JPH0519780Y2 - - Google Patents
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- JPH0519780Y2 JPH0519780Y2 JP1282788U JP1282788U JPH0519780Y2 JP H0519780 Y2 JPH0519780 Y2 JP H0519780Y2 JP 1282788 U JP1282788 U JP 1282788U JP 1282788 U JP1282788 U JP 1282788U JP H0519780 Y2 JPH0519780 Y2 JP H0519780Y2
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- coke
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Landscapes
- Measurement Of Levels Of Liquids Or Fluent Solid Materials (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Coke Industry (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、コークス乾式消火設備における、コ
ークスレベル検知装置に関するものである。
ークスレベル検知装置に関するものである。
コークス乾式消火設備の大略の構造は、第４図
に示すとうりである。
に示すとうりである。
第４図において、赤熱コークスは、コークバケ
ツト７から装入ホツパー８をへてチヤンバー９に
投入され、不活性ガスで熱交換された後、チヤン
バー下部のゲート１０から系外へ排出される。一
方、赤熱コークスの顕熱を回収した不活性ガス
は、ブロア１１によつてチヤンバー９の下部に吹
き込まれ赤熱コークスと熱交換し、ボイラ１２で
蒸気を発生させた後、ブロア１１に戻すごとく系
内を循環させる。系内で発生する余剰ガスは弁１
３により適宜系外に放出される。
ツト７から装入ホツパー８をへてチヤンバー９に
投入され、不活性ガスで熱交換された後、チヤン
バー下部のゲート１０から系外へ排出される。一
方、赤熱コークスの顕熱を回収した不活性ガス
は、ブロア１１によつてチヤンバー９の下部に吹
き込まれ赤熱コークスと熱交換し、ボイラ１２で
蒸気を発生させた後、ブロア１１に戻すごとく系
内を循環させる。系内で発生する余剰ガスは弁１
３により適宜系外に放出される。
このような、コークス乾式消火設備において、
チヤンバー９内の赤熱コークスの降下量を検知す
る機能は、この装置全体の操業を円滑にする為に
重要なものである。ところがチヤンバー９は大容
量の貯槽であり、装入する赤熱コークスにより高
温・粉塵等の悪環境下での測定となり、その為プ
レチヤンバー９内の赤熱コークスレベルを精度よ
く、且つ安定して検知するのは困難であつた。
チヤンバー９内の赤熱コークスの降下量を検知す
る機能は、この装置全体の操業を円滑にする為に
重要なものである。ところがチヤンバー９は大容
量の貯槽であり、装入する赤熱コークスにより高
温・粉塵等の悪環境下での測定となり、その為プ
レチヤンバー９内の赤熱コークスレベルを精度よ
く、且つ安定して検知するのは困難であつた。
コークスレベル検知方法及び装置の例として、
特開昭56−160621号公報に示されるものがある。
これは、第５図に示すプレチヤンバー９の内壁面
に、電導性物体の一つとしてカーボン煉瓦ブロツ
クB1〜Boを、段状に複数個を面一に配置し、カ
ーボン煉瓦ブロツクB1〜Bo間の抵抗変化からレ
ベルを求める方法である。
特開昭56−160621号公報に示されるものがある。
これは、第５図に示すプレチヤンバー９の内壁面
に、電導性物体の一つとしてカーボン煉瓦ブロツ
クB1〜Boを、段状に複数個を面一に配置し、カ
ーボン煉瓦ブロツクB1〜Bo間の抵抗変化からレ
ベルを求める方法である。
その他、光線ビームを用いビームの遮りを利
用して求める方法、放射線ビームを用いビーム
の遮りを検知する方法、静電容量の変化から求
める方法等が知られていた。
用して求める方法、放射線ビームを用いビーム
の遮りを検知する方法、静電容量の変化から求
める方法等が知られていた。
しかし、前述の特開昭56−160621号公報に示さ
れるカーボン煉瓦ブロツクB1〜Bo間の抵抗変化
からレベルを求める方法では、第４図に示すコー
クバケツト７等からO2が侵入し、赤熱コークス
の顕熱を回収する不活性ガスに微量O2が含まれ
ることにより、カーボン煉瓦ブロツクB1〜Boが
酸化する。更に、コークスの摺接作用によりカー
ボン煉瓦ブロツクB1〜Boの摩耗がシヤモツト煉
瓦製の絶縁体４より早く進行する。この事によ
り、カーボン煉瓦ブロツクB1〜Boは短期間（約
１年）に粉化し欠落する為にカーボン煉瓦ブロツ
クB1〜Bo間の抵抗測定が困難となる。また、カ
ーボン煉瓦ブロツクB1〜Boの酸化の進行、及び、
コークス投入・排出等の外乱で発生する接触不良
で誤検出するという問題が内在していた事及び、
信号処理に関して、ノイズの除去については記載
がない。
れるカーボン煉瓦ブロツクB1〜Bo間の抵抗変化
からレベルを求める方法では、第４図に示すコー
クバケツト７等からO2が侵入し、赤熱コークス
の顕熱を回収する不活性ガスに微量O2が含まれ
ることにより、カーボン煉瓦ブロツクB1〜Boが
酸化する。更に、コークスの摺接作用によりカー
ボン煉瓦ブロツクB1〜Boの摩耗がシヤモツト煉
瓦製の絶縁体４より早く進行する。この事によ
り、カーボン煉瓦ブロツクB1〜Boは短期間（約
１年）に粉化し欠落する為にカーボン煉瓦ブロツ
クB1〜Bo間の抵抗測定が困難となる。また、カ
ーボン煉瓦ブロツクB1〜Boの酸化の進行、及び、
コークス投入・排出等の外乱で発生する接触不良
で誤検出するという問題が内在していた事及び、
信号処理に関して、ノイズの除去については記載
がない。
又、前記〜の方法では、高温・粉塵等の
悪環境下での測定となり、この為測定用窓やレン
ズの保護の装置が大掛りなものとなり、の方法
では放射線の取扱及び精度の点で問題が多く精度
を良くするためには、設置数を増やす必要があ
り、より高価になる。の方法ではプレチヤンバ
ー内にのぞましめた検出端が高温下におけるコー
クスによる摺接作用を受ける為、耐久性の点及び
検出端上に堆積するコークス粉の為誤動作が生じ
る。
悪環境下での測定となり、この為測定用窓やレン
ズの保護の装置が大掛りなものとなり、の方法
では放射線の取扱及び精度の点で問題が多く精度
を良くするためには、設置数を増やす必要があ
り、より高価になる。の方法ではプレチヤンバ
ー内にのぞましめた検出端が高温下におけるコー
クスによる摺接作用を受ける為、耐久性の点及び
検出端上に堆積するコークス粉の為誤動作が生じ
る。
このように従来の検出方法には、いずれも欠点
や問題点があつた。
や問題点があつた。
本考案は、前記の状況に鑑み、なされたもの
で、コークス貯槽内壁面の高さ方向に、複数の
SiCブロツク電極を取付け、これと導線を介し
て、電気抵抗演算装置を連結し、該電気抵抗演算
装置は、電源部と、電気抵抗をアナログ信号に演
算する電気抵抗演算部と、電気抵抗変化率を演算
する微分演算部と、コークスの有無判定基準とな
る設定信号供給部と、コークス有無判定部及びコ
ークス有無信号出力部とで構成されていることを
特徴とする貯槽内のコークスレベル検知装置を提
供するものである。
で、コークス貯槽内壁面の高さ方向に、複数の
SiCブロツク電極を取付け、これと導線を介し
て、電気抵抗演算装置を連結し、該電気抵抗演算
装置は、電源部と、電気抵抗をアナログ信号に演
算する電気抵抗演算部と、電気抵抗変化率を演算
する微分演算部と、コークスの有無判定基準とな
る設定信号供給部と、コークス有無判定部及びコ
ークス有無信号出力部とで構成されていることを
特徴とする貯槽内のコークスレベル検知装置を提
供するものである。
次に図を用いて、本考案を詳細に説明する。
第１図は、本考案の全体構成で、SiCブロツク
電極A1〜Aoを、プレチヤンバー９の内壁面の絶
縁体４と面一になるように複数個を段状に配置
し、各SiCブロツク電極A1〜Aoのプレチヤンバ
ー外壁面側にプレチヤンバー外壁面までの長さの
あるSUS等の良電導性のリード棒５を取りつけ、
リード棒５から電気抵抗演算装置まで導線６を接
続する。コークスレベルが、SiCブロツク電極A2
まである時、最低部に設置されたSiCブロツク電
極A1と、SiCブロツク電極A2間の電気抵抗値は
数十Ω以下であり、他のSiCブロツク電極A3〜
AoとSiCブロツク電極A1間の電気抵抗値は数kΩ
の以上となつている。この電気抵抗信号はリード
棒５から導線６で電気抵抗演算装置１に入力す
る。
電極A1〜Aoを、プレチヤンバー９の内壁面の絶
縁体４と面一になるように複数個を段状に配置
し、各SiCブロツク電極A1〜Aoのプレチヤンバ
ー外壁面側にプレチヤンバー外壁面までの長さの
あるSUS等の良電導性のリード棒５を取りつけ、
リード棒５から電気抵抗演算装置まで導線６を接
続する。コークスレベルが、SiCブロツク電極A2
まである時、最低部に設置されたSiCブロツク電
極A1と、SiCブロツク電極A2間の電気抵抗値は
数十Ω以下であり、他のSiCブロツク電極A3〜
AoとSiCブロツク電極A1間の電気抵抗値は数kΩ
の以上となつている。この電気抵抗信号はリード
棒５から導線６で電気抵抗演算装置１に入力す
る。
SiCブロツク電極は、SiC：70〜90％、Si：30
〜10％を配合したもので、その主な物理特性は、
かさ比重2.90〜3.10（ｇ／cm2）、気孔率0.82〜0.92
（％）、曲げ強度140〜160（MPa、at800℃）、線膨
張係数4.4×10-6〜4.6×10-6（％）、電導性0.04〜
0.06（Ω・cm、at800℃）である。
〜10％を配合したもので、その主な物理特性は、
かさ比重2.90〜3.10（ｇ／cm2）、気孔率0.82〜0.92
（％）、曲げ強度140〜160（MPa、at800℃）、線膨
張係数4.4×10-6〜4.6×10-6（％）、電導性0.04〜
0.06（Ω・cm、at800℃）である。
次に、電気抵抗演算装置１について、第２図に
より説明する。
より説明する。
電気抵抗演算装置１は、前記第１図に示した段
状に配置した最低部のSiCブロツク電極A1と、他
のSiCブロツク電極A2〜Ao間に供給するDC（直
流）電源部１５、最低部のSiCブロツク電極A1と
他のSiCブロツク電極A2〜Ao間の電気抵抗信号
を、電気抵抗アナログ信号に演算する電気抵抗演
算装部１６、電気抵抗アナログ信号を、電気抵抗
変化率信号に演算する微分演算部１７、コークス
有無判定基準となる設定信号供給部１８、コーク
ス有無判定部１９、コークス有無信号出力部２
０、から構成されている、DC電源部１５は、最
低部のSiCブロツク電極A1と、他のSiCブロツク
電極A2〜Ao間に、安定したDC電源の十数Ｖを供
給する。電気抵抗演算部１６は、最低部のSiCブ
ロツク電極A1と、他のSiCブロツク電極A2〜Ao
間の、電気抵抗信号の数Ω〜数kΩを、mA又は
mVのアナログ信号に演算する。微分演算部１７
は、電気抵抗アナログ信号の変化の度合いを微分
演算し、電気抵抗変化率信号とする。これは、コ
ークス投入・排出等の外乱で発生する接触不良に
よる誤検出防止用の為である。設定信号供給部１
８は、コークス有無判定基準用として、三つの設
定信号が供給されている。(1)電気抵抗アナログ信
号に対するコークス有無判定基準用設定信号、(2)
電気抵抗変化率信号に対するコークス有無判定基
準用設定信号、(3)電気抵抗アナログ信号及び電気
抵抗変化率信号がANDの状態で安定している時
間の継続を確認するコークス有無判定基準用時間
設定信号の三つである。コークス有無判定部１９
は、電気抵抗アナログ信号・電気抵抗変化率信号
とコークス有無判定基準用設定信号を比較し、コ
ークス有無を判定する。コークス有無信号出力部
２０は、コークス有無判定信号により、コークス
有無をON−OFF信号で出力する。
状に配置した最低部のSiCブロツク電極A1と、他
のSiCブロツク電極A2〜Ao間に供給するDC（直
流）電源部１５、最低部のSiCブロツク電極A1と
他のSiCブロツク電極A2〜Ao間の電気抵抗信号
を、電気抵抗アナログ信号に演算する電気抵抗演
算装部１６、電気抵抗アナログ信号を、電気抵抗
変化率信号に演算する微分演算部１７、コークス
有無判定基準となる設定信号供給部１８、コーク
ス有無判定部１９、コークス有無信号出力部２
０、から構成されている、DC電源部１５は、最
低部のSiCブロツク電極A1と、他のSiCブロツク
電極A2〜Ao間に、安定したDC電源の十数Ｖを供
給する。電気抵抗演算部１６は、最低部のSiCブ
ロツク電極A1と、他のSiCブロツク電極A2〜Ao
間の、電気抵抗信号の数Ω〜数kΩを、mA又は
mVのアナログ信号に演算する。微分演算部１７
は、電気抵抗アナログ信号の変化の度合いを微分
演算し、電気抵抗変化率信号とする。これは、コ
ークス投入・排出等の外乱で発生する接触不良に
よる誤検出防止用の為である。設定信号供給部１
８は、コークス有無判定基準用として、三つの設
定信号が供給されている。(1)電気抵抗アナログ信
号に対するコークス有無判定基準用設定信号、(2)
電気抵抗変化率信号に対するコークス有無判定基
準用設定信号、(3)電気抵抗アナログ信号及び電気
抵抗変化率信号がANDの状態で安定している時
間の継続を確認するコークス有無判定基準用時間
設定信号の三つである。コークス有無判定部１９
は、電気抵抗アナログ信号・電気抵抗変化率信号
とコークス有無判定基準用設定信号を比較し、コ
ークス有無を判定する。コークス有無信号出力部
２０は、コークス有無判定信号により、コークス
有無をON−OFF信号で出力する。
更に、記録計２は、電気抵抗演算装置１で演算
された各演算信号を記録する。コークスレベル表
示ランプ３は、電気抵抗演算装置１からのコーク
ス有無をON−OFF信号で、コークスレベルをラ
ンプ表示する。
された各演算信号を記録する。コークスレベル表
示ランプ３は、電気抵抗演算装置１からのコーク
ス有無をON−OFF信号で、コークスレベルをラ
ンプ表示する。
以下に本考案の作用を、第３図のタイムチヤー
トで、具体的に説明する。
トで、具体的に説明する。
コークスレベルが第１図に示すSiCブロツク電
極A2より低い時は、SiCブロツク電極A1と、SiC
ブロツク電極A2間の電気抵抗アナログ信号は、
数kΩ以上のアナログ信号となつている。電気抵
抗アナログ信号が数kΩ以上で安定しているので、
電気抵抗変化率ゼロであり、接触不良有無判定は
接触不良無と判定する。この状態では、電気抵抗
アナログ信号は、コークス有無判定基準用設定信
号より高い為コークス有無判定部ではコークス無
と判定しコークス有無信号出力はOFFのためコ
ークスレベル表示ランプは点灯しない。
極A2より低い時は、SiCブロツク電極A1と、SiC
ブロツク電極A2間の電気抵抗アナログ信号は、
数kΩ以上のアナログ信号となつている。電気抵
抗アナログ信号が数kΩ以上で安定しているので、
電気抵抗変化率ゼロであり、接触不良有無判定は
接触不良無と判定する。この状態では、電気抵抗
アナログ信号は、コークス有無判定基準用設定信
号より高い為コークス有無判定部ではコークス無
と判定しコークス有無信号出力はOFFのためコ
ークスレベル表示ランプは点灯しない。
コークスが投入されて、コークスレベルがSiC
ブロツク電極A2より高くなる時は、SiCブロツク
電極A1と、SiCブロツク電極A2間の電気抵抗ア
ナログ信号は、数kΩ以上から十数Ω以下へ変化
する。電気抵抗アナログ信号が、数kΩ以上から
十数Ω以下へ急変する為電気抵抗変化率信号は、
ゼロからマイナス信号となる。この状態では、電
気抵抗変化率信号は、コークス有無判定基準用設
定信号範囲より外れる為接触不良と判定しコーク
ス有無判定部ではコークス無となりコークス有無
信号出力はOFFのためコークスレベル表示ラン
プは点灯しない。
ブロツク電極A2より高くなる時は、SiCブロツク
電極A1と、SiCブロツク電極A2間の電気抵抗ア
ナログ信号は、数kΩ以上から十数Ω以下へ変化
する。電気抵抗アナログ信号が、数kΩ以上から
十数Ω以下へ急変する為電気抵抗変化率信号は、
ゼロからマイナス信号となる。この状態では、電
気抵抗変化率信号は、コークス有無判定基準用設
定信号範囲より外れる為接触不良と判定しコーク
ス有無判定部ではコークス無となりコークス有無
信号出力はOFFのためコークスレベル表示ラン
プは点灯しない。
コークスレベルが、SiCブロツク電極A2より高
くなつて安定した時は、SiCブロツク電極A1と、
SiCブロツク電極A2間の電気抵抗アナログ信号
は、十数Ω以下で安定している。電気抵抗アナロ
グ信号が十数Ω以下で安定しているので電気抵抗
変化率ゼロである。この状態では、電気抵抗アナ
ログ信号は、コークス有無判定基準用設定信号よ
り低い為コークス有無判定部ではコークス有りと
判定し電気抵抗変化率信号はコークス有無判定基
準用設定信号範囲内の為コークス有無判定部では
コークス有りと判定する。電気抵抗アナログ信号
及び、電気抵抗変化率信号は共にコークス有と判
定され安定継続時間タイマーが動作する。安定継
続設定時間を、例えば10秒未満はOFF10秒以上
はONとすると電気抵抗アナログ信号及び電気抵
抗変化率信号は共にコークス有と判定されており
安定継続時間が10秒未満の時は、コークス有無信
号出力はOFFとなつているが安定継続時間が10
秒以上継続した時、コークス有無信号出力はON
となりSiCブロツク電極A2用コークスレベル表示
ランプが点灯する。
くなつて安定した時は、SiCブロツク電極A1と、
SiCブロツク電極A2間の電気抵抗アナログ信号
は、十数Ω以下で安定している。電気抵抗アナロ
グ信号が十数Ω以下で安定しているので電気抵抗
変化率ゼロである。この状態では、電気抵抗アナ
ログ信号は、コークス有無判定基準用設定信号よ
り低い為コークス有無判定部ではコークス有りと
判定し電気抵抗変化率信号はコークス有無判定基
準用設定信号範囲内の為コークス有無判定部では
コークス有りと判定する。電気抵抗アナログ信号
及び、電気抵抗変化率信号は共にコークス有と判
定され安定継続時間タイマーが動作する。安定継
続設定時間を、例えば10秒未満はOFF10秒以上
はONとすると電気抵抗アナログ信号及び電気抵
抗変化率信号は共にコークス有と判定されており
安定継続時間が10秒未満の時は、コークス有無信
号出力はOFFとなつているが安定継続時間が10
秒以上継続した時、コークス有無信号出力はON
となりSiCブロツク電極A2用コークスレベル表示
ランプが点灯する。
コークスが投入されて、コークスレベルがその
都度上昇した時は、各SiCブロツク電極A3〜Ao
は、SiCブロツク電極A1間との電気抵抗信号が、
数kΩ以上から十数Ω以下へ順次変化して前述動
作をすることにより各セラミツク電極A3〜Ao用
コークスレベル表示ランプが点灯する。コークス
が排出されてコークスレベルがその都度下降した
時は、各SiCブロツク電極Ao〜A3はSiCブロツク
電極A1間との電気抵抗信号が、十数Ω以下から
数kΩ以上へ順次変化して、各SiCブロツク電極
A3〜Ao用コークスレベル表示ランプが消灯する。
都度上昇した時は、各SiCブロツク電極A3〜Ao
は、SiCブロツク電極A1間との電気抵抗信号が、
数kΩ以上から十数Ω以下へ順次変化して前述動
作をすることにより各セラミツク電極A3〜Ao用
コークスレベル表示ランプが点灯する。コークス
が排出されてコークスレベルがその都度下降した
時は、各SiCブロツク電極Ao〜A3はSiCブロツク
電極A1間との電気抵抗信号が、十数Ω以下から
数kΩ以上へ順次変化して、各SiCブロツク電極
A3〜Ao用コークスレベル表示ランプが消灯する。
以上のようにコークスレベル検出の精度を、よ
り良くするにはSiCブロツク電極A1〜Ao間距離
を小とし、SiCブロツク電極A1〜Aoがコークス
と接触する面積をコークス塊の径より大きくする
と有効である。
り良くするにはSiCブロツク電極A1〜Ao間距離
を小とし、SiCブロツク電極A1〜Aoがコークス
と接触する面積をコークス塊の径より大きくする
と有効である。
以上説明したように、本考案によれば、従来の
ものに比べ、ブロツク電極の寿命が長いこと、コ
ークスレベル検知信号の信頼性が高く、貯槽内の
コークスレベル検知に極めて有効な装置である。
ものに比べ、ブロツク電極の寿命が長いこと、コ
ークスレベル検知信号の信頼性が高く、貯槽内の
コークスレベル検知に極めて有効な装置である。
第１図は、本考案の全体構成図、第２図は、本
考案の電気抵抗演算装置の説明図、第３図は、本
考案装置を用いたコークスレベル信号の処理説明
図、第４図は、コークス貯槽の全体図、第５図
は、従来のコークスレベル検知装置の図である。 １……電気抵抗演算装置、２……記録計、３…
…コークスレベル表示ランプ、４……絶縁体、５
……リード棒、６……導線、７……コークバケツ
ト、８……装入ホツパー、９……チヤンバー、１
０……ゲート、１１……ブロア、１２……ボイ
ラ、１３……弁、１５……電源部、１６……電気
抵抗演算部、１７……微分演算部、１８……設定
信号供給部、１９……コークス有無判定部、２０
……コークス有無信号出力部。
考案の電気抵抗演算装置の説明図、第３図は、本
考案装置を用いたコークスレベル信号の処理説明
図、第４図は、コークス貯槽の全体図、第５図
は、従来のコークスレベル検知装置の図である。 １……電気抵抗演算装置、２……記録計、３…
…コークスレベル表示ランプ、４……絶縁体、５
……リード棒、６……導線、７……コークバケツ
ト、８……装入ホツパー、９……チヤンバー、１
０……ゲート、１１……ブロア、１２……ボイ
ラ、１３……弁、１５……電源部、１６……電気
抵抗演算部、１７……微分演算部、１８……設定
信号供給部、１９……コークス有無判定部、２０
……コークス有無信号出力部。
Claims (1)
- コークス貯槽内壁面の高さ方向に、複数のSiC
ブロツク電極を取付け、これと導線を介して、電
気抵抗演算装置を連結し、該電気抵抗演算装置
は、電源部と、電気抵抗をアナログ信号に演算す
る電気抵抗演算部と、電気抵抗変化率を演算する
微分演算部と、コークスの有無判定基準となる設
定信号供給部と、コークス有無判定部及びコーク
ス有無信号出力部とで構成されていることを特徴
とする貯槽内のコークスレベル検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1282788U JPH0519780Y2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1282788U JPH0519780Y2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117530U JPH01117530U (ja) | 1989-08-08 |
| JPH0519780Y2 true JPH0519780Y2 (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=31222617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1282788U Expired - Lifetime JPH0519780Y2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0519780Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP1282788U patent/JPH0519780Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01117530U (ja) | 1989-08-08 |
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