高さを認識し、前記支
持手段をウエハの電極パッドとプローブ針先端の距離を
制御して最初に高速で、次に低速で接近させるように駆
動して電極パッドをプローブ針にコンタクトポイントで
接触させる手段とを具備する。

【０００９】本発明のさらに他の態様に係わるプローブ
装置は、プローブ針並びにこのプローブ針の高さ情報を
有する第１の記憶手段とを有するプローブカード手段
と、このプローブカード手段の下方に、位置され初期位
置で複数の電極パッドを備えた少くとも１つの半導体素
子を有するウエハが載置される支持手段と、この支持手
段を初期位置と検査位置との間で垂直方向に移動させる
駆動手段と、前記プローブカード手段の記憶素子から読
み取った情報によって前記プローブカード手段のプロー
ブ針の高さを認識し、前記駆動手段を制御して支持手段
を最初に第１の距離を高速で、次に第２の距離を低速で
検査位置に接近させるように駆動して電極パッドをプロ
ーブ針にコンタクトポイントで接触させる制御手段と、
前記最初のウエハでのコンタクトポイントの高さを検知
し、このコンタクトポイント高さ情報をストアする第２
の記憶手段と、電極パットに接触したプローブ針を介し
て半導体素子を検査する手段と、前記駆動手段により半
導体素子の検査の終わったウエハを支持した支持手段が
初期位置に戻されると支持手段から検査の終わったウエ
ハを取り外すとともに、次に検査するウエハを支持手段
に載置させる手段と、を具備し、前記制御手段は前記ス
トアされたコンタクトポイント高さ情報にもとずいて、
前記制御手段を制御して、前記第１の距離よりも長い第
２の距離で前記支持手段を高速でプローブカード手段に
接近させることを特徴とする。

【００１０】

【実施例】以下、本発明を半導体ウエハ上に形成された
半導体デバイスの試験測定を行うプローブ装置に適用し
た一実施例を図面を参照して説明する。まず、プローブ
装置全体の構成を図２を参照して概略的に説明する。

【００１１】図２において、符号１０はプローブ装置本
体を示し、ほぼ中央にはメインステージ１１が設けられ
ている。このメインステージ１１には、半導体ウエハ１
２の、後述する測定用載置台１３が取り付けられてい
る。このメインステージ１１は水平面内においてＸ方向
ならびにＹ方向に載置台１３と共に移動可能になってい
る。この載置台１３の上方には後述するプローブ機構１
４が設けられている。図示していないが、装置本体１０
の中央手前側にはアラインメントユニットが設けられて
いる。このユニットには、アラインメント用の画像認識
装置としてのカメラが設けられている。アラインメント
のために、載置台１３はこのカメラの下方にまで移動さ
れる。装置本体１０の右側にはオートローダ１５が、ま
た左側にはプローブカード交換機１６が夫々設けられて
いる。

【００１２】オートローダ１５には多数の半導体ウエハ
１２を互いに垂直方向に所定間隔を有して収容したウエ
ハカセット１７がカセット載置台１８上に交換可能に配
置されている。このウエハカセット１７と前記載置台１
３との間には水平面内で移動可能なローダステージ１９
と、図示しないＹ方向駆動機構とＺ方向昇降機構とによ
り駆動可能なウエハハンドリングアーム２０とが設けら
れている。半導体ウエハ１２をプローブ検査するときに
は、ウエハはローダステージ１９により載置台１３近く
に搬送され、ハンドリングアーム２０により載置台１３
上に移される。検査後は、ウエハはハンドリングアーム
２０によりローダステージ１９上に移され、ローダステ
ージ１９によりウエハカセット１７に搬送される。

【００１３】プローブカード２１をカードホルダー２２
に装着してなる集合体 ｏｒ プローブカード手段２３
が収納棚２４に垂直方向に所定間隔を有して複数個収容
されている。

【００１４】符号２５は、プローブカード２１並びにカ
ードホルダー２２の中央に形成された開口を介して、下
方に位置するウエハ及びプローブカード２１のプローブ
針の先端を監視する顕微鏡もしくはテレビカメラを示
す。上記のようなプローブ装置のプローブ自動交換動作
は例えば米国特許Ｎｏ．４，９６６，５２０に記載され
ているものと同じである。前記載置台１３を、図３を参
照してさらに詳しく説明する。

【００１５】この載置台１３は、Ｘ方向に延在される２
本のレールに沿ってＸ方向に移動可能なＸステージ３１
ａと、このＸステージ３１ａ上をＹ方向に延在される２
本のレールに沿ってＹ方向に移動可能なＹステージ３１
ｂとを有する。このＸ，Ｙステージ３１ａ，３１ｂは、
パルスモータなどを含む慣用の駆動機構によって水平面
内をＸ方向とＹ方向とに駆動される。Ｙステージ３１ｂ
上に搭載されたチャック３２は、慣用の昇降機構によっ
て上下方向（Ｚ方向）に駆動されると共に、その中心を
通りＺ軸に平行な中心線の周りに慣用の回転機構によっ
て回転される。これら駆動機構、昇降機構並びに回転機
構は、図６で、夫々符号５４，５５，５６で示し、後述
する制御系により、夫々の駆動が制御される。

【００１６】Ｙステージ３１ｂの側面には昇降機構３４
が固定されている。この昇降機構３４には上下方向に昇
降自在な移動カメラ３３が保持されている。この移動カ
メラ３３は、高倍率部３３ａと低倍率部３３ｂとから構
成されている。

【００１７】チャック３２の側面には、その径方向に水
平に突出する小片３５が固定されている。この小片３５
は、導電性薄膜、例えばＩＴＯ（indium tin oxide）薄
膜あるいはクロムを用いて描かれた十字マークの中心に
よって定義されるターゲット３５ａが表面に形成された
短冊状の透明板からなる。これはカメラ３３により検出
する際の基準点として機能する。また、十字状の薄膜の
周辺には、これを覆うように導電性透明薄膜、例えばＩ
ＴＯの薄膜が配設される。導電性透明薄膜は、静電容量
センサによるＺ方向の位置検出を可能とするために配設
されている。

【００１８】ターゲット３５ａが形成された小片３５
は、チャック３２の回転により移動カメラ３３の高倍率
部の光軸上に移動しかつここから退避できるようになっ
ている。小片３５はまた、チャック３２に着脱自在に取
付けるように構成することも可能である。

【００１９】上記構成の載置台１３によるウエハの位置
合わせ操作は、特願昭３−２１６０６８号並びに３−２
１６０６７号に詳しく記載されているのでここでは省略
する。プローブカードーカードホルダー集合体２３を、
図４並びに図５を参照して詳細に説明する。

【００２０】図４中、符号４０は装置本体１０（図２参
照）の上部に装着されたインサートリングを示し、この
中央開口の周側面の段部にはコンタクトリング４１が載
置されている。コンタクトリング４１はこれら両者４
０，４１に径方向に離間して設けられた２つの位置決め
ピンにより、その装着位置が規定されている。このコン
タクトリング４１の上面には、これらの間に配置された
コンタクトにより電気的に接続された状態でテストヘッ
ド４２が設けられている。このテストヘッド４２は、公
知のテスタ４３に、また前記インサートリング４０のプ
リント基板４０ａは、後述する制御系４４に、これらに
出力信号を供給するようにそれぞれ電気的に接続されて
いる。装置本体１０には、また上下方向に移動可能に支
持リング４５が、設けられており、この支持リング４５
の上方位置で、カードホルダー２２の周辺部がインサー
トリング４０との間で挟持され、集合体２３はコンタク
トリング４１の下側に交換可能に装着される。この集合
体２３は、これら３者４０，２２，４５間に配置された
２つの位置決めピンにより所定の位置で装着される。

【００２１】前記プローブカード２１には、例えばプリ
ント基板等からなる基板４６が上面に設けられており、
この基板４６の中央部分には、下方に向かってほぼ垂直
に配置されるよう多数のプローブ針４７が、半導体ウエ
ハ１２上の半導体デバイスの電極パッドに対応して設け
られている。この場合、プローブ針４７は、１つの半導
体デバイスの電極パットに対応して配設されていても、
また複数の半導体デバイスの電極パットに対応して配設
されていても良い。前記プローブ針４７はカードホルダ
ー２２の中央開口を通って垂直に下方に延びており、カ
ードホルダー２２の下面より突設された円筒形のブロッ
クの下面より少し先端が突出している。このプローブカ
ード２１の上面のプリント基板は、集合体２３が装置本
体１０に装填されたときにコンタクトリング４１の下面
に突設されたコンタクトと電気的に接続され、この結
果、プリント基板、かくしてプローブ針４７は前述した
テスタ４３にテストヘッド４２を介して電気的に接続さ
れる。

【００２２】前記プローブカードーカードホルダーー集
合体２３の上面には、メモリー手段４８（第１の記憶手
段）並びに電気的接続手段４９が、図５に示すように設
けられている。これらメモリー手段４８並びに電気的接
続手段４９は、この実施例ではカードホルダー２２に設
けられているがプローブカード２１の上面に設けられて
いても良い。メモリー手段４８は、２つのメモリー素子
４８ａにより構成されており、好ましくは２つのＥＥＰ
ＲＯＭが使用される。一方のＲＯＭ４８ａには試験の前
に設定したプローブカード２１に関する各種情報が、ま
た他方のＲＯＭ４８ａには試験によって書替えられるプ
ローブカード２１に関する各種上方がそれぞれストアさ
れる。これら情報としては、載置台１３のＺ方向の移動
を制御するＺ方向移動データの他、例えば、コンタクト
回数（トータル及びトリップ）、針の相対位置、プロー
ブカードのシリアルナンバー、プローブカードの種類、
ピン数、マルチ数、マルチロケーション、針研実行タイ
ミング・コンタクト回数、オーバードライブ許容値、コ
ンタクト後のスライド実施、針研実施、プローブカード
不良品の場合のアラーム及びリジェクトの実施等であ
る。Ｚ方向移動データは、半導体ウエハ１２を上に装填
したチャック３２を上方に高速で移動させる距離ｏｒ高
さＨｈ並びにチャック３２が所定の距離、即ち、高さＨ
上方に移動したときに駆動を静止させるための高さリミ
ットなどである。ここで、半導体デバイス、即ち素子の
テスト時には、チャック３２の上方の移動は、従来技術
で記載したように、プローブカード２１近く間で所定の
高さＨｈまで高速で行われ、その後低速で行われて、プ
ローブ針４７と半導体素子の端子とが接触する高さＨｌ
（コンタクトポイント）を検出したときに停止される。
なお、実際には、プローブ針４７と半導体素子の電気パ
ッドとの電気的接触をより確実にするために、コンタク
トポイントよりも僅か上方で停止される（オーバドライ
ブ）。前記リミット距離Ｈは、Ｈ＝高速距離Ｈｈ＋低速
距離Ｈｌ＋許容距離ΔＨである。即ち、半導体ウエハが
所定距離Ｈ移動されても、コンタクトポイントが検知で
きないということは、半導体ウエハ１２か、集合体２３
のどちらかに異常が生じたということであり、測定を停
止させる必要があるということである。この高速距離Ｈ
ｈは、集合体２３によって異なり、できるだけ半導体ウ
エハ１２の上面とプローブ針４７の下端との間の距離に
近く設定するのが操作時間の短縮の面で好ましいが、あ
まり近くすると、高速のまま両者が接触して破損する恐
れがあるので、半導体ウエハ１２と集合体２３の製造誤
差等を考慮して余裕を有して設定されている。この好ま
しい実施例では、Ｈｈは約２０ｍｍ、Ｈｌは３〜４ｍｍ
に設定されている。

【００２３】前記電気的接続手段４９は、複数のコンタ
クトホールよりなり、メモリー手段４８に電気的に接続
していると共に、前記インサートリング４０のプリント
基板４０ａに電気的に接続され、インサートリング４０
の下面より突設したコンタクトピンが、集合体２３の装
着時に挿入されて、これらと電気的に接触する。この結
果、集合体２３が装置本体１０に装着されると同時に、
メモリー手段４８は、前記制御系４４に電気的に接続さ
れる。

【００２４】前記制御系４４は、図６に示すようにメモ
リーを備えたＣＰＵ５０を有する。このＣＰＵには、Ｚ
方向移動制御回路５１と、Ｘ−Ｙ方向移動制御回路５２
と、θ方向移動制御回路５３が、夫々接続されている。
これら制御回路は、図３に示す載置台１３の移動を果た
す昇降機構５４、駆動機構５５並びに回転機構５６に夫
々接続されている。この結果、このＣＰＵ５０により、
前記メモリー手段４８と、Ｚ方向移動制御回路５１と，
Ｘ−Ｙ方向移動制御回路５２と，θ方向移動制御回路５
３との間の後述する制御が果たされる。

【００２５】次に、図８を参照して前記制御系４４にる
載置台１３の主の駆動制御を説明する。プローブカード
交換機１６から集合体２３を図示しない搬送機構により
インサートリング４０の下方に搬送され、次に支持リン
グ４５が上昇し、集合体２３がインサートリング４０と
支持リング４５との間に挟持される。かくしてプローブ
カード２１は．装置本体１０に装填される（Ｓ１）。こ
のときに、集合体２３のメモリー手段４８はインサート
リング４０のプリント基板４０ａを介して制御系４４
に、また、プローブ針４７はコンタクトリング４１並び
にテストヘッド４２を介してテスタ４３に夫々接続され
る。この結果、メモリー手段４８にストアされている高
速高さデータ（約２０ｍｍ）はＣＰＵ５０に入力される
（Ｓ２）。この次に、もしくはこれより前にオートロー
ダ１５より最初の半導体ウエハ１２がチャック３２上に
搬送され、ＸＹθのアラインメントが行われて、コンタ
クトリング４１の直下に精度良く最初に検査される１つ
もしくは複数の半導体素子が位置付けられる。前記ステ
ップＳ２の読取り情報にもとずいて、ＣＰＵ５０からの
指令により、Ｚ方向移動制御回路５１を介して昇降機構
５４は駆動され、チャック３２、即ち半導体ウエハ１２
は、高速距離Ｈｈ（約２０ｍｍ）だけ高速で（１０ｍｍ
／分〜２０ｍｍ／分）上昇されプローブカード２１のプ
ローブ針４７の下端に接近される（Ｓ３）。続いて、チ
ャック３２は低速で（５００μｍ／秒）さらに上昇され
（Ｓ４）、約３〜４ｍｍ上昇した時点で、正常の時には
コンタクトポイントを検出する（Ｓ５）。このコンタク
トポイントの高さ情報はＣＰＵ５０のメモリ（第２の記
憶手段）にストアされる（Ｓ６）。即ち、現在使用して
いるこのプローブカード２１の高さ情報が制御系４４側
にストアされる。この時のコンタクトポイントの検出
は、従来技術と同様に、半導体素子の電極パッドとプロ
ーブ針４７との電気的接触により、これらの間に電流が
流れるのを検出することにより行われ得る。もし、この
チャック３２の上昇がメモリー手段４８にストアされて
いるリミット距離になると、制御系４４は異常信号をＺ
方向移動制御回路５１に送り、昇降機構５４の駆動を停
止させる（Ｓ７）。コンタクトポイントを検出すると、
チャック３２は、さらに、低速で約５０μｍ上昇され、
電極パッドとプローブ針４７との電気的接触がより確実
にされる（Ｓ８）。この状態で、電極パットからの電気
的情報がプローブ針４７等を介してテスタ４３に出力さ
れ、この半導体素子の電気的特性の検査が行われる。検
査が終了すると、チャック３２は低速で少し（約５００
μｍ）下降され、プローブ針４７はコンタクトポイント
から離される（Ｓ９）。そして、メモリー手段４８にス
トアされている情報、もしくは予めＣＰＵ５０にストア
されている情報にもとずき、半導体ウエハ１２はＸ−Ｙ
方向移動制御回路５２並びに駆動機構５５を介して載置
台１３により次に試験される半導体素子がプローブ針４
７の真下にくるようにＸＹ方向に移動される（Ｓ１
０）。そして、前記とほぼ同じ低速でチャック３２は上
昇され（Ｓ１１）、コンタクトポイントの検出が行われ
る（Ｓ１２）。そして、この半導体素子の試験が実施さ
れる。このようなステップ（Ｓ８〜Ｓ１２）が繰り返さ
れ、１枚の半導体ウエハ１２に形成された全ての半導体
素子の試験が終了すると（Ｓ１３）、コンタクト回数等
必要なデータがＣＰＵ５０を介してメモリー手段４８に
ストアされる。この後、この試験された半導体ウエハ１
２はオートローダ１５に搬送され、代わりに２枚目の半
導体ウエハ１２がチャック３２上に搬送され前記ステッ
プと同様にＸＹθのアラインメントが行われる（Ｓ１
５）。前記ステップＳ６でストアされたコンタクトポイ
ント情報にもとずきＣＰＵ５０で、高速高さＨｈの補正
が行われ、コンタクトポイントの少し下（約５００μ
ｍ）の位置まで高速高さＨｈが高く設定される。例え
ば、１枚目の半導体ウエハ１２で、高速距離Ｈｈが２０
ｍｍで、ここからコンタクトポイントまでの低速距離が
３ｍｍであったとすると高速高さＨｈは２０ｍｍ＋（３
ｍｍ−５００μｍ）に再設定される。この再設定値にも
とずいて、チャック３２はコンタクトポイントの５００
μｍ下まで、前記と同じ高速で上昇され（Ｓ１６）、こ
の後は、コンタクトポイントの検出を行わせるために、
前記と同じ低速上昇される（Ｓ１７）。この後は、前記
ステップＳ５〜Ｓ１４と同様の工程を経て２枚目の半導
体ウエハ１２の検査が行われる。この２枚目以後の半導
体ウエハ１２の検査の場合には、１枚目の半導体ウエハ
１２で得られたコンタクトポイントの高さ情報を使用す
るようにして、この情報の書込みは行わないようにして
も、また順次書き直すようにしても良い。

【００２６】上記のようなメモリー手段４８が付加され
た集合体２３と制御系４４との組み合わせにより、半導
体ウエハ１２とプローブ針４７との接触を確実に防止で
きる範囲で最初の半導体ウエハ１２のコンタクトポイン
トの測定にもとずいて、２枚目以後の半導体ウエハ１２
の高速移動距離を長くすることができる。

【００２７】図８は、他の実施例のプローブ装置の構成
を概略的に示すもので、前述の実施例と同一部分には同
一符号が付してある。この実施例では、集合体２３に識
別標識の表示手段として、例えばバーコード６０が設け
られている。一方、プローブ装置には、このバーコード
６０を読み取って、識別標識を認識する手段としてバー
コードリーダ６１が設けられており、さらに、バーコー
ド６０から読み取った識別標識のプローブカードに関す
る情報を記憶するための記憶装置５０ｂがＣＰＵ５０ａ
とは別に設けられている。この記憶装置５０ｂには、各
識別標識によって特定されるプローブカードに関する情
報として、少なくともプローブ針の高さに関する情報が
収容されている。

【００２８】そして、プローブ装置は、集合体２３のバ
ーコード６０をバーコードリーダ６１によって読み取
り、ＣＰＵ５０ｂがプローブカードを同定し、対応する
プローブ針の高さに関する情報を記憶装置５０ｂから読
み出して、プローブ針先端のおおよその位置を認識し、
前述した実施例と同様にチャック３２の上下方向の動作
を制御するように構成されている。このように構成され
た実施例においても、前述した実施例と同様な効果を得
ることができる。なお、識別標識の表示手段としては、
バーコード６０と同様にアスキーコード等を、バーコー
ドリーダ３１に換えて文字認識機構等を用いることがで
きる。

【００２９】図９は、プローブカードに識別標識の表示
手段として、ジャンパー線７０を設けた実施例を示すも
のである。すなわち、集合体２３には複数のジャンパー
線７０が設けられており、これらのジャンパー線７０の
オープン、ショートの組み合わせによって識別標識を表
示するよう構成されている。また、プローブ装置には、
これらのジャンパー線７０の状態を検出する検出機構７
１が設けられている。そして、ＣＰＵ５０ａは、これら
のジャンパー線７０の状態から前述した実施例と同様
に、対応するプローブ針の高さに関する情報を記憶装置
５０ｂから読み出して、プローブ針の先端のおおよその
位置を認識し、前述した実施例と同様にチャック３２の
上下方向の動作を制御するように構成されている。この
実施例でも、前述した実施例と同様な効果を得ることが
できる。

【００３０】なお、プローブカード手段２３に設ける識
別標識の装置手段としては、上記の他に例えば所定領域
毎の透過光、反射光の組み合わせ、あるいは文字、数
字、記号等の組み合わせ等、固体を識別することができ
るものであればあらゆるものを使用することができる。
また、記憶装置５０ｂには、プローブカードのプローブ
針の高さに関する情報の他に、前述したプローブカード
に関する各種の情報を収納しておき、これに従って各種
制御を行うことができる。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のプローブ
装置によれば、被検査体とプローブ針との衝突を確実に
防止することができ、被検査体およびプローブカード等
の破損を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のプローブ針の配置の相違による針先端の
高さ相違を説明するための図。

【図２】本発明の一実施例のプローブ装置の全体この構
成を示す図。

【図３】図２に示す測定用載置台の構成を示す斜視図。

【図４】図２に示すプローブ機構を示す図。

【図５】プローブ機構の一部を示す斜視図。

【図６】測定用載置台の制御系を示すブロック図。

【図７】図６に示す制御系の制御のもとでのウエハの検
査を説明するフローチャート。

【図８】他の実施例に係わるプローブ装置を説明するた
めの概略図。

【図９】さらに他の実施例に係わるプローブ装置を説明
するための概略図。

【符号の説明】

１０…プローブ装置、１２…半導体ウエハ、１３…測定
用載置台、１４…プローブ機構、２１…プローブカー
ド、２２…カードホルダー２２、２３…プローブカード
ーカードホルダー集合体、４３…テスタ、４４…制御
系、４７…プローブ針、４８…メモリー手段、５０…Ｃ
ＰＵ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プローブ針と、このプローブ針の高さ情
   報を有する記憶素子とを有するプローブカード手段と、 このプローブカード手段の下方に被検査体を支持し、こ
   の被検出体を垂直方向に移動可能な手段と、 前記プローブカード手段の記憶素子から読み取った情報
   によって前記プローブカード手段のプローブ針の高さを
   認識し、前記支持手段を被検査体とプローブ針先端の距
   離を制御して接近させるように駆動することにより、被
   検査体とプローブ針とをコンタクトさせる手段とを具備
   するプローブ装置。
2. 【請求項２】 プローブ針と、このプローブ針の高さ情
   報を有する記憶手段とを有するプローブカード手段と、 このプローブカード手段の下方に、複数の電極パッドを
   備えた少くとも１つの半導体素子を有するウエハを支持
   し、このウエハを垂直方向に移動可能な手段と、 前記プローブカード手段の記憶素子から読み取った情報
   によって前記プローブカード手段のプローブ針の高さを
   認識し、前記支持手段をウエハの電極パッドとプローブ
   針先端の距離を制御して最初に高速で、次に低速で接近
   させるように駆動して電極パッドをプローブ針にコンタ
   クトポイントで接触させる手段とを具備するプローブ装
   置。
3. 【請求項３】 プローブ針と、このプローブ針の高さ情
   報を有する第１の記憶手段とを有するプローブカード手
   段と、 このプローブカード手段の下方に、位置され初期位置で
   複数の電極パッドを備えた少くとも１つの半導体素子を
   有するウエハが載置される支持手段と、 この支持手段を初期位置と検査位置との間で垂直方向に
   移動させる駆動手段と、 前記プローブカード手段の記憶素子から読み取った情報
   によって前記プローブカード手段のプローブ針の高さを
   認識し、前記駆動手段を制御して支持手段を最初に第１
   の距離を高速で、次に第２の距離を低速で検査位置に接
   近させるように駆動して電極パッドをプローブ針にコン
   タクトポイントで接触させる制御手段と、 前記最初のウエハでのコンタクトポイントの高さを検知
   し、このコンタクトポイント高さ情報をストアする第２
   の記憶手段と、 電極パットに接触したプローブ針を介して半導体素子を
   検査する手段と、前記駆動手段により半導体素子の検査
   の終わったウエハを支持した支持手段が初期位置に戻さ
   れると支持手段から検査の終わったウエハを取り外すと
   ともに、次に検査するウエハを支持手段に載置させる手
   段と、を具備し、 前記制御手段は前記ストアされたコンタクトポイント高
   さ情報にもとずいて、前記制御手段を制御して、前記第
   １の距離よりも長い第２の距離で前記支持手段を高速で
   プローブカード手段に接近させることを特徴とするプロ
   ーブ装置。