JPH05198728A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH05198728A JPH05198728A JP4032642A JP3264292A JPH05198728A JP H05198728 A JPH05198728 A JP H05198728A JP 4032642 A JP4032642 A JP 4032642A JP 3264292 A JP3264292 A JP 3264292A JP H05198728 A JPH05198728 A JP H05198728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bus bar
- inner lead
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- bonding wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/853—On the same surface
- H10W72/865—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、バスバーとボンディングワ
イヤの接触を防止することによってパッケージの薄型化
を図り、より高密度化された半導体集積回路を提供する
ことにある。 【構成】 本発明の半導体集積回路は、インナーリード
１の内側に配置されるバスバー２と，インナーリード１
およびバスバー２に絶縁材３を介して固定される半導体
チップ４と，バスバー２の上部面をループ状に迂回し、
バスバー２の内側に設けられた開口部を介して半導体チ
ップ４のボンディングパッド５とインナーリード１を接
続するボンディングワイヤ６と，バスバー２の上部面に
塗布される絶縁性接着剤によって形成される絶縁被膜
７，７ａを有するようにした。
イヤの接触を防止することによってパッケージの薄型化
を図り、より高密度化された半導体集積回路を提供する
ことにある。 【構成】 本発明の半導体集積回路は、インナーリード
１の内側に配置されるバスバー２と，インナーリード１
およびバスバー２に絶縁材３を介して固定される半導体
チップ４と，バスバー２の上部面をループ状に迂回し、
バスバー２の内側に設けられた開口部を介して半導体チ
ップ４のボンディングパッド５とインナーリード１を接
続するボンディングワイヤ６と，バスバー２の上部面に
塗布される絶縁性接着剤によって形成される絶縁被膜
７，７ａを有するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特に、リードフレームのバスバーにボンディングワイヤ
の接触を防止する絶縁被膜を形成した半導体集積回路に
関する。
特に、リードフレームのバスバーにボンディングワイヤ
の接触を防止する絶縁被膜を形成した半導体集積回路に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体集積回路は、例えば、半導
体チップを積載するためのタブ部が形成され、各リード
が接触しないように所定の間隔で配置されたインナーリ
ードと，インナーリードに対して内側に配置される電源
接続用のバスバーが設けられたリードフレームを使用
し、半導体チップのボンディングパッドにインナーリー
ドおよびバスバーをワイヤボンディングした後にリード
フレームおよび半導体チップを封止樹脂によってモール
ド成型して形成されている。
体チップを積載するためのタブ部が形成され、各リード
が接触しないように所定の間隔で配置されたインナーリ
ードと，インナーリードに対して内側に配置される電源
接続用のバスバーが設けられたリードフレームを使用
し、半導体チップのボンディングパッドにインナーリー
ドおよびバスバーをワイヤボンディングした後にリード
フレームおよび半導体チップを封止樹脂によってモール
ド成型して形成されている。
【０００３】半導体集積回路は近年、集積化および高密
度化に伴って半導体チップが大型化する傾向にある。こ
のため、大型化した半導体チップをリードフレームに搭
載するためにタブ部が大きくなり、半導体チップとの間
に所定の間隔を有したインナーリードを有したリードフ
レームを形成することが困難になってきている。
度化に伴って半導体チップが大型化する傾向にある。こ
のため、大型化した半導体チップをリードフレームに搭
載するためにタブ部が大きくなり、半導体チップとの間
に所定の間隔を有したインナーリードを有したリードフ
レームを形成することが困難になってきている。
【０００４】上記した問題を解決するため、図４に示さ
れるようにインナーリード１の内側に配置されたバスバ
ー２と，インナーリード１およびバスバー２に絶縁材３
を介して固定される半導体チップ４と，半導体チップ４
のボンディングパッド５とインナーリード１およびバス
バー２を接続するボンディングワイヤ６を有し、封止樹
脂９によりモールド成形された半導体集積回路が特開昭
５９−９２５５６および特開昭６１−２４１９５９にお
いて提案されている。この半導体集積回路は、図５に示
されるように、インナーリード１およびボンディングパ
ッド５を接続するボンディングワイヤ６がバスバー２上
を通過している。
れるようにインナーリード１の内側に配置されたバスバ
ー２と，インナーリード１およびバスバー２に絶縁材３
を介して固定される半導体チップ４と，半導体チップ４
のボンディングパッド５とインナーリード１およびバス
バー２を接続するボンディングワイヤ６を有し、封止樹
脂９によりモールド成形された半導体集積回路が特開昭
５９−９２５５６および特開昭６１−２４１９５９にお
いて提案されている。この半導体集積回路は、図５に示
されるように、インナーリード１およびボンディングパ
ッド５を接続するボンディングワイヤ６がバスバー２上
を通過している。
【０００５】この半導体集積回路によると、インナーリ
ード１およびバスバー２に半導体チップ４を接着して固
定するのでタブ部を省略できることから、リードフレー
ムと封止樹脂９との接触面積が減少し、その結果、両者
の密着性の低さに基づくクラックの発生を抑え、かつ半
導体チップ４の大型化によるパッケージの大型化を抑制
することができる。
ード１およびバスバー２に半導体チップ４を接着して固
定するのでタブ部を省略できることから、リードフレー
ムと封止樹脂９との接触面積が減少し、その結果、両者
の密着性の低さに基づくクラックの発生を抑え、かつ半
導体チップ４の大型化によるパッケージの大型化を抑制
することができる。
【０００６】また、図６(a),(b) に示されるように、バ
スバー２の上部面に絶縁性接着剤を塗布することによっ
て絶縁被膜７を形成し、ボンディングワイヤ６のバスバ
ー２への接触を防止してボンディングワイヤ６のループ
を低く形成できるようにした半導体集積回路がある。
スバー２の上部面に絶縁性接着剤を塗布することによっ
て絶縁被膜７を形成し、ボンディングワイヤ６のバスバ
ー２への接触を防止してボンディングワイヤ６のループ
を低く形成できるようにした半導体集積回路がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
集積回路はインナーリードに対してバスバーが内側に形
成されることから半導体チップとインナーリードを結線
するボンディングワイヤがバスバーに接触しないように
ループ状に配線されて形成されるため、ボンディングワ
イヤの長さが増し、さらにボンディングワイヤによる厚
み方向の高さが増すので半導体集積回路のパッケージの
薄型化が困難になるという問題がある。
集積回路はインナーリードに対してバスバーが内側に形
成されることから半導体チップとインナーリードを結線
するボンディングワイヤがバスバーに接触しないように
ループ状に配線されて形成されるため、ボンディングワ
イヤの長さが増し、さらにボンディングワイヤによる厚
み方向の高さが増すので半導体集積回路のパッケージの
薄型化が困難になるという問題がある。
【０００８】また、図６(a),(b) のように、ループの高
さを低くした場合、絶縁性接着剤の塗布により形成でき
る絶縁被膜の被膜厚は１０μｍ程度であり、さらに塗布
後の絶縁性接着剤には表面張力が作用することによって
形成される絶縁被膜が１０°程度の傾斜角度を成すこと
から、傾斜部の先端において、即ち、バスバーの角部で
は絶縁被膜が薄くなり、その結果、絶縁特性が低下して
バスバー上をループ状に迂回するボンディングワイヤが
変形を生じるとバスバーの角部と電気的に接触する可能
性が大になるという問題がある。従って、本発明の目的
はバスバーとボンディングワイヤの電気的な接触を防止
することによってパッケージの薄型化を図り、より高密
度化された半導体集積回路を提供することにある。
さを低くした場合、絶縁性接着剤の塗布により形成でき
る絶縁被膜の被膜厚は１０μｍ程度であり、さらに塗布
後の絶縁性接着剤には表面張力が作用することによって
形成される絶縁被膜が１０°程度の傾斜角度を成すこと
から、傾斜部の先端において、即ち、バスバーの角部で
は絶縁被膜が薄くなり、その結果、絶縁特性が低下して
バスバー上をループ状に迂回するボンディングワイヤが
変形を生じるとバスバーの角部と電気的に接触する可能
性が大になるという問題がある。従って、本発明の目的
はバスバーとボンディングワイヤの電気的な接触を防止
することによってパッケージの薄型化を図り、より高密
度化された半導体集積回路を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明はバスバーとボン
ディングワイヤの電気的な接触を防止することによって
パッケージの薄型化を図り、より高密度化された半導体
集積回路を提供するため、バスバーの表面を被覆する接
着性絶縁材の多層絶縁体，バスバーの表面を重力が作用
する方向に向けた状態で塗布される接着性絶縁材が固化
することによって形成される絶縁体，あるいはバスバー
の表面および両側面を被覆するフィルム状の成型絶縁体
を有する半導体集積回路を提供する。
ディングワイヤの電気的な接触を防止することによって
パッケージの薄型化を図り、より高密度化された半導体
集積回路を提供するため、バスバーの表面を被覆する接
着性絶縁材の多層絶縁体，バスバーの表面を重力が作用
する方向に向けた状態で塗布される接着性絶縁材が固化
することによって形成される絶縁体，あるいはバスバー
の表面および両側面を被覆するフィルム状の成型絶縁体
を有する半導体集積回路を提供する。
【００１０】
【作用】本発明の半導体集積回路によると、バスバーの
表面を被覆する接着性絶縁材の多層絶縁体，バスバーの
表面を重力が作用する方向に向けた状態で塗布される接
着性絶縁材が固化することによって形成される絶縁体，
あるいはバスバーの表面および両側面を被覆するフィル
ム状の成型絶縁体を有することによって、バスバーを充
分に被覆して良好な絶縁特性が維持される。特に、ボン
ディングワイヤとの接触を生じやすいバスバーの角部を
有効に被覆する絶縁被膜が形成されるので、ボンディン
グワイヤのバスバーとの接触が防止される。
表面を被覆する接着性絶縁材の多層絶縁体，バスバーの
表面を重力が作用する方向に向けた状態で塗布される接
着性絶縁材が固化することによって形成される絶縁体，
あるいはバスバーの表面および両側面を被覆するフィル
ム状の成型絶縁体を有することによって、バスバーを充
分に被覆して良好な絶縁特性が維持される。特に、ボン
ディングワイヤとの接触を生じやすいバスバーの角部を
有効に被覆する絶縁被膜が形成されるので、ボンディン
グワイヤのバスバーとの接触が防止される。
【００１１】
【実施例１】以下、本発明の半導体集積回路を添付図面
を基に詳細に説明する。図１は本発明の半導体集積回路
の一実施例を示し、インナーリード１の内側に配置され
るバスバー２と，インナーリード１およびバスバー２に
絶縁材３を介して固定される半導体チップ４と，バスバ
ー２の上部面をループ状に迂回し、バスバー２の内側に
設けられた開口部を介して半導体チップ４のボンディン
グパッド５とインナーリード１を接続するボンディング
ワイヤ６と，バスバー２の上部面に塗布される絶縁性接
着剤によって形成される絶縁被膜７，７ａにより構成さ
れている。
を基に詳細に説明する。図１は本発明の半導体集積回路
の一実施例を示し、インナーリード１の内側に配置され
るバスバー２と，インナーリード１およびバスバー２に
絶縁材３を介して固定される半導体チップ４と，バスバ
ー２の上部面をループ状に迂回し、バスバー２の内側に
設けられた開口部を介して半導体チップ４のボンディン
グパッド５とインナーリード１を接続するボンディング
ワイヤ６と，バスバー２の上部面に塗布される絶縁性接
着剤によって形成される絶縁被膜７，７ａにより構成さ
れている。
【００１２】バスバー２への塗布に使用される絶縁性接
着剤は、例えば、ポリアミドイミドを溶剤で希釈したも
のであり、ディスペンサ（図示せず）によってバスバー
２の上部面に第１回目の絶縁性接着剤の塗布を行った後
に１５０℃で１分の加熱処理を施して乾燥させることに
より溶剤が除去されて絶縁被膜７が形成される。この形
成された絶縁被膜７の上に、更に第２回目の絶縁性接着
剤の塗布を行い、１５０℃で２分の最終加熱処理を施す
ことによって絶縁被膜７ａが絶縁被膜７に積層化されて
形成される。
着剤は、例えば、ポリアミドイミドを溶剤で希釈したも
のであり、ディスペンサ（図示せず）によってバスバー
２の上部面に第１回目の絶縁性接着剤の塗布を行った後
に１５０℃で１分の加熱処理を施して乾燥させることに
より溶剤が除去されて絶縁被膜７が形成される。この形
成された絶縁被膜７の上に、更に第２回目の絶縁性接着
剤の塗布を行い、１５０℃で２分の最終加熱処理を施す
ことによって絶縁被膜７ａが絶縁被膜７に積層化されて
形成される。
【００１３】上記した方法によってバスバー２の表面に
絶縁性接着剤による絶縁被膜７，７ａが積層化されて形
成されることによって、バスバー２の表面に形成される
絶縁性接着剤による被膜厚を２０μｍ以上の厚さで形成
することができ、その結果、バスバー２の角部が絶縁性
接着剤によって充分に被覆されることから、ボンディン
グワイヤ６に変形が生じてもバスバー２の角部へのボン
ディングワイヤ６の接触を防止することができる。
絶縁性接着剤による絶縁被膜７，７ａが積層化されて形
成されることによって、バスバー２の表面に形成される
絶縁性接着剤による被膜厚を２０μｍ以上の厚さで形成
することができ、その結果、バスバー２の角部が絶縁性
接着剤によって充分に被覆されることから、ボンディン
グワイヤ６に変形が生じてもバスバー２の角部へのボン
ディングワイヤ６の接触を防止することができる。
【００１４】
【実施例２】図２は本発明の半導体集積回路の他の実施
例を示し、インナーリード１の内側に形成されるバスバ
ー２に、バスバー２の下側に位置させたディスペンサの
ニードル８より所定の粘度を有する絶縁性接着剤を押し
出して塗布する。この絶縁性接着剤は実施例１で使用す
る絶縁性接着剤より高い粘度を有する絶縁性接着剤を使
用する。その他の構成は実施例１と同一につき説明を省
略する。
例を示し、インナーリード１の内側に形成されるバスバ
ー２に、バスバー２の下側に位置させたディスペンサの
ニードル８より所定の粘度を有する絶縁性接着剤を押し
出して塗布する。この絶縁性接着剤は実施例１で使用す
る絶縁性接着剤より高い粘度を有する絶縁性接着剤を使
用する。その他の構成は実施例１と同一につき説明を省
略する。
【００１５】絶縁性接着剤がバスバー２の下側より塗布
されることによって、バスバー２の下面に絶縁性接着剤
が付着する。塗布された絶縁性接着剤は表面張力および
重力の作用により落下方向に垂れ下がりを生じた形状で
乾燥し、絶縁被膜７０が形成される。よって絶縁性接着
剤の１回の塗布で絶縁被膜７０が厚く形成され、バスバ
ー２の角部においては絶縁被膜７０の傾斜角度が３０°
以上となるので、バスバー２の角部へのボンディングワ
イヤ６の接触を防止することができる。
されることによって、バスバー２の下面に絶縁性接着剤
が付着する。塗布された絶縁性接着剤は表面張力および
重力の作用により落下方向に垂れ下がりを生じた形状で
乾燥し、絶縁被膜７０が形成される。よって絶縁性接着
剤の１回の塗布で絶縁被膜７０が厚く形成され、バスバ
ー２の角部においては絶縁被膜７０の傾斜角度が３０°
以上となるので、バスバー２の角部へのボンディングワ
イヤ６の接触を防止することができる。
【００１６】
【実施例３】図３は本発明の半導体集積回路の他の実施
例を示し、インナーリード１の内側に形成されるバスバ
ー２に、バスバー２を包囲して固定された絶縁部材７１
が形成され、封止樹脂９により周囲をモールド成形して
いる。その他の構成は実施例１と同一につき説明を省略
する。
例を示し、インナーリード１の内側に形成されるバスバ
ー２に、バスバー２を包囲して固定された絶縁部材７１
が形成され、封止樹脂９により周囲をモールド成形して
いる。その他の構成は実施例１と同一につき説明を省略
する。
【００１７】絶縁部材７１は、例えば、ポリイミドフィ
ルム等の絶縁フィルムであり、予め断面形状をＵ字型あ
るいはコの字型に形成した絶縁フィルムをバスバー２に
接着して固定する。この絶縁フィルムは表面に接着性あ
るいは粘着性を有するものが望ましい。なお、この絶縁
フィルムの形状はＵ字型およびコの字型に限定されず、
バスバー２の表面全体を被う形状およびバスバー２の側
面全体を被う形状、あるいはバスバー２の上部面全体と
側面の一部を被う形状に形成しても良く、さらにボンデ
ィングワイヤ６が接触しやすいバスバー２のエッジ部分
について絶縁フィルムを接着して固定しても良い。
ルム等の絶縁フィルムであり、予め断面形状をＵ字型あ
るいはコの字型に形成した絶縁フィルムをバスバー２に
接着して固定する。この絶縁フィルムは表面に接着性あ
るいは粘着性を有するものが望ましい。なお、この絶縁
フィルムの形状はＵ字型およびコの字型に限定されず、
バスバー２の表面全体を被う形状およびバスバー２の側
面全体を被う形状、あるいはバスバー２の上部面全体と
側面の一部を被う形状に形成しても良く、さらにボンデ
ィングワイヤ６が接触しやすいバスバー２のエッジ部分
について絶縁フィルムを接着して固定しても良い。
【００１８】また、半導体チップ４とバスバー２のワイ
ヤボンディングを行うための開口部を絶縁フィルム７１
の所定の位置に設けても良い。
ヤボンディングを行うための開口部を絶縁フィルム７１
の所定の位置に設けても良い。
【００１９】上記した絶縁フィルムによる絶縁被膜がバ
スバー２に形成されることによって、ボンディングワイ
ヤ６が接触しやすいバスバー２の上部面および角部に絶
縁部材７１を簡単に形成することができる。また、絶縁
フィルム表面の接着性あるいは粘着性によってボンディ
ングワイヤ６を絶縁フィルム表面に付着させて固定する
ことができるので、ボンディングワイヤ６同士の接触を
防止することができる。
スバー２に形成されることによって、ボンディングワイ
ヤ６が接触しやすいバスバー２の上部面および角部に絶
縁部材７１を簡単に形成することができる。また、絶縁
フィルム表面の接着性あるいは粘着性によってボンディ
ングワイヤ６を絶縁フィルム表面に付着させて固定する
ことができるので、ボンディングワイヤ６同士の接触を
防止することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の半導体集積
回路によると、バスバーの表面を被覆する接着性絶縁材
の多層絶縁体，バスバーの表面を重力が作用する方向に
向けた状態で塗布される接着性絶縁材が固化することに
よって形成される絶縁体，あるいはバスバーの表面およ
び両側面を被覆するフィルム状の成型絶縁体を有するよ
うにしたため、バスバーとボンディングワイヤの電気的
な接触を防止することによってパッケージの薄型化を図
り、より高密度化された半導体集積回路を提供すること
ができる。
回路によると、バスバーの表面を被覆する接着性絶縁材
の多層絶縁体，バスバーの表面を重力が作用する方向に
向けた状態で塗布される接着性絶縁材が固化することに
よって形成される絶縁体，あるいはバスバーの表面およ
び両側面を被覆するフィルム状の成型絶縁体を有するよ
うにしたため、バスバーとボンディングワイヤの電気的
な接触を防止することによってパッケージの薄型化を図
り、より高密度化された半導体集積回路を提供すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例を示す半導体集積回路の断面
図である。
図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す半導体集積回路の断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す半導体集積回路の断
面図である。
面図である。
【図４】従来の半導体集積回路を示す断面図である。
【図５】従来の半導体集積回路を示す説明図である。
【図６】従来の半導体集積回路を示す断面図である。
１ インナーリード ２ バスバー ３ 絶縁材 ４ 半導体チッ
プ ５ ボンディングパッド ６ ボンディン
グワイヤ ７，７ａ，７０ 絶縁被膜 ８ ニードル ９ 封止樹脂 ７１ 絶縁被膜
プ ５ ボンディングパッド ６ ボンディン
グワイヤ ７，７ａ，７０ 絶縁被膜 ８ ニードル ９ 封止樹脂 ７１ 絶縁被膜
フロントページの続き (72)発明者 宮川 剛 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 リードフレームのインナーリードおよび
バスバーに絶縁体を介して半導体チップが固定され、前
記インナーリードおよび前記バスバーがボンディングワ
イヤを介して前記半導体チップに接続され、前記インナ
ーリードの前記ボンディングワイヤが前記バスバー上を
通過している構成の半導体集積回路において、 前記バスバーが、接着性絶縁材の多層絶縁体によって表
面が被覆され、前記インナーリードの前記ボンディング
ワイヤと電気的に接触しないように構成されていること
を特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項２】 リードフレームのインナーリードおよび
バスバーに絶縁体を介して半導体チップが固定され、前
記インナーリードおよび前記バスバーがボンディングワ
イヤを介して前記半導体チップに接続され、前記インナ
ーリードの前記ボンディングワイヤが前記バスバー上を
通過している構成の半導体集積回路において、 前記バスバーが、その表面を重力が作用する方向に向け
た状態で接着性絶縁材を塗布されていることにより固化
する絶縁体によって、前記表面が被覆され、前記インナ
ーリードの前記ボンディングワイヤと電気的に接触しな
いように構成されていることを特徴とする半導体集積回
路。 - 【請求項３】 リードフレームのインナーリードおよび
バスバーに絶縁体を介して半導体チップが固定され、前
記インナーリードおよび前記バスバーがボンディングワ
イヤを介して前記半導体チップに接続され、前記インナ
ーリードの前記ボンディングワイヤが前記バスバー上を
通過している構成の半導体集積回路において、 前記バスバーが、表面および両側面をフィルム状の成型
絶縁材によって被覆され、前記インナーリードの前記ボ
ンディングワイヤと電気的に接触しないように構成され
ていることを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4032642A JP2862108B2 (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4032642A JP2862108B2 (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198728A true JPH05198728A (ja) | 1993-08-06 |
| JP2862108B2 JP2862108B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=12364507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4032642A Expired - Lifetime JP2862108B2 (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2862108B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7199477B1 (en) * | 2000-09-29 | 2007-04-03 | Altera Corporation | Multi-tiered lead package for an integrated circuit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63188942U (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-05 |
-
1992
- 1992-01-23 JP JP4032642A patent/JP2862108B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63188942U (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-05 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7199477B1 (en) * | 2000-09-29 | 2007-04-03 | Altera Corporation | Multi-tiered lead package for an integrated circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2862108B2 (ja) | 1999-02-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2799850B2 (ja) | Ｌｏｃ半導体パッケージ及び半導体装置のパッケージング方法 | |
| JPH03250654A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム | |
| JPS58178529A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH0794637A (ja) | 樹脂封止形半導体装置 | |
| JP2501953B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US7075173B2 (en) | Interposer including adhesive tape | |
| JPH05198728A (ja) | 半導体集積回路 | |
| US6208017B1 (en) | Semiconductor device with lead-on-chip structure | |
| JPS62296541A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2844586B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2982182B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2775262B2 (ja) | 電子部品搭載用基板及び電子部品搭載装置 | |
| JPS63244747A (ja) | 樹脂封止型集積回路装置及びその製造方法 | |
| US6037652A (en) | Lead frame with each lead having a peel generation preventing means and a semiconductor device using same | |
| JPH05166871A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2737137B2 (ja) | 半導体素子ボンディング用絶縁被覆金または金合金極細線 | |
| JP2830221B2 (ja) | ハイブリッド集積回路のマウント構造 | |
| JP2779322B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| JP2771475B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3145892B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2743156B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH05206363A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2834074B2 (ja) | リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2883065B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0642340Y2 (ja) | 半導体装置 |