JPH05196672A - 電位計の校正方法及び異常検知方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 バイアス電圧を値の異なる４段階に切り換え
て感光体に印加し、各段階のバイアス電圧印加時の感光
体の表面電位Ｖ_F1〜Ｖ_F4を電位センサで読み取る。これ
により、複数の測定電位における電位計の検出値Ｖ_S1〜
Ｖ_S4が得られ、上記複数の検出値Ｖ_S1〜Ｖ_S4から、感光
体の表面電位Ｖ_F と電位センサの検出値Ｖ_S との関係を
表す変換特性線Ｌを求める。また、変換特性線Ｌの情報
（傾き、切片）が所定範囲から外れているとき、電位計
の異常判定を行う。 【効果】 広範囲な電位にわたって精度の高い電位セン
サの校正が行える。また、例えばどの電位の検出値Ｖ_S
も一定であったり、検出感度が低い等の電位センサの異
常を確実に検出でき、電位センサの異常検出精度の向上
が図れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真装置の感光体
の表面電位を測定するために用いられる電位計の校正方
法、及び電位計の異常検知方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子写真装置は、通常、原稿画像の露光
により感光体に形成された静電潜像に付着したトナーを
転写紙に転写させ、転写したトナーを加熱溶融して転写
紙に定着させることによって複写画像を得るようになっ
ている。この際、複写画像の濃度は、感光体に付着した
トナー量と密接な関係を有しており、このトナー量は、
帯電器に印加される電圧や現像器に印加される電圧等の
複写プロセス条件によって任意に調整することが可能に
なっている。

【０００３】従って、従来の電子写真装置は、例えばＰ
ＷＭ信号のデューティ比によって出力電圧を任意に変更
可能な電圧発生ユニットによって、帯電、現像バイアス
電圧等を形成するようになっている。この電圧発生ユニ
ットの出力電圧の制御は、適正な複写画像が得られるよ
うに、感光体の表面電位を検出する電位センサの検出値
Ｖ_S に基づいて行われる。

【０００４】通常、電位センサの検出値Ｖ_S は、図１１
に示すように、感光体の表面電位Ｖ_F と電位センサの検
出値Ｖ_S との関係を表す変換特性線Ａによって、感光体
の表面電位Ｖ_F に変換される。従来、この変換特性線Ａ
は、以下に示すようにして求められている。

【０００５】即ち、所定のバイアス電圧Ｖ_Faを感光体に
印加し、このときの電位センサの検出値Ｖ_Saから、検出
点ａ（Ｖ_Fa，Ｖ_Sa）および原点（０，０）を通る直線 Ｖ_F ＝Ｖ_S ・（Ｖ_Fa／Ｖ_Sa） を求め、これを変換特性線Ａとしている。

【０００６】このとき、図１２に示すように、電位セン
サの検出値Ｖ_Saが上限をＶ_Smax、下限をＶ_Sminとする範
囲にあるか否かが判定されるか、或いは、変換特性線Ａ
の傾きが所定の範囲内にあるか否かが判断され、電位セ
ンサの異常検知が行われる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際の
感光体の表面電位Ｖ_F と電位センサの検出値Ｖ_S との特
性線は、必ずしも原点を通る直線とはならず、例えば図
１１中の一点鎖線Ｂに示されるような特性を示すことも
ある。この場合、測定電位Ｖ_Fa付近においては、線Ａ・
Ｂに大きな差はみられないが、感光体の表面電位Ｖ_F が
測定電位Ｖ_Faから離れるほど、両者間の差、即ち誤差が
大きくなる。例えば、感光体の表面電位Ｖ_F がＶ_F0の場
合、電位センサの検出値Ｖ_S はＶ_Sbであるが、変換特性
線Ａを用いた変換により求められる感光体の表面電位Ｖ
_F は、実際の値Ｖ_F0よりもかなり低電位の値Ｖ_Fbであ
る。これでは、電圧発生ユニットの出力電圧制御を適正
に行うことができず、複写画像の濃度は所望のものとは
ならない。

【０００８】また、トラブル検知においても、検出点ａ
の１点だけによる判断であるため、測定電位Ｖ_Fa以外の
電位においては、本当に正常な電位センサ検出値Ｖ_S が
得られているかどうかが不明である。例えば、図１２中
の一点鎖線Ｃに示されるように、出力がどの電位も一定
であるような不良の電位センサの場合でも、従来の異常
検知方法であれば、検出点ａ₂ （Ｖ_Fa，Ｖ_Sa2 ）の検出
値Ｖ_Sa2 が上限Ｖ_Smax、下限Ｖ_Sminの範囲内にあるた
め、正常とみなされてしまう。

【０００９】本発明は、上記に鑑みなされたものであ
り、その目的は、広範囲な電位にわたって精度の高い電
位計（電位センサ）の校正が可能な電位計の校正方法を
提供すると共に、異常検知精度の向上を図れる電位計の
異常検知方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る電
位計の校正方法は、上記課題を解決するために、感光体
に所定のバイアス電圧を印加したときの電位計の検出値
に基づいて、感光体の表面電位と電位計の検出値との関
係を表す変換特性線を求める電位計の校正方法におい
て、以下の手段を講じている。

【００１１】即ち、上記バイアス電圧を値の異なる複数
段階に切り換えて感光体に印加し、各段階のバイアス電
圧印加時の電位計の検出値から上記の変換特性線を求め
る。

【００１２】また、請求項２の発明に係る電位計の異常
検知方法は、上記課題を解決するために、感光体に所定
のバイアス電圧を印加したときの電位計の検出値に基づ
いて、電位計の異常を検出する電位計の異常検知方法に
おいて、以下の手段を講じている。

【００１３】即ち、上記バイアス電圧を値の異なる複数
段階に切り換えて感光体に印加し、各段階のバイアス電
圧印加時の電位計の検出値から、感光体の表面電位に対
する検出値の変化量を求め、この変化量が所定範囲から
外れているとき、電位計の異常判定を行う。

【００１４】

【作用】請求項１の構成によれば、バイアス電圧を値の
異なる複数段階に切り換えて感光体に印加しており、こ
れにより広範囲な電位にわたる電位計の検出値が得られ
る。そして、得られた複数の検出点から感光体の表面電
位と電位計の検出値との関係を表す変換特性線が求めら
れるので、広範囲な電位にわたって精度の高い電位計の
校正が可能である。

【００１５】また、請求項２の構成によれば、バイアス
電圧を値の異なる複数段階に切り換えて感光体に印加し
ており、複数の測定電位における電位計の検出値が得ら
れる。そして、得られた複数の検出点から、感光体の表
面電位に対する電位計の検出値の変化量、例えば電位計
の出力特性がリニアのものであれば、感光体の表面電位
と電位計の検出値との関係を表す変換特性線の傾きを算
出して、これが所定範囲から外れているとき、電位計の
異常判定を行うようになっている。このように、検出値
の変化量から電位計の異常が判定されるので、どの電位
の出力（検出値）も一定であったり、検出感度が低い等
の電位計の異常を確実に検出できる。

【００１６】

【実施例】本発明の一実施例を図１ないし図１０に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。

【００１７】本実施の電子写真装置は、図２に示すよう
に、複写機本体１の上面に透明な原稿載置台を有してお
り、この原稿載置台には、複写対象となる原稿を原稿載
置台上に供給する自動原稿供給装置２７および原稿カバ
ー２６が設けられている。原稿載置台の下方には、光学
系２が配設されており、この光学系２は、原稿載置台上
に載置される原稿に光を照射するコピーランプ３と、原
稿からの反射光を一点鎖線で示すように感光体２１上に
導く複数の反射鏡４・５・６・７と、光路上に配設され
たズームレンズ８とを有している。上記コピーランプ
３、反射鏡４・５・６は原稿載置台と平行に移動するミ
ラーベースに設けられている。

【００１８】上記の光学系２の下方には、上述の反射光
が照射される感光体２１が配設されており、感光体２１
の周囲には、感光体２１を帯電させる帯電器２２、感光
体２１にトナーを付着させる現像部２３、感光体２１に
形成されたトナー像を転写紙に転写させる転写器２４、
および感光体２１の帯電を除去する除電器２５等が配設
されている。

【００１９】上記の感光体２１に転写紙が供給される側
には、転写紙の供給タイミングを設定するレジストロー
ラ３１および各サイズの転写紙を収容可能な複数の給紙
カセットからなる給紙部３０が配設されている。また、
感光体２１から転写紙が搬出される側には、転写紙を載
置して搬送するベルト状の搬送装置３２や転写紙に転写
されたトナーを加熱して溶融させる定着部３３、複写画
像が形成された転写紙を複数枚単位で載置可能な複数段
の排出トレイ３４等が配設されている。さらに、感光体
２１の下方には、両面複写や合成複写をする際に使用さ
れる中間トレイ３６、給紙ローラ３８、および反転部３
７が用紙搬送路３５を介して配設されている。

【００２０】複写に際しては、感光体２１の表面が帯電
器２２により所定の電位に帯電された状態で、ミラーベ
ースがＡ方向に移動され、原稿カバー２６により覆われ
た原稿がコピーランプ３にて先端から順次照射される。
そして、原稿からの反射光が光学系２を介して感光体２
１に露光され、感光体２１上に静電潜像が形成される。

【００２１】また、複写機本体１の上方に配置された自
動原稿供給装置２７を使用して複写を行う場合には、こ
の自動原稿供給装置２７における原稿搬送路２８内でド
ラム２９ａ・２９ｂ等により原稿が搬送されながら、原
稿搬送路２８の２箇所に設けられた図示しないスリット
を介してコピーランプ３により原稿が先端部から順次照
射され、上記と同様にして原稿からの反射光が感光体２
１に露光される。

【００２２】感光体２１上に静電潜像が形成されると、
続いて、この静電潜像が現像部２３から供給されるトナ
ーにより現像されてトナー像が形成されることになる。
この後、複数の給紙カセット等を備えた給紙部３０から
図示しない転写紙がレジストローラ３１に送られ、必要
に応じてレジストローラ３１によって一端停止された
後、所定のタイミングで感光体２１に供給される。

【００２３】そして、供給された転写紙上には、感光体
２１のトナー像が転写器２４によって転写される。この
後、転写紙は、感光体２１から剥離され、搬送装置３２
により定着部３３に搬送されて、ここでトナー像が転写
紙に定着された後、片面複写であれば、そのまま排出ト
レイ３４に排出される。一方、合成複写および両面複写
の場合には、定着部３３から排出された転写紙が用紙搬
送路３５に送られ、合成複写であれば、そのまま中間ト
レイ３６に排出され、一方、両面複写であれば、反転部
３７により表裏が反転された後に中間トレイ３６に排出
される。

【００２４】そして、中間トレイ３６に複数枚の転写紙
が蓄積された後、中間トレイ３６上の転写紙が給紙ロー
ラ３８により最上部のものから順次給紙されて感光体２
１に送られ、引続き複写が行われる。

【００２５】上記の電子写真装置は、図３に示すよう
に、静電潜像形成プロセス部の制御装置としての役割を
も有するマスターＣＰＵ４０と、光学系２の制御等を行
うスレーブＣＰＵ４１とを有した制御系によって制御さ
れるようになっている。

【００２６】上記のスレーブＣＰＵ４１は、ＲＯＭ４４
に予め記憶されているプログラムに従って、モータ１８
に回転速度を検出するロータリーエンコーダ（ＲＥ）４
５からの信号およびホームポジションセンサからの信号
等を受信し、ドライバ４６を介してモータ１８の回転を
制御すると共に、図１のレジストローラ３１に感光体２
１への転写紙の供給時期を指令する信号等を発信するよ
うになっている。

【００２７】上記のマスターＣＰＵ４０には、ＲＯＭ４
２が接続されており、このＲＯＭ４２には、スレーブＣ
ＰＵ４１へ動作信号等を出力するスレーブＣＰＵ指令ル
ーチンや、後述の電位センサ（電位計）５１の校正を行
う電位センサ校正ルーチン、複写プロセス条件の設定を
行うプロセス設定ルーチン等の各種のプログラムが予め
書き込まれている。

【００２８】そして、マスターＣＰＵ４０は、上記ＲＯ
Ｍ４２に記憶されているプログラムに従って、各種キー
やセンサ類からの信号を受信し、例えば、スレーブＣＰ
Ｕ４１にミラーベースのＡ方向への移動（図１参照）開
始を指令する信号、およびＡ方向への移動を終了したミ
ラーベースをホームポジションへ復帰させる信号等を発
信するようになっている。

【００２９】また、マスターＣＰＵ４０には、プロセス
部の帯電器２２や現像部２３、転写器２４等への高圧供
給を行う帯電ユニット５０、およびコピーランプ３の光
量を設定するコピーランプ点灯回路４３等が接続されて
いる。そして、マスターＣＰＵ４０は、コピーランプ点
灯回路４３を介してコピーランプ３への電圧の供給およ
び供給停止を制御するとともに、コピーランプ３へ印加
する実効電圧レベルの調整を行う。また、マスターＣＰ
Ｕ４０は、帯電ユニット５０等の各種高圧ユニットの出
力電圧の制御を行うようになっている。

【００３０】上記の帯電ユニット５０には、図４に示す
ように、ＰＷＭ信号の入力によって出力電圧が変化する
可変バイアス回路５２が内蔵されており、図７に示すよ
うに、マスターＣＰＵ４０から出力される各ＰＷＭ信号
のデューティ比αの増減によって、帯電ユニット５０の
出力電圧が制御されるようになっている。

【００３１】上記の帯電ユニット５０の可変バイアス回
路５２は、図５に示すように、ＰＷＭ信号のデューティ
比αに比例したアナログ値（直流電圧Ｖ₁ ）を出力する
積分回路５４を有している。この積分回路５４の入力側
は、ベースがマスターＣＰＵ４０のＰＷＭ信号の出力端
子に、コレクタが電源供給用コレクタ抵抗５５に、エミ
ッタがＧＮＤに接続されたＮＰＮ型トランジスタ５３の
コレクタに接続されている。

【００３２】また、積分回路５４の出力側は出力制御用
アンプ５６の一方の入力端子に接続されており、この入
力端子に電圧Ｖ₁ を出力するようになっている。出力制
御用アンプ５６の他方の入力端子には、抵抗器６１・６
２および定電圧ダイオード６４・６５を介してバイアス
トランス５８の出力側が接続されていると共に、抵抗器
６３を介してＧＮＤに接続されており、これらの抵抗器
６３・６４・６５によってバイアストランス５８の出力
電圧Ｖ_OUT の分圧されたバイアスモニタ電圧Ｖ₂ が入力
されるようになっている。

【００３３】そして、出力制御用アンプ５６の出力側
は、コレクタにバイアストランス５８の入力側が接続さ
れると共に、エミッタが接地されているトランジスタ５
７のベースに接続されており、バイアストランス５８
は、出力制御用アンプ５６に入力される電圧Ｖ₁ に追従
した出力電圧Ｖ_OUT を出力するようになっている。この
上記バイアストランス５８の出力電圧Ｖ_OUT は、短絡保
護抵抗６６・６７を介して帯電器２２や現像部２３の現
像ローラ２３ａに供給される。

【００３４】また、図４に示すように、上記バイアスト
ランス５８の出力電圧Ｖ_OUT をチェックするためのチェ
ック端子６８とＧＮＤとの間には、分圧抵抗６９〜７２
が接続され、これら分圧抵抗６９〜７２によってバイア
ストランス５８の出力電圧Ｖ_OUT の分圧された電圧Ｖ₃
が、分圧モニタ部７３に接続されたＯＰアンプ７４に入
力されるようになっている。ＯＰアンプ７４は、入力さ
れた上記電圧Ｖ₃ をインピーダンス変換して、マスター
ＣＰＵ４０へフィードバックする。

【００３５】ＯＰアンプ７４の出力は、マスターＣＰＵ
４０のＡ／Ｄポートに入力されてディジタル量に変換さ
れる。マスターＣＰＵ４０は、上記ディジタル変換され
たＯＰアンプ７４の出力を目標値に一致させるように、
帯電ユニット５０の可変バイアス回路５２へ出力される
ＰＷＭ信号のデューティ比をフィードバック制御する。

【００３６】本実施例の場合、マスターＣＰＵ４０から
帯電ユニット５０へ入力されるＰＷＭ信号のデューティ
比αと、帯電ユニット５０の現像バイアス電圧出力値と
の関係は、図６に示すように、デューティ比αが４０％
→６０％→８０％→１００％となるにしたがって、現像
バイアス電圧出力値は、２００Ｖ→３００Ｖ→４００Ｖ
→５００Ｖというように変化するようになっている。

【００３７】尚、本実施例の帯電ユニット５０は、上記
のようにＰＷＭ信号入力型の可変バイアス回路５２を内
蔵したものであるが、例えばアナログ電圧入力による可
変バイアス回路を内蔵したものでもよく、マスターＣＰ
Ｕ４０により出力電圧が制御されるものであればその構
成は問わない。

【００３８】また、図３に示すように、マスターＣＰＵ
４０は、リレー４７の制御も行っており、通常コピー時
にはリレー接点をＡ側にして感光体２１をアースする一
方、後に詳述する電位センサ５１の校正時には、リレー
接点をＢ側にして帯電ユニット５０からの現像バイアス
電圧が印加されるようにようにする。尚、感光体２１に
バイアス電圧を印加するための別電源を帯電ユニット５
０とは別に設け、マスターＣＰＵ４０が別電源の出力電
圧を制御するような構成にしてもよい。

【００３９】また、マスターＣＰＵ４０には、感光体２
１の表面電位を検出してその電位に応じた信号、例えば
アナログ電圧値（以下、検出値と称する）Ｖ_S を出力す
る電位センサ５１が接続されており、電位センサ５１の
検出値Ｖ_S は、マスターＣＰＵ４０のアナログ入力ポー
トに入力される。

【００４０】ところで、図４に示すように、マスターＣ
ＰＵ４０やＲＯＭ４２が搭載されたメインコントロール
基板７６には、バックアップ電源を備えたＲＡＭ７５が
搭載されている。このＲＡＭ７５には、電位センサの検
出値Ｖ_S と感光体２１の表面電位Ｖ_F との関係を表す変
換特性線Ｌ（図１参照）の情報データを格納する領域が
形成されており、マスターＣＰＵ４０は、電位センサ５
１の検出値Ｖ_S が入力されれば、上記変換特性線Ｌを用
いて、感光体２１の表面電位Ｖ_F を求める。

【００４１】通常コピー時には、マスターＣＰＵ４０
は、適正な複写画像が得られるように、上記の電位セン
サ５１の検出値Ｖ_S から求めた感光体２１の表面電位Ｖ
_F に応じて、帯電ユニット５０に出力するＰＷＭ信号の
デューティ比αを制御し、帯電器２２への印加電圧等の
複写プロセス条件を可変調節する。

【００４２】また、スレーブＣＰＵ４１が搭載されたサ
ブコントロール基板７７には、操作キーや液晶表示部、
表示ランプ等から成る表示操作回路７８とスレーブＣＰ
Ｕ４１との間の通信を可能とするドライバ７９・８０が
搭載されている。

【００４３】上記の構成において、電位センサ校正モー
ドの実行により、電位センサ５１の検出値Ｖ_S を感光体
２１の表面電位Ｖ_F に変換するために用いられる変換特
性線Ｌの校正が行われる。この電位センサ校正モード
を、マスターＣＰＵ４０の制御動作を示す図８のフロー
チャートに基づいて、以下に説明する。尚、本実施例で
は、電位センサ５１の電位出力特性がリニア（直線）の
ものについて記載するが、その特性が曲線の場合でも同
様にして電位センサ５１の校正が実施可能である。

【００４４】電位センサ校正モードに入ると、マスター
ＣＰＵ４０は、先ず、リレー４７の接点をＡからＢに切
り換え（Ｓ１）、現像バイアス電圧が感光体２１のドラ
ムボディに印加できるようにする。さらに、マスターＣ
ＰＵ４０は、帯電ユニット５０にバイアス出力ＯＮ信号
（ＲＥＭ）を出力する（Ｓ２）。

【００４５】次に、マスターＣＰＵ４０は、基準電圧印
加動作が終了か否かの判断を行う（Ｓ３）。本実施例の
場合、基準電圧印加動作を４回実行するようにプログラ
ムされており、上記Ｓ３の判断を経て、先ず１回目の基
準電圧印加動作が行われる。即ち、マスターＣＰＵ４０
は、基準電圧用ＰＷＭ信号として、デューティ比αが４
０％のＰＷＭ信号を帯電ユニット５０に出力する（Ｓ
４）。

【００４６】これにより、帯電ユニット５０からは、図
６に示すように、２００Ｖのバイアス電圧が出力され、
このバイアス電圧が感光体２１に印加される。そして、
このときの感光体２１の表面電位が電位センサ５１によ
り検出されて所定のアナログ値に変換された検出値Ｖ_S1
が、マスターＣＰＵ４０のＡ／Ｄポートに入力される
（Ｓ５）。マスターＣＰＵ４０は、上記Ａ／Ｄポートで
ディジタル値に変換された検出値Ｖ_S を、一旦ＲＡＭに
格納する（Ｓ６）。

【００４７】この後、再びＳ３へ戻り、上記Ｓ３〜Ｓ５
の処理が繰り返され、２回目以降の基準電圧印加動作が
順次行われる。この場合、Ｓ４において、２回目はデュ
ーティ比αが６０％、３回目はデューティ比αが８０
％、４回目はデューティ比αが１００％のＰＷＭ信号が
基準電圧用ＰＷＭ信号として出力される。したがって、
帯電ユニット５０からは、図６に示すように、２回目は
３００Ｖ、３回目は４００Ｖ、４回目は５００Ｖのバイ
アス電圧が出力され、感光体２１に印加される。

【００４８】上記４回の基準電圧印加動作により、図１
に示すように、感光体２１の表面電位がＶ_F1〜Ｖ_F4（Ｖ
_F1＝２００Ｖ、Ｖ_F2＝３００Ｖ、Ｖ_F3＝４００Ｖ、Ｖ_F4
＝５００Ｖ）のときの電位センサ５１の検出値Ｖ_S1〜Ｖ
_S1が得られ、Ｓ３において基準電圧印加動作の終了が判
断された後、マスターＣＰＵ４０は、上記の検出値Ｖ_S1
〜Ｖ_S1からリニアリティを計算（傾き、切片を演算）し
て、変換特性線Ｌを求める。尚、電位センサ５１の検出
特性が直線ではなく曲線の場合、曲線情報を算出する。

【００４９】そして、マスターＣＰＵ４０は、算出した
変換特性線Ｌの情報、即ち、傾きおよび切片を図４のＲ
ＡＭ７５に格納し（Ｓ８）、リレー４７の接点をＢから
Ａに切り換える（Ｓ９）。

【００５０】この後、マスターＣＰＵ４０は、上記の傾
き（変化量）および切片が、所定の範囲内にあるか否か
を判定し（Ｓ１０）、所定範囲内にあれば電位センサ５
１が正常であると判断し、電位センサ校正モードを終了
して主制御ルーチンへＲＥＴＵＲＮする（Ｓ１１）一
方、所定範囲から外れていれば電位センサ５１が異常で
あると判断し、トラブルルーチンへ移行する（Ｓ１
２）。上記トラブルルーチンでは、例えばサービスコー
ルランプやメインテナンスランプを点灯させる警報動作
が行われることになる。

【００５１】尚、電位センサ校正モードは、図９のフロ
ーチャートに示されるルーチンにより行ってもよい。即
ち、基準電圧印加動作が行われる毎に、マスターＣＰＵ
４０は、検出値Ｖ_S が所定範囲にあるか否かを判定し
（Ｓ１３）、所定範囲内にあれば電位センサ５１が正常
であると判断し、所定範囲から外れていれば電位センサ
５１が異常であると判断し、トラブルルーチンへ移行す
る（Ｓ１２）。この場合、感光体２１に印加される基準
電圧Ｖ_F1〜Ｖ_F4によって、そのときの検出値Ｖ_S と比較
される範囲が設定される。

【００５２】続いて、上記電位センサ校正モードにて校
正された電位センサ５１を用いて、帯電器２２に印加さ
れる電圧等の複写プロセス条件の設定を行うプロセス設
定モードを、マスターＣＰＵ４０の制御動作を示す図１
０のフローチャートに基づいて、以下に説明する。

【００５３】プロセス設定モードに入ると、マスターＣ
ＰＵ４０は、先ず、リレー４７の接点をＡ側に切り換え
（Ｓ２１）、帯電ユニット５０にバイアス出力ＯＮ信号
（ＲＥＭ）を出力する（Ｓ２２）と共に、所定のデュー
ティ比αの基準ＰＷＭ信号を出力する（Ｓ２３）。

【００５４】これにより、帯電ユニット５０からは、デ
ューティ比αに応じた所定のバイアス電圧が出力され、
感光体２１が帯電される。そして、このときの感光体２
１の表面電位が電位センサ５１により検出され、この検
出値Ｖ_S がマスターＣＰＵ４０に入力される（Ｓ２
４）。

【００５５】このとき、マスターＣＰＵ４０は、電位セ
ンサ校正モードにおいてＲＡＭ７５にメモリした傾きお
よび切片のデータから、感光体２１の表面電位Ｖ_F を算
出する（Ｓ２５）。そして、マスターＣＰＵ４０は、算
出された表面電位Ｖ_F が所定の電位範囲にあるか否かを
判定し（Ｓ２６）、所定範囲から外れていればトラブル
ルーチンへ移行する（Ｓ２７）。

【００５６】一方、表面電位Ｖ_F が所定の電位範囲にあ
れば、マスターＣＰＵ４０は、算出された表面電位Ｖ_F
を目標値と比較し、表面電位Ｖ_F を目標値に一致させる
ように帯電ユニット５０へのＰＷＭ信号を調整しなが
ら、複写プロセス条件を求める（Ｓ２８）。そして、求
めた複写プロセス条件をＲＡＭにメモリし（Ｓ２９）、
プロセス設定モードを終了して主制御ルーチンへＲＥＴ
ＵＲＮする（Ｓ３０）。

【００５７】以上のように、本実施例では、帯電ユニッ
ト５０からのバイアス電圧を値の異なる複数段階に切り
換えて感光体２１に印加し、各段階のバイアス電圧印加
時の電位センサ５１の検出値から、変換特性線Ｌを求め
ているので、広範囲な電位にわたって精度の高い電位セ
ンサ５１の校正が実現されている。

【００５８】また、電位センサ５１の異常の検知におい
ても、従来のようにある１つの測定電位における検出値
のみで異常の有無が判断されるのではなく、測定電位を
かえて得られた複数の検出値Ｖ_S から求められた変換特
性線Ｌの情報（傾き、切片）から異常の有無が判断され
るので、電位計５１の異常を確実に検出できる。

【００５９】

【発明の効果】請求項１の発明に係る電位計の校正方法
は、以上のように、バイアス電圧を値の異なる複数段階
に切り換えて感光体に印加し、各段階のバイアス電圧印
加時の電位計の検出値から感光体の表面電位と電位計の
検出値との関係を表す変換特性線を求める構成である。

【００６０】これにより、広範囲な電位にわたって精度
の高い電位計の校正が可能であるという効果を奏する。

【００６１】また、請求項２の発明に係る電位計の異常
検知方法は、以上のように、バイアス電圧を値の異なる
複数段階に切り換えて感光体に印加し、各段階のバイア
ス電圧印加時の電位計の検出値から、感光体の表面電位
に対する検出値の変化量を求め、この変化量が所定範囲
から外れているとき、電位計の異常判定を行う構成であ
る。

【００６２】これにより、どの電位の検出値も一定であ
ったり、検出感度が低い等の電位計の異常を確実に検出
でき、電位計の異常検出精度の向上が図れるという効果
を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示すものであり、電位セン
サの検出値と感光体の表面電位との関係を表す変換特性
線を示す説明図である。

【図２】電子写真装置の概略構造図である。

【図３】上記電子写真装置の制御系のブロック図であ
る。

【図４】上記電子写真装置の要部の構成を示すブロック
図である。

【図５】上記電子写真装置の帯電ユニットの電子回路図
である。

【図６】ＰＷＭ信号のデューティ比と現像バイアス電圧
出力値との関係を示す説明図である。

【図７】ＰＷＭ信号のデューティ比の説明図である。

【図８】電位センサ校正モードにおけるマスターＣＰＵ
の制御動作を示すフローチャートである。

【図９】電位センサ校正モードにおけるマスターＣＰＵ
の制御動作を示すフローチャートである。

【図１０】プロセス設定モードにおけるマスターＣＰＵ
の制御動作を示すフローチャートである。

【図１１】従来例を示すものであり、電位センサの検出
値と感光体の表面電位との関係を表す変換特性線を示す
説明図である。

【図１２】従来の電位センサの異常検知方法を説明する
説明図である。

【符号の説明】

２１ 感光体 ２２ 帯電器 ４０ マスターＣＰＵ ４６ リレー ５０ 帯電ユニット ５１ 電位センサ（電位計） Ｖ_S 検出値 Ｖ_F 感光体の表面電位 Ｌ 変換特性線

フロントページの続き (72)発明者 前原 繁治 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 諸岡 了 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】感光体に所定のバイアス電圧を印加したと
   きの電位計の検出値に基づいて、感光体の表面電位と電
   位計の検出値との関係を表す変換特性線を求める電位計
   の校正方法において、 上記バイアス電圧を値の異なる複数段階に切り換えて感
   光体に印加し、各段階のバイアス電圧印加時の電位計の
   検出値から上記の変換特性線を求めることを特徴とする
   電位計の校正方法。
2. 【請求項２】感光体に所定のバイアス電圧を印加したと
   きの電位計の検出値に基づいて、電位計の異常を検知す
   る電位計の異常検知方法において、 上記バイアス電圧を値の異なる複数段階に切り換えて感
   光体に印加し、各段階のバイアス電圧印加時の電位計の
   検出値から、感光体の表面電位に対する検出値の変化量
   を求め、この変化量が所定範囲から外れているとき、電
   位計の異常判定を行うことを特徴とする電位計の異常検
   知方法。