JPH0519964Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0519964Y2 JPH0519964Y2 JP13768287U JP13768287U JPH0519964Y2 JP H0519964 Y2 JPH0519964 Y2 JP H0519964Y2 JP 13768287 U JP13768287 U JP 13768287U JP 13768287 U JP13768287 U JP 13768287U JP H0519964 Y2 JPH0519964 Y2 JP H0519964Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- layer
- photoelectric conversion
- conductive member
- connection portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は絶縁表面を有する基板上に、電気的に
直列接続した複数の光電変換素子を配設した光起
電力装置に関する。
直列接続した複数の光電変換素子を配設した光起
電力装置に関する。
(ロ) 従来の技術
この種光起電力装置において、各光電変換素子
の直列接続間隔部分は、光電変換に関与せず、無
効領域となる。この無効領域の面積を極力抑え、
更に確実な接続を行なうべく、特開昭62−33477
号公報に見られるように、レーザビームによる加
工がなされる。
の直列接続間隔部分は、光電変換に関与せず、無
効領域となる。この無効領域の面積を極力抑え、
更に確実な接続を行なうべく、特開昭62−33477
号公報に見られるように、レーザビームによる加
工がなされる。
第４図は斯るレーザビームによる加工を用いて
作製された光起電力装置を示す断面図である。１
はガラス、プラスチツク等の絶縁物あるいはステ
ンレス等の金属体の表面に絶縁被覆した物等から
成る基板、２ａ，２ｂ…は該基板の絶縁表面の隣
接する各光電変換領域に分割してパターニング形
成された第１電極層、３は各第１電極層２ａ，２
ｂ…の一端部に沿つて（紙面と垂直に）帯状に塗
布形成された導電性ベースと、４は第１電極層２
ａ，２ｂ…及び導電性ペースト３の表面を含んで
基板１上の略全面に、シラン（SiH4）等のシリ
コン化合物ガスを主成分ガスとしたプラズマ
CVD法や光CVD法によりpin接合を有するように
形成されたアモルフアスシリコン層、５ａ，５ｂ
…は該アモルフアスシリコン層を介して第１電極
層２ａ，２ｂ…の夫々と重畳して形成された第２
電極層で、第２電極層５ａは隣接する光電変換領
域に形成された第１電極層２ｂ上の導電性ペース
ト３と重畳するように延在している。６は第２電
極層５ａ，５ｂ…の導電性ペースト３と重畳する
部分において第２電極層５ａの上からレーザビー
ムを照射することによつて、この部分の第２電極
層５ａ及びアモルフアスシリコン層４を溶融して
形成された第１電極層２ｂと第２電極層５ａとの
溝状電気的接続部である。
作製された光起電力装置を示す断面図である。１
はガラス、プラスチツク等の絶縁物あるいはステ
ンレス等の金属体の表面に絶縁被覆した物等から
成る基板、２ａ，２ｂ…は該基板の絶縁表面の隣
接する各光電変換領域に分割してパターニング形
成された第１電極層、３は各第１電極層２ａ，２
ｂ…の一端部に沿つて（紙面と垂直に）帯状に塗
布形成された導電性ベースと、４は第１電極層２
ａ，２ｂ…及び導電性ペースト３の表面を含んで
基板１上の略全面に、シラン（SiH4）等のシリ
コン化合物ガスを主成分ガスとしたプラズマ
CVD法や光CVD法によりpin接合を有するように
形成されたアモルフアスシリコン層、５ａ，５ｂ
…は該アモルフアスシリコン層を介して第１電極
層２ａ，２ｂ…の夫々と重畳して形成された第２
電極層で、第２電極層５ａは隣接する光電変換領
域に形成された第１電極層２ｂ上の導電性ペース
ト３と重畳するように延在している。６は第２電
極層５ａ，５ｂ…の導電性ペースト３と重畳する
部分において第２電極層５ａの上からレーザビー
ムを照射することによつて、この部分の第２電極
層５ａ及びアモルフアスシリコン層４を溶融して
形成された第１電極層２ｂと第２電極層５ａとの
溝状電気的接続部である。
なお、上記構造において、基板１を透光性と
し、基板１側から光照射を行なう場合、第１電極
層２ａ，２ｂは酸化錫（SnO2）、酸化インジウム
錫（ITO）等の透光性導電酸化物（TCO）から
成り、第２電極層５ａ，５ｂはアルミニウム
（Al），チタン（Ti）、銀（Ag）等の単層または
これらの積層体から成る。一方、第２電極層５
ａ，５ｂ側から光照射を行なう場合、第１電極層
２ａ，２ｂ及び第２電極層５ａ，５ｂは上述の場
合と全く逆のものとなる。
し、基板１側から光照射を行なう場合、第１電極
層２ａ，２ｂは酸化錫（SnO2）、酸化インジウム
錫（ITO）等の透光性導電酸化物（TCO）から
成り、第２電極層５ａ，５ｂはアルミニウム
（Al），チタン（Ti）、銀（Ag）等の単層または
これらの積層体から成る。一方、第２電極層５
ａ，５ｂ側から光照射を行なう場合、第１電極層
２ａ，２ｂ及び第２電極層５ａ，５ｂは上述の場
合と全く逆のものとなる。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
然るに、レーザビーム照射により形成された電
気的接続部６から内部に水分が浸透し、第１電極
層２ａ，２ｂとアモルフアスシリコン層４あるい
はアモルフアスシリコン層４と第２電極層５ａ，
５ｂの密着性が悪化し、またそれらが剥離する虞
れがある。
気的接続部６から内部に水分が浸透し、第１電極
層２ａ，２ｂとアモルフアスシリコン層４あるい
はアモルフアスシリコン層４と第２電極層５ａ，
５ｂの密着性が悪化し、またそれらが剥離する虞
れがある。
また、レーザビームの照射による導電性ペース
ト３を介した第１電極層２ｂと第２電極層５ａと
の電気接続では、第２電極層５ａにレーザビーム
を照射した時、単に貫通溝が形成されるだけで、
電気的接続が正常になされない虞れがある。
ト３を介した第１電極層２ｂと第２電極層５ａと
の電気接続では、第２電極層５ａにレーザビーム
を照射した時、単に貫通溝が形成されるだけで、
電気的接続が正常になされない虞れがある。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明の光起電力装置は、第ｎ番目の光電変換
素子の第１電極層と第（ｎ＋１）番目の光電変換
素子の第２電極層とが半導体光活性層を介して重
畳する位置で、第２電極層上からエネルギービー
ムを照射して全層を溶融することにより形成され
た上記第１電極層及び第２電極層の電気的直列接
続部と、該接続部上に形成された導電部材とを具
備したことを特徴とする。
素子の第１電極層と第（ｎ＋１）番目の光電変換
素子の第２電極層とが半導体光活性層を介して重
畳する位置で、第２電極層上からエネルギービー
ムを照射して全層を溶融することにより形成され
た上記第１電極層及び第２電極層の電気的直列接
続部と、該接続部上に形成された導電部材とを具
備したことを特徴とする。
(ホ) 作用
接続部上に、この部分を覆うようにして導電部
材が形成されているので、導電部材が接続部から
水分の浸透を防止する。
材が形成されているので、導電部材が接続部から
水分の浸透を防止する。
また、導電部材が接続部の溝内に進入して電極
層の電気的接続を補助する。
層の電気的接続を補助する。
更に、導電部材は第２電極層の集電作用もあ
る。
る。
(ヘ) 実施例
第１図は本考案の第１実施例を示す断面図であ
る。なお、第４図に示す従来例と同一部分には同
一番号を付して説明を省略する。
る。なお、第４図に示す従来例と同一部分には同
一番号を付して説明を省略する。
７は電気的接続部６を覆うようにして形成され
た帯状の導電部材であり、この導電部材７として
は、メタルマスクを用いた真空蒸着法やスパツタ
リング法等により形成されたAl，Ti，Ag，
TiAg等の単層もしくはこれらの積層構造から成
る金属薄膜（特に、TiAg，TiAgとAlとの積層
が好適）あるいはスクリーン印刷法により形成さ
れた硬化型の銀（Ag）ペースト等から成る導電
性ベーストが用いられる。
た帯状の導電部材であり、この導電部材７として
は、メタルマスクを用いた真空蒸着法やスパツタ
リング法等により形成されたAl，Ti，Ag，
TiAg等の単層もしくはこれらの積層構造から成
る金属薄膜（特に、TiAg，TiAgとAlとの積層
が好適）あるいはスクリーン印刷法により形成さ
れた硬化型の銀（Ag）ペースト等から成る導電
性ベーストが用いられる。
また、第２図は本考案の第２実施例を示す断面
図である。斯る第２実施例における導電部材８
は、上記導電性ペースト８ａを接続部６状に直接
配し、斯る導電性ペーストを覆うように金属薄膜
８ｂを設けた二重構造となつている。
図である。斯る第２実施例における導電部材８
は、上記導電性ペースト８ａを接続部６状に直接
配し、斯る導電性ペーストを覆うように金属薄膜
８ｂを設けた二重構造となつている。
而して第３図Ａ乃至Ｄは、導電部材７として導
電性ペーストを用いた第１実施例、第２実施例及
び従来の光起電力装置に対し、AM−１光
（100mw／cm2）を照射した場合の高温（65℃）放
置試験に基づく開放電圧（Voc）、短絡電流
（Isc）、フイルフアクタ（FF）及び電力（Pmax）
の各特性の経時変化を示している。
電性ペーストを用いた第１実施例、第２実施例及
び従来の光起電力装置に対し、AM−１光
（100mw／cm2）を照射した場合の高温（65℃）放
置試験に基づく開放電圧（Voc）、短絡電流
（Isc）、フイルフアクタ（FF）及び電力（Pmax）
の各特性の経時変化を示している。
同図から明らかなように、本発明による光起電
力装置は、いずれの実施例においても従来例のも
のに比して、Isc、FF及びPmaxの値の経時的な
劣化が小さい。
力装置は、いずれの実施例においても従来例のも
のに比して、Isc、FF及びPmaxの値の経時的な
劣化が小さい。
また、上記２つの実施例及び従来例に対し、温
度サイクル試験（温度は−10℃と65℃、また湿度
は80％と90％で周期的に変化せしめた試験）を行
なつた結果、従来例では接続部６でアモルフアス
シリコン層４に剥離が生じたが、第１及び第２実
施例では、何ら異常がなかつた。
度サイクル試験（温度は−10℃と65℃、また湿度
は80％と90％で周期的に変化せしめた試験）を行
なつた結果、従来例では接続部６でアモルフアス
シリコン層４に剥離が生じたが、第１及び第２実
施例では、何ら異常がなかつた。
(ト) 考案の効果
本考案によれば、エネルギービームの照射によ
り形成された電極層の電気的接続部上に導電部材
を形成したので、出力特性の経時変化を抑制し、
また層の剥離を防止することができる。
り形成された電極層の電気的接続部上に導電部材
を形成したので、出力特性の経時変化を抑制し、
また層の剥離を防止することができる。
また、導電部材が溝状接続部の内部にまで進入
するので、接続不良がなくなる。
するので、接続不良がなくなる。
更に、付随効果として、導電部材は第２電極層
の集電電極材として作用する。
の集電電極材として作用する。
第１図及び第２図は夫々本考案の第１実施例及
び第２実施例を示す断面図、第３図は光起電力装
置の種々の出力特性の経時変化を規格化して示す
特性図、第４図は従来例を示す断面図である。 １……基板、２ａ，２ｂ……第１電極層、４…
…アモルフアスシリコン層、５ａ，５ｂ……第２
電極層、６……接続部、７，８……導電部材。
び第２実施例を示す断面図、第３図は光起電力装
置の種々の出力特性の経時変化を規格化して示す
特性図、第４図は従来例を示す断面図である。 １……基板、２ａ，２ｂ……第１電極層、４…
…アモルフアスシリコン層、５ａ，５ｂ……第２
電極層、６……接続部、７，８……導電部材。
Claims (1)
- 絶縁表面を有する基板上に、順次第１電極層、
半導体光活性層及び第２電極層を積層してなる複
数の光電変換素子を配設し、これらを電気的に直
列接続した光起電力装置において、第ｎ番目の光
電変換素子の第１電極層と第（ｎ＋１）番目の光
電変換素子の第２電極層とが半導体光活性層を介
して重畳する位置で、第２電極層上からエネルギ
ービームを照射して全層を溶融することにより形
成された上記第１電極層及び第２電極層の電気的
直列接続部と、該接続部上に形成された導電部材
とを具備したことを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13768287U JPH0519964Y2 (ja) | 1987-09-09 | 1987-09-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13768287U JPH0519964Y2 (ja) | 1987-09-09 | 1987-09-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6444654U JPS6444654U (ja) | 1989-03-16 |
| JPH0519964Y2 true JPH0519964Y2 (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=31399326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13768287U Expired - Lifetime JPH0519964Y2 (ja) | 1987-09-09 | 1987-09-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0519964Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-09-09 JP JP13768287U patent/JPH0519964Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6444654U (ja) | 1989-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5259891A (en) | Integrated type solar battery | |
| EP0710991B1 (en) | Group of solar cell elements, and solar cell module and production method thereof | |
| US5512107A (en) | Environmentally stable thin-film solar module | |
| US3483038A (en) | Integrated array of thin-film photovoltaic cells and method of making same | |
| JPH0510834B2 (ja) | ||
| KR100334595B1 (ko) | 광기전력소자의제조방법 | |
| JP2003037280A (ja) | 集積型薄膜光電変換モジュール | |
| JP2986875B2 (ja) | 集積化太陽電池 | |
| JP2002373997A (ja) | 集積型ハイブリッド薄膜光電変換モジュール | |
| CN111394693A (zh) | 掩膜板和其制备方法及使用该掩膜板制备光伏组件的方法 | |
| US20120199173A1 (en) | Interconnection Schemes for Photovoltaic Cells | |
| JP2002151720A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPH0519964Y2 (ja) | ||
| JP2786600B2 (ja) | 薄膜太陽電池及びその製造方法 | |
| JPS5955079A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| CN110246965A (zh) | 一种大面积钙钛矿太阳电池组件及其制备方法 | |
| US20140076393A1 (en) | Flexible solar cell and manufacturing method thereof | |
| JP2004103834A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JPH10242491A (ja) | 太陽電池装置及びそれを用いた太陽電池パネル | |
| JP2648698B2 (ja) | 耐熱型太陽電池 | |
| JP2994810B2 (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JPH06177408A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2819538B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| KR20110078963A (ko) | 박막태양전지모듈 및 그 제조방법과 모듈 상호간의 연결방법 | |
| JPS62155572A (ja) | 光蓄電素子 |