JPH05200570A - 液晶マスク式レーザマーキング方法及びその装置 - Google Patents
液晶マスク式レーザマーキング方法及びその装置Info
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- JPH05200570A JPH05200570A JP4010071A JP1007192A JPH05200570A JP H05200570 A JPH05200570 A JP H05200570A JP 4010071 A JP4010071 A JP 4010071A JP 1007192 A JP1007192 A JP 1007192A JP H05200570 A JPH05200570 A JP H05200570A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大面積のパターンのマーキングを鮮明に且つ
小出力のレーザ光源と小型の液晶マスクで実現する。 【構成】 マーキングするマスクパターンをサブパター
ン９ａ，９ｂ，９ｃに分割する。分割するときに、マス
クパターン中の１文字が複数のサブパターンにまたがら
ないように分割線２４，２５を決め、更に、各サブパタ
ーンの基準点Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3の座標を求め、各サブパタ
ーンの形状と位置の情報を記憶装置に格納する。マーキ
ングするときは、サブパターン９ａを液晶マスクに表示
しレーザ光で照射してワーク上に転写し、次にサブパタ
ーン９ｂを液晶マスクに表示しレーザ光で照射してワー
ク上に転写する。このとき、サブパターン９ａ，９ｂの
基準点Ｐ1，Ｐ2の位置情報に基づいてレーザ光の経路中
に設けられたガルバノミラーの傾斜角を制御して、サブ
パターン９ａ，９ｂの転写位置がワーク上で連続するよ
うにする。
小出力のレーザ光源と小型の液晶マスクで実現する。 【構成】 マーキングするマスクパターンをサブパター
ン９ａ，９ｂ，９ｃに分割する。分割するときに、マス
クパターン中の１文字が複数のサブパターンにまたがら
ないように分割線２４，２５を決め、更に、各サブパタ
ーンの基準点Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3の座標を求め、各サブパタ
ーンの形状と位置の情報を記憶装置に格納する。マーキ
ングするときは、サブパターン９ａを液晶マスクに表示
しレーザ光で照射してワーク上に転写し、次にサブパタ
ーン９ｂを液晶マスクに表示しレーザ光で照射してワー
ク上に転写する。このとき、サブパターン９ａ，９ｂの
基準点Ｐ1，Ｐ2の位置情報に基づいてレーザ光の経路中
に設けられたガルバノミラーの傾斜角を制御して、サブ
パターン９ａ，９ｂの転写位置がワーク上で連続するよ
うにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶マスク式レ−ザマ−
キング方法及びその装置に係り、特に、マーキングする
パターンが大きい場合に好適な液晶マスク式レーザマー
キング方法及びその装置に関する。
キング方法及びその装置に係り、特に、マーキングする
パターンが大きい場合に好適な液晶マスク式レーザマー
キング方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のレ−ザマ−キング装置と
しては、特開昭６４−１１０８８号公報記載のものが知
られている。この従来技術では、図７に示す様に、レ−
ザ発振器１０１から出力される直線偏光のパルスレ−ザ
光１０２が液晶マスク１０３に照射される。この液晶マ
スク１０３を透過するレ−ザ光１０４は、偏光ビ−ムス
プリッタ１０５により、液晶マスク１０３に表示された
パターン情報を含むレ−ザ光１０６と、背景部のレ−ザ
光１０７とに分離され、前者のレーザ光１０６は結像レ
ンズ１０８によりマーキング対象物であるＩＣ（集積回
路）パッケージ等のワ−ク１０９上に結像される。これ
により、液晶マスク１０３に表示されたマスクパターン
１１０が所定の大きさでワーク１０９表面上に転写され
る。液晶マスク１０３へのマスクパターン１１０の表示
は、コンピュータ等の制御卓１１１からの信号に基づき
液晶マスク駆動装置１１２により行われる。
しては、特開昭６４−１１０８８号公報記載のものが知
られている。この従来技術では、図７に示す様に、レ−
ザ発振器１０１から出力される直線偏光のパルスレ−ザ
光１０２が液晶マスク１０３に照射される。この液晶マ
スク１０３を透過するレ−ザ光１０４は、偏光ビ−ムス
プリッタ１０５により、液晶マスク１０３に表示された
パターン情報を含むレ−ザ光１０６と、背景部のレ−ザ
光１０７とに分離され、前者のレーザ光１０６は結像レ
ンズ１０８によりマーキング対象物であるＩＣ（集積回
路）パッケージ等のワ−ク１０９上に結像される。これ
により、液晶マスク１０３に表示されたマスクパターン
１１０が所定の大きさでワーク１０９表面上に転写され
る。液晶マスク１０３へのマスクパターン１１０の表示
は、コンピュータ等の制御卓１１１からの信号に基づき
液晶マスク駆動装置１１２により行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の液晶マスク式レ
−ザマ−キング装置は、マ−キング可能な面積がレ−ザ
光の１パルス当たりの出力で決まるため、大きな面積の
パターンを転写するには、レ−ザ発振器の出力を増大さ
せると共に、大型の液晶マスクを使用する必要がある。
しかし、大型の液晶マスクは、マスクパターンを制御す
る為の走査電極の本数が多くなり、ワ−ク上に転写され
たマスクパターンのコントラストが悪くなり不鮮明にな
ってしまうという問題がある。また、大出力のレーザ発
振器もコストがかさんでしまうという問題がある。
−ザマ−キング装置は、マ−キング可能な面積がレ−ザ
光の１パルス当たりの出力で決まるため、大きな面積の
パターンを転写するには、レ−ザ発振器の出力を増大さ
せると共に、大型の液晶マスクを使用する必要がある。
しかし、大型の液晶マスクは、マスクパターンを制御す
る為の走査電極の本数が多くなり、ワ−ク上に転写され
たマスクパターンのコントラストが悪くなり不鮮明にな
ってしまうという問題がある。また、大出力のレーザ発
振器もコストがかさんでしまうという問題がある。
【０００４】本発明の目的は、ワーク表面上に大面積の
パターンを鮮明に且つ小出力のレーザ発振器にて転写で
きる液晶マスク式レーザマーキング方法及びその装置を
提供することにある。
パターンを鮮明に且つ小出力のレーザ発振器にて転写で
きる液晶マスク式レーザマーキング方法及びその装置を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、任意のパタ
ーンを表示した液晶マスクにレーザ光を照射し、透過レ
ーザ光をマーキング対象物表面に集光して前記パターン
を転写する場合に、前記パターンを複数のサブパターン
に分割し、各サブパターンを順次同一の液晶マスクに表
示しマーキング対象物表面に転写することで前記パター
ンを完成させることで、達成される。
ーンを表示した液晶マスクにレーザ光を照射し、透過レ
ーザ光をマーキング対象物表面に集光して前記パターン
を転写する場合に、前記パターンを複数のサブパターン
に分割し、各サブパターンを順次同一の液晶マスクに表
示しマーキング対象物表面に転写することで前記パター
ンを完成させることで、達成される。
【０００６】好適には、パターンを各サブパターンに分
割するとき、パターン中の文字，数字，ロゴマーク等の
１字を分割しない分割線にて分割する。
割するとき、パターン中の文字，数字，ロゴマーク等の
１字を分割しない分割線にて分割する。
【０００７】
【作用】大面積のパターンでもこれを小面積のサブパタ
ーンに分割し、各サブパターンを転写する構成とするこ
とで、必要となる液晶マスクも小型のもので済み、ま
た、レーザ発振器も小出力のもので済む。
ーンに分割し、各サブパターンを転写する構成とするこ
とで、必要となる液晶マスクも小型のもので済み、ま
た、レーザ発振器も小出力のもので済む。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。図１は、本発明の第１実施例に係る液晶マスク
式レーザマーキング装置の構成図である。マーキング装
置制御部１は、レ−ザ発振器２と、サブパターン記憶部
３と、ミラ−制御部４と、ワ−ク搬送部５を制御する。
レ−ザ発振器２から出射された直線偏光のレ−ザ光６
は、液晶マスク７に照射される。図１に示す例では、液
晶マスク７には、図２に示す様に、マスクパターン８を
３分割した部分パターン（サブパターン）９ａ，９ｂ，
９ｃの内のサブパターン９ａが表示されている。液晶マ
スク７を透過したレ−ザ光１０は、偏光ビ−ムスプリッ
タ１１により、パターンの情報を含むレ−ザ光１２と、
背景部のレ−ザ光１３に分離され、後者のレーザ光１３
は吸収板１４に向かう。一方、前者のレーザ光１２は、
一対のガルバノミラ−１５，１６により偏向された後、
結像レンズ１７により、ワ−ク１８ａ上の所定位置に転
写される。２０は液晶マスク制御部であり、２１は搬送
台である。
明する。図１は、本発明の第１実施例に係る液晶マスク
式レーザマーキング装置の構成図である。マーキング装
置制御部１は、レ−ザ発振器２と、サブパターン記憶部
３と、ミラ−制御部４と、ワ−ク搬送部５を制御する。
レ−ザ発振器２から出射された直線偏光のレ−ザ光６
は、液晶マスク７に照射される。図１に示す例では、液
晶マスク７には、図２に示す様に、マスクパターン８を
３分割した部分パターン（サブパターン）９ａ，９ｂ，
９ｃの内のサブパターン９ａが表示されている。液晶マ
スク７を透過したレ−ザ光１０は、偏光ビ−ムスプリッ
タ１１により、パターンの情報を含むレ−ザ光１２と、
背景部のレ−ザ光１３に分離され、後者のレーザ光１３
は吸収板１４に向かう。一方、前者のレーザ光１２は、
一対のガルバノミラ−１５，１６により偏向された後、
結像レンズ１７により、ワ−ク１８ａ上の所定位置に転
写される。２０は液晶マスク制御部であり、２１は搬送
台である。
【０００９】パターン作成部１９は、図２に示すマスク
パターン８を作成後、液晶マスク７の表示可能面積と、
ワ−ク１８ａ上に転写すべきパターンの大きさと、結像
倍率から、パターン分割数つまりサブパターンの数と、
その分割線の引き方を詳細は後述するように決め、サブ
パターン毎にパターンの情報及び位置に関する情報をサ
ブパターン記憶部３に記憶する。
パターン８を作成後、液晶マスク７の表示可能面積と、
ワ−ク１８ａ上に転写すべきパターンの大きさと、結像
倍率から、パターン分割数つまりサブパターンの数と、
その分割線の引き方を詳細は後述するように決め、サブ
パターン毎にパターンの情報及び位置に関する情報をサ
ブパターン記憶部３に記憶する。
【００１０】パターン作成部１９におけるマスクパター
ン作成手順を図３及び図４を参照して説明する。図３に
示す様に、パターン作成部１９の表示画面２２にマスク
パターンの領域（ワークの大きさにほぼ相当）２３を設
定し、マーキングすべき英数文字等が適宜配置される。
液晶マスク７の表示可能面積とワーク１８ａ上に転写す
べきパターンの大きさ及び結像倍率から、分割数つまり
サブパターンの数と、分割線の引き方を決める。このと
き、本実施例では、マスクパターンを構成する１つの文
字，数字あるいはロゴマークなどが２つ以上のサブパタ
ーンにまたがって分割されないように分割線２４，２５
を決める。分割後には、各サブパターン９ａ，９ｂ，９
ｃの基準点Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3の座標（ｘ1，ｙ1），（ｘ2，
ｙ2），（ｘ3，ｙ3）を、夫々のサブパターンの位置情
報としてサブパターン記憶部３に格納する。更に、各サ
ブパターン９ａ，９ｂ，９ｃの形状や内部に含まれる英
数字等の情報を各サブパターン毎に記憶部３に一時格納
する。
ン作成手順を図３及び図４を参照して説明する。図３に
示す様に、パターン作成部１９の表示画面２２にマスク
パターンの領域（ワークの大きさにほぼ相当）２３を設
定し、マーキングすべき英数文字等が適宜配置される。
液晶マスク７の表示可能面積とワーク１８ａ上に転写す
べきパターンの大きさ及び結像倍率から、分割数つまり
サブパターンの数と、分割線の引き方を決める。このと
き、本実施例では、マスクパターンを構成する１つの文
字，数字あるいはロゴマークなどが２つ以上のサブパタ
ーンにまたがって分割されないように分割線２４，２５
を決める。分割後には、各サブパターン９ａ，９ｂ，９
ｃの基準点Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3の座標（ｘ1，ｙ1），（ｘ2，
ｙ2），（ｘ3，ｙ3）を、夫々のサブパターンの位置情
報としてサブパターン記憶部３に格納する。更に、各サ
ブパターン９ａ，９ｂ，９ｃの形状や内部に含まれる英
数字等の情報を各サブパターン毎に記憶部３に一時格納
する。
【００１１】次に、図４に示す様に、パターン作成部１
９の表示画面２１の液晶マスクの表示領域（この領域に
含まれる全ての文字，数字等がワーク上に転写可能）２
６を設定し、先ず、記憶部３に一時格納されたサブパタ
ーン９ａを呼び出して表示する。このとき、表示領域２
６の基準点Ｌとサブパターン９ａの基準点Ｐ1とが一致
するように、サブパターン９ａを表示画面２２上で移動
させる。この作業が完了した後、サブパターン９ａに関
するパターン情報として記憶部３に記憶する。次いで、
表示画面２１上にサブパターン９ｂを呼び出し、基準点
Ｌとサブパターン９ｂの基準点Ｐ2とを一致させた後、
サブパターン９ｂに関するパターン情報として記憶部３
に記憶する。サブパターン９ｃについても同様の作業を
行い、サブパターン９ｃに関するパターン情報として記
憶部３に記憶する。かくして、マスクパターン８を構成
するサブパターン９ａ，９ｂ，９ｃの位置に関する情報
とパターン（形状）に関する情報の全てが記憶部３に記
憶されたことになる。
９の表示画面２１の液晶マスクの表示領域（この領域に
含まれる全ての文字，数字等がワーク上に転写可能）２
６を設定し、先ず、記憶部３に一時格納されたサブパタ
ーン９ａを呼び出して表示する。このとき、表示領域２
６の基準点Ｌとサブパターン９ａの基準点Ｐ1とが一致
するように、サブパターン９ａを表示画面２２上で移動
させる。この作業が完了した後、サブパターン９ａに関
するパターン情報として記憶部３に記憶する。次いで、
表示画面２１上にサブパターン９ｂを呼び出し、基準点
Ｌとサブパターン９ｂの基準点Ｐ2とを一致させた後、
サブパターン９ｂに関するパターン情報として記憶部３
に記憶する。サブパターン９ｃについても同様の作業を
行い、サブパターン９ｃに関するパターン情報として記
憶部３に記憶する。かくして、マスクパターン８を構成
するサブパターン９ａ，９ｂ，９ｃの位置に関する情報
とパターン（形状）に関する情報の全てが記憶部３に記
憶されたことになる。
【００１２】次に、マスクパターン８をワーク１８ａ上
に転写する手順について説明する。図１のマーキング装
置制御部１からの指令により、記憶部３に格納されてい
るサブパターン情報のうち、先ずサブパターン９ａに関
するパターン情報を呼び出し、液晶マスク制御部２０に
より液晶マスク７に表示する。そして、液晶マスク７と
偏光ビ−ムスプリッタ１１を透過するレーザ光１２がワ
ーク１８ａ上の所定位置に照射されるように、ガルバノ
ミラー１５，１６の傾きをミラー制御部４により設定す
る。このとき、記憶部３に格納されているサブパターン
９ａの位置に関する情報を使用して設定する。次に、レ
ーザ発振器２からレーザ光を液晶マスク７に出射する。
液晶マスク７を透過し偏光ビームスプリッタ１１を透過
したレーザ光１２はガルバノミラー１５，１６を反射し
て結像レンズ１７を通り、ワーク１８ａ上の所定位置に
照射される。これにより、サブパターン９ａがワーク１
８ａ上に転写される。
に転写する手順について説明する。図１のマーキング装
置制御部１からの指令により、記憶部３に格納されてい
るサブパターン情報のうち、先ずサブパターン９ａに関
するパターン情報を呼び出し、液晶マスク制御部２０に
より液晶マスク７に表示する。そして、液晶マスク７と
偏光ビ−ムスプリッタ１１を透過するレーザ光１２がワ
ーク１８ａ上の所定位置に照射されるように、ガルバノ
ミラー１５，１６の傾きをミラー制御部４により設定す
る。このとき、記憶部３に格納されているサブパターン
９ａの位置に関する情報を使用して設定する。次に、レ
ーザ発振器２からレーザ光を液晶マスク７に出射する。
液晶マスク７を透過し偏光ビームスプリッタ１１を透過
したレーザ光１２はガルバノミラー１５，１６を反射し
て結像レンズ１７を通り、ワーク１８ａ上の所定位置に
照射される。これにより、サブパターン９ａがワーク１
８ａ上に転写される。
【００１３】次に、記憶部３に記憶されているサブパタ
ーン９ｂに関する情報に基づき、液晶マスク７の表示内
容をサブパターン９ｂに変更し、ガルバノミラー１５，
１６の傾きの調整を行う。ガルバノミラー１５，１６の
傾斜角の調整量は、サブパターン９ａの基準点Ｐ1の座
標（ｘ1，ｙ1）と、サブパターン９ｂの基準点Ｐ2の座
標（ｘ2，ｙ2）間の距離から算出する。そして、上述と
同様の手順によりサブパターン９ｂのワーク１８ａ上へ
の転写を行う。サブパターン９ｃについても同様の手順
によりワーク１８ａ上への転写を行う。サブパターン９
ａ，９ｂ，９ｃの転写を完了すると、マスクパターン８
がワーク１８ａ上に完成する。その後、ワーク搬送制御
部５により、搬送台2１が移動して次のワーク１８ｂが
送り込まれ、このワーク１８ｂ上に上述と同様の手順に
よりマスクパターン８の転写が行われる。
ーン９ｂに関する情報に基づき、液晶マスク７の表示内
容をサブパターン９ｂに変更し、ガルバノミラー１５，
１６の傾きの調整を行う。ガルバノミラー１５，１６の
傾斜角の調整量は、サブパターン９ａの基準点Ｐ1の座
標（ｘ1，ｙ1）と、サブパターン９ｂの基準点Ｐ2の座
標（ｘ2，ｙ2）間の距離から算出する。そして、上述と
同様の手順によりサブパターン９ｂのワーク１８ａ上へ
の転写を行う。サブパターン９ｃについても同様の手順
によりワーク１８ａ上への転写を行う。サブパターン９
ａ，９ｂ，９ｃの転写を完了すると、マスクパターン８
がワーク１８ａ上に完成する。その後、ワーク搬送制御
部５により、搬送台2１が移動して次のワーク１８ｂが
送り込まれ、このワーク１８ｂ上に上述と同様の手順に
よりマスクパターン８の転写が行われる。
【００１４】上述した実施例によれば、記憶部３に格納
されている複数のサブパターンのパターン（形状）に関
する情報を順次呼び出して液晶マスク７に順に表示する
と共に、レーザ光照射時に透過レーザ光がワーク上の各
所定位置に各サブパターン像を結像するように、サブパ
ターンの位置に関する情報によりレーザ光伝送部を構成
するガルバノミラー１５，１６を制御する構成にし、更
に、複数のサブパターンにまたがって１つの文字，数
字，ロゴマーク等が分割されないように分割線の引き方
を決めたので、大面積のパターン転写においても、マー
キングパターンの部分的な２度打ちや文字欠けの無い鮮
明なマーキングを小出力のレーザ光源と小型の液晶マス
クにて実現することができる。
されている複数のサブパターンのパターン（形状）に関
する情報を順次呼び出して液晶マスク７に順に表示する
と共に、レーザ光照射時に透過レーザ光がワーク上の各
所定位置に各サブパターン像を結像するように、サブパ
ターンの位置に関する情報によりレーザ光伝送部を構成
するガルバノミラー１５，１６を制御する構成にし、更
に、複数のサブパターンにまたがって１つの文字，数
字，ロゴマーク等が分割されないように分割線の引き方
を決めたので、大面積のパターン転写においても、マー
キングパターンの部分的な２度打ちや文字欠けの無い鮮
明なマーキングを小出力のレーザ光源と小型の液晶マス
クにて実現することができる。
【００１５】図５は、レ−ザマ−キング装置のワ−ク１
８ａ近傍の構成説明図である。マ−キング時には、レー
ザ光がワーク１８ａ表面を焼くためワーク１８ａからス
スや煙が発生する。このススや煙をワ−ク表面近傍から
すばやく除去する為に、空気吹き付け用ノズル２２が設
けられている。ノズル２２の配置で特に考慮しているの
は、ワ−ク表面上で既にサブパターンが転写されている
個所から、これから次のサブパターンが転写される個所
へ向けて空気２３を流すようにした点である。これによ
り、既に転写済のマ−キングパターンが後続のサブパタ
ーンの転写時に発生するススや煙によって汚れるのを防
止している。
８ａ近傍の構成説明図である。マ−キング時には、レー
ザ光がワーク１８ａ表面を焼くためワーク１８ａからス
スや煙が発生する。このススや煙をワ−ク表面近傍から
すばやく除去する為に、空気吹き付け用ノズル２２が設
けられている。ノズル２２の配置で特に考慮しているの
は、ワ−ク表面上で既にサブパターンが転写されている
個所から、これから次のサブパターンが転写される個所
へ向けて空気２３を流すようにした点である。これによ
り、既に転写済のマ−キングパターンが後続のサブパタ
ーンの転写時に発生するススや煙によって汚れるのを防
止している。
【００１６】図６、本発明の第２実施例に係るマーキン
グ装置の構成図である。本実施例では、サブパターンを
表示するための複数の液晶マスク２９，３０と、各液晶
マスク対応に複数のレ−ザ発振器３１，３２を備えてい
る。各液晶マスク２９，３０には夫々レーザ発振器３
１，３２からの直線偏光のレ−ザ光３３，３４が照射さ
れる。各液晶マスク２９，３０を透過したレ−ザ光３
５，３６のうちパターンの情報を含むレ−ザ光３７，３
８は偏光ビ−ムスプリッタ１１で分離され、ガルバノミ
ラ−１５，１６を経て、結像レンズ１７によりワ−ク１
８ａ上の所定の位置に転写される。
グ装置の構成図である。本実施例では、サブパターンを
表示するための複数の液晶マスク２９，３０と、各液晶
マスク対応に複数のレ−ザ発振器３１，３２を備えてい
る。各液晶マスク２９，３０には夫々レーザ発振器３
１，３２からの直線偏光のレ−ザ光３３，３４が照射さ
れる。各液晶マスク２９，３０を透過したレ−ザ光３
５，３６のうちパターンの情報を含むレ−ザ光３７，３
８は偏光ビ−ムスプリッタ１１で分離され、ガルバノミ
ラ−１５，１６を経て、結像レンズ１７によりワ−ク１
８ａ上の所定の位置に転写される。
【００１７】本実施例において、マスクパターン８をワ
−ク１８ａに転写する手順について説明する。先ず、マ
−キング装置制御部１からの指令で、記憶部３に記憶さ
れているサブパターン９ａのパターン（形状）に関する
情報を呼出し、液晶マスク制御部２０の制御によって液
晶マスク２９にサブパターン９ａを表示する。次に、記
憶部３に記憶されているサブパターン９ｂのパターン
（形状）に関する情報を呼出して、液晶マスク制御部２
０の制御により、液晶マスク３０にサブパターン９ｂを
表示する。一方、液晶マスク２９を透過したレ−ザ光３
５のうちパターンの情報を含むレ−ザ光３７がワ−ク１
８ａ上の所定の位置に照射されるように、記憶部３に記
憶されているサブパターン９ａの位置に関する情報に基
づき、ミラ−制御部４がガルバノミラ−１５，１６の傾
きを設定する。その後、レ−ザ発振器３１から出力され
るレ−ザ光３３が液晶マスク２９に照射される。液晶マ
スク２９を透過したレーザ光は、ガルバノミラ−１５，
１６を経て、結像レンズ１７により、ワ−ク１８ａ上の
所定の位置に結像し、サブパターン９ａの転写がなされ
る。
−ク１８ａに転写する手順について説明する。先ず、マ
−キング装置制御部１からの指令で、記憶部３に記憶さ
れているサブパターン９ａのパターン（形状）に関する
情報を呼出し、液晶マスク制御部２０の制御によって液
晶マスク２９にサブパターン９ａを表示する。次に、記
憶部３に記憶されているサブパターン９ｂのパターン
（形状）に関する情報を呼出して、液晶マスク制御部２
０の制御により、液晶マスク３０にサブパターン９ｂを
表示する。一方、液晶マスク２９を透過したレ−ザ光３
５のうちパターンの情報を含むレ−ザ光３７がワ−ク１
８ａ上の所定の位置に照射されるように、記憶部３に記
憶されているサブパターン９ａの位置に関する情報に基
づき、ミラ−制御部４がガルバノミラ−１５，１６の傾
きを設定する。その後、レ−ザ発振器３１から出力され
るレ−ザ光３３が液晶マスク２９に照射される。液晶マ
スク２９を透過したレーザ光は、ガルバノミラ−１５，
１６を経て、結像レンズ１７により、ワ−ク１８ａ上の
所定の位置に結像し、サブパターン９ａの転写がなされ
る。
【００１８】次に、記憶部３に記憶されているサブパタ
ーン９ｂの位置に関する情報に基づき、ミラ−制御部４
が、ガルバノミラ−１５，１６の傾きを設定する。その
後、レ−ザ発振器３２からのレ−ザ光３４が液晶マスク
３０に照射される。液晶マスク３０を透過したレーザ光
のうちパターンの情報を含むレ−ザ光３８が、ガルバノ
ミラ−１５，１６を経て、結像レンズ１７により、ワ−
ク１８ａ上の所定の位置に結像され、サブパターン９ｂ
の転写がなされる。
ーン９ｂの位置に関する情報に基づき、ミラ−制御部４
が、ガルバノミラ−１５，１６の傾きを設定する。その
後、レ−ザ発振器３２からのレ−ザ光３４が液晶マスク
３０に照射される。液晶マスク３０を透過したレーザ光
のうちパターンの情報を含むレ−ザ光３８が、ガルバノ
ミラ−１５，１６を経て、結像レンズ１７により、ワ−
ク１８ａ上の所定の位置に結像され、サブパターン９ｂ
の転写がなされる。
【００１９】サブパターン９ｂの転写中に、液晶マスク
２９には、装置制御部１からの指令で、サブパターン９
ｃのパターン（形状）に関する情報が表示される。そし
て、サブパターン９ｂの転写が終了した後、記憶部３に
記憶されているサブパターン９ｃの位置に関する情報に
基づき、ミラ−制御部４は、再度、ガルバノミラ−１
５，１６の傾きを設定する。その後、レ−ザ発振器３１
からのレ−ザ光３３が液晶マスク２９に照射され、サブ
パターン９ｃの転写が終わる。かくして、サブパターン
９ａ，９ｂ，９ｃで構成されるマスクパターン８のワ−
ク１８ａ上への転写が完了することになる。
２９には、装置制御部１からの指令で、サブパターン９
ｃのパターン（形状）に関する情報が表示される。そし
て、サブパターン９ｂの転写が終了した後、記憶部３に
記憶されているサブパターン９ｃの位置に関する情報に
基づき、ミラ−制御部４は、再度、ガルバノミラ−１
５，１６の傾きを設定する。その後、レ−ザ発振器３１
からのレ−ザ光３３が液晶マスク２９に照射され、サブ
パターン９ｃの転写が終わる。かくして、サブパターン
９ａ，９ｂ，９ｃで構成されるマスクパターン８のワ−
ク１８ａ上への転写が完了することになる。
【００２０】尚、液晶マスク２９及び３０からの出射レ
ーザ光３５および３６のうち、パターン情報を含むレ−
ザ光３７と３８の偏光方向が９０度異なるように、予め
レーザ発振器３１及び３２からのレーザ光３３および３
４の偏光方向が設定されている。レーザ光３７は偏光ビ
−ムスプリッタ１１を通過し、レーザ光３８は偏光ビ−
ムスプリッタ１１で反射されてガルバノミラ−１５，１
６に向かう。この場合、レ−ザ光３７と３８の光軸は互
いに平行であるほうが望ましいが、同軸で無くても良
い。
ーザ光３５および３６のうち、パターン情報を含むレ−
ザ光３７と３８の偏光方向が９０度異なるように、予め
レーザ発振器３１及び３２からのレーザ光３３および３
４の偏光方向が設定されている。レーザ光３７は偏光ビ
−ムスプリッタ１１を通過し、レーザ光３８は偏光ビ−
ムスプリッタ１１で反射されてガルバノミラ−１５，１
６に向かう。この場合、レ−ザ光３７と３８の光軸は互
いに平行であるほうが望ましいが、同軸で無くても良
い。
【００２１】本実施例では、レ−ザ発振器と液晶マスク
を夫々２組準備し、一方の液晶マスクに表示しているサ
ブパターンのワ−ク上への転写作業中に、もう一方の液
晶マスクのサブパターンを書き替えるよう構成してい
る。このため、液晶マスクのサブパターン書替えに要す
る時間（０.３秒〜０.５秒）の影響が少なくなり、パタ
ーンの転写に要する時間が短縮される。
を夫々２組準備し、一方の液晶マスクに表示しているサ
ブパターンのワ−ク上への転写作業中に、もう一方の液
晶マスクのサブパターンを書き替えるよう構成してい
る。このため、液晶マスクのサブパターン書替えに要す
る時間（０.３秒〜０.５秒）の影響が少なくなり、パタ
ーンの転写に要する時間が短縮される。
【００２２】尚、上記の２つの実施例では、液晶マスク
として、ＴＮ（ツイスティッド．ネマティック）液晶を
使用し、これに直線偏光のレ−ザ光を照射するものであ
る。しかし、本発明はこの構成に限定されるものではな
く、スメティック液晶等他の液晶と非偏光のレ−ザ光の
組合せを用いることもできる。
として、ＴＮ（ツイスティッド．ネマティック）液晶を
使用し、これに直線偏光のレ−ザ光を照射するものであ
る。しかし、本発明はこの構成に限定されるものではな
く、スメティック液晶等他の液晶と非偏光のレ−ザ光の
組合せを用いることもできる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、大面積のパターンの転
写を行う場合でも、鮮明なマ−キングを小型の液晶マス
クと小出力のレーザ光源にて可能になり、レーザマーキ
ング装置の低廉化を図ることができる。
写を行う場合でも、鮮明なマ−キングを小型の液晶マス
クと小出力のレーザ光源にて可能になり、レーザマーキ
ング装置の低廉化を図ることができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る液晶マスク式レーザ
マーキング装置の構成図である。
マーキング装置の構成図である。
【図２】マスクパターンの説明図である。
【図３】マスクパターンの分割方法の説明図である。
【図４】サブパターンの作成方法の説明図である。
【図５】空気吹き付け用ノズルの配置説明図である。
【図６】本発明の第２実施例に係る液晶マスク式レーザ
マーキング装置の構成図である。
マーキング装置の構成図である。
【図７】従来のレーザマーキング装置の構成図である。
１…マーキング装置制御部、２，３１，３２…レーザ発
振器、３…サブパターン記憶部、４…ミラー制御部、
７，２９，３０…液晶マスク、８…マスクパターン、９
ａ，９ｂ，９ｃ…サブパターン、１８ａ，１８ｂ…ワー
ク、１９…サブパターン作成部。
振器、３…サブパターン記憶部、４…ミラー制御部、
７，２９，３０…液晶マスク、８…マスクパターン、９
ａ，９ｂ，９ｃ…サブパターン、１８ａ，１８ｂ…ワー
ク、１９…サブパターン作成部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 実 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内
Claims (10)
- 【請求項１】 任意のパターンを表示した液晶マスクに
レーザ光を照射し、透過レーザ光をマーキング対象物表
面に集光して前記パターンを転写する液晶マスク式レー
ザマーキング方法において、前記パターンを複数のサブ
パターンに分割し、各サブパターンを順次同一の液晶マ
スクに表示しマーキング対象物表面に転写することで前
記パターンを完成させることを特徴とする液晶マスク式
レーザマーキング方法。 - 【請求項２】 任意のパターンを表示した液晶マスクに
レーザ光を照射し、透過レーザ光をマーキング対象物表
面に集光して前記パターンを転写する液晶マスク式レー
ザマーキング方法において、前記パターンを該パターン
中の文字，数字，ロゴマーク等の１字を分割しない分割
線にて複数のサブパターンに分割し、各サブパターンを
順次同一の液晶マスクに表示しマーキング対象物表面に
転写することで前記パターンを完成させることを特徴と
する液晶マスク式レーザマーキング方法。 - 【請求項３】 任意のパターンを表示した液晶マスクに
レーザ光を照射し、透過レーザ光をマーキング対象物表
面に集光して前記パターンを転写する液晶マスク式レー
ザマーキング方法において、前記パターンを該パターン
中の空白領域を通る分割線にて複数のサブパターンに分
割し、各サブパターンを順次同一の液晶マスクに表示し
マーキング対象物表面に転写することで前記パターンを
完成させることを特徴とする液晶マスク式レーザマーキ
ング方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかにおい
て、各サブパターンを順次転写するときマーキング対象
物表面の既にサブパターン転写済み箇所から次のサブパ
ターンを転写する箇所の方向に気体を流しながら転写を
行うことを特徴とする液晶マスク式レーザマーキング方
法。 - 【請求項５】 任意のパターンを表示した液晶マスクに
レーザ光を照射し、透過レーザ光をマーキング対象物表
面に集光して前記パターンを転写する液晶マスク式レー
ザマーキング方法において、複数の液晶マスクに表示し
た部分パターンを別々のレーザ発振器からのレーザ光に
て照射し、マーキング対象物表面に各部分パターンを転
写することでマーキング対象物表面に各部分パターンの
合成パターンをマーキングすることを特徴とする液晶マ
スク式レーザマーキング方法。 - 【請求項６】 任意のパターンを表示した液晶マスクに
レーザ光を照射し、透過レーザ光をマーキング対象物表
面に集光して前記パターンを転写する液晶マスク式レー
ザマーキング装置において、前記パターンを複数のサブ
パターンに分割する手段と、各サブパターンを順次同一
の液晶マスクに表示しマーキング対象物表面に転写する
ことで前記パターンを完成させる手段とを備えることを
特徴とする液晶マスク式レーザマーキング装置。 - 【請求項７】 任意のパターンを表示した液晶マスクに
レーザ光を照射し、透過レーザ光をマーキング対象物表
面に集光して前記パターンを転写する液晶マスク式レー
ザマーキング装置において、前記パターンを該パターン
中の文字，数字，ロゴマーク等の１字を分割しない分割
線にて複数のサブパターンに分割する手段と、各サブパ
ターンを順次同一の液晶マスクに表示しマーキング対象
物表面に転写することで前記パターンを完成させる手段
とを備えることを特徴とする液晶マスク式レーザマーキ
ング装置。 - 【請求項８】 任意のパターンを表示した液晶マスクに
レーザ光を照射し、透過レーザ光をマーキング対象物表
面に集光して前記パターンを転写する液晶マスク式レー
ザマーキング装置において、前記パターンを該パターン
中の空白領域を通る分割線にて複数のサブパターンに分
割する手段と、各サブパターンを順次同一の液晶マスク
に表示しマーキング対象物表面に転写することで前記パ
ターンを完成させる手段とを備えることを特徴とする液
晶マスク式レーザマーキング装置。 - 【請求項９】 請求項６乃至請求項８のいずれかにおい
て、各サブパターンを順次転写するときマーキング対象
物表面の既にサブパターン転写済み箇所から次のサブパ
ターンを転写する箇所の方向に気体を流すノズルを備え
るをことを特徴とする液晶マスク式レーザマーキング装
置。 - 【請求項１０】 任意のパターンを表示した液晶マスク
にレーザ光を照射し、透過レーザ光をマーキング対象物
表面に集光して前記パターンを転写する液晶マスク式レ
ーザマーキング装置において、前記パターンを複数のサ
ブパターンに分割する手段と、サブパターンを表示する
複数の液晶マスクと、各液晶マスクを照射する複数のレ
ーザ光源と、各レーザ光源からのレーザ光を各液晶マス
クに照射しマーキング対象物表面に各サブパターンを転
写することで前記パターンを完成させる手段とを備える
ことを特徴とする液晶マスク式レーザマーキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4010071A JPH05200570A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 液晶マスク式レーザマーキング方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4010071A JPH05200570A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 液晶マスク式レーザマーキング方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05200570A true JPH05200570A (ja) | 1993-08-10 |
Family
ID=11740144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4010071A Pending JPH05200570A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 液晶マスク式レーザマーキング方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05200570A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995020457A1 (en) * | 1994-01-28 | 1995-08-03 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Control device for marking apparatus |
| WO1997038820A1 (en) * | 1996-04-12 | 1997-10-23 | Komatsu Ltd. | Liquid crystal mask, liquid crystal laser marker and marking method using the same |
| WO1998052714A1 (fr) * | 1997-05-23 | 1998-11-26 | Komatsu Ltd. | Unite de commande de position de marquage pour systeme de marquage a laser |
| US5895588A (en) * | 1995-03-07 | 1999-04-20 | Komatsu Ltd. | Controller of laser marking machine |
| JP2003531010A (ja) * | 2000-04-18 | 2003-10-21 | レーザーインク | 製品へのコードの印刷 |
| WO2009002011A1 (en) * | 2007-06-28 | 2008-12-31 | Eo Technics Co., Ltd. | Method of dividing marking objects in multi-laser marking system |
| US8999731B2 (en) | 1996-04-25 | 2015-04-07 | Bioarray Solutions, Ltd. | Programmable illumination pattern for transporting microparticles |
| WO2022190426A1 (ja) * | 2021-03-09 | 2022-09-15 | オムロン株式会社 | レーザマーカ |
-
1992
- 1992-01-23 JP JP4010071A patent/JPH05200570A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995020457A1 (en) * | 1994-01-28 | 1995-08-03 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Control device for marking apparatus |
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| US6160603A (en) * | 1996-04-12 | 2000-12-12 | Komatsu Ltd. | Liquid crystal mask, liquid crystal laser marker, and marking method using the same |
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| WO2022190426A1 (ja) * | 2021-03-09 | 2022-09-15 | オムロン株式会社 | レーザマーカ |
| JP2022137694A (ja) * | 2021-03-09 | 2022-09-22 | オムロン株式会社 | レーザマーカ |
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