JPH05200575A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
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- JPH05200575A JPH05200575A JP4014511A JP1451192A JPH05200575A JP H05200575 A JPH05200575 A JP H05200575A JP 4014511 A JP4014511 A JP 4014511A JP 1451192 A JP1451192 A JP 1451192A JP H05200575 A JPH05200575 A JP H05200575A
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- JP
- Japan
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- wafer
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- laser beam
- laser
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- Pending
Links
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細なレーザ加工を可能とし、ヒューズのレ
イアウトの微細化を可能とする。 【構成】 入力機構１により、半導体集積回路のポリイ
ミド等の有機絶縁膜の表面からヒューズの表面までの距
離をあらかじめ測定しておき、レーザ加工が最適に成る
ように求めておいた、ウェハ７の高さ方向のオフセット
量を入力する。検出機構２によってウェハ７表面の高さ
を検出し、次に高さのオフセット分としてウェハ７の高
さ分だけ移動機構３によってウェハ７を移動させる。こ
れにより、レーザ６の光の集光する高さ方向の位置とレ
ーザ加工する物質の高さ方向の位置とが相対的に調整さ
れる。次に、すでに入力されたレーザ加工する位置デー
タに基づき、位置決め機構４によってウェハ７の水平方
向の位置決めがなされて、レーザ加工位置にウェハ７を
移動させる。
イアウトの微細化を可能とする。 【構成】 入力機構１により、半導体集積回路のポリイ
ミド等の有機絶縁膜の表面からヒューズの表面までの距
離をあらかじめ測定しておき、レーザ加工が最適に成る
ように求めておいた、ウェハ７の高さ方向のオフセット
量を入力する。検出機構２によってウェハ７表面の高さ
を検出し、次に高さのオフセット分としてウェハ７の高
さ分だけ移動機構３によってウェハ７を移動させる。こ
れにより、レーザ６の光の集光する高さ方向の位置とレ
ーザ加工する物質の高さ方向の位置とが相対的に調整さ
れる。次に、すでに入力されたレーザ加工する位置デー
タに基づき、位置決め機構４によってウェハ７の水平方
向の位置決めがなされて、レーザ加工位置にウェハ７を
移動させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ加工装置に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、レーザ加工装置はウェハチャック
上のウェハ表面の高さを検出する機構によりウェハ表面
の高さを検出して、レーザ加工できるレーザ光の集光す
る位置にウェハ表面の高さを合わせて使用していた。こ
の時ウェハの水平方向の位置決めをする機構により高精
度にウェハの水平方向の位置決めを行い、レーザ光をウ
ェハに照射し加工する。
上のウェハ表面の高さを検出する機構によりウェハ表面
の高さを検出して、レーザ加工できるレーザ光の集光す
る位置にウェハ表面の高さを合わせて使用していた。こ
の時ウェハの水平方向の位置決めをする機構により高精
度にウェハの水平方向の位置決めを行い、レーザ光をウ
ェハに照射し加工する。
【０００３】しかしながら、半導体集積回路は年々微細
加工されてきており、コストの面から樹脂封止を用いる
ケースが増加してきた。封止樹脂はその中に含まれてい
るフィラーが半導体集積回路チップに突き刺さり、配線
の断線が問題となる。
加工されてきており、コストの面から樹脂封止を用いる
ケースが増加してきた。封止樹脂はその中に含まれてい
るフィラーが半導体集積回路チップに突き刺さり、配線
の断線が問題となる。
【０００４】これを防止するために半導体集積回路チッ
プの表面にポリイミド等の有機絶縁膜が設けられてい
る。
プの表面にポリイミド等の有機絶縁膜が設けられてい
る。
【０００５】従来の技術について図面を用いて説明す
る。図３は半導体集積回路のレーザ加工するヒューズ部
の周辺部を含んだ断面図である。
る。図３は半導体集積回路のレーザ加工するヒューズ部
の周辺部を含んだ断面図である。
【０００６】半導体基板１、例えばシリコン上部に酸化
膜２が形成されている。酸化膜２上にヒューズ３が形成
されている。さらにヒューズ３の上部に層間絶縁膜４が
形成されている。また、層間絶縁膜４の上にパッシベー
ション膜５が形成されている。ヒューズ３の切断部の上
部のパッシベーション膜５に開口部６が設けられてい
る。さらにパッシベーション膜５の上にポリイミド等の
有機絶縁膜７が形成されている。有機絶縁膜７には開口
部８が設けてある。
膜２が形成されている。酸化膜２上にヒューズ３が形成
されている。さらにヒューズ３の上部に層間絶縁膜４が
形成されている。また、層間絶縁膜４の上にパッシベー
ション膜５が形成されている。ヒューズ３の切断部の上
部のパッシベーション膜５に開口部６が設けられてい
る。さらにパッシベーション膜５の上にポリイミド等の
有機絶縁膜７が形成されている。有機絶縁膜７には開口
部８が設けてある。
【０００７】従来のレーザ加工装置は、有機絶縁膜７の
表面でウェハの高さを検出し、検出した高さにレーザ光
を集光して加工する。
表面でウェハの高さを検出し、検出した高さにレーザ光
を集光して加工する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法では、
有機絶縁膜７の厚さは約３〜８μｍあり、ヒューズ３の
上面から有機絶縁膜７の表面までの距離ｔは約５〜１０
μｍになる。
有機絶縁膜７の厚さは約３〜８μｍあり、ヒューズ３の
上面から有機絶縁膜７の表面までの距離ｔは約５〜１０
μｍになる。
【０００９】集光していたレーザ光はヒューズ３の上面
でレーザ光が広がってしまう。このため微細なレーザ光
にすることができず、微細なレーザ加工ができないとい
う問題があった。
でレーザ光が広がってしまう。このため微細なレーザ光
にすることができず、微細なレーザ加工ができないとい
う問題があった。
【００１０】本発明は、上記問題を解決するもので、微
細なレーザ加工を可能とし、ヒューズのレイアウトの微
細化を可能として半導体集積回路の高集積化を実現でき
るレーザ加工装置を提供することを目的とするものであ
る。
細なレーザ加工を可能とし、ヒューズのレイアウトの微
細化を可能として半導体集積回路の高集積化を実現でき
るレーザ加工装置を提供することを目的とするものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するた
め、本発明のレーザ加工装置はウェハの高さ方向のオフ
セットを入力する入力機構と、ウェハ表面の高さを検出
する検出機構と、前記オフセット分だけ前記ウェハの高
さを移動させる移動機構と、前記ウェハの水平方向の位
置決めをする位置決め機構と、前記ウェハにレーザ光を
照射する加工機構とを備えている。
め、本発明のレーザ加工装置はウェハの高さ方向のオフ
セットを入力する入力機構と、ウェハ表面の高さを検出
する検出機構と、前記オフセット分だけ前記ウェハの高
さを移動させる移動機構と、前記ウェハの水平方向の位
置決めをする位置決め機構と、前記ウェハにレーザ光を
照射する加工機構とを備えている。
【００１２】
【作用】本発明によれば、ウェハの高さ方向のオフセッ
トを任意に入力することができ、ウェハ表面の高さの検
出した位置とレーザ加工する位置との差が有っても、ウ
ェハの高さ方向のオフセット分ウェハの高さを移動させ
ることが可能となり、ヒューズの上面部にレーザ光を集
光することができる。よって、ポリイミド等の有機絶縁
膜が半導体集積回路のチップの上に形成されても、微細
なレーザ加工が可能となる。
トを任意に入力することができ、ウェハ表面の高さの検
出した位置とレーザ加工する位置との差が有っても、ウ
ェハの高さ方向のオフセット分ウェハの高さを移動させ
ることが可能となり、ヒューズの上面部にレーザ光を集
光することができる。よって、ポリイミド等の有機絶縁
膜が半導体集積回路のチップの上に形成されても、微細
なレーザ加工が可能となる。
【００１３】
【実施例】本発明のレーザ加工装置の一実施例を図１及
び図２を用いて説明する。
び図２を用いて説明する。
【００１４】図１は、本発明のレーザ加工装置の一実施
例を説明するための機構ブロック図である。
例を説明するための機構ブロック図である。
【００１５】図において、１は入力機構、２は検出機
構、３は移動機構、４は位置決め機構、５は加工機構、
６はレーザ、７はウェハ、８はステージである。
構、３は移動機構、４は位置決め機構、５は加工機構、
６はレーザ、７はウェハ、８はステージである。
【００１６】まずはじめに、ステージ８上のウェハ７の
高さ方向のオフセットを入力する入力機構１があり、オ
フセット量をメモリーする。
高さ方向のオフセットを入力する入力機構１があり、オ
フセット量をメモリーする。
【００１７】次に、ウェハ７表面の高さを検出する検出
機構２があり、次に高さのオフセット分ウェハ７の高さ
を移動させる移動機構３がある。これにより、レーザ６
の光の集光する高さ方向の位置とレーザ加工する物質の
高さ方向の位置を相対的に調整される。
機構２があり、次に高さのオフセット分ウェハ７の高さ
を移動させる移動機構３がある。これにより、レーザ６
の光の集光する高さ方向の位置とレーザ加工する物質の
高さ方向の位置を相対的に調整される。
【００１８】次に、高精度にウェハ７の水平方向の位置
決めする位置決め機構４があり、レーザ加工位置にウェ
ハ７を移動する。
決めする位置決め機構４があり、レーザ加工位置にウェ
ハ７を移動する。
【００１９】次にレーザ６の光をウェハ７に照射し加工
する加工機構５により本発明のレーザ加工装置はなって
いる。
する加工機構５により本発明のレーザ加工装置はなって
いる。
【００２０】図２は、本発明のレーザ加工装置を用いて
半導体集積回路を製造する方法について説明するための
工程フロー図である。
半導体集積回路を製造する方法について説明するための
工程フロー図である。
【００２１】まずはじめに、入力機構１により、ウェハ
７の高さ方向のオフセット量を入力する。
７の高さ方向のオフセット量を入力する。
【００２２】このオフセット量は、半導体集積回路のポ
リイミド等の有機絶縁膜の表面からヒューズの表面まで
の距離をあらかじめ測定しておき、レーザ加工が最適に
成るように求めておいた量である。
リイミド等の有機絶縁膜の表面からヒューズの表面まで
の距離をあらかじめ測定しておき、レーザ加工が最適に
成るように求めておいた量である。
【００２３】次に、検出機構２によってウェハ７表面の
高さを検出する。次に高さのオフセット分ウェハ７の高
さ分だけ移動機構３によって移動させる。これにより、
レーザ６の光の集光する高さ方向の位置とレーザ加工す
る物質の高さ方向の位置を相対的に調整される。
高さを検出する。次に高さのオフセット分ウェハ７の高
さ分だけ移動機構３によって移動させる。これにより、
レーザ６の光の集光する高さ方向の位置とレーザ加工す
る物質の高さ方向の位置を相対的に調整される。
【００２４】次に、すでに入力されたレーザ加工する位
置データに基づき高精度にウェハ７の水平方向の位置決
めがなされるように位置決め機構４がある。
置データに基づき高精度にウェハ７の水平方向の位置決
めがなされるように位置決め機構４がある。
【００２５】これによってレーザ加工位置にウェハ７を
移動する。次に加工機構５によってレーザ６の光をウェ
ハ７に照射し加工する。
移動する。次に加工機構５によってレーザ６の光をウェ
ハ７に照射し加工する。
【００２６】本発明によれば、ウェハ７の高さ方向のオ
フセットを任意に入力することができ、ウェハ７表面の
高さの検出した位置とレーザ加工する位置との差が有っ
ても、ウェハ７の高さ方向のオフセット分ウェハ７の高
さを移動させることが可能となり、ヒューズの上面部に
レーザ６の光を集光することができる。よって、ポリイ
ミド等の有機絶縁膜が半導体集積回路のチップの上に形
成されても、微細なレーザ加工が可能となる。
フセットを任意に入力することができ、ウェハ７表面の
高さの検出した位置とレーザ加工する位置との差が有っ
ても、ウェハ７の高さ方向のオフセット分ウェハ７の高
さを移動させることが可能となり、ヒューズの上面部に
レーザ６の光を集光することができる。よって、ポリイ
ミド等の有機絶縁膜が半導体集積回路のチップの上に形
成されても、微細なレーザ加工が可能となる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、本発明のレーザ加工装置
によれば、ウェハ表面の高さの検出した位置とレーザ加
工する位置との差が有っても、ウェハの高さ方向のオフ
セット分ウェハの高さを移動させることが可能となり、
ヒューズの上面部にレーザ光を集光することができる。
よって、ポリイミド等の有機絶縁膜が半導体集積回路の
チップの上に形成されても、微細なレーザ加工が可能と
なる。
によれば、ウェハ表面の高さの検出した位置とレーザ加
工する位置との差が有っても、ウェハの高さ方向のオフ
セット分ウェハの高さを移動させることが可能となり、
ヒューズの上面部にレーザ光を集光することができる。
よって、ポリイミド等の有機絶縁膜が半導体集積回路の
チップの上に形成されても、微細なレーザ加工が可能と
なる。
【図１】本発明の一実施例を説明するためのレーザ加工
装置の機構ブロック図
装置の機構ブロック図
【図２】本発明のレーザ加工装置で半導体装置を製造す
る方法の工程フロー図
る方法の工程フロー図
【図３】従来の半導体集積回路のレーザ加工する部分の
周辺部を含んだ断面図
周辺部を含んだ断面図
１ 入力機構 ２ 検出機構 ３ 移動機構 ４ 位置決め機構 ５ 加工機構
Claims (1)
- 【請求項１】 ステージに固定されたウェハと、前記ウ
ェハの高さ方向のオフセットを入力する入力機構と、ウ
ェハ表面の高さを検出する検出機構と、前記オフセット
分だけ前記ウェハの高さを移動させる移動機構と、前記
ウェハの水平方向の位置決めをする位置決め機構と、前
記ウェハにレーザ光を照射する加工機構とを備えたこと
を特徴とするレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4014511A JPH05200575A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4014511A JPH05200575A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05200575A true JPH05200575A (ja) | 1993-08-10 |
Family
ID=11863105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4014511A Pending JPH05200575A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05200575A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003533876A (ja) * | 2000-05-16 | 2003-11-11 | ジェネラル スキャニング インコーポレイテッド | レーザ処理サイト内のミクロ構造を処理するために材料処理用レーザビームのウェストを精密に位置決めする方法及びシステム |
| JP2008068312A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Keyence Corp | レーザ加工装置、３次元レーザ加工における高さ方向のオフセット調整方法及びレーザ加工装置の制御プログラム |
| US7767928B2 (en) * | 2001-09-05 | 2010-08-03 | Lasertec Gmbh | Depth measurement and depth control or automatic depth control for a hollow to be produced by a laser processing device |
-
1992
- 1992-01-30 JP JP4014511A patent/JPH05200575A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003533876A (ja) * | 2000-05-16 | 2003-11-11 | ジェネラル スキャニング インコーポレイテッド | レーザ処理サイト内のミクロ構造を処理するために材料処理用レーザビームのウェストを精密に位置決めする方法及びシステム |
| US7767928B2 (en) * | 2001-09-05 | 2010-08-03 | Lasertec Gmbh | Depth measurement and depth control or automatic depth control for a hollow to be produced by a laser processing device |
| JP2008068312A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Keyence Corp | レーザ加工装置、３次元レーザ加工における高さ方向のオフセット調整方法及びレーザ加工装置の制御プログラム |
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